CN110048007A - 掩膜版及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种掩膜版及其制造方法,制造方法包括:提供掩膜框架;在掩膜框架上固定设置对准掩膜,且对准掩膜内具有对位孔;以对位孔为对准标记,在掩膜框架上固定设置支撑掩膜,且支撑掩膜内具有贯穿支撑掩膜的监测孔;以对位孔为对准标记,在掩膜框架上固定设置至少一个掩膜条,掩膜条内具有贯穿所述掩膜条的开口以及测试孔,且测试孔在支撑掩膜上的正投影位于监测孔内。本发明能够保证支撑掩膜与掩膜条之间的位置对准精度,消除测试孔被支撑掩膜遮挡的风险,保证测试孔在支撑掩膜上的正投影位于监测孔内。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜版及其制造方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)称为有机电致发光二极管。OLED显示技术具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、效应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点,使它在目前在众多显示设备上得到应用,例如应用于电视机和移动设备上。
制造OLED的工艺过程包括多种工艺技术,其中,精细金属掩膜(FMM,Fine MetalMask)技术是主要技术之一,通常采用精细金属掩膜版并通过蒸镀工艺制作各子单元像素。精细金属掩膜版的品质的好坏影响着OLED制造工艺的良率。
现有技术制作的精细金属掩膜版的质量有待提高。
发明内容
本发明提供一种掩膜版及其制造方法,解决掩膜条内测试孔被支撑掩膜遮挡的问题。
本发明实施例提供一种掩膜版的制造方法,包括:提供掩膜框架;在所述掩膜框架上固定设置对准掩膜,且所述对准掩膜内具有对位孔;以所述对位孔为对准标记,在所述掩膜框架上固定设置支撑掩膜,且所述支撑掩膜内具有贯穿所述支撑掩膜的监测孔;以所述对位孔为对准标记,在所述掩膜框架上固定设置至少一个掩膜条,所述掩膜条内具有贯穿所述掩膜条的开口以及测试孔,且所述测试孔在所述支撑掩膜上的正投影位于所述监测孔内。
先在掩膜框架上固定设置具有对位孔的对准掩膜;然后以该对位孔作为对准标记,固定设置支撑掩膜以及掩膜条。由于支撑掩膜以及掩膜条均是以对位孔作为对准标记固定设置的,因此避免了采用不同的对准标记固定设置支撑掩膜以及掩膜条而导致的位置误差问题,消除了掩膜条内的测试孔被支撑掩膜遮挡的风险,提高支撑掩膜与掩膜条之间的位置对准精度,保证测试孔在支撑掩膜上的投影位于监测孔内。也就是说,通过调整将对准掩膜固定至掩膜框架上的时机,达到改善支撑掩膜与掩膜条之间位置对准精度的目的,不需要额外的工艺步骤,在改善掩膜版制造的同时避免工艺成本的增加。
另外,掩膜框架内具有框架对准孔,且框架对准孔为第一圆孔,对位孔为第二圆孔,第二圆孔的圆度小于第一圆孔的圆度。也就是说,对位孔的外观形貌优于框架对准孔的外观形貌,因此相较于以框架对准孔作为对准标记而言,以具有良好外观形貌的对位孔作为对准标记更有利于提高支撑掩膜与掩膜条之间的位置对准精度。
另外,在垂直于对准掩膜表面上,对位孔的剖面图形的半径小于或等于0.08mm~1.5mm。由于对位孔的尺寸较小,因此固定支撑掩膜步骤与固定掩膜条步骤中,对于对位孔识别能力的差异性小,有利于进一步的提高支撑掩膜与掩膜条之间的位置对准精度。
另外,在平行于对准掩膜表面方向上,对位孔的剖面形状为正多边形。如此,当采用对位孔的中心作为对准标记时,有利于进一步的提高支撑掩膜与掩膜条之间的位置对准精度。
另外,采用刻蚀工艺形成对位孔。有利于保证形成的对位孔具有良好的形貌,且形成的对位孔的尺寸符合预设规格要求。
另外,对准掩膜的数量为至少两个,至少一个对准掩膜内具有至少两个对位孔;优选的,同一对准掩膜内的至少两个对位孔的连线具有第一方向,不同对准掩膜内的两个对位孔的连线具有第二方向,且第二方向与第一方向相垂直。有利于建立位置对准坐标系。
另外,先固定支撑掩膜和遮挡掩膜,后固定掩膜条。如此,有利于避免固定支撑掩膜以及遮挡掩膜的工艺步骤对掩膜条造成损伤,保证掩膜条内开口以及测试孔具有良好形貌。
相应的,本发明实施例还提供一种掩膜版,包括:掩膜框架;对准掩膜,所述对准掩膜固定设置于所述掩膜框架上,且所述对准掩膜内具有对位孔;支撑掩膜,所述支撑掩膜固定设置于所述掩膜框架上,且所述支撑掩膜内具有贯穿所述支撑掩膜的监测孔;至少一个掩膜条,所述掩膜条固定设置于所述掩膜框架上,所述掩膜条内具有贯穿所述掩膜条的开口以及测试孔,且所述测试孔在所述支撑掩膜上的正投影位于所述监测孔内。
与现有技术相比,本发明实施例提供的技术方案具有以下优点:
上述技术方案中,在掩膜框架上固定设置对准掩膜,且对准掩膜内具有对位孔;然后以对位孔为对准标记,在掩膜框架上固定设置支撑掩膜和掩膜条。采用同样的对位孔作为对准标记固定支撑掩膜和掩膜条,有利于提高支撑掩膜与掩膜条之间的位置对准精度,防止掩膜条内的测试孔被支撑掩膜遮挡,保证测试孔在支撑掩膜上的正投影位于监测孔内,从而改善制造的掩膜版质量。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
图1至图6为本发明实施例提供的掩膜版制造方法各步骤对应的俯视结构示意图。
具体实施方式
精细金属掩膜版的制造过程包括:将遮挡掩膜(cover mask)、支撑掩膜(haulingmask)、对准掩膜(align mask)、虚拟掩膜(dummy mask)以及掩膜条(sheet mask)焊接在框架(frame)上,且支撑掩膜内具有贯穿支撑掩膜的TEG(Test Element Group)监测孔,掩膜条内具有贯穿掩膜版的开口且还具有TEG像素孔。理想情况下,TEG像素孔的正投影应该位于所述TEG监测孔内,保证TEG像素孔不会被支撑掩膜遮挡。
目前主要有两种采用张网工艺制备掩膜版的方案,然而均难以有效保证支撑掩膜相对于对准掩膜的位置精度,因而难以保证TEG像素孔的正投影位于TEG监测孔内,使得TEG像素孔与TEG监测孔之间具有相互错开部分,也就是说,TEG像素孔被支撑掩膜遮挡。
分析第一种制备掩膜版的方案:
制备掩膜版的顺序为:利用掩膜框架内的第一对位孔进行对位,进行支撑掩膜和遮挡掩膜的张网步骤,且支撑掩膜内具有TEG监测孔;利用第一对位孔进行对位,进行对准掩膜的张网步骤,且对准掩膜内具有第二对位孔;然后,利用第二对位孔进行对位,进行掩膜条的张网步骤,且掩膜条内具有TEG像素孔。
不难发现,上述方案中,支撑掩膜和掩膜条的张网步骤不是采用同一对位孔进行对位,造成不同张网步骤中受到对位孔的外观影响不同,且不同张网步骤中相机对于对位孔的图像识别能力不同。因此,支撑掩膜和掩膜条在各自的张网步骤中建立的对准坐标系存在较大的机差,难以较好的控制TEG监测孔相对于对准掩膜的位置精度,而掩膜条是基于对准掩膜上的第二对位孔进行对位的,因此存在掩膜条上的TEG像素孔被支撑掩膜遮挡的风险。
分析第二种制备掩膜版的方案:
制备掩膜版的顺序为:利用掩膜框架内的第一对位孔进行对位,进行支撑掩膜和遮挡掩膜的张网步骤,且支撑掩膜内具有TEG监测孔;利用第一对位孔进行对位,进行掩膜条的张网步骤,掩膜条内具有TEG像素孔;然后,利用TEG像素孔进行对位,进行对准掩膜的张网步骤。
上述方案中,虽然可以保证对准掩膜相对于掩膜条的精度,但是由于第一对位孔较大且形貌差,不同张网步骤中Camera对于第一对位孔的识别能力的差异大,导致难以较好的控制支撑掩膜中TEG监测孔相对于对掩膜条的位置精度,因此也存在掩膜条上的TEG像素孔被支撑掩膜遮挡的风险。
由上述分析可知,导致TEG监测孔与TEG像素孔之间对准精度差的原因包括:作为对位标准的第一对位孔形貌差,造成不同张网步骤中Camera对于第一对位孔的识别能力差异大;不同张网步骤中采用不同的对位孔进行对准。
为此,本发明实施例提供一种掩膜版的制造方法,先在掩膜框架上固定设置对准掩膜,该对准掩膜内具有对位孔;以该对位孔作为对准标记,分别在掩膜框架上固定设置支撑掩膜和掩膜条。本发明能够提高支撑掩膜与掩膜条之间的对准精度,消除测试孔被支撑掩膜遮挡的风险。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本发明各实施例中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改,也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1至图6为本发明实施例提供的掩膜版制造方法各步骤对应的俯视结构示意图。
参考图1,提供掩膜框架(frame)100。
掩膜框架100包括框架本体(未标示)以及由框架本体包围的空白区域(未标示),该空白区域与后续固定设置的支撑掩膜、遮挡掩膜以及掩膜条共同限定用于定义蒸镀或者沉积区域的开口位置。
本实施例中,以掩膜框架100的形状为方形,空白区域的形状为方形作为示例。在其他实施例中,掩膜框架的形状还可以为其他合适形状,空白区域的形状也可以为其他合适形状,例如圆形、三角形、六边形等。
掩膜框架100可以为金属框架,例如为铜框架、铜合金框架、铝框架、铝合金框架或者镍铁合金框架。在其他实施例中,掩膜框架还可以为其他具有耐高温耐腐蚀特性的框架。
本实施例中,掩膜框架100内具有框架对准孔101,后续可以以该框架对准孔101为对准标记固定设置对准掩膜,保证对准掩膜与掩膜框架100之间的对准精度满足要求。
可以采用激光打孔工艺或者刻蚀工艺形成该框架对准孔101。本实施例中,框架对准孔101为位于的掩膜框架100的盲孔。本实施例中,框架对准孔101为第一圆孔,即,在平行于掩膜框架100表面方向上,框架对准孔101的剖面形状为圆形。
需要说明的是,第一圆孔与标准圆之间具有一定的差异,该第一圆孔与标准圆之间的差异可以用圆度来衡量,圆度是指第一圆孔的横截面(即在平行于掩膜框架100表面方向上第一圆孔的剖面)接近标准圆的程度,当第一圆孔的横截面的最大半径与最小半径之差为0时,圆度为0。具体地,圆度越大表明第一圆孔与标准圆之间的差异越大也就是说,第一圆孔的形貌越差;圆度越小表明第一圆孔与标准圆之间的差异越小也就是说,第一圆孔的形貌越好。
受到掩膜框架100本身材料的限制以及框架对准孔101的制造工艺的限制,第一圆孔的圆度较大,且第一圆孔具有较大的孔径。也就是说,框架对准孔101的外观形貌较差,若后续以该框架对准孔101作为对准标记固定设置支撑掩膜和掩膜条,则易出现掩膜条与支撑掩膜之间对准精度低的问题。
需要说明的是,在其他实施例中,在平行于掩膜框架表面方向上,框架对准孔的剖面形状还可以其他合适形状,如三角形、四边形、六边形等。
为了便于图示,后续的附图中未示出框架对准孔101。
参考图2,在掩膜框架100上固定设置对准掩膜(Align Mask)102,且对准掩膜102内具有对位孔103。
具体地,将对准掩膜102固定设置在框架本体上。对准掩膜102的形状为条状,本实施例中,以对准掩膜102的延伸方向与X方向一致为例,且在沿X方向上,对准掩膜102的长度大于框架本体的长度。在其他实施例中,在沿X方向上,对准掩膜的长度也可以等于框架本体的长度,或者,对准掩膜的长度还可以小于框架本体的长度。
可以采用张网机进行张网步骤,以将对准掩膜102固定在掩膜框架100上。张网机中具有用于捕捉对准标记的图像传感器(CCD,Charged Coupled Device),基于捕捉到的对准标记建立对准坐标系,且对准掩膜102具有位于该对准坐标系中的预设位置;基于对准掩膜102的位于该对准坐标系中的预设位置,将对准掩膜102移动至掩膜框架100合适位置;然后将对准掩膜102焊接固定在掩膜框架100上。
对准掩膜102的作用包括:一方面,在使用掩膜版进行蒸镀工艺或者沉积工艺时,对位孔103作为与待蒸镀或者待沉积的基底之间进行对位的对准标记,保证在基底与掩膜版之间位置对准;另一方面,对位孔103还用作后续固定设置支撑掩膜以及掩膜条的对准标记,从而提高支撑掩膜与掩膜条之间的对准精度,减小支撑掩膜与掩膜条之间的对准误差,防止掩膜条内的测试孔被支撑掩膜遮挡。
对位孔103的形状为图像传感器易识别捕捉到的形状,且对位孔103内具有至少一个标记点,例如该标记点可以为对位孔103的中心,以对位孔103为对准标记实际是以对位孔103的中心为对准标记。
在平行于对准掩膜102表面方向上,对位孔103的剖面形状为圆形或者正多边形,正多边形可以为三角形、四边形、六边形、八边形等。由于圆形和正多边形均的中心作为对准标记时,有利于提高对准精度。
本实施例中,对位孔103为贯穿对准掩膜102厚度的通孔,通孔更容易被图像传感器抓取识别到。在其他实施例中,对位孔还可以为盲孔,即对位孔位于部分厚度的对准掩膜内,对位孔的底部位于对准掩膜内且对位孔的顶部由对准掩膜露出。
为了保证对准精度,所述对位孔103的数量至少为两个,且对位孔103的数量越多对准精度越大,但同时制造工艺耗时越长。因此,可以均衡考虑制造效率以及对准精度,合理设置对位孔103的数量。
对准掩膜102的数量为至少两个,且至少一个对准掩膜102内具有至少两个对位孔103,有利于降低抓取对位孔103建立位置坐标系的难度。本实施例中,对准掩膜102沿X方向延伸,且两个对准掩膜102分别固定于掩膜框架100相对的两端。
为了降低后续建立对准坐标系的难度以及进行对准的难度,且提高对准坐标系的准确度,同一对准掩膜102内的至少两个对位孔103的连线AA1具有第一方向,不同对准掩膜102内的至少两个对位孔103的连线BB1具有第二方向,且第二方向与第一方向相垂直。以第一方向与X方向平行,第二方向与Y方向平行作为示例。
后续获取连线AA1以及连线BB1建立对准坐标系,即,获取多个对位孔103的位置来建立对准坐标系,举例来说,可以以连线AA1作为对准坐标系的横轴,以连线BB1作为对准坐标系的纵轴。
本实施例中,两个对位孔103的连线AA1为对位孔103的中心点之间的连线。因此,不同对位孔103的尺寸可以相同,也可以不同,保证不同对位孔103的中心点的连线符合上述要求即可。
采用激光打孔工艺或者刻蚀工艺,形成对位孔103。本实施例中,采用刻蚀工艺形成对位孔103,有利于保证对位孔103具有良好的形貌,实际刻蚀形成的对位孔103的形状与预设形状之间的差异小。举例来说,当对位孔103的剖面形状为圆形时,该圆形能够很好的接近标准圆;且采用刻蚀工艺形成对位孔103,能够有效保证形成的对位孔103的尺寸符合预设规格。
具体地,采用干法刻蚀工艺形成对位孔103,工艺步骤包括:在对准掩膜102上形成图形层(未图示),图形层定义出待形成对位孔的形状和位置;以该图形层为掩膜刻蚀对准掩膜,在对准掩膜内形成对位孔;然后去除图形层。
本实施例中,对位孔103为第二圆孔,也就是说,对位孔103的剖面形状为圆形,第二圆孔的形貌也可以以圆度来衡量。对位孔103的形貌优于框架对准孔101(参考图1)的形貌,即第二圆孔的圆度小于第一圆孔的圆度。因此,相较于以框架对准孔101为对准标记而言,以对位孔103为对准标记更有利于提高对准精度。
对位孔103为第二圆孔时,第二圆孔的孔径还小于第一圆孔的孔径,第二圆孔的孔径指在平行于对准掩膜102表面方向上对位孔103的剖面图形的半径,第一圆孔的孔径指平行于掩膜框架100表面方向上框架对准孔101的剖面图形的半径。如此,对位孔103相较于框架对准孔101而言更易被图像传感器捕捉,且小尺寸的对位孔103作为对准标记,有利于进一步的提高后续固定的支撑掩膜与掩膜条之间的对准精度。
在垂直于所述对准掩膜表面方向上,对位孔103的剖面图形的半径不宜过小,也不宜过大。若对位孔103的剖面图形的半径过小,则相应制作对位孔103的工艺难度较大,会增加工艺成本;若对位孔103的剖面图形的半径过大,则不利于减小后续固定支撑掩膜步骤和固定掩膜条步骤识别对位孔103的识别能力具有的差异性,也就不利于提高后续固定支撑掩膜与掩膜条之间的对准精度。
为此,本实施例中,在垂直于所述对准掩膜表面方向上,对位孔103的剖面图形的半径为0.08mm~1.5mm,例如为0.09mm、0.15mm、0.45mm、1mm、1.2mm。在该范围内,后续固定支撑掩膜步骤以及固定掩膜条步骤对对位孔103的识别能力差异性小,有利于进一步的提高位置对准精度。
需要说明的是,由于对位孔103的尺寸较小,为了降低掩膜版与基底之间的对准难度,还可以在对准掩膜102内设置基底对准孔113,且在平行于对准掩膜102表面方向上,基底对准孔113的剖面图形的面积大于对位孔103的剖面图形的面积。在将掩膜板与基底之间进行对准时,采用基底对准孔113作为对准标记。
还需要说明的是,对准掩膜上也可以不设置基底对准孔,在实现掩膜版与基底之间的对准时,采用对位孔作为对准标记使基底与掩膜版之间对准。
为了提高对准掩膜102与掩膜框架100之间的对准精度,可以以框架对准孔(参考图1)为对准标记,在掩膜框架100上固定设置对准掩膜102。
参考图3,在掩膜框架100上固定设置遮挡掩膜(Cover Mask)104。
具体地,可以采用张网机进行张网步骤,以将对遮挡掩膜104固定在掩膜框架100上。张网机中具有用于捕捉对准标记的图像传感器,并基于捕捉到的对准标记建立对准坐标系,且遮挡掩膜104具有位于该对准坐标系中的预设位置;基于该预设位置,将遮挡掩膜104移动至掩膜框架100合适位置;然后将遮挡掩膜104固定在掩膜框架100上。
有关对准坐标系的建立,请参考前述相关说明,在此不再赘述。
需要说明的是,当要求遮挡掩膜104与掩膜框架100之间具有高对准精度时,可以采用对位孔103作为对准标记,在遮挡掩膜104固定置于遮挡掩膜104上;当遮挡掩膜104与掩膜框架100之间的对准精度要求不高时,为了降低张网难度,也可以采用框架对准孔101作为对准标记。
遮挡掩膜104的形状为条状,遮挡掩膜104相对的两端固定在掩膜框架100上,且遮挡掩膜104的延伸方向与X方向一致。本实施例中,在掩膜框架100上固定设置多个遮挡掩膜104,且多个遮挡掩膜104沿Y方向间隔排列,Y方向与X方向相垂直。
参考图4,以对位孔103为对准标记,在掩膜框架100上固定设置支撑掩膜(HaulingMask)105,且支撑掩膜105内具有贯穿支撑掩膜105的监测孔106。
将支撑掩膜105固定设置在框架本体上后,支撑掩膜105与遮挡掩膜104交叉,用于将后续固定设置的掩膜条划分为多个掩膜单元;基于掩膜单元的不同形状,可以合理设置支撑掩膜105与遮挡掩膜104之间的交叉形成的夹角大小。
本实施例中,支撑掩膜105的形状为条状,支撑掩膜105的延伸方向与遮挡掩膜104的延伸方向相垂直,即支撑掩膜105的延伸方向与Y方向一致。支撑掩膜105的数量为至少一个,图4中示出了2个支撑掩膜105的情形。在其他实施例中,根据不同需求,可以固定设置任意数量个支撑掩膜。
监测孔106的作用包括:后续固定设置的掩膜条中具有测试孔,且测试孔正好位于监测孔106上方;当使用掩膜版进行蒸镀或者沉积工艺时,蒸镀或者沉积的材料经由测试孔堆积在基底上,形成材料检测单元,材料检测单元可以反馈实际蒸镀或沉积的材料层质量;通过检测材料检测单元的材料质量,可以获知实际蒸镀或沉积的材料层是否符合要求。
为保证后续的测试孔贯通形貌优良,监测孔106也应被遮挡掩膜104露出,也就是说,监测孔106在遮挡掩膜104所处平面上的正投影位于相邻遮挡掩膜104之间,或者说,监测孔106位于横跨相邻遮挡掩膜104之间的支撑掩膜105内。
本实施例中,以横跨相邻遮挡掩膜104之间的支撑掩膜105内具有2个监测孔106作为示例。在其他实施例中,横跨相邻遮挡掩膜之间的支撑掩膜内可以具有任意数量个监测孔,需要检测的材料检测单元的数量不同,相应设置的监测孔的数量不同。
本实施例中,在平行于支撑掩膜105表面方向上,监测孔106的剖面形状为圆形。在其他实施例中,监测孔的剖面形状还可以方形、椭圆形、三角形、六边形等,监测孔的剖面形状也可以为不规则形状。需要说明的是,对于同一个支撑掩膜105而言,所有监测孔106的形状可以相同也可以不同。
由前述分析可知,对位孔103具有良好的外观形貌,因此以对位孔103为对准标记将支撑掩膜105固定设置于掩膜框架100上时,支撑掩膜105与对准掩膜102之间的位置对准精度高,相应的,监测孔106与对准掩膜102之间具有高位置对准精度,监测孔106与对准掩膜102之间的位置对误差小。
以对位孔103为对准标记,包括:捕捉对位孔103的位置;并基于捕捉到的对位孔103的位置建立对准坐标系。支撑掩膜105具有位于该对准坐标系中的预设位置;基于该预设位置,将支撑掩膜105移动至掩膜框架100合适位置;然后将支撑掩膜105焊接固定在掩膜框架100上。
具体地,可以采用张网机进行张网步骤,以将对支撑掩膜105固定在掩膜框架100上。张网机中具有用于捕捉对位孔103的图像传感器,并基于捕捉到的对位孔103建立对准坐标系。
由于对位孔103具有良好的形貌且尺寸较小,图像传感器对于对位孔103的识别能力高,且相应建立的对准坐标系受到图像传感器的精度的影响小。因此,在张网步骤中,建立的对准坐标系能够更加真实的反映对位孔103的实际位置,从而有利于进一步的提高支撑掩膜105与掩膜框架100的位置对准精度。
更具体的,张网机可以捕捉对位孔103的中心以建立对准坐标系。并且,支撑掩膜105上可以设置第一对位标记,通过第一对位标记处于对准坐标系中的预设坐标位置反馈支撑掩膜105位于该对准坐标系中的预设位置,也就说,当第一对位标记处于对准坐标系中的坐标位置为预设坐标位置时,说明支撑掩膜105处于该对准坐标系中的预设位置,完成支撑掩膜105与掩膜框架100之间的位置对准。
该第一对位标记为规则结构,例如可以为圆形结构、方形结构、三角形结构、梯形结构、“一”形结构或者“十”形结构。
需要说明的是,本实施例中,以先在掩膜框架100上固定设置遮挡掩膜104后固定设置支撑掩膜105为例,在其他实施例中,还可以先固定设置支撑掩膜后固定设置遮挡掩膜。
参考图5,在掩膜框架100上固定设置虚拟掩膜(Dummy Mask)107。
虚拟掩膜107的作用包括:遮挡住空白区域需要遮挡的空白区域,以避免在掩膜版使用时从材料经由未遮挡空白区域堆积在基底不期望区域上。
本实施例中,虚拟掩膜107覆盖框架本体与遮挡掩膜104之间的空白区域。
需要说明的是,在其他实施例中,若空白区域不存在需要额外遮挡的空白区域,如遮挡掩膜与框架本体具有重叠部分因而不存空白区域时,则无需形成虚拟掩膜。
参考图6,以对位孔103为对准标记,在掩膜框架100上固定设置至少一个掩膜条(Sheet Mask)118,掩膜条118内具有贯穿所述掩膜条118的开口109以及测试孔110,且测试孔110在支撑掩膜105上的正投影位于监测孔106内。
为了便于图示和说明,图6中掩膜条118以透视方式示出,从而能够看出掩膜条118、支撑掩膜105以及遮挡掩膜104之间的位置关系。
遮挡掩膜104与支撑掩膜105交叉以将掩膜条118划分为多个掩膜单元108,开口109位于掩膜单元109内。
开口109用于定义蒸镀或者沉积材料的区域。本实施例中,掩膜条118延伸方向与X方向一致,且掩膜条118的数量为多个,多个掩膜条118沿Y方向排列,相邻掩膜条118之间可以相隔开或者相接触。
测试孔110的作用包括:在使用掩膜版进行蒸镀或者沉积工艺时,蒸镀或者沉积的材料经由测试孔110堆积在基底上,形成材料检测单元,材料检测单元可以反馈实际蒸镀或沉积的材料层质量;通过检测材料检测单元的材料质量,可以获知实际蒸镀或沉积的材料层是否符合要求。
为了保证测试孔110有效发挥其作用,测试孔110在支撑掩膜105上的正投影位于监测孔106内,也就是说,测试孔110不能被支撑掩膜105遮挡。本实施例中,测试孔110的数量与监测孔106的数量相同。
本实施例中,在平行于掩膜条118表面方向上,测试孔110的剖面形状为圆形。在其他实施例中,测试孔的剖面形状还可以为方形、椭圆形、三角形、六边形等,测试孔的剖面形状也可以为不规则形状。需要说明的是,对于同一个掩膜条118而言,所有测试孔110的形状可以相同也可以不同,且测试孔110的形状与对应的监测孔106的形状可以相同也可以不同。
本实施例中,测试孔110在支撑掩膜105上的正投影图形面积小于监测孔109的剖面面积,有利于降低掩膜条118与支撑掩膜105之间的对准精度需求,减小制造工艺难度。在其他实施例中,测试孔在支撑掩膜上的正投影图形面积也可以等于测试孔的剖面面积。
一方面,由前述分析可知,对位孔103具有良好的外观形貌,因此以对位孔103作为对准标记将掩膜条118固定设置于掩膜框架100上时,掩膜条118与对准掩膜102之间的位置对准精度高,也可以认为测试孔110与对准掩膜102之间具有高位置对准精度;另一方面,监测孔106与对准掩膜102之间也具有高的位置对准精度;此外,支撑掩膜105和掩膜条118均以同一对位孔103作为对准标记,能够消除采用不同对位标记进行对准产生的误差。
基于此,达到了缩小监测孔106与对准掩膜102相对位置误差的效果,且达到了缩小测试孔110与对准掩膜102相对位置误差的效果,从而消除了掩膜条118内测试孔110被支撑掩膜105遮挡的风险,保证测试孔110与监测孔106之间的位置对准精度。
以对位孔103为对准标记,包括:捕捉对位孔103的位置;并基于捕捉到的对位孔103的位置建立对准坐标系。掩膜条118具有位于该对准坐标系中的预设位置;基于该预设位置,将掩膜条118移动至掩膜框架100合适位置;然后将掩膜条118焊接固定在掩膜框架100上。
具体地,可以采用张网机进行张网步骤,以将掩膜条118固定在掩膜框架100上。张网机中具有用于捕捉对位孔103的图像传感器,并基于捕捉到的对位孔103建立对准坐标系。
固定掩膜条118张网步骤中建立的对准坐标系与固定支撑掩膜105张网步骤中建立的对准坐标系为捕捉同样的对位孔103建立的,有利于消除捕捉对位孔103位置不一致导致的误差。
且由于对位孔103具有良好的形貌且尺寸较小,图像传感器对于对位孔103的识别能力高,且相应建立的对准坐标系受到图像传感器的精度的影响小。因此,在张网步骤中,建立的对准坐标系能够更加真实的反映对位孔103的实际位置,从而有利于进一步的提高掩膜条118与掩膜框架100的位置对准精度。
此外,由于对位孔103具有良好的形貌且尺寸较小,固定支撑掩膜105的张网步骤以及固定掩膜条118的张网步骤中不同图像传感器对于对位孔103的识别能力差异性小,因此在不同张网步骤中建立的对准坐标系的机差小,有利于进一步的保证掩膜条118与支撑掩膜105的位置对准精度。
更具体的,张网机可以捕捉对位孔103的中心以建立对准坐标系。并且,掩膜条118上可以设置第二对位标记,通过第二对位标记处于对准坐标系中的预设坐标位置反馈掩膜条118位于该对准坐标系中的预设位置,也就说,当第二对位标记处于对准坐标系中的坐标位置为预设坐标位置时,说明掩膜条118处于该对准坐标系中的预设位置,完成掩膜条118与掩膜框架100之间的位置对准。
该第二对位标记为规则结构,例如可以为圆形结构、方形结构、三角形结构、梯形结构、“一”形结构或者“十”形结构。
在固定设置虚拟掩膜107后,虚拟掩膜107与掩膜框架100、对准掩膜102、遮挡掩膜以及支撑掩膜之间具有应力作用,该应力作用可能对造成掩膜框架100、对准掩膜102、遮挡掩膜104以及支撑掩膜105之间的位置发生一定偏移。本实施例中,预先设置虚拟掩膜107再设置掩膜条118,则固定设置掩膜条118时作为对准标记的对位孔103位置为受到应力后发生偏移的位置,相应的固定设置的掩膜条118与对位孔103之间仍具有高位置精度,可以进一步保证掩膜条118中的测试孔110不被支撑掩膜105遮挡。
需要说明的是,在其他实施例中,若设置虚拟掩膜步骤对于其他掩膜与掩膜框架之间的位置影响小甚至可以忽略不计,则也可以先固定设置掩膜条后固定设置虚拟掩膜。
还需要说明的是,本实施例中,先固定设置支撑掩膜105以及遮挡掩膜104,后固定设置掩膜条118,不仅有利于减小制造工艺难度,且能够避免固定设置支撑掩膜105以及遮挡掩膜104的工艺对掩膜条118造成工艺损伤,该工艺损伤可能为开口109形貌受到破坏或测试孔110形貌受到破坏。
在其他实施例中,也可以先固定设置掩膜条后固定设置支撑掩膜以及遮挡掩膜,或者,先固定设置遮挡掩膜后固定设置掩膜条再固定设置支撑掩膜。
本实施例提供的掩膜版的制造方法中,先在掩膜框架100上固定设置具有对位孔103的对准掩膜102,然后固定设置支撑掩膜105以及掩膜条118;且支撑掩膜105以及掩膜条118均是以对准掩膜102中的对位孔103作为对准标记进行固定设置的,从而能够消除由于固定支撑掩膜105以及固定掩膜条118采用的对准标记不同而造成的位置误差问题,从而避免了测试孔110被支撑掩膜105遮挡的风险,保证支撑掩膜105与掩膜条118之间具有良好的位置对准精度,保证测试孔110在支撑掩膜105上的正投影位于监测孔106内。
同时,本发明提供的掩膜版的制造方法,改变对准掩膜102、支撑掩膜105以及掩膜条118固定在掩膜框架100上的顺序,利用对准掩膜102上原本就需要设置的对位孔103作为对位标记,不需要额外的工艺步骤即可提高支撑掩膜105与掩膜条118之间的对准精度,在不增加工艺成本的条件下改善掩膜版质量。
相应的,本发明实施例还提供一种采用上述制造方法制造的掩膜版。
图6为本发明实施例提供的掩膜版的俯视结构示意图。
参考图6,本实施例提供的掩膜版包括:掩膜框架100;对准掩膜102,所述对准掩膜102固定设置于所述掩膜框架100上,且所述对准掩膜102内具有对位孔103;支撑掩膜105,所述支撑掩膜105固定设置于所述掩膜框架100上,且所述支撑掩膜105内具有贯穿所述支撑掩膜105的监测孔106;至少一个掩膜条118,所述掩膜条118固定设置于所述掩膜框架100上,所述遮挡掩膜104内具有贯穿所述掩膜条118的开口109以及测试孔110,且所述测试孔110在所述支撑掩膜105上的正投影位于所述监测孔106内;其中,所述对准掩膜102具有第一面和与所述第一面相对的第二面,所述第一面朝向所述掩膜框架100,所述第二面朝向所述支撑掩膜105以及所述掩膜条118。
以下将结合附图对本实施例提供的掩膜版进行详细说明。
本实施例中,对准掩膜102位于掩膜框架100与支撑掩膜105之间,且还位于掩膜框架100与掩膜条118之间。
因此在制造该掩膜版时能够以对准掩膜102中的对位孔103作为对准标记,固定设置支撑掩膜105以及掩膜条118,提高支撑掩膜105与掩膜条118之间的对准精度,消除测试孔110被支撑掩膜105遮挡的风险。
本实施例中,掩膜框架100内具有框架对准孔101。框架对准孔101为第一圆孔,对位孔103为第二圆孔。
第二圆孔的孔径小于第一圆孔的孔径,第二圆孔的圆度小于第一圆孔的圆度。也就是说,第二圆孔的外观形貌比第一圆孔的外观形貌好,相较于第一圆孔而言,第二圆孔更接近标准圆。
第二圆孔的孔径指的是,在平行于对准掩膜102表面方向上,对位孔103的剖面图形的半径。本实施例中,在垂直于所述对准掩膜表面方向上,对位孔103的剖面图形的半径小于或等于0.08mm~1.5mm。
需要说明的是,在其他实施例中,在平行于对准掩膜表面方向上,对位孔的剖面形状还可以为正多边形,例如为三角形、四边形、六边形或八边形等。
本实施例中,对位孔103为贯穿对准掩膜102的通孔。在其他实施例中,对位孔还可以为盲孔,对位孔位于部分厚度的对准掩膜内。
对位孔103的数量为至少两个。对准掩膜102的数量为至少两个,每个对准掩膜102内具有至少两个对位孔103;
本实施例中,同一对准掩膜102内的至少两个对位孔103的连线具有第一方向,不同对准掩膜102内的两个对位孔103的连线具有第二方向,且第二方向与第一方向相垂直。本实施例中,第一方向与X方向一致,第二方向与Y方向一致。
本实施例中,在平行于支撑掩膜105表面方向上,监测孔106的剖面形状为圆形。在其他实施例中,监测孔的剖面形状还可以方形、椭圆形、三角形、六边形等,监测孔的剖面形状也可以为不规则形状。需要说明的是,对于同一个支撑掩膜105而言,所有监测孔106的形状可以相同也可以不同。
本实施例中,掩膜版还包括:遮挡掩膜104,该遮挡掩膜104固定设置于掩膜框架100上。遮挡掩膜104与支撑掩膜105交叉以将掩膜条118划分为多个掩膜单元108,开口109位于掩膜单元108内。
掩膜版结构还包括:固定设置于掩膜框架100上的虚拟掩膜107,该虚拟掩膜107遮挡相应需要遮挡的空白区域。
开口109用于定义蒸镀或者沉积材料的区域。本实施例中,遮挡掩膜104与支撑掩膜105垂直交叉。在其他实施例中,遮挡掩膜与支撑掩膜之间的相对位置关系还可以为其他交叉方式。
本实施例中,在平行于掩膜条118表面方向上,测试孔110的剖面形状为圆形。在其他实施例中,测试孔的剖面形状还可以为方形、椭圆形、三角形、六边形等,测试孔的剖面形状也可以为不规则形状。需要说明的是,对于同一个掩膜条118而言,所有测试孔110的形状可以相同也可以不同,且测试孔110的形状与对应的监测孔106的形状可以相同也可以不同。
本实施例中,测试孔110在支撑掩膜105上的正投影图形面积小于监测孔109的剖面面积,有利于降低掩膜条118与支撑掩膜105之间的对准精度需求,减小制造工艺难度。在其他实施例中,测试孔在支撑掩膜上的正投影图形面积也可以等于测试孔的剖面面积。
本实施中,在沿掩膜框架100指向对准掩膜102方向上,依次设置遮挡掩膜104、支撑掩膜105、虚拟掩膜107以及掩膜条118。在其他实施例中,在沿掩膜框架指向对准掩膜方向上,遮挡掩膜、支撑掩膜、虚拟掩膜以及掩膜条的设置顺序可以调换。
本实施例中,对准掩膜102内还可以具有基底对准孔113;在平行于对准掩膜102表面方向上,基底对准孔113的剖面图形面积大于对位孔103的剖面图形面积。该基底对准孔113既可以为贯穿对准掩膜102的通孔,也可以为盲孔。
本实施例提供一种具有全新结构的掩膜版,掩膜条118与支撑掩膜105之间具有高对准精度,防止测试孔110被支撑掩膜105遮挡,保证测试孔110在支撑掩膜105上的正投影位于监测孔109内。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本发明的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各自更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (11)
1.一种掩膜版的制造方法,其特征在于,包括:
提供掩膜框架;
在所述掩膜框架上固定设置对准掩膜,且所述对准掩膜内具有对位孔;
以所述对位孔为对准标记,在所述掩膜框架上固定设置支撑掩膜,且所述支撑掩膜内具有贯穿所述支撑掩膜的监测孔;
以所述对位孔为对准标记,在所述掩膜框架上固定设置至少一个掩膜条,所述掩膜条内具有贯穿所述掩膜条的开口以及测试孔,且所述测试孔在所述支撑掩膜上的正投影位于所述监测孔内。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述掩膜框架内具有框架对准孔;优选的,所述框架对准孔为第一圆孔,所述对位孔为第二圆孔,且所述第二圆孔的圆度小于所述第一圆孔的圆度。
3.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,在垂直于所述对准掩膜表面方向上,所述对位孔的剖面图形的半径为0.08mm~1.5mm。
4.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在平行于所述对准掩膜表面方向上,所述对位孔的剖面形状为正多边形。
5.如权利要求1-4任一项所述的制造方法,其特征在于,采用激光打孔工艺或者刻蚀工艺,形成所述对位孔。
6.如权利要求1-4任一项所述的制造方法,其特征在于,所述对位孔为盲孔;或者,所述对位孔为贯穿所述对准掩膜的通孔。
7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述以所述对位孔为对准标记,包括:捕捉所述对位孔的位置;并基于捕捉到的所述对位孔的位置建立对准坐标系。
8.如权利要求1或7所述的制造方法,其特征在于,所述对准掩膜的数量为至少两个,至少一个所述对准掩膜内具有至少两个对位孔;优选的,同一所述对准掩膜内的所述至少两个对位孔的连线具有第一方向,不同所述对准掩膜内的两个所述对位孔的连线具有第二方向,且所述第二方向与所述第一方向相垂直。
9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,还包括:在所述掩膜框架上固定设置遮挡掩膜,所述遮挡掩膜与所述支撑掩膜交叉以将所述掩膜条划分为多个掩膜单元,所述开口位于所述掩膜单元内;优选的,先固定设置所述支撑掩膜以及所述遮挡掩膜,后固定设置所述掩膜条。
10.一种掩膜版,其特征在于,包括:
掩膜框架;
对准掩膜,所述对准掩膜固定设置于所述掩膜框架上,且所述对准掩膜内具有对位孔;
支撑掩膜,所述支撑掩膜固定设置于所述掩膜框架上,且所述支撑掩膜内具有贯穿所述支撑掩膜的监测孔;
至少一个掩膜条,所述掩膜条固定设置于所述掩膜框架上,所述掩膜条内具有贯穿所述掩膜条的开口以及测试孔,且所述测试孔在所述支撑掩膜上的正投影位于所述监测孔内;
所述对准掩膜具有第一面和与所述第一面相对的第二面,所述第一面朝向所述掩膜框架,所述第二面朝向所述支撑掩膜以及所述掩膜条。
11.如权利要求10所述的掩膜版,其特征在于,所述对准掩膜内还具有基底对准孔;在平行于所述对准掩膜表面方向上,所述基底对准孔的剖面图形面积大于所述对位孔的剖面图形面积。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|
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Country Status (1)
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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