CN110137360B - 一种掺杂钙钛矿电池及其制备方法 - Google Patents

一种掺杂钙钛矿电池及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种掺杂钙钛矿电池及其制备方法，该掺杂钙钛矿电池包括FTO导电玻璃层、致密二氧化钛薄膜层、介孔二氧化钛薄膜层、钙钛矿薄膜层、空穴传输层和金电极层，其中钙钛矿薄膜层为SrCl2掺杂钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿电池经过30天的光电性能测试，光电转换效率只减少了原来的10%左右；本发明掺杂钙钛矿电池的制备方法制得的钙钛矿电池拓宽了光的吸收范围，提升了钙钛矿电池在光线微弱的环境下光电转换性能的稳定性。

Description

一种掺杂钙钛矿电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及技术领域，具体说是一种掺杂钙钛矿电池及其制备方法。
背景技术
自从20世纪50年代以来，太阳能电池技术行业飞速发展，各种各样的太阳能电池相继问世，如单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池、染料敏化太阳能电池、有机光伏太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等。而钙钛矿作为其中的一种新兴太阳能电池，自2009年横空出世以来，光电转换效率从3.8%一路高歌，直达到23.7%，在2013年度被《Science》评为年度十大科学突破之一，发展速度超过了前面所述的任何一种太阳能电池，这展现了钙钛矿电池的极大发展潜力。其中，有机-无机杂化钙钛矿材料由于具有较高的载流子迁移率和大的光吸收范围的显著优点，引起了全球范围内的广泛关注。而以ABX3（A一般代表一价阳离子如CH3NH3 -和HC(NH2)2 -，B一般代表二价阳离子如Pb2+，X代表卤素阴离子如Br-、I-）为基本钙钛矿结构的太阳能电池相比其他光电转化材料，制作工艺简单但能达到高的光电转换效率。
发明内容
本发明的目的是针对上述现有技术中的不足，提供一种掺杂钙钛矿电池。
本发明的另一目的是提供一种掺杂钙钛矿电池的制备方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
一种掺杂钙钛矿电池，其特征在于，包括：
FTO导电玻璃层。
致密二氧化钛薄膜层，形成于所述FTO导电玻璃层上。
介孔二氧化钛薄膜层，形成于所述致密二氧化钛薄膜层上。
钙钛矿薄膜层，形成于所述介孔二氧化钛薄膜层上。
空穴传输层，形成于所述钙钛矿薄膜层上。
金电极层，形成于所述空穴传输层上。
本发明进一步设计方案中，上述钙钛矿薄膜层为SrCl2掺杂钙钛矿薄膜。
掺杂钙钛矿电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤一、提供FTO导电玻璃。
步骤二、将二异丙氧基双乙酰丙酮钛加入无水正丁醇中，摇匀后旋涂到FTO导电玻璃上，500℃高温煅烧形成致密二氧化钛薄膜层。
步骤三、用二氧化钛和无水乙醇配制成溶液旋涂于致密二氧化钛薄膜层上，500℃高温煅烧形成介孔二氧化钛薄膜层。
步骤四、将碘化甲胺、碘化甲脒、溴化甲胺、溴化铅、碘化铅、氯化甲胺和氯化锶溶于二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的混合液中，进行搅拌，得到钙钛矿前驱体溶液，将钙钛矿前驱体溶液旋涂到介孔二氧化钛薄膜层上，进行退火处理，形成钙钛矿薄膜层。
步骤五、将2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴（Spiro-OMeTAD）溶于氯苯中，摇匀后得到空穴传输层溶液，将空穴传输层溶液旋涂到钙钛矿薄膜层上，形成空穴传输层。
步骤六、采用真空蒸镀装置在空穴传输层上蒸镀金电极，形成金电极层。
本发明进一步设计方案中，步骤三中二氧化钛和无水乙醇的质量比1:4-10。
本发明进一步设计方案中，步骤四中二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的体积比为1:4-5。
本发明具有以下突出的有益效果：
本发明的掺杂钙钛矿电池由于SrCl2的掺杂，能够有效降低钙钛矿膜中的缺陷浓度，使器件拥有更好的孔隙填充，钙钛矿电池的光电转换效率显著增加；MACl的加入，其中Cl-改变了钙钛矿晶体生长的动力过程，从而减少了缺陷的产生，另一部分Cl-能够钝化二氧化钛表面，减少钙钛矿电池的内部缺陷；本发明制得的钙钛矿电池经过30天的光电性能测试，光电转换效率只减少了原来的10%左右，这说明掺杂钙钛矿电池在空气中稳定性良好；本发明掺杂钙钛矿电池的制备方法制得的钙钛矿电池拓宽了光的吸收范围，提升了钙钛矿电池在光线微弱的环境下光电转换性能的稳定性。
附图说明
图1是本发明掺杂钙钛矿电池结构示意图；
图2是实施例1中掺杂钙钛矿电池伏安特性曲线图；
图3是实施例1中掺杂钙钛矿电池在大气环境存放不同时间后光电转换效率衰减情况图；
图4是实施例1中掺杂钙钛矿电池与未掺杂SrCl2钙钛矿电池伏安特性曲线比较图；
图5是实施例1中掺杂钙钛矿电池与未掺杂SrCl2钙钛矿电池紫外吸收比较图；
图中，1- FTO导电玻璃层，2-致密二氧化钛薄膜层，3-介孔二氧化钛薄膜层，4-钙钛矿薄膜层，5-空穴传输层，6-金电极层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
实施例 1
掺杂的钙钛矿电池制备步骤：
步骤一、FTO导电玻璃的清洗：将FTO导电玻璃依次用丙酮、异丙醇、乙醇、去离子水超声清洗30分钟，然后再120℃的烘箱中干燥去除表面的水分和杂质，将干燥后的FTO导电玻璃用紫外-臭氧装置处理30分钟，等待备用。
步骤二、致密二氧化钛薄膜的制备：取120微升的二异丙氧基双乙酰丙酮钛，加入1.0毫升的无水正丁醇，摇匀后将溶液旋涂到FTO导电玻璃上，转速2000rpm；经500℃高温煅烧，形成致密二氧化钛薄膜层。
步骤三、介孔二氧化钛薄膜的制备：将二氧化钛和无水乙醇按照质量比1:4配制成溶液，搅拌12小时待用，将上述溶液旋涂于已沉积上致密二氧化钛薄膜的FTO导电玻璃上，转速6000rpm；经500℃高温煅烧，形成介孔二氧化钛薄膜层。
步骤四、钙钛矿薄膜的制备：将90mg碘化甲胺、63mg碘化甲脒、12mg溴化甲胺、42mg溴化铅、425mg碘化铅、33mg氯化甲胺MACl和16mg氯化锶SrCl2溶于1毫升二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺中，二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的体积比为1:4，搅拌12小时，得到钙钛矿前驱体溶液并旋涂到步骤3中的FTO导电玻璃上，其中低速转速1200rpm，时间15秒后高速转速4000rpm，时间35秒，在高速最后10秒时滴加***作为反溶剂后110℃退火20分钟。
步骤五、空穴传输层5的制备：称取2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴（Spiro-OMeTAD）质量80mg溶于1毫升氯苯中，摇匀后得到空穴传输层5溶液并旋涂到步骤4的FTO导电玻璃上，旋涂速度4000rpm，时间40分钟。
步骤六、金电极的制备：采用真空蒸镀装置在Spiro-OMeTAD薄膜上蒸镀金电极，厚度80nm。得到掺杂钙钛矿电池。该电池包括FTO导电玻璃层1、致密二氧化钛薄膜层2、介孔二氧化钛薄膜层3、钙钛矿薄膜层4、空穴传输层5和金电极层6，其中钙钛矿薄膜层4为SrCl2掺杂钙钛矿薄膜。
将制得的掺杂钙钛矿电池放置在循环伏安测试装置进行电池的效率、开路电压、短路电流和填充因子数据测量；测试结果见附图2，从图2中可见SrCl2掺杂钙钛矿电池效率达到18.96%，这说明SrCl2掺杂钙钛矿电池器件性能显著提升；开路电压超过1.10V，充分说明了SrCl2掺杂有效改善了此类电池电荷复合和界面缺陷。
将制得的掺杂钙钛矿电池放置于干燥皿中 ，分别在0、2、5、10、15、20、25和30天取出放置在循环伏安测试装置，测试30天该电池效率变化；测试结果见表1和附图3，可见经过30天的循环伏安测试，电池效率衰减维持在10%，说明在敞开大气中电池的优越稳定性，而普通电池经过30天测试效率衰减到原来的50%以下。
表1实施例1制备的钙钛矿电池的光电转换效率衰减情况表
时间天 光电转换效率百分比 时间天 光电转换效率百分比
0 18.96% 15 18.01%
2 18.30% 20 17.77%
5 18.23% 25 17.64%
10 18.11% 30 16.99%
本实施例制得的掺杂钙钛矿电池与未掺杂SrCl2钙钛矿电池的光电转换效率比较结果见如附图4，可见本实施例的钙钛矿电池和未掺杂SrCl2钙钛矿电池相比光电转换效率显著提升，这说明本发明SrCl2掺杂钙钛矿电池中SrCl2界面修饰效果明显，器件光电转换性能优越。
将制得的掺杂钙钛矿电池放置于紫外-可见吸收光谱中，测试紫外吸收情况。实施例的掺杂钙钛矿电池与未掺杂SrCl2钙钛矿电池的紫外吸收性能对比结果见附图5，可见本发明的SrCl2掺杂钙钛矿电池比未掺杂SrCl2的钙钛矿电池的光的吸收强度显著增加；掺杂SrCl2后吸收更多红外光，这扩宽了光吸收范围，说明本发明的钙钛矿电池在太阳光弱的环境下也有优越的光电转换性能。
实施例 2
掺杂的钙钛矿电池制备步骤：
步骤一、FTO导电玻璃的清洗：将FTO导电玻璃依次用丙酮、异丙醇、乙醇、去离子水超声清洗30分钟，然后再120℃的烘箱中干燥去除表面的 水分和杂质，将干燥后的FTO导电玻璃用紫外-臭氧装置处理30分钟，等待备用。
步骤二、致密二氧化钛薄膜的制备：取120微升的二异丙氧基双乙酰丙酮钛，加入1.5毫升的无水正丁醇，摇匀后将溶液旋涂到FTO导电玻璃上，转速2000~3500rpm；经450℃高温煅烧，形成致密二氧化钛薄膜层。
步骤三、介孔二氧化钛薄膜的制备：将二氧化钛和无水乙醇按照质量比1:6配制成溶液，搅拌12小时待用，将上述溶液旋涂于已沉积上致密二氧化钛薄膜的FTO导电玻璃上，转速6000rpm；经450℃高温煅烧，形成介孔二氧化钛薄膜层。
步骤四、钙钛矿薄膜的制备：将90mg碘化甲胺、63mg碘化甲脒、12mg溴化甲胺、42mg溴化铅、425mg碘化铅、33mg氯化甲胺MACl和22mg氯化锶SrCl2溶于1毫升二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺中，二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的体积比为1: 5，搅拌12小时，得到钙钛矿前驱体溶液并旋涂到步骤3中的FTO导电玻璃上，其中低速转速1200rpm，时间15秒后高速转速4000~5000rpm，时间35秒，在高速最后10秒时滴加***作为反溶剂后110℃退火15分钟。
步骤五、空穴传输层5的制备：称取2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴（Spiro-OMeTAD）质量80mg溶于1毫升氯苯中，摇匀后得到空穴传输层5溶液并旋涂到步骤4的FTO导电玻璃上，旋涂速度4000rpm，时间40分钟。
步骤六、金电极的制备：采用真空蒸镀装置在Spiro-OMeTAD薄膜上蒸镀金电极，厚度80nm。
实施例 3
掺杂的钙钛矿电池制备步骤：
步骤一、FTO导电玻璃的清洗：将FTO导电玻璃依次用丙酮、异丙醇、乙醇、去离子水超声清洗30分钟，然后再120℃的烘箱中干燥去除表面的 水分和杂质，将干燥后的FTO导电玻璃用紫外-臭氧装置处理30分钟，等待备用。
步骤二、致密二氧化钛薄膜的制备：取120微升的二异丙氧基双乙酰丙酮钛，加入1.8毫升的无水正丁醇，摇匀后将溶液旋涂到FTO导电玻璃上，转速2000~3500rpm；经500℃高温煅烧，形成致密二氧化钛薄膜层。
步骤三、介孔二氧化钛薄膜的制备：将二氧化钛和无水乙醇按照质量比1:10配制成溶液，搅拌12小时待用，将上述溶液旋涂于已沉积上致密二氧化钛薄膜的FTO导电玻璃上，转速6000rpm；经450℃高温煅烧，形成介孔二氧化钛薄膜层。
步骤四、钙钛矿薄膜的制备：将90mg碘化甲胺、63mg碘化甲脒、12mg溴化甲胺、42mg溴化铅、425mg碘化铅、33mg氯化甲胺MACl和25mg氯化锶SrCl2溶于1毫升二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺中，二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的体积比为1:5，搅拌12小时，得到钙钛矿前驱体溶液并旋涂到步骤3中的FTO导电玻璃上，其中低速转速1200rpm，时间15秒后高速转速4000~5000rpm，时间35秒，在高速最后10秒时滴加***作为反溶剂后110℃退火20分钟。
步骤五、空穴传输层5的制备：称取2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴（Spiro-OMeTAD）质量80mg溶于1毫升氯苯中，摇匀后得到空穴传输层5溶液并旋涂到步骤4的FTO导电玻璃上，旋涂速度4000rpm，时间40分钟。
步骤六、金电极的制备：采用真空蒸镀装置在Spiro-OMeTAD薄膜上蒸镀金电极，厚度80nm。
实施例2、3中掺杂SrCl2的用量、二氧化钛和无水乙醇的质量比以及二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的体积比与实施例一的数据不同，制得的掺杂钙钛矿电池的性能无明显差异。
以上是本发明的较佳实施例，凡依本发明技术方案所作的改变，所产生的功能作用未超出本发明技术方案的范围时，均属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种掺杂钙钛矿电池，其特征在于，包括：
FTO导电玻璃层（1）；
致密二氧化钛薄膜层（2），形成于所述FTO导电玻璃层（1）上；
介孔二氧化钛薄膜层（3），形成于所述致密二氧化钛薄膜层（2）上；
钙钛矿薄膜层（4），形成于所述介孔二氧化钛薄膜层（3）上；所述钙钛矿薄膜层（4）为SrCl2掺杂钙钛矿薄膜；
空穴传输层（5），形成于所述钙钛矿薄膜层（4）上；
金电极层（6），形成于所述空穴传输层（5）上；
该掺杂钙钛矿电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤一、提供FTO导电玻璃；
步骤二、将二异丙氧基双乙酰丙酮钛加入无水正丁醇中，摇匀后旋涂到FTO导电玻璃上，经450℃-500℃高温煅烧，形成致密二氧化钛薄膜层（2）；
步骤三、用二氧化钛和无水乙醇配制成溶液旋涂于致密二氧化钛薄膜层（2）上，经450℃-500℃高温煅烧，形成介孔二氧化钛薄膜层（3）；
步骤四、将碘化甲胺、碘化甲脒、溴化甲胺、溴化铅、碘化铅、氯化甲胺和氯化锶溶于二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的混合液中，进行搅拌，得到钙钛矿前驱体溶液，将钙钛矿前驱体溶液旋涂到介孔二氧化钛薄膜层（3）上，进行退火处理，形成钙钛矿薄膜层（4）；
步骤五、将2,2,7,7-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9-螺二芴溶于氯苯中，摇匀后得到空穴传输层（5）溶液，将空穴传输层（5）溶液旋涂到钙钛矿薄膜层（4）上，形成空穴传输层（5）；
步骤六、采用真空蒸镀装置在空穴传输层（5）上蒸镀金电极，形成金电极层（6）。
2.根据权利要求1所述的掺杂钙钛矿电池，其特征在于，步骤三中二氧化钛和无水乙醇的质量比1:4-10。
3.根据权利要求1或2所述的掺杂钙钛矿电池，其特征在于，步骤四中二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺的体积比为1:4-5。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113097386B (zh) * 2021-03-31 2022-12-06 合肥工业大学 一种具有高效电荷提取的复合电子传输层及其在钙钛矿太阳能电池中的应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070832A (zh) * 2015-07-07 2015-11-18 华中科技大学 一种Sr-Pb二元金属复合钙钛矿材料及其制备和应用方法
CN105576133A (zh) * 2015-12-21 2016-05-11 成都新柯力化工科技有限公司 一种可喷涂的钙钛矿结构的光伏材料及其制备方法
CN106981570A (zh) * 2016-01-18 2017-07-25 北京大学 一种钙钛矿薄膜的快速制备方法及其应用
CN109244251A (zh) * 2018-08-28 2019-01-18 北京科技大学 一种掺杂硫氰酸钾的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109461821A (zh) * 2018-10-15 2019-03-12 北京曜能科技有限公司 一种有机-无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070832A (zh) * 2015-07-07 2015-11-18 华中科技大学 一种Sr-Pb二元金属复合钙钛矿材料及其制备和应用方法
CN105576133A (zh) * 2015-12-21 2016-05-11 成都新柯力化工科技有限公司 一种可喷涂的钙钛矿结构的光伏材料及其制备方法
CN106981570A (zh) * 2016-01-18 2017-07-25 北京大学 一种钙钛矿薄膜的快速制备方法及其应用
CN109244251A (zh) * 2018-08-28 2019-01-18 北京科技大学 一种掺杂硫氰酸钾的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109461821A (zh) * 2018-10-15 2019-03-12 北京曜能科技有限公司 一种有机-无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SrCl2 Derived Perovskite Facilitating a High Efficiency of 16% in Hole-Conductor-Free Fully Printable Mesoscopic Perovskite Solar Cells;Hua Zhang等;《Adv. Mater.》;20170207;全文 *

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