CN110071126A - 摄像装置 - Google Patents

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矶野俊介
金原旭成
宍户三四郎
德原健富
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Abstract

本发明目的是使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。摄像装置具备：半导体基板，具有排列多个像素的像素区域和与像素区域邻接的周边区域；绝缘层，将半导体基板的像素区域及周边区域覆盖；第1电极，在像素区域中位于绝缘层之上；光电变换层，将第1电极覆盖；第2电极，将光电变换层覆盖；检测电路，位于半导体基板的像素区域，连接至第1电极；周边电路，位于半导体基板的周边区域，连接至检测电路；以及第3电极，在周边区域中位于绝缘层之上；第2电极延伸到周边区域而连接至第3电极；第3电极与第2电极连接的连接区域在俯视时与周边电路重叠。

Description

摄像装置
技术领域
本公开涉及摄像装置。
背景技术
专利文献1公开了一种有机膜层叠型的固体摄像元件。专利文献1中记载的固体摄像元件具备由上部电极和下部电极夹着光电变换层的构造的光电变换部。经由连接电极向上部电极供给电压。在专利文献1所记载的技术中，除了像素区域和垂直驱动器、列ADC(模拟－数字变换器)及水平驱动器等的周边电路以外还配置有连接区域。连接区域是将上部电极与连接电极连接的区域。进而，连接区域配置在像素区域与焊盘(pad)之间。
现有技术文献
专利文献1：日本专利第5637751号公报
发明内容
发明要解决的课题
在摄像装置中，希望抑制芯片面积的增大。此外，在层叠型的图像传感器中，希望使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
用来解决课题的手段
有关本公开的一技术方案的摄像装置具备：半导体基板，具有排列多个像素的像素区域和与上述像素区域邻接的周边区域；绝缘层，将上述半导体基板的上述像素区域及上述周边区域覆盖；第1电极，在上述像素区域中位于上述绝缘层之上；光电变换层，将上述第1电极覆盖；第2电极，将上述光电变换层覆盖；检测电路，位于上述半导体基板的上述像素区域，连接至上述第1电极；周边电路，位于上述半导体基板的上述周边区域，连接至上述检测电路；以及第3电极，在上述周边区域中位于上述绝缘层之上；上述第2电极延伸到上述周边区域而连接至上述第3电极；上述第3电极与上述第2电极连接的连接区域在俯视时与上述周边电路重叠。
另外，本公开的包含性或具体的形态也可以由元件、器件或装置实现。此外，本公开的包含性或具体的形态也可以由元件、器件及装置的任意的组合来实现。所公开的实施方式的追加性的效果及优点根据说明书及附图会变得清楚。效果及/或优点由在说明书及附图中公开的各种各样的实施方式或特征分别提供，不是为了得到它们的1个以上而需要全部。
发明效果
根据本公开，能够抑制芯片面积增大。此外，能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
附图说明
图1是说明有关第1实施方式的摄像装置的平面构造的一例的图。
图2是图1的II－II线的概略剖面图。
图3是说明有关第2实施方式的摄像装置的平面构造的一例的图。
图4是说明有关第2实施方式的摄像装置的平面构造的另一例的图。
图5是图3的V－V线的概略剖面图。
图6是说明有关第2实施方式的变形例的摄像装置的平面构造的一例的图。
图7是图6的VII－VII线的概略剖面图。
图8是说明有关第3实施方式的摄像装置的平面构造的一例的图。
图9是说明有关第3实施方式的摄像装置的平面构造的另一例的图。
图10是图8的X－X线的概略剖面图。
图11是说明有关第3实施方式的变形例1的摄像装置的截面构造的一例的图。
图12是说明有关第3实施方式的变形例2的摄像装置的截面构造的一例的图。
图13是说明有关第4实施方式的摄像装置的平面构造的一例的图。
图14是说明有关第4实施方式的摄像装置的平面构造的另一例的图。
图15是图13的XV－XV线的概略剖面图。
图16是说明有关其他实施方式的摄像装置的平面构造的一例的图。
图17是图16的XVII－XVII线的概略剖面图。
图18是表示具备本公开的摄像装置的照相机***的一例的图。
具体实施方式
(本申请的发明者们的认识)
在专利文献1所记载的发明中，在像素区域及包括周边电路的周边区域以外的区域中配置有连接区域。因此，有芯片面积增大的课题。
鉴于上述课题专门研究的结果，发明者们发现，通过俯视中以连接区域与周边区域重叠的方式配置，能够抑制芯片面积的增大。此外，作为光电变换层的材料，有时使用例如如有机材料那样与下部电极、绝缘层及上部电极的密接力较小的材料。发现即使在这样的情况下，通过将光电变换层整体用上部电极覆盖，也能使上部电极、光电变换层、下部电极之间的密接性提高。
本公开的一技术方案的概要是以下这样的。
[项目1]
一种摄像装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有排列多个像素的像素区域和与上述像素区域邻接的周边区域；绝缘层，将上述半导体基板的上述像素区域及上述周边区域覆盖；第1电极，在上述像素区域中位于上述绝缘层之上；光电变换层，将上述第1电极覆盖；第2电极，将上述光电变换层覆盖；检测电路，位于上述半导体基板的上述像素区域，连接至上述第1电极；周边电路，位于上述半导体基板的上述周边区域，连接至上述检测电路；以及第3电极，在上述周边区域中位于上述绝缘层之上；上述第2电极延伸到上述周边区域而连接至上述第3电极；上述第3电极与上述第2电极连接的连接区域在俯视时与上述周边电路重叠。
[项目2]
如项目1所述的摄像装置，上述周边电路包括晶体管；上述连接区域在俯视时与上述晶体管重叠。
[项目3]
如项目1所述的摄像装置，上述周边电路包括与上述检测电路连接的模拟电路；上述连接区域在俯视时与上述模拟电路重叠。
[项目4]
如项目3所述的摄像装置，上述模拟电路包括晶体管；上述连接区域在俯视时与上述晶体管重叠。
[项目5]
如项目1所述的摄像装置，上述周边电路包括连接至上述检测电路的数字电路；上述连接区域在俯视时与上述数字电路重叠。
[项目6]
如项目5所述的摄像装置，上述数字电路包括晶体管；上述连接区域在俯视时与上述晶体管重叠。
[项目7]
如项目5或6所述的摄像装置，上述周边电路包括连接在上述数字电路与上述检测电路之间的模拟电路；上述连接区域在俯视时不与上述模拟电路重叠。
[项目8]
如项目1所述的摄像装置，上述周边电路包括：模拟电路，连接至上述检测电路；布线，连接至上述模拟电路；以及模拟电路，经由上述布线连接至上述模拟电路；上述连接区域在俯视时与上述布线重叠。
[项目9]
如项目1所述的摄像装置，上述周边电路包括：模拟电路，连接至上述检测电路；以及布线，用来将上述模拟电路连接至外部的电路；上述连接区域在俯视时与上述布线重叠。
[项目10]
如项目1所述的摄像装置，上述第2电极在上述周边区域中具有第1区域，在该第1区域与上述绝缘层之间没有上述光电变换层；上述第1区域具有上述连接区域和上述连接区域以外的非连接区域。
[项目11]
如项目10所述的摄像装置，在从上述像素区域朝向上述周边区域的方向上，上述非连接区域的长度比上述连接区域的长度大。
[项目12]
如项目1～11中任一项所述的摄像装置，在俯视时，上述第2电极的面积比上述像素区域的面积大。
[项目13]
如项目10～12中任一项所述的摄像装置，还具备位于上述第2电极的上述非连接区域与上述周边电路之间或位于上述第2电极的上述非连接区域与连接至上述周边电路的布线之间的屏蔽布线。
[项目14]
如项目13所述的摄像装置，上述周边电路包括模拟电路；上述屏蔽布线位于上述第2电极的上述非连接区域与上述模拟电路之间或位于上述第2电极的上述非连接区域与连接至上述模拟电路的布线之间。
[项目15]
如项目1～14中任一项所述的摄像装置，上述多个像素以矩阵状配置在上述像素区域中；上述连接区域沿着上述像素区域的2个以上的边配置。
[项目16]
如项目1～15中任一项所述的摄像装置，上述第2电极将位于上述像素区域中的第1电极之中的半数以上覆盖。
[项目17]
如项目1～16中任一项所述的摄像装置，上述第3电极和上述第1电极与连续的单一的层相接。
[项目18]
如项目1～17中任一项所述的摄像装置，上述第3电极包含与上述第1电极相同的材料。
[项目19]
如项目1～18中任一项所述的摄像装置，上述第3电极包含Cu、W、Ti、Ta、Al中的至少一种。
[项目20]
如项目1～19中任一项所述的摄像装置，上述第2电极将上述光电变换层全部覆盖。
此外，本公开的一技术方案的概要是以下的这样的。
有关本公开的一技术方案的摄像装置具备：半导体基板；像素区域，在上述半导体基板之上以矩阵状配置有多个像素；以及周边区域，在俯视时配置在上述像素区域的周边，包括周边电路；上述像素区域具备：下部电极；上部电极，与上述下部电极对置；光电变换层，被上述下部电极和上述上部电极夹着；以及检测电路，位于上述半导体基板上，检测上述下部电极的电位；上述上部电极具有在俯视时与上述周边区域重叠的第1区域；上述第1区域具有包含与上述上部电极不同的材料的连接电极连接的连接区域。
根据上述结构，通过上部电极具有与周边区域重叠的第1区域，第1区域具有与连接电极连接的连接区域，以在俯视时连接区域与周边区域重叠的方式配置。由此，能够抑制芯片面积的增大。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，上述第1区域也可以还具有在俯视时不与上述连接电极连接的非连接区域。
根据上述结构，通过第1区域具有连接区域和非连接区域，第1区域与周边区域重叠的面积增大。因此，与以第1区域与周边区域不重叠的方式配置的情况相比，能够抑制芯片面积的增大。此外，通过第1区域具有连接区域和非连接区域，能够使上部电极将光电变换层、下部电极及其周边部覆盖的面积增大。由此，能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，上部电极也可以在俯视时面积比像素区域大。
作为光电变换层的材料，例如有时使用如有机材料那样与下部电极、绝缘层及上部电极的密接力小的材料。即使在这样的情况下，根据上述结构，通过将光电变换层整体用上部电极覆盖，也能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，也可以是，上述周边电路具有数字电路；上述第1区域在俯视时与上述数字电路重叠。
根据上述结构，通过将非连接区域及连接区域的至少一方配置到对噪声耐受性较强的数字电路之上，能够不损害周边电路的特性而进一步抑制芯片面积的增大。此外，通过在俯视时将第1区域延伸配置到数字电路，第1区域的面积增大。由此，能够使上部电极将光电变换层及下部电极覆盖的面积增大，所以能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，也可以是，上述周边电路具有位于上述像素区域与上述数字电路之间的模拟电路；在俯视时，上述非连接区域与上述模拟电路重叠，上述连接区域与上述数字电路重叠。
根据上述结构，通过将连接区域配置到对于噪声耐受性较强的数字电路之上、并将非连接区域配置到容易受到噪声的影响的模拟电路之上，能够减轻噪声对周边电路的影响。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，也可以是，上述周边区域具有数字电路、以及位于上述像素区域与上述数字电路之间并且包括连接到上述数字电路的布线的布线区域；上述第1区域在俯视时与上述布线区域重叠。
根据上述结构，通过将第1区域配置到布线之上，能够不损害周边电路的特性而抑制芯片面积的增大。此外，通过在俯视时将第1区域延伸配置到布线区域，第1区域的面积增大。由此，能够使上部电极将光电变换层及下部电极覆盖的面积增大，所以能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，也可以是，上述周边区域具有位于上述像素区域与上述布线区域之间的模拟电路；在俯视时，上述非连接区域与上述模拟电路重叠，上述连接区域与上述布线区域重叠。
根据上述结构，通过将连接区域配置到布线之上、将非连接区域配置到容易受到噪声的影响的模拟电路之上，能够减轻噪声对周边电路的影响。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，也可以是，上述周边电路具有模拟电路；上述第1区域在俯视时与上述模拟电路重叠。
根据上述结构，将第1区域延伸配置到模拟电路之上。由此，在俯视时能够使上部电极将光电变换层及下部电极覆盖的面积增大。因此，能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
例如，有关本公开的一技术方案的摄像装置也可以是，具有在俯视时位于上述像素区域与上述连接区域之间、在与上述半导体基板垂直的面中位于连接至上述周边电路的布线与上述上部电极之间的屏蔽布线。
根据上述结构，通过在与半导体基板垂直的面中在连接至周边电路的布线与上部电极之间配置屏蔽布线，能够保护周边电路及布线不受外部噪声影响。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，上述连接区域也可以沿着上述像素区域的2个以上的边配置。
根据上述结构，通过将连接区域沿着像素区域的2个以上的边配置，与沿着1边配置的情况相比，在俯视时能够进一步增大第1区域的面积。由此，能够使上部电极将光电变换层及下部电极覆盖的面积进一步增大，所以能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，上述上部电极也可以将位于上述像素区域中的下部电极之中的半数以上覆盖。
根据上述结构，通过上部电极将位于像素区域中的下部电极之中的半数以上覆盖，在像素区域中能够使上部电极将光电变换层及下部电极覆盖的面积增大。因此，能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，上述连接电极也可以位于与上述下部电极相同的层之上。
根据上述结构，通过连接电极位于与下部电极同一层之上，在制造时能够将下部电极和连接电极在共同的工序中形成。因此，能够削减制造工序，能够减少制造中的时间和成本。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，上述连接电极也可以包含与上述下部电极相同的材料。
根据上述结构，通过连接电极包含与下部电极相同的材料，能够将连接电极用与下部电极相同的材料形成。因此，在制造时，例如在将连接电极形成在与下部电极相同的层之上的情况下，能够将这些电极同时形成。由此，能够削减制造工序，能够减少制造中的时间和成本。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，上述连接电极也可以包含Cu、W、Ti、Ta、Al中的至少一种。
根据上述结构，能够不对现有的CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)工艺追加新的工序而形成连接电极。
例如，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，上述上部电极也可以将上述光电变换层全部覆盖。
根据上述结构，由于上部电极将光电变换层全部覆盖，所以上部电极能够将像素区域中包含的像素全部覆盖。此时，由于上部电极在俯视时具有与周边区域重叠的第1区域，所以能够使上部电极将光电变换层及下部电极覆盖的面积增大。由此，能够使上部电极、光电变换层及下部电极之间的密接性提高。
以下，参照附图详细地说明本公开的实施方式。
另外，以下说明的实施方式都是表示包含性或具体的例子的。因而，在以下的实施方式中表示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置及连接形态、步骤、步骤的顺序等是一例，不是限定本公开的意思。在本说明书中说明的各种形态只要不发生矛盾就能够相互组合。此外，关于以下的实施方式的构成要素中的、在表示本公开的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，设为任意的构成要素进行说明。此外，各图并不一定是将各结构严格地图示的。在以下的说明中，对于实质上相同的结构赋予共通的标号，有时关于重复的说明进行省略或简略化。
有关本公开的一技术方案的摄像装置在上层中具有进行将入射光变换为电信号的光电变换的光电变换部，在下层中具有将由光电变换部得到的电信号向外部取出的包含硅基底的CMOS电路的信号处理电路部。这样，在有关本公开的一技术方案的摄像装置中，由于光电变换部和信号处理电路部被层叠，所以它们能够独立地设计。
(第1实施方式)
使用图1及图2对有关本实施方式的摄像装置的整体结构进行说明。图1是说明有关本实施方式的摄像装置100A的平面构造的一例的图。图2是图1的II－II线的概略剖面图。
如图1所示，摄像装置100A具备半导体基板1(参照图2)、在半导体基板1上以矩阵状配置有多个像素20的像素区域30、和在俯视时配置在像素区域30的周边、包括周边电路的周边区域50。
通过将多个像素20例如在半导体基板1上二维地排列，形成像素区域30。在图1所示的例子中，多个像素20在行方向及列方向上配置。另外，在图中，纸面的纵方向是列方向，横方向是行方向。在图示的例子中，各像素20的中心位于正方格子的格子点上。当然，像素20的配置并不限定于图示的例子，例如也可以以各中心位于三角格子、六角格子等的格子点上的方式配置多个像素20。另外，多个像素20也可以一维地排列。在此情况下，可以将摄像装置作为直线传感器使用。
在图1所例示的结构中，周边区域50在俯视时被配置在像素区域30的周边，是包括周边电路的区域。此外，周边区域50是包括模拟电路、数字电路33a及33b、和布线区域32a及32b的区域。
模拟电路例如是行扫描电路31a及列电路31b。行扫描电路31a包括构成电路的一部分的晶体管22(参照图2)。同样，列电路31b也包括构成电路的一部分的晶体管(未图示)。此外，数字电路33a包括晶体管23(参照图2)，数字电路33b包括晶体管(未图示)。布线区域32a是包括将行扫描电路31a及数字电路33a连接的布线的区域，布线区域32b是包括将列电路31b及数字电路33b连接的布线的区域。
周边电路包括在行方向上排列的行扫描电路31a及数字电路33a、和在列方向上排列的列电路31b及数字电路33b。
布线区域32a及32b是包括数字信号布线、模拟信号布线及电源布线等的布线的区域。这些布线既可以分别单独地配置，也可以混杂配置。周边电路既可以整体配置在形成像素区域30的半导体基板1上，也可以是周边电路的一部分配置在其他基板上。
行扫描电路31a基于由数字电路33a生成的地址信号及控制信号，经由像素驱动信号线21a将像素区域30内的驱动对象的像素20驱动。此时，将驱动对象的像素20以行单位选择。来自所选择的像素20的信号电压经由垂直信号线21b被传递给列电路31b。列电路31b包括列信号处理电路(未图示)及列扫描电路。列扫描电路也被称作水平信号读出电路。列信号处理电路进行以相关双采样为代表的噪声平抑信号处理及模拟－数字变换(AD变换)等。在与多个像素20的列对应而设置的多个列信号处理电路上连接着列扫描电路。列扫描电路将来自多个列信号处理电路的数字信号依次读出，向数字电路33b传递。这样，来自被以行单位驱动的多个像素20的信号经由数字电路33b被向外部发送。
接着，使用图2对有关本实施方式的摄像装置100A的一部分结构详细地进行说明。图2是图1的II－II线的概略剖面图。
如图2所示，摄像装置100A具备半导体基板1、形成在半导体基板1上的具有多个像素20的像素区域30、和在俯视时配置在像素区域30的周边的包括周边电路的周边区域50。在摄像装置100A中，像素区域30具备下部电极3、与下部电极3对置的上部电极5、被下部电极3和上部电极5夹着的光电变换层4、和位于半导体基板1上的检测下部电极3的电位的检测电路11。
在像素区域30中，与各像素20对应，以跨越半导体基板1及绝缘层2的界面的方式构成检测电路11。在绝缘层2的Z轴方向的正侧(以下设为上方)的主面即上表面上形成有下部电极3。下部电极3经由连接部12与对应的检测电路11连接。
下部电极3是用来将由光电变换层4生成的电荷捕集的电极。下部电极3例如由氮化钛(TiN)等的金属材料构成。下部电极3也可以由铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、铝(A1)或它们的化合物构成。此外，多个下部电极3各自的膜厚是均匀的，并且上表面被平坦化。
下部电极3在绝缘层2的上表面上在X轴方向及Y轴方向的2轴上二维地配置。此时，多个下部电极3在绝缘层2的上表面上例如以矩阵状配置，相互具有一定的间隔。另外，下部电极3与像素20的配置对应而配置。例如，在将多个像素20以矩阵状配置的情况下，将多个下部电极3匹配于像素20的配置而配置为矩阵状。
检测电路11与多个下部电极3的各自对应而设置，检测由对应的下部电极3捕集到的信号电荷，输出与电荷对应的信号电压。检测电路11例如由MOS(Metal OxideSemiconductor：金属氧化物半导体)电路或TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)电路等构成。检测电路11例如包括栅极被连接在下部电极3上的放大晶体管，放大晶体管输出与信号电荷的量对应的信号电压。检测电路11被设置在绝缘层2的内部等的遮光层(省略图示)遮光。
连接部12将各像素20的下部电极3和对应的检测电路11电连接。连接部14将连接电极13和布线层电连接。连接部12及14例如通过将铜(Cu)、钨(W)等的导电性材料埋入到绝缘层2中而形成。
绝缘层2形成在半导体基板1上，包括多个结构层2a、2b、2c、2d及2e(以下设为2a～2e)。这里，半导体基板1例如由硅(Si)等构成。多个结构层2a～2e例如由二氧化硅(SiO2)等构成。在各结构层2a～2e中，配置有布线及接触插塞(plug)等的布线层等。另外，绝缘层2内的结构层的层数可以任意地设定，并不限定于图2所示的5层的结构层2a～2e的例子。
在配置有下部电极3的结构层2e的上表面上层叠着光电变换层4，进而，在光电变换层4的上表面上，依次层叠着上部电极5、缓冲层6及封固层7。在封固层7的上表面上，形成有与各像素20对应的透过波长域的滤色器8，还经由平坦化层9形成有微透镜10。
另外，在邻接的下部电极3的间隙中夹插着绝缘层2的结构层。
光电变换层4是由对应于受光的光的强度而产生电荷的光电变换材料构成的层，被下部电极3和上部电极5夹持。光电变换材料例如是有机半导体材料，包括p型有机半导体及n型有机半导体的至少一方。另外，光电变换层4优选的是在像素区域30中膜厚为均匀的。
上部电极5是与下部电极3对置的电极。此外，上部电极5在俯视时面积比像素区域30大。如图2所示，上部电极5在像素区域30内以夹着光电变换层4而与下部电极3对置的方式配置。进而，上部电极5以比像素区域30更向X轴的负方向(以下称为外侧)延伸的方式形成，在俯视时与周边区域50重叠。
在有关本实施方式的摄像装置100A中，上部电极5具有在俯视时与周边区域50重叠的第1区域40。第1区域40具有将上部电极5和包含不同材料的连接电极13连接的连接区域40a。即，上部电极5在第1区域40中不经由光电变换层4而与连接电极13连接。连接电极13例如经由连接部14连接在基准电位上。
另外，如后述那样，第1区域40也可以还具有在俯视时不与连接电极13连接的非连接区域(在图2中未图示)。
在本实施方式中，上部电极5配置在摄像装置100A的光入射的一侧。上部电极5也可以为了使光向光电变换层4入射而具有透光性。作为上部电极5的材料，例如也可以使用ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)或IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)等的透明氧化物导电材料。
连接电极13由与上部电极5不同的导电性材料形成。例如，连接电极13也可以包含导电性较高的金属材料。此时，连接电极13也可以包括与下部电极3相同的材料。例如，连接电极13包含铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、铝(A1)中的至少一种。此外，连接电极13也可以是这些金属材料的化合物。
此外，连接电极13配置在与下部电极3相同的层上。即，连接电极13与下部电极3与连续的单一的层(在图2中是结构层2e)相接。连接电极13包含与下部电极3相同的材料，并且通过配置在与下部电极3相同的层中，能够同时形成连接电极13及下部电极3。由此，能够缩短制造时间，并且能够削减制造成本。此外，也可以设置屏蔽布线15。关于屏蔽布线15在后面叙述。下部电极3是第1电极的示例。上部电极5是第2电极的示例。连接电极13是第3电极的示例。
虽然省略了图示，但在封固层7上的形成有滤色器8的区域以外的区域中形成有遮光层。通过遮光层的形成，将相对于有效像素区域以外的区域的外光遮挡，防止光向有效像素区域以外的区域中的光电变换层4的入射。这里，所谓有效像素区域，是指像素区域中的配置有除了例如用来检测暗时的输出的伪像素等以外的像素的区域。
进而，在摄像装置100A的外周上设置有焊盘区域。在焊盘区域中，设置有从平坦化层9到达绝缘层2的结构层2d的上表面的凹部，在底面上形成有焊盘19。虽然省略了详细的图示，但焊盘19电连接在信号的输入输出电路及用于电压供给等的各电路上。另外，关于周边区域50中的金属层，例如使用铜(Cu)形成。
在本实施方式中，如图1及图2所示，表示了将上部电极5和连接电极13连接的连接区域40a沿着像素区域30的1个边配置的例子，但连接区域40a也可以沿着像素区域30的2个以上的边配置。在决定沿着连接区域40a配置的边的数量时，可以通过考察摄像装置中的芯片面积及布线宽度等而适当增减来对应。另外，关于以下说明的第1实施方式以外的实施方式及其变形例也同样，连接区域40a也可以沿着像素区域30的2个以上的边而配置。
接着，对摄像机理进行说明。
从上方入射到摄像装置100A中的光穿过封固层7、缓冲层6及上部电极5被向光电变换层4入射。光电变换层4在被下部电极3和上部电极5施加了适当的偏压的状态下，将入射的光进行光电变换而生成电荷。这里，上部电极5与下部电极3之间的电位差为施加在光电变换层4上的偏压。
如上述那样由光电变换层4生成的电荷从下部电极3经由连接部12被向检测电路11中的积蓄区域转送，被暂时地积蓄。并且，通过检测电路11中的晶体管元件等的开闭动作，适时地作为信号被向外部输出。
有关本实施方式的摄像装置100A中的第1区域40如图2所示，与配置在像素区域30的周边即周边区域50中的元件及布线在俯视时重叠。例如，作为配置在周边区域50中的元件，可以举出行扫描电路31a中的晶体管22。
这样，第1区域40由于与配置在周边区域50中的元件及布线在俯视时重叠，所以不需要使芯片面积增大。换言之，由于能够将第1区域40以与周边区域50在俯视时重叠的方式配置，所以与在像素区域及周边区域以外使上部电极与连接电极连接的以往的形态相比，能够减小芯片面积。
另外，在摄像装置100A中，上部电极5将配置在像素区域30中的下部电极3中的半数以上覆盖。这样，通过上部电极5将位于像素区域30中的下部电极3中的半数以上覆盖，能够在像素区域30中使上部电极5将光电变换层4及下部电极3覆盖的面积增大。因此，能够提高上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性。
此外，在摄像装置100A中，上部电极5将光电变换层4的全部覆盖。由此，由于上部电极5将光电变换层4的全部覆盖，所以上部电极5能够将像素区域30中包含的像素20的全部覆盖。此时，由于上部电极5在俯视时具有与周边区域50重叠的第1区域40，所以能够使上部电极5将光电变换层4、下部电极3及其周边部覆盖的面积增大。由此，能够使上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性提高。
(第2实施方式)
使用图3～图5对有关本实施方式的摄像装置的整体结构进行说明。图3是说明有关本实施方式的摄像装置100B的平面构造的一例的图。图4是说明有关本实施方式的摄像装置100C的平面构造的另一例的图。图5是图3的V－V线的概略剖面图。
在图3所例示的摄像装置100B中，第1区域40从像素区域30朝向X轴方向的负侧延伸，在俯视时与行扫描电路31a重叠。这里，X轴方向是所谓的行方向。在图4所例示的摄像装置100C中，第1区域40从像素区域30朝向Y轴方向的正侧延伸，在俯视时与列电路31b重叠。这里，Y轴方向是所谓的列方向。另外，行扫描电路31a及列电路31b是模拟电路。
以下，对与第1实施方式不同的点进行说明。
在有关本实施方式的摄像装置100B及100C中，第1区域40还具有在俯视时不与连接电极13(参照图5)连接的非连接区域40b。通过第1区域40具有连接区域40a和非连接区域40b，第1区域40的面积变大。因此，能够使上部电极5将光电变换层4、下部电极3及其周边部覆盖的面积增大，上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性提高。由此，能够经由上部电极5向光电变换层4更均匀地施加电压。此外，由于在俯视时第1区域40与周边区域50重叠，所以与将第1区域40和周边区域50以不重叠的方式配置的情况相比，能够减小芯片面积。进而，能够提高受光面积相对于芯片面积的比率。此外，也可以在从像素区域30朝向周边区域50的方向(例如，图5中的X轴的负方向)上，使上述非连接区域的长度比上述连接区域的长度大。由此，能够进一步提高上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性。
此外，在摄像装置100B及100C中，周边电路具有模拟电路，第1区域40在俯视时与模拟电路重叠。另外，周边电路包含于在俯视时配置在像素区域30的周边的周边区域50中。周边电路中包含的模拟电路是行扫描电路31a及列电路(未图示)。
这样，在本实施方式中，第1区域40在模拟电路上被进一步延伸。由此，在俯视时能够使上部电极5将光电变换层4、下部电极3及其周边部覆盖的面积增大，所以能够使上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性提高。
在本实施方式中，表示了第1区域40从像素区域30向行方向的左侧或列方向的下侧延伸的例子，即连接区域40a沿着像素区域30的1个边配置的例子。连接区域40a也可以沿着像素区域30的2个以上的边配置。例如，第1区域40也可以从像素区域30向行方向的左右两侧延伸，也可以向列方向的上下两侧延伸。第1区域40也可以从像素区域30向行方向的单侧及列方向的单侧延伸。第1区域40也可以从像素区域30向行方向的左右两侧及列方向的左右两侧延伸。即，第1区域40也可以在俯视时沿着像素区域30的左右的某一边或两边配置，也可以沿着像素区域30的上下的某一边或两边配置。第1区域40也可以在俯视时沿着像素区域30的上下左右的四边配置。
这样，通过将连接区域40a沿着像素区域30的2个以上的边配置，与将连接区域40a仅沿着像素区域30的1个边配置的情况相比，第1区域40的面积变大。由此，在周边区域50中，能够将第1区域40与绝缘层2重叠的面积确保得较大，所以能够使上部电极5相对于绝缘层2的密接性提高。此外，由于能够使上部电极5将光电变换层4、下部电极3及其周边部覆盖的面积进一步增大，所以能够使上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性提高。
以下，使用图5对有关本实施方式的摄像装置100B的一部分结构进行说明。图5是图3的V－V线的概略剖面图。
以下，对与第1实施方式不同的点进行说明。
在有关本实施方式的摄像装置100B中，第1区域40还具有在俯视时不与连接电极13连接的非连接区域40b。第1区域40是上部电极5在俯视时与周边区域50重叠的区域。因此，非连接区域40b及连接区域40a的至少一方在俯视时与周边区域50重叠。
在本实施方式中，第1区域40在俯视时与行扫描电路31a重叠。行扫描电路31a作为构成电路的元件而包括晶体管22。在图5所示的例子中，非连接区域40b及连接区域40a都与配置在像素区域30的周边的周边电路中的构成行扫描电路31a的元件在俯视时重叠。在本实施方式中，并不限于该例，只要非连接区域40b及连接区域40a的至少一方在俯视时与行扫描电路31a或连接在行扫描电路31a上的布线、例如用来将行扫描电路31a连接到外部的电路上的布线重叠就可以。
这样，通过第1区域40的非连接区域40b及连接区域40a的至少一方与配置在像素区域30的周边的周边电路中的构成行扫描电路31a的元件及连接在行扫描电路31a上的布线在俯视时重叠，能够减小芯片面积。即，在本实施方式中，由于在俯视时第1区域40与周边区域50重叠，所以与将第1区域40不与周边区域50重叠而设置的以往的结构相比，能够抑制芯片面积的增大。由此，有关本实施方式的摄像装置100B及100C能够实现与使用光敏二极管的通常的CMOS传感器同等水平的芯片面积。
进而，通过具有上述结构，能够不使芯片面积增大而将第1区域40确保为比以往大。由此，能够使在俯视时上部电极5将光电变换层4、下部电极3及周边部覆盖的面积增大，所以能够使上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性提高。因此，在像素区域30中，能够经由上部电极5向光电变换层4更均匀地施加电压。进而，由于从上部电极5的端部到光电变换层4的端部的距离变大，所以能够减小上部电极5的加工时的对光电变换层4的损伤。
更具体地讲，例如在将上部电极5用等离子形成图案时，有上部电极5的端部受到损伤的情况。如果从上部电极5的端部到光电变换层4的端部的距离较大，则即使上部电极5的端部受到损伤，也能够减小使光电变换层4受到损伤的可能性。
(第2实施方式的变形例1)
接着，使用图6及图7对有关第2实施方式的变形例1的摄像装置进行说明。图6是说明有关本变形例的摄像装置100D的平面构造的一例的图。图7是图6的VII－VII线的概略剖面图。
如图3至图5所示，在第2实施方式中，表示了将非连接区域40b配置在比连接区域40a距像素区域30更近的位置处的例子。如图6及图7所示，在有关本变形例的摄像装置100D中，将连接区域40a配置在比非连接区域40b距像素区域30更近的位置。在本变形例中，也能得到与第2实施方式同样的效果。
另外，在以下的实施方式及它们的变形例中，也可以如本变形例那样，将连接区域40a配置在比非连接区域40b距像素区域30更近的位置。
(第3实施方式)
使用图8～图10对有关本实施方式的摄像装置的整体结构进行说明。图8是说明有关本实施方式的摄像装置100E的平面构造的一例的图。图9是说明有关本实施方式的摄像装置100F的平面构造的另一例的图。图10是图8的X－X线的概略剖面图。
以下，对与第1实施方式及第2实施方式不同的点进行说明。在本实施方式中，将第1区域40以从像素区域30延伸到数字电路33a及33b的方式配置这一点与上述实施方式不同。
更具体地讲，在图8所例示的摄像装置100E中，第1区域40从像素区域30朝向X轴方向的负侧延伸，在俯视时与行扫描电路31a、布线区域32a及数字电路33a重叠。此外，在图9所例示的摄像装置100F中，第1区域40从像素区域30朝向Y轴方向的正侧延伸，在俯视时与列电路31b、布线区域32b及数字电路33b重叠。
另外，行扫描电路31a及列电路31b是模拟电路。布线区域32a是包括将行扫描电路31a与数字电路33a连接的布线的区域。布线区域32b是包括将列电路31b与数字电路33b连接的布线的区域。
此外，如上述那样，第1区域40的连接区域40a也可以沿着像素区域30的2个以上的边而配置。此外，关于第1区域40中的连接区域40a及非连接区域40b的配置位置，并不限于图8及图9所示的结构。连接区域40a也可以配置在比非连接区域40b距像素区域30更近的位置。
以下，使用图10对有关本实施方式的摄像装置100E的一部分结构进行说明。图10是图8的X－X线的概略剖面图。
在有关本实施方式的摄像装置100E中，周边电路具有数字电路33a。第1区域40在俯视时与数字电路33a重叠。例如，周边电路在像素区域30与数字电路33a之间具有模拟电路(这里是行扫描电路31a)。在俯视时，非连接区域40b与行扫描电路31a重叠，连接区域40a与数字电路33a重叠。
此外，在俯视时，通过第1区域40延伸到数字电路33a而配置，第1区域40的面积增大。由此，能够确保上部电极5将光电变换层4、下部电极3及其周边部覆盖的面积较大。因此，能够使上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性提高。此外，与以往的结构不同，在俯视时也可以不将第1区域40以不与周边区域50重叠的方式配置，所以能够抑制芯片面积的增大。
此外，如图10所示，通过将非连接区域40b以与作为模拟电路的行扫描电路31a重叠的方式配置、并且将连接区域40a以与数字电路33a重叠的方式配置，能够降低对于连接区域40a的周边电路的影响。在连接区域40a中，为了调整光电变换层4的受光灵敏度，例如施加脉冲电压。在这样的情况下，配置在连接区域40a的下层的电路有可能受到连接区域40a的电压或电流的影响。例如，通过与施加在连接区域40a上的电压的耦合，电路的输出有可能变动。或者，如果光入射到上部电极5中，则电流向上部电极5流动。在电路位于上部电极5的下层的情况下，通过与流到上部电极5中的电流的耦合，电路的输出有可能变动。通常，模拟电路与数字电路相比容易受到噪声的影响。因此，通过将第1区域40延伸到数字电路33a、以连接区域40a与数字电路33a重叠且非连接区域40b与模拟电路重叠的方式配置，能够减少上部电极5的电压或电流对于周边电路特别是模拟电路的影响。
进而，在本实施方式中，在俯视时位于像素区域30与连接区域40a之间且与半导体基板1垂直的面中，具有位于连接到周边电路的布线与上部电极5之间的屏蔽布线15a。在图10中，在俯视时位于像素区域30与连接区域40a之间的非连接区域40b的下层、这里是在与非连接区域40b对应的结构层2d的区域中，配置有屏蔽布线15a。由此，能够减小噪声对位于非连接区域40b的下层的周边电路及连接在周边电路上的布线的影响。屏蔽布线15a既可以是浮动的，也可以被施加规定的电压。
另外，在本实施方式中，表示了屏蔽布线15a在俯视时位于像素区域30与连接区域40a之间的例子。虽然没有图示，但在第1区域40中连接区域40a被配置在比非连接区域40b距像素区域30更近的位置处的情况下，也可以将屏蔽布线15a配置在与非连接区域40b对应的下层的区域中。此外，在周边区域50中的没有被第1区域40覆盖的部分中，也可以在与半导体基板1垂直的面中，在连接到周边电路上的布线与绝缘层2的上方的主面之间具有屏蔽布线。由此，在周边区域50的没有被第1区域40覆盖的部分中，也能够减轻噪声向周边电路及连接在周边电路上的布线的影响。
另外，在本实施方式中，表示了连接区域40a仅沿着像素区域30的1边配置的例子，但连接区域40a也可以沿着像素区域30的2个以上的边配置。通过将连接区域40a沿着像素区域30的2个以上的边配置，与仅沿着1边配置的情况相比，能够将第1区域40与下层重叠的面积确保得较大。即，通过在俯视时上部电极5越过光电变换层4的四边延伸而将光电变换层4的整体覆盖，能够在光电变换层4的四边将第1区域40与下层重叠的面积确保得较大。由此，能够使上部电极5将光电变换层4及下部电极3覆盖的面积进一步增大，所以能够提高上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性。
(第3实施方式的变形例1)
接着，使用图11对有关第3实施方式的变形例1的摄像装置进行说明。图11是说明有关本变形例的摄像装置100G的截面构造的一例的图。
以下，对与第3实施方式不同的点进行说明。
在第3实施方式中，表示了将1个屏蔽布线15a以将1个晶体管覆盖的方式配置的例子。在本变形例中，将1个屏蔽布线15b以在俯视时与作为周边电路的一部分的晶体管连接的各布线重叠的方式配置。即，屏蔽布线15b与屏蔽布线15a相比，俯视中的面积较小。
例如，在周边区域50的面积比较大的情况下，通过将屏蔽布线15b以在俯视时与连接在周边电路上的各布线重叠的方式形成，能够在周边区域50中配置许多屏蔽布线15b。由此，能够减轻噪声对于周边电路及连接在周边电路上的布线的影响。
(第3实施方式的变形例2)
接着，使用图12对有关第3实施方式的变形例2的摄像装置进行说明。图12是说明有关本变形例的摄像装置100H的截面结构的一例的图。
在本变形例中，屏蔽布线15c配置在与非连接区域40b对应的下层的区域中。具体而言，屏蔽布线15c配置在结构层2d中。如图12所示，屏蔽布线15c在俯视时以将作为与非连接区域40b重叠的周边电路的一部分的多个晶体管及连接在晶体管上的多个布线覆盖的方式配置。
这样，通过将屏蔽布线15c形成为宽幅以使其在俯视时将多个晶体管及布线覆盖，能够遍及大范围提高噪声的遮蔽性。因此，能够进一步减小噪声对于周边电路及连接在周边电路上的布线的影响。
另外，作为上述的屏蔽布线15a、15b及15c，也可以使用没有被作为连接在下部电极3或周边电路上的布线使用的布线。
(第4实施方式)
使用图13～图15对有关本实施方式的摄像装置的整体结构进行说明。图13是说明有关本实施方式的摄像装置100I的平面构造的一例的图。图14是说明有关本实施方式的摄像装置100J的平面构造的另一例的图。图15是图13的XV－XV线的概略剖面图。
以下，对与从第1实施方式到第3实施方式的实施方式不同的点进行说明。在本实施方式中，将第1区域40以从像素区域30延伸到沛县区域32a及32b的方式配置这一点与上述实施方式不同。
在图13所例示的摄像装置100I中，第1区域40从像素区域30朝向X轴方向的负侧延伸，在俯视时与行扫描电路31a及布线区域32a重叠。此外，在图14所例示的摄像装置100J中，第1区域40从像素区域30朝向Y轴方向的正侧延伸，在俯视时与列电路31b及布线区域32b重叠。
另外，布线区域32a是包括将行扫描电路31a与数字电路33a连接的布线的区域。布线区域32b是包括将列电路(未图示)与数字电路(未图示)连接的布线的区域。
此外，如上述那样，第1区域40的连接区域40a也可以沿着像素区域30的2个以上的边配置。此外，关于第1区域40中的连接区域40a及非连接区域40b的配置位置，并不限于图13及图14所示的结构。连接区域40a也可以配置在比非连接区域40b距像素区域30更近的位置。
以下，使用图15对有关本实施方式的摄像装置100I的一部分结构进行说明。图15是图13的XV－XV线的概略剖面图。
在本实施方式中，周边区域50具有数字电路33a和布线区域32a。布线区域32a位于像素区域30与数字电路33a之间，包括连接到数字电路33a的布线。第1区域40在俯视时与布线区域32a重叠。例如，周边区域50具有位于像素区域30与布线区域32a之间的模拟电路(这里是行扫描电路31a)。此外，例如在俯视时非连接区域40b与行扫描电路31a重叠，连接区域40a与布线区域32a重叠。
这样，通过将第1区域40配置到连接在数字电路33a上的布线上，能够不损害周边电路的特性而抑制芯片面积的增大。设想假如连接区域40a以与布线区域32a在俯视时重叠的方式配置的情况。在此情况下，通过施加在连接区域40a上的电压与布线区域32a中包含的布线的电压的耦合、或流到上部电极5中的电流与在布线区域32a中包含的布线中流动的电流的耦合，有可能噪声施加到布线的输出中。但是，布线被连接到比较不易受到噪声的影响的数字电路33a上。因此，即使噪声施加到布线的输出中，也不易给数字电路33a的输出带来影响。因而，通过将第1区域40以与布线区域32a在俯视时重叠的方式配置，能够减小上部电极5的电压或电流对于周边电路的影响。此外，通过在俯视时将第1区域40延伸配置到布线区域32a，第1区域40的面积增大。由此，能够确保上部电极5将光电变换层4及下部电极3覆盖的面积较大。因此，能够提高上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性。此外，与以往的结构不同，由于也可以不以在俯视时第1区域40和周边区域50不重叠的方式配置，所以能够抑制芯片面积的增大。
此外，如图15所示，通过将非连接区域40b以与作为模拟电路的行扫描电路31a重叠的方式、并且将连接区域40a以与布线区域32a重叠的方式配置，能够减小连接区域40a对于周边电路的影响。在连接区域40a上，为了调整光电变换层4的受光灵敏度而例如施加脉冲电压。在这样的情况下，配置在连接区域40a的下层的电路有可能受到噪声的影响。通常，模拟电路与数字电路相比更容易受到噪声的影响。因此，通过将第1区域40延伸到布线区域32a、以连接区域40a与布线区域32a重叠、并且非连接区域40b与模拟电路重叠的方式配置，能够减小噪声对于周边电路特别是模拟电路的影响。
另外，在本实施方式中，表示了将连接区域40a仅沿着像素区域30的1边配置的例子，但也可以将连接区域40a沿着像素区域30的2个以上的边配置。通过将连接区域40a沿着像素区域30的2个以上的边配置，与沿着1边配置的情况相比，能够将第1区域40与下层重叠的面积确保得较大。即，通过在俯视时上部电极5越过光电变换层4的四边延伸而将光电变换层4的整体覆盖，能够在光电变换层4的四边将第1区域40与下层重叠的面积确保得较大。由此，能够使上部电极5将光电变换层4及下部电极3覆盖的面积进一步增大，所以能够提高上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性。
(其他实施方式)
以上，在第1实施方式至第4实施方式中，对上部电极5具有与周边区域50在俯视时重叠的第1区域40的例子进行了说明，但可以是光电变换层4也具有在俯视时与周边区域50重叠的区域。
图16是说明有关其他实施方式的摄像装置100K的平面构造的一例的图。图17是图16的XVII－XVII线的概略剖面图。
在图16所例示的摄像装置100K中，光电变换层4从像素区域30朝向X轴方向的负侧延伸，在俯视时与行扫描电路31a重叠。随之，层叠在光电变换层4上的上部电极5、缓冲层6及封固层7也从像素区域30朝向X轴方向的负侧延伸。另外，将光电变换层4在俯视时与包括行扫描电路31a等的周边区域50重叠的区域设为第2区域41。
此外，在摄像装置100K中，上部电极5在俯视时面积比光电变换层4大。此外，上部电极5具有与周边区域50重叠的第1区域40。
如图17所示，第1区域40具有与连接电极13连接的连接区域40a。连接电极13包括与上部电极5不同的材料。进而，第1区域40也可以具有不与连接电极13连接的非连接区域40b(在图17中未图示)。
在本实施方式中，第1区域40及第2区域41在俯视时与行扫描电路31a重叠。
这样，通过将光电变换层4形成为，使得在俯视时第2区域41与行扫描电路31a重叠，能够从像素区域30的端部到中央部、即遍及像素区域30的整体使光电变换层4的厚度成为均匀。
在如本实施方式那样光电变换层4具有第2区域41的情况下，当形成光电变换层4时，即便光电变换层4的端部的膜厚变小，光电变换层4的端部也位于像素区域30的外侧。因此，可以将光电变换层4形成为，使得仅光电变换层4的膜厚比较均匀的部分位于像素区域30内。由此，不论像素20的配置位置如何都能够将像素20均匀地形成，所以能够提高像素20的特性的均匀性。
此外，通过在俯视时第1区域40与行扫描电路31a重叠，上部电极5将光电变换层4、下部电极3及其周边部覆盖的面积增加。因此，能够使上部电极5、光电变换层4及下部电极3之间的密接性提高。由此，能够使向上部电极5施加的电压的均匀性提高，所以经由连接区域40a向光电变换层4施加的电压在像素区域30中成为一样。
以上，基于实施方式及变形例对有关本公开的摄像装置进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式及变形例。将上述实施方式及变形例中的任意的构成要素组合而实现的其他形态、或对于上述实施方式及变形例在不脱离本公开的主旨的范围中实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、以及内置了有关本公开的摄像装置的各种设备也包含在本公开的范围中。
另外，在上述实施方式及变形例中，对摄像装置进行了说明，但也可以将有关本公开的摄像装置用在照相机***中。
图18是表示具备本公开的摄像装置的照相机***的一例的图。这里，对具备有关第1实施方式的摄像装置100A的照相机***200进行说明。
照相机***200具备透镜光学***201、摄像装置100A、***控制器202和照相机信号处理部203。透镜光学***201例如包括自动对焦用透镜、变焦用透镜及光圈。透镜光学***201将光向摄像装置100A的摄像面聚光。***控制器202例如可以由微型计算机实现。照相机信号处理部203作为对由摄像装置100A摄像的数据进行信号处理并作为图像或数据输出的信号处理电路发挥功能。照相机信号处理部203例如进行伽马修正、颜色插补处理、空间插补处理及白平衡等的处理。照相机信号处理部203例如可以由DSP(Digital SignalProcessor)等实现。
有关本公开的一技术方案的摄像装置100A能够不使芯片面积增大而实现画质的均匀性的提高。因而，通过使用这样的摄像装置100A，能够不使照相机***200大型化而使画质的均匀性提高。
产业上的可利用性
有关本公开的摄像装置能够应用于数字静像照相机、医疗用照相机、监视用照相机、车载用照相机、数字单反照相机、数字无反照相机等各种各样的照相机***及传感器***。
附图标记说明
1 半导体基板
2 绝缘层
2a、2b、2c、2d、2e 结构层
3 下部电极
4 光电变换层
5 上部电极
6 缓冲层
7 封固层
8 滤色器
9 平坦化层
10 微透镜
11 检测电路
12 连接部
13 连接电极
14 连接部
15a、15b、15c 屏蔽布线
19 焊盘
20 像素
21a 像素驱动信号线
21b 垂直信号线
22、23 晶体管
30 像素区域
31a 行扫描电路
31b 列电路
32a、32b 布线区域
33a、33b 数字电路
40 第1区域
40a 连接区域
40b 非连接区域
50 周边区域
100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I、100J、100K 摄像装置
200 照相机***
201 透镜光学***
202 ***控制器
203 照相机信号处理部

Claims (20)

1.一种摄像装置，其特征在于，
具备：
半导体基板，具有排列多个像素的像素区域和与上述像素区域邻接的周边区域；
绝缘层，将上述半导体基板的上述像素区域及上述周边区域覆盖；
第1电极，在上述像素区域中位于上述绝缘层之上；
光电变换层，将上述第1电极覆盖；
第2电极，将上述光电变换层覆盖；
检测电路，位于上述半导体基板的上述像素区域，连接至上述第1电极；
周边电路，位于上述半导体基板的上述周边区域，连接至上述检测电路；以及
第3电极，在上述周边区域中位于上述绝缘层之上；
上述第2电极延伸到上述周边区域而连接至上述第3电极；
上述第3电极与上述第2电极连接的连接区域在俯视时与上述周边电路重叠。
2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述周边电路包括晶体管；
上述连接区域在俯视时与上述晶体管重叠。
3.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述周边电路包括与上述检测电路连接的模拟电路；
上述连接区域在俯视时与上述模拟电路重叠。
4.如权利要求3所述的摄像装置，其特征在于，
上述模拟电路包括晶体管；
上述连接区域在俯视时与上述晶体管重叠。
5.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述周边电路包括连接至上述检测电路的数字电路；
上述连接区域在俯视时与上述数字电路重叠。
6.如权利要求5所述的摄像装置，其特征在于，
上述数字电路包括晶体管；
上述连接区域在俯视时与上述晶体管重叠。
7.如权利要求5所述的摄像装置，其特征在于，
上述周边电路包括连接在上述数字电路与上述检测电路之间的模拟电路；
上述连接区域在俯视时不与上述模拟电路重叠。
8.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述周边电路包括：
模拟电路，连接至上述检测电路；
布线，连接至上述模拟电路；以及
模拟电路，经由上述布线连接至上述模拟电路；
上述连接区域在俯视时与上述布线重叠。
9.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述周边电路包括：
模拟电路，连接至上述检测电路；以及
布线，用来将上述模拟电路连接至外部的电路；
上述连接区域在俯视时与上述布线重叠。
10.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第2电极在上述周边区域中具有第1区域，在该第1区域与上述绝缘层之间没有上述光电变换层；
上述第1区域具有上述连接区域和上述连接区域以外的非连接区域。
11.如权利要求10所述的摄像装置，其特征在于，
在从上述像素区域朝向上述周边区域的方向上，上述非连接区域的长度比上述连接区域的长度大。
12.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
在俯视时，上述第2电极的面积比上述像素区域的面积大。
13.如权利要求10所述的摄像装置，其特征在于，
还具备位于上述第2电极的上述非连接区域与上述周边电路之间或位于上述第2电极的上述非连接区域与连接至上述周边电路的布线之间的屏蔽布线。
14.如权利要求13所述的摄像装置，其特征在于，
上述周边电路包括模拟电路；
上述屏蔽布线位于上述第2电极的上述非连接区域与上述模拟电路之间或位于上述第2电极的上述非连接区域与连接至上述模拟电路的布线之间。
15.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述多个像素以矩阵状配置在上述像素区域中；
上述连接区域沿着上述像素区域的2个以上的边配置。
16.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第2电极将位于上述像素区域中的第1电极之中的半数以上覆盖。
17.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第3电极和上述第1电极与连续的单一的层相接。
18.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第3电极包含与上述第1电极相同的材料。
19.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第3电极包含Cu、W、Ti、Ta、Al中的至少一种。
20.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
上述第2电极将上述光电变换层全部覆盖。
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