CN110120466A - 显示基板及其制造方法、显示面板 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 174
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本申请公开了一种显示基板及其制造方法、显示面板，属于显示技术领域。所述显示基板包括：衬底基板，以及位于衬底基板一侧的彩膜层，彩膜层的目标面具有散射结构，目标面包括相对的第一面和第二面中的至少一面。本申请提高了显示面板的可视角度。本申请用于显示图像。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，对显示面板的质量要求也越来越高。显示面板的可视角是衡量显示面板的质量好坏的一个重要指标。
发明内容
本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示面板，可以解决显示面板的可视角度较小的问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：
衬底基板，以及位于所述衬底基板一侧的彩膜层，所述彩膜层的目标面具有散射结构，所述目标面包括相对的第一面和第二面中的至少一面。
可选地，所述散射结构包括多个凹槽。
可选地，所述多个凹槽阵列排布在所述目标面上。
可选地，所述显示基板还包括与所述目标面贴合的第一膜层，所述第一膜层的材质与所述彩膜层的材质不同。
可选地，所述目标面包括所述靠近所述衬底基板的所述第一面，所述第一膜层包括钝化层，所述显示基板还包括位于所述衬底基板与所述彩膜层之间的缓冲层和薄膜晶体管，所述缓冲层、所述薄膜晶体管与所述钝化层沿远离所述衬底基板的方向依次设置。
可选地，所述目标面包括远离所述衬底基板的所述第二面，所述第一膜层包括平坦层，所述显示基板还包括位于所述衬底基板与所述彩膜层之间的缓冲层和薄膜晶体管，所述缓冲层、所述薄膜晶体管、所述钝化层、所述彩膜层与所述平坦层沿远离所述衬底基板的方向依次设置。
另一方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成彩膜层，所述彩膜层的目标面具有散射结构，所述目标面包括相对的第一面和第二面中的至少一面。
可选地，在所述提供衬底基板之后，所述方法还包括：
在所述衬底基板上依次形成缓冲层、薄膜晶体管和钝化层；
对所述钝化层的表面进行粗糙化处理；
在所述衬底基板的一侧形成彩膜层，包括：
在表面经过粗糙化处理后的所述钝化层上形成所述彩膜层，以在所述彩膜层靠近所述衬底基板的所述第一面上形成所述散射结构。
可选地，在所述提供衬底基板之后，所述方法还包括：
在所述衬底基板上依次形成缓冲层、薄膜晶体管和钝化层；
在所述衬底基板的一侧形成彩膜层，包括：
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧形成所述彩膜层；
对所述彩膜层的表面进行粗糙化处理，以在所述彩膜层远离所述衬底基板的所述第二面上形成所述散射结构；
在所述衬底基板的一侧形成彩膜层之后，所述方法还包括：
在所述彩膜层远离所述衬底基板的一侧形成平坦层。
再一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的显示基板。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本申请提供了一种显示基板及其制造方法、显示面板，由于显示基板中彩膜层的目标面具有散射结构，该散射结构可以对光线起到散射作用。当光线从该散射结构出射时会发生散射，使显示基板的出光角度较大，进而可以使包括该显示基板的显示面板具有较大的可视角度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；
图5是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图；
图6是本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法流程图；
图7是本申请实施例提供的一种显示基板的部分结构示意图；
图8是本申请实施例提供的再一种显示基板的制造方法流程图；
图9是本申请实施例提供的另一种显示基板的部分结构示意图；
图10是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
随着显示技术的发展，可视角度较大的显示面板越来越受到人们的青睐，本申请以下实施例提供了一种显示基板，可以使得包括该显示基板的显示面板的可视角度较大。
图1是本申请实施例提供的一种显示基板的结构示意图。如图1所示，该显示基板10可以包括：衬底基板101，以及位于衬底基板101一侧的彩膜层102，该彩膜层102的目标面具有散射结构(图1中未标出散射结构)，该目标面包括相对的第一面和第二面中的至少一面。
其中，彩膜层102的第一面为彩膜层102靠近衬底基板101的面，彩膜层102的第二面为彩膜层102远离衬底基板101的面。第一面和第二面中的一面为入光面，另一面为出光面。目标面包括相对的第一面和第二面中的至少一面，指目标面包括第一面，或者目标面包括第二面，或者目标面包括相对的第一面和第二面。
示例地，在图1中，彩膜层102的目标面仅包括第一面。需要说明的是，图1中光线的箭头指向表示光线的入射方向，也即是，在图1中，彩膜层102的第一面为出光面，第二面为入光面，即如图1所示的显示基板为底发射结构。可选地，本申请实施例提供的显示基板还可以是顶发射结构，则彩膜层的第一面为入光面，第二面为出光面。本申请以下实施例均以显示基板为底发射结构为例进行说明。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板中，由于彩膜层的目标面具有散射结构，该散射结构可以对光线起到散射作用。当光线从该散射结构出射时会发生散射，使显示基板的出光角度较大，进而可以使包括该显示基板的显示面板具有较大的可视角度。
可选地，本申请实施例提供的显示基板还包括与彩膜层的目标面贴合的第一膜层，该第一膜层的材质与彩膜层的材质不同。当目标面为彩膜层的第一面时，第一膜层为与彩膜层的第一面接触的膜层；当目标面为彩膜层的第二面时，第一膜层为与彩膜层的第二面接触的膜层；当目标面包括彩膜层的第一面和第二面时，第一膜层包括与彩膜层的第一面接触的膜层以及与彩膜层的第二面接触的膜层。
由于贴合的两膜层的材质不同时，光线在该两膜层的交界面上的散射效果更好，因此，与彩膜层的目标面贴合的第一膜层的材质与彩膜层的材质不同，可以使得在彩膜层的目标面上散射结构对光线有较好的散射效果。
在本申请的一个可选实施例中，上述显示基板可以是自发光显示基板。例如该显示基板可以是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示基板或量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)显示基板等。本申请实施例以以下三种显示基板为例，对彩膜层上散射结构的设置位置进行说明。
第一种显示基板的结构参见图1，如图1所示，彩膜层102的散射结构设置在彩膜层102的第一面上，也即是彩膜层102的目标面包括第一面。显示基板10还可以包括位于衬底基板101与彩膜层102之间的钝化层105，钝化层105与彩膜层102的第一面贴合。
需要说明的是，图1中彩膜层102的第一面为彩膜层102的出光面，也即是彩膜层102的散射结构设置在彩膜层102的出光面上，进而光线可以在穿过彩膜层102后才发生散射，避免了光线在散射后进入彩膜层102导致光线从彩膜层102中无需射出光线的区域射出，保证了显示基板显示图像的精准性。
在图1所示的显示基板中，射向彩膜层102的光线可以为白光，该白光可以经过彩膜层102变为彩色光。该彩色光在彩膜层102的第一面具有的散射结构的作用下发生散射后，以较大的出光角度射出彩膜层102及衬底基板101，实现显示基板10的彩色显示。
第二种显示基板的结构参见图2，图2是本申请实施例提供的另一种显示基板的结构示意图。如图2所示，彩膜层102的散射结构设置在彩膜层102的第二面上，也即是彩膜层102的目标面包括第二面。显示基板10还可以包括位于彩膜层102远离衬底基板101的一侧的平坦层106，平坦层106与彩膜层102的第二面贴合。
在图2所示的显示基板中，射向彩膜层102的光线可以为白光，该白光可以经过平坦层106射向彩膜层102的第二面，进而在第二面具有的散射结构的作用下发生散射，以较大的出光角度射入彩膜层102变为彩色光，进而射出衬底基板101，实现显示基板10的彩色显示。
第三种显示基板的结构参见图3，图3是本申请实施例提供的又一种显示基板的结构示意图。如图3所示，彩膜层102的散射结构既设置在彩膜层102的第一面上，还设置在彩膜层102的第二面上，也即是彩膜层102的目标面包括第一面和第二面。显示基板10还可以包括位于衬底基板101与彩膜层102之间的钝化层105，以及位于彩膜层102远离衬底基板101的一侧的平坦层106，钝化层105与彩膜层102的第一面贴合，平坦层106与彩膜层102的第二面贴合。
在图3所示的显示基板中，射入平坦层106的光线可以为白光，该白光可以在射出平坦层106时发生散射。接着散射后的白光射入彩膜层102变为彩色光，彩色光在射出彩膜层102时再次发生散射，之后以较大的出光角度射出衬底基板101，实现显示基板10的彩色显示。
可选地，图1至图3任一所示的显示基板中，彩膜层的材质为有机材质，钝化层的材质为氧化硅、氮化硅和氧化铝中的至少一种，平坦层的材质为感光性树脂。也即是，彩膜层可以与钝化层和平坦层的材质可以均不同，进而可以提高彩膜层的目标面具有的散射结构对光线的散射效果。
可选地，图1至图3任一所示的显示基板中，显示基板10均可以包括：设置在衬底基板101和彩膜层102之间的缓冲层103、薄膜晶体管104和钝化层105，且缓冲层103、薄膜晶体管104和钝化层105沿远离衬底基板101的方向依次设置。其中，缓冲层103可以阻隔衬底基板101中的离子扩散至薄膜晶体管104中的有源层，进而避免扩散的离子影响薄膜晶体管104的性能。钝化层105可以用于阻隔水氧对薄膜晶体管104的侵蚀。
需要说明的是，图1至图3任一所示的显示基板中的薄膜晶体管可以是顶栅结构的薄膜晶体管，也可以是底栅结构的薄膜晶体管。图1和图3以薄膜晶体管104为顶栅结构的薄膜晶体管为例进行示意；图2以薄膜晶体管104为底栅结构的薄膜晶体管进行示意。参见图1或图3，顶栅结构的薄膜晶体管104包括沿远离衬底基板101的方向层叠设置的有源层图案1041、栅绝缘层1042、栅极G、层间电介质层1043和源漏极图案。源漏极图案包括源极S和漏极D。参见图2，底栅结构的薄膜晶体管104包括沿远离衬底基板101的方向层叠设置的栅极G、栅绝缘层1042、有源层图案1041和源漏极图案，源漏极图案包括源极S和漏极D。
可选地，栅极的制备材料包括铝(Al)、钕(Nd)和钼(Mo)中的一种或多种。源漏极图案的制备材料包括铝、钕和钼中的一种或多种。有源层图案的制备材料包括铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)和低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)中的一种或多种。
可选地，图1至图3任一所示的显示基板中，彩膜层远离衬底基板的一侧还可以设置有自发光器件，该自发光器件可以向彩膜层所在侧发出白光。该白光经过彩膜层后可以变为彩色光射出，进而实现显示基板的彩色显示。可选地，该自发光器件可以为OLED器件，OLED器件可以包括叠加的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层。
在本申请的另一个可选实施例中，上述显示基板可以是彩膜基板。示例地，
图4是本申请实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。其中彩膜层102可以形成在衬底基板101上，可选地，该彩膜基板还可以包括黑矩阵。该彩膜基板可以用于液晶显示面板。
可选地，图1至图4任一所示的显示基板中，彩膜层102的目标面具有的散射结构可以包括多个凹槽W。可选地，凹槽可以呈半球形、倒三角锥形或倒棱台形中的至少一种，也即是，多个凹槽包括半球形凹槽、倒三角锥形凹槽和倒棱台形凹槽中的至少一种。
示例地，当凹槽呈半球形时，凹槽的口径宽度指的是半球的直径。当凹槽呈倒三角锥形时，凹槽的口径宽度指的是倒三角锥的底面边长。当凹槽呈倒棱台形时，凹槽的口径宽度指的是倒棱台的底面的口径宽度。
可选地，凹槽的口径宽度范围为50至700纳米。由于凹槽的口径宽度与光线的波长越接近，散射结构对光线的散射效果越好，彩膜层通常包括红色滤光区、绿色滤光区和/或蓝色滤光区，红光的波长为700纳米，绿光的波长为546.1纳米，蓝光的波长为435.8纳米，显示基板用于射出红光、绿光和/蓝光，因此当彩膜层的目标面上具有散射结构，且散射结构中的凹槽的口径宽度范围为50至700纳米时，可以对红光、绿光和/或蓝光有较好的散射效果。
可选地，彩膜层的散射结构中各个凹槽的开口尺寸可以均相同，也可以不同。
可选地，该多个凹槽可以阵列排布在彩膜层的目标面上，进而保证射向该目标面各个位置的光线可以较为均匀地散射，保证显示基板出光的均匀性。可选地，该多个凹槽也可以随机散乱分布在彩膜层的目标面。
需要说明的是，由于彩膜层的目标面具有散射结构，且散射结构为凹槽，第一膜层与目标面贴合，因此彩膜层与第一膜层的贴合较为牢固，降低了彩膜层脱落的风险，提高了显示基板的良率。
本申请实施例中直接在彩膜层的目标面上形成散射结构，而无需采用其他材料单独制备散射层，因此可以减少材料使用和工艺步骤，降低显示基板的制备成本，且使显示基板更加轻薄。
综上所述，本申请实施例提供的显示基板中，由于彩膜层的目标面具有散射结构，该散射结构可以对光线起到散射作用。当光线从该散射结构出射时会发生散射，使显示基板的出光角度较大，进而可以使包括该显示基板的显示面板具有较大的可视角度。
图5是本申请实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图。该方法可以用于制造图1至4任一所示的显示基板，如图5所示，该方法可以包括：
步骤501、提供衬底基板。
步骤502、在衬底基板的一侧形成彩膜层，彩膜层的目标面具有散射结构，目标面包括相对的第一面和第二面中的至少一面。
综上所述，采用本申请实施例提供的方法制备的显示基板中，由于彩膜层的目标面具有散射结构，该散射结构可以对光线起到散射作用。当光线从该散射结构出射时会发生散射，使显示基板的出光角度较大，进而可以使包括该显示基板的显示面板具有较大的可视角度。
图6是本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法流程图。该方法可以用于制造图1所示的显示基板，如图6所示，该方法可以包括：
步骤601、提供衬底基板。
可选地，该衬底基板的制备材料可以包括玻璃、石英和塑料中的一种或多种，本申请实施例对衬底基板的制备材料不做限定。
步骤602、在衬底基板上依次形成缓冲层、薄膜晶体管和钝化层。
示例地，参见图7中的S11，可以在衬底基板101上依次形成缓冲层103、薄膜晶体管104和钝化层105。
在本申请的一个可选实施例中，当薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管时，在形成缓冲层的衬底基板上形成薄膜晶体管的实现过程可以包括：
步骤61a、在形成缓冲层的衬底基板上形成有源层图案。
可选地，有源层图案的制备材料包括IGZO、LTPS和LTPO中的至少一种。例如可以采用构图工艺在衬底基板上形成有源层图案。其中，构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
步骤62a、在形成有有源层图案的衬底基板上形成栅绝缘层。
可选地，栅绝缘层的制备材料包括二氧化硅、氮化硅和氧化铝中的至少一种。例如可以采用沉积的方式在形成有有源层图案的衬底基板上形成栅绝缘层。
步骤63a、在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成栅极。
可选地，栅极的制备材料包括铝、钕和钼中的至少一种。例如可以采用构图工艺在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成栅极。
步骤64a、在形成有栅极的衬底基板上形成层间电介质层。
可选地，层间电介质层的制备材料包括二氧化硅、氮化硅和氧化铝中的至少一种。例如可以采用沉积的方式在形成有栅极的衬底基板上形成层间电介质层。
步骤65a、在形成有层间电介质层的衬底基板上形成源漏极图案。
可选地，源漏极图案的制备材料包括铝、钕和钼中的至少一种。例如可以采用构图工艺在形成有钝化层的衬底基板上形成源漏极图案。
在本申请的另一个可选实施例中，当薄膜晶体管为底栅结构的薄膜晶体管时，在形成缓冲层的衬底基板上形成薄膜晶体管的实现过程可以包括：
步骤61b、在形成缓冲层的衬底基板上形成栅极。
其中，栅极的材质和制备方式可以参考上述步骤63a，本申请实施例在此不做赘述。
步骤62b、在形成有栅极的衬底基板上形成栅绝缘层。
其中，栅绝缘层的材质和制备方式可以参考上述步骤62a，本申请实施例在此不做赘述。
步骤63b、在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有源层图案。
其中，有源层图案的材质和制备方式可以参考上述步骤61a，本申请实施例在此不做赘述。
步骤64b、在形成有有源层图案的衬底基板上形成源漏极图案。
其中，源漏极图案的材质和制备方式可以参考上述步骤65a，本申请实施例在此不做赘述。
步骤603、对钝化层的表面进行粗糙化处理。
示例地，参见图7中的S12，可以对钝化层105的表面进行粗糙化处理，使钝化层105的表面凹凸不平，也即是使该表面具有多个凹槽与凸起。
可选地，在一种可实现方式中，采用能够与钝化层发生化学反应的溶液喷淋钝化层表面，以腐蚀钝化层使其表面凹凸不平，并在指定时长后对钝化层进行清洗，进而实现对钝化层表面的粗糙化处理。可选地，此时钝化层表面具有的多个凹槽与多个凸起可以随机散乱分布，多个凹槽的尺寸也可以不同。
示例地，钝化层的材质为氧化硅，能够与钝化层发生化学反应的溶液为氢氟酸，指定时长所在的时长范围可以为100秒至300秒。例如，可以采用浓度范围为0.5％至2％的氢氟酸溶液喷淋钝化层表面，且使氢氟酸溶液与钝化层反应100秒至300秒后清洗钝化层。
可选地，在另一种可实现方式中，对钝化层的表面进行刻蚀，以使钝化层的表面凹凸不平，进而实现对钝化层的表面的粗糙化处理。可选地，此时钝化层表面的多个凹槽与多个凸起可以阵列排布，多个凹槽的尺寸可以均相同。
步骤604、在表面经过粗糙化处理后的钝化层上形成彩膜层，以在彩膜层靠近衬底基板的第一面上形成散射结构。
示例地，参见图1，可以在表面凹凸不平的钝化层105上形成彩膜层102。可选地，彩膜层102可以包括红色滤光区、绿色滤光区和/或蓝色滤光区。
由于钝化层105的表面凹凸不平，故在该凹凸不平的表面上形成彩膜层102后，彩膜层102与钝化层105贴合的表面也凹凸不平，且钝化层105表面的凸起对应彩膜层102表面的凹槽，钝化层105表面的凹槽对应彩膜层102表面的凸起。进而，彩膜层102与钝化层105贴合的表面(也即是彩膜层102靠近衬底基板的第一面)可以具有散射结构，该散射结构可以包括多个凹槽。当钝化层105表面具有的多个凸起随机分布时，彩膜层102与钝化层105贴合的表面具有的多个凹槽也随机分布；当钝化层105表面具有的多个凸起阵列排布时，彩膜层102与钝化层105贴合的表面具有的多个凹槽也阵列排布。
可选地，在形成彩膜层后，可以在彩膜层远离衬底基板的一侧形成自发光器件，且使自发光器件向彩膜层所在侧发光，进而彩膜层具有散射结构的表面为彩膜层的出光面。可选地，该自发光器件可以为OLED，该自发光器件可以包括依次叠加的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层。
综上所述，采用本申请实施例提供的方法制备的显示基板中，由于彩膜层的目标面具有散射结构，该散射结构可以对光线起到散射作用。当光线从该散射结构出射时会发生散射，使显示基板的出光角度较大，进而可以使包括该显示基板的显示面板具有较大的可视角度。
图8是本申请实施例提供的另一种显示基板的制造方法流程图。该方法可以用于制造图2所示的显示基板，如图8所示，该方法可以包括：
步骤801、提供衬底基板。
其中，步骤801可以参考步骤601，本申请实施例在此不做赘述
步骤802、在衬底基板上依次形成缓冲层、薄膜晶体管和钝化层。
示例地，参见图9中的S21，可以在衬底基板101上依次形成缓冲层103、薄膜晶体管104和钝化层105。需要说明的是，步骤802可以参考步骤602，本申请实施例在此不做赘述。
步骤803、在钝化层远离衬底基板的一侧形成彩膜层。
示例地，参见图9中的S22，可以在钝化层105上形成彩膜层102。可选地，彩膜层102可以包括红色滤光区、绿色滤光区和/或蓝色滤光区。
步骤804、对彩膜层的表面进行粗糙化处理，以在彩膜层远离衬底基板的第二面上形成散射结构。
示例地，参见图9中的S23，可以对彩膜层102的表面进行粗糙化处理，使彩膜层102的表面凹凸不平，也即是使该表面具有散射结构，该散射结构可以包括多个随机分布或阵列排布的凹槽W。
可选地，彩膜层102由有机材质制成，可以采用纳米压印的方式在彩膜层102的表面形成多个凹槽。
步骤805、在彩膜层远离衬底基板的一侧形成平坦层。
示例地，参见图9中的S24，可以在表面进行粗糙化处理的彩膜层102上形成平坦层106。可选地，平坦化层102可以由树脂材料制备得到。
可选地，在形成平坦层后，可以在平坦层远离衬底基板的一侧形成自发光器件，且使自发光器件向彩膜层所在侧发光，进而彩膜层具有散射结构的表面为彩膜层的入光面。对于自发光器件的描述可以参考步骤604，本申请实施例在此不做赘述。
综上所述，采用本申请实施例提供的方法制备的显示基板中，由于彩膜层的目标面具有散射结构，该散射结构可以对光线起到散射作用。当光线从该散射结构出射时会发生散射，使显示基板的出光角度较大，进而可以使包括该显示基板的显示面板具有较大的可视角度。
可选地，本申请实施例中可以在执行图6中的步骤601至步骤604后，再执行图8中的步骤804和步骤805，进而得到图3所示的显示基板10。对于图3所示的显示基板的制造过程请参见对于步骤601至步骤604以及步骤804和步骤805的介绍，本申请实施例在此不做赘述。
本申请实施例还提供了一种显示面板，该显示面板可以包括图1至4任一所示的显示基板。
当显示面板包括图1至图3任一所示的显示基板时，显示面板还可以包括设置在彩膜层远离衬底基板的一侧的盖板。
当显示面板包括图4所示的显示基板10(也即是彩膜基板)时，该显示面板可以为液晶显示面板，也可以为自发光型的显示面板。
示例地，当显示面板为液晶显示面板时，如图10所示，液晶显示面板可以包括与显示基板10对盒的阵列基板20，以及位于显示基板10和阵列基板20之间的液晶层30。在阵列基板20远离显示基板10的一侧还可以设置有背光模组，背光模组向显示基板10所在侧发光。
又示例地，当显示面板为自发光型的显示面板时，该显示面板可以包括与彩膜基板对盒的阵列基板，以及位于彩膜基板与阵列基板之间的自发光器件，该自发光器件向彩膜基板所在侧发光。可选地，该自发光器件可以为OLED器件或QLED器件。
本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述的显示面板。在具体实施时，本申请实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要说明的是，本申请实施例提供的制造方法实施例能够与相应的显示基板实施例相互参考，本申请实施例对此不做限定。本申请实施例提供的方法实施例步骤的先后顺序能够进行适当调整，步骤也能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本申请实施例中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。本申请实施例中所述的“至少一个”均表示“一个或多个”。本申请实施例中的术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
衬底基板，以及位于所述衬底基板一侧的彩膜层，所述彩膜层的目标面具有散射结构，所述目标面包括相对的第一面和第二面中的至少一面。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述散射结构包括多个凹槽。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述多个凹槽阵列排布在所述目标面上。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述目标面贴合的第一膜层，所述第一膜层的材质与所述彩膜层的材质不同。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述目标面包括靠近所述衬底基板的所述第一面，所述第一膜层包括钝化层，所述显示基板还包括位于所述衬底基板与所述彩膜层之间的缓冲层和薄膜晶体管，所述缓冲层、所述薄膜晶体管与所述钝化层沿远离所述衬底基板的方向依次设置。
6.根据权利要求4或5所述的显示基板，其特征在于，所述目标面包括远离所述衬底基板的所述第二面，所述第一膜层包括平坦层，所述显示基板还包括位于所述衬底基板与所述彩膜层之间的缓冲层和薄膜晶体管，所述缓冲层、所述薄膜晶体管、所述钝化层、所述彩膜层与所述平坦层沿远离所述衬底基板的方向依次设置。
7.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成彩膜层，所述彩膜层的目标面具有散射结构，所述目标面包括相对的第一面和第二面中的至少一面。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述提供衬底基板之后，所述方法还包括：
在所述衬底基板上依次形成缓冲层、薄膜晶体管和钝化层；
对所述钝化层的表面进行粗糙化处理；
在所述衬底基板的一侧形成彩膜层，包括：
在表面经过粗糙化处理后的所述钝化层上形成所述彩膜层，以在所述彩膜层靠近所述衬底基板的所述第一面上形成所述散射结构。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，在所述提供衬底基板之后，所述方法还包括：
在所述衬底基板上依次形成缓冲层、薄膜晶体管和钝化层；
在所述衬底基板的一侧形成彩膜层，包括：
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧形成所述彩膜层；
对所述彩膜层的表面进行粗糙化处理，以在所述彩膜层远离所述衬底基板的所述第二面上形成所述散射结构；
在所述衬底基板的一侧形成彩膜层之后，所述方法还包括：
在所述彩膜层远离所述衬底基板的一侧形成平坦层。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至6任一所述的显示基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910461033.9A CN110120466A (zh) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | 显示基板及其制造方法、显示面板 |
| PCT/CN2020/092046 WO2020238841A1 (zh) | 2019-05-30 | 2020-05-25 | 显示基板及其制造方法、显示面板 |
| US17/275,688 US20220102432A1 (en) | 2019-05-30 | 2020-05-25 | Display substrate, manufacturing method thereof, and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910461033.9A CN110120466A (zh) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | 显示基板及其制造方法、显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110120466A true CN110120466A (zh) | 2019-08-13 |
Family
ID=67523436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910461033.9A Pending CN110120466A (zh) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | 显示基板及其制造方法、显示面板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220102432A1 (zh) |
| CN (1) | CN110120466A (zh) |
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- 2019-05-30 CN CN201910461033.9A patent/CN110120466A/zh active Pending
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2020
- 2020-05-25 WO PCT/CN2020/092046 patent/WO2020238841A1/zh active Application Filing
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020238841A1 (zh) | 2020-12-03 |
| US20220102432A1 (en) | 2022-03-31 |
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