CN110047788A - 晶圆清洗装置及晶圆清洗*** - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体晶圆加工的晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗***。晶圆清洗装置包括溢流槽和密封机构，通过溢流槽底部的注水孔能够持续地向溢流槽内注入新鲜的超纯水；晶圆片放置于溢流槽内进行清洗，清洗下来的玷污物随超纯水溢流出溢流槽；溢流槽的底壁上开设有第一排水孔，第一排水孔上设置有密封机构，通过密封机构能够实现对第一排水孔的开启和关断；当溢流槽内的超纯水的水质符合清洗要求时，通过密封机构对第一排水孔进行密封关闭，晶圆片在溢流槽内进行清洗；当超纯水的水质不合格后，打开第一排水孔，溢流槽内的超纯水能够通过第一排水孔被快速排出，从而快速地完成溢流槽内部超纯水的更换。

Description

晶圆清洗装置及晶圆清洗***
技术领域
本发明涉及半导体晶圆加工的晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗***。
背景技术
随着半导体工业的发展，器件工艺技术的关键尺寸不断缩小，硅片在进入没到工艺之前必须是洁净的，因此需要经过重复多次的清洗步骤，当前典型的湿化学清洗工艺主要有RCA清洗工艺技术、臭氧清洗工艺技术和IMEC清洗工艺技术，其中每种工艺技术需使用多种药液，不同的工艺步骤之间需进行超纯水清洗工艺步骤，用来清洗工艺流程中产生的颗粒物和药液残留。因为在整个工艺技术中需使用多次超纯水清洗步骤，超纯水使用量巨大，要能够对清洗槽内的超纯水废水进行快速地排放，而现有技术的晶圆清洗装置的废水排放速率慢，影响晶圆的清洗效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗***，以解决现有技术中晶圆清洗装置中废水排放速率低的技术问题。
本发明提供了一种晶圆清洗装置，包括溢流槽和密封机构；所述溢流槽的底壁上开设有第一排水孔，所述第一排水孔上设置有所述密封机构，所述密封机构能够开启或关断所述第一排水孔。
进一步地，还包括节水槽；所述节水槽位于所述溢流槽的下方，所述节水槽能够承接来自所述溢流槽的溢流液和来自所述第一排水孔的排放液；所述节水槽的底壁上沿第一方向的两端分别开设有第二排水孔和第三排水孔；所述第二排水孔与超纯水回收装置相连通，所述第三排水孔用于超纯水进行废水排放；
所述第二排水孔和所述第三排水孔上均相应设置有所述密封机构，用于对所述第二排水孔和所述第三排水孔进行开启或关断。
进一步地，所述密封机构包括密封顶盖和气缸；所述密封顶盖的一端为密封端，所述密封端与所对应的排水孔相适配，能够对相对应的排水孔进行密封封堵；所述密封顶盖的另一端与所述气缸的活动端相连接，所述气缸能够驱动所述密封顶盖对相对应的排水孔进行封堵或开启。
进一步地，所述密封端的端面上设置有密封凸台，所述密封凸台与所对应的排水孔相适配并能够伸入到所对应的排水孔内；所述密封凸台的侧壁延其周向开设有密封凹槽，所述密封凹槽内设置有密封圈。
进一步地，所述节水槽的底壁沿所述第一方向具有一定的倾斜角度，使所述节水槽的底壁靠近所述第二排水孔的一端高于靠近所述第三排水孔的一端。
进一步地，所述溢流槽的槽体顶部开设有溢流口；所述溢流口的数量为一个或多个，当所述溢流口的数量为多个时，多个所述溢流口沿所述溢流槽的槽体顶部的周向间隔设置。
进一步地，还包括喷淋机构；所述喷淋机构包括进水管道和喷嘴；所述进水管道通过固定支撑板固定连接于所述溢流槽的侧壁上，所述喷嘴设置于所述进水管道上并与所述进水管道相连通，且所述喷嘴的喷射端朝向所述溢流槽内部。
进一步地，所述溢流槽内还设置有匀流板，所述匀流板位于所述溢流槽底部；所述匀流板上沿其厚度方向开设有贯穿所述匀流板板面的匀流孔，所述匀流孔的数量为多个，多个所述匀流孔间隔分布所述所述匀流板上；所述匀流板内还开设有气体流通槽，所述匀流板上设置有进气口，所述进气口与所述气体流通槽相连通；所述匀流板上还开设有鼓泡孔，所述气体流通槽通过所述鼓泡孔与所述溢流槽相连通；所述鼓泡孔的数量为多个，多个所述鼓泡孔间隔设置于所述气体流通槽上。
进一步地，还包括水阻率检测***；所述水阻率检测***包括三通接头和水质电阻率传感器；所述溢流槽的槽体的侧壁上开设有出水孔，所述三通接头的第一接口与所述出水孔相连通，所述水质电阻率传感器与所述三通接头的第二接口相连通，所述第二接口与所述第一接口为相对设置的两个接口；所述三通接头的第三接口为所述水阻率检测***的出水口，且所述出水口低于所述溢流口。
本发明还提供了一种晶圆清洗***，包括上述任一项所述的晶圆清洗装置。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提供的晶圆清洗装置包括溢流槽和密封机构；其中，溢流槽为上端敞口的凹槽，溢流槽的底部设置有注水孔，通过注水孔能够向溢流槽内注满超纯水，并持续向溢流槽内注入新鲜的超纯水；待清洗的晶圆片放置于溢流槽内利用超纯水对其进行清洗，去除晶圆片表面的玷污物，从晶圆片上清洗掉的玷污物会漂浮在上方并随超纯水从溢流槽顶部的敞口端溢出。溢流槽的底壁上开设有第一排水孔，第一排水孔上设置有密封机构，通过密封机构能够实现对第一排水孔的开启和关断，当第一排水孔开启时，溢流槽内的超纯水能够通过第一排水孔快速地排放出去；当将晶圆片放置于溢流槽内清洗时，此时溢流槽内的超纯水的水质符合清洗要求，第一排水孔是处于关断的状态，密封机构对第一排水孔进行密封，从晶圆片上清洗下来的玷污物会从溢流槽顶部的敞口端随超纯水溢流出来；当溢流槽内的超纯水由于玷污物含量高，水质不符合对晶圆片的清洗要求时，及溢流槽内的超纯水变为废水时，需要对溢流槽内的超纯水进行更换，通过密封机构开启对第一排水孔的密封，使溢流槽内的超纯水能够从溢流槽底部的第一排水孔被快速地排出，从而快速地完成对溢流槽内部超纯水的更换，提高工作效率。
本发明还提供了一种晶圆清洗***，包括所述的晶圆清洗装置，因而所述晶圆清洗***也具有晶圆清洗装置的有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的晶圆清洗装置第一视角下的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的晶圆清洗装置第二视角下的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的晶圆清洗装置第三视角下的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的溢流槽第一视角下的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的溢流槽第二视角下的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的溢流槽第三视角下的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的密封机构第一视角下的结构示意图。
附图标记：
1-溢流槽，11-第一排水孔，12-溢流口，2-密封机构，21-密封顶盖，22-气缸，23-密封凸台，24-密封圈，3-节水槽，31-第二排水孔，32-第三排水孔，4-喷淋机构，41-进水管道，42-喷嘴，43-固定支撑板，5-匀流板，51-匀流孔，52-气体流通槽，53-鼓泡孔，54-进气口，6-水阻率检测***，61-三通接头，62-水质电阻率传感器，63-出水口，a-第一方向。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
通常在此处附图中描述和显示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。
基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面参照图1至图7描述根据本申请一些实施例所述的晶圆清洗装置及晶圆清洗***。
本申请提供了一种晶圆清洗装置，如图1至图3和图6所示，包括溢流槽1和密封机构2；溢流槽1的底壁上开设有第一排水孔11，第一排水孔11上设置有密封机构2，密封机构2能够开启或关断第一排水孔11。
本申请提供的晶圆清洗装置包括溢流槽1和密封机构2；其中，溢流槽1为上端敞口的凹槽，溢流槽1的底部设置有注水孔，通过注水孔能够向溢流槽1内注满超纯水，并持续向溢流槽1内注入新鲜的超纯水；待清洗的晶圆片放置于溢流槽1内利用超纯水对其进行清洗，去除晶圆片表面的玷污物，从晶圆片上清洗掉的玷污物会漂浮在上方并随超纯水从溢流槽1顶部的敞口端溢出。
溢流槽1的底壁上开设有第一排水孔11，第一排水孔11上设置有密封机构2，通过密封机构2能够实现对第一排水孔11的开启和关断，当第一排水孔11开启时，溢流槽1内的超纯水能够通过第一排水孔11快速地排放出去；当将晶圆片放置于溢流槽1内清洗时，此时溢流槽1内的超纯水的水质符合清洗要求，第一排水孔11是处于关断的状态，密封机构2对第一排水孔11进行密封，从晶圆片上清洗下来的玷污物会从溢流槽1顶部的敞口端随超纯水溢流出来；当溢流槽1内的超纯水由于玷污物含量高，水质不符合对晶圆片的清洗要求时，及溢流槽1内的超纯水变为废水时，需要对溢流槽1内的超纯水进行更换，通过密封机构2开启对第一排水孔11的密封，使溢流槽1内的超纯水能够从溢流槽1底部的第一排水孔11被快速地排出，从而快速地完成对溢流槽1内部超纯水的更换，提高工作效率。
优选地，第一排水孔11的数量为多个，多个第一排水孔11间隔设置于溢流槽1的底壁上，且多个第一排水孔11上均设置有一个密封机构2，通过密封机构2对其进行开启或关断；优选地，第一排水孔11的数量为两个。
在本申请的一个实施例中，优选地，如图1至图3所示，晶圆清洗装置还包括节水槽3；节水槽3位于溢流槽1的下方，节水槽3能够承接来自溢流槽1的溢流液和来自第一排水孔11的排放液；节水槽3的底壁上沿第一方向a的两端分别开设有第二排水孔31和第三排水孔32；第二排水孔31与超纯水回收装置相连通，第三排水孔32用于超纯水进行废水排放；第二排水孔31和第三排水孔32上均相应设置有密封机构2，用于对第二排水孔31和第三排水孔32进行开启或关断。
在该实施例中，晶圆清洗装置还包括节水槽3，通过支架将溢流槽1架设于节水槽3的上方，在通过溢流槽1对晶圆片清洗的过程中，清洗下来的玷污物会随超纯水从溢流槽1顶部敞口端溢流出来并流入节水槽3内，在节水槽3内进行收集和存储；同时当对溢流槽1内的超纯水水质不符合要求时，可以通过第一排水孔11将溢流槽1内的废水快速地排放进节水槽3内。
节水槽3的底壁沿第一方向a的两端分别开设有第二排水孔31和第三排水孔32；其中第二排水孔31与超纯水回收装置相连通，当节水槽3内收集的超纯水仍符合对晶圆片的清洗标准时，可以通过第二排水孔31将节水槽3内的超纯水输送到超纯水回收装置内，以对超纯水的二次利用，节约用水；当节水槽3内超纯水的水质不符合要求时，通过第三排水孔32将节水槽3内的废水排放出去。
第二排水孔31和第三排水孔32上也相应地设置有密封机构2，通过密封机构2对第二排水孔31和第三排水孔32进行开启或关断；当节水槽3内的超纯水的水质符合要求并需要对其进行回收利用时，可以开启第二排水孔31上的密封机构2，打开第二排水孔31，通过管道将第二排水孔31与超纯水回收装置相连通，将节水槽3内的超纯水快速地排放至超纯水回收装置内，进行回收再利用；当节水槽3内的超纯水水质不合格时，开启第三排水孔32上的密封机构2，使节水槽3内的废水通过第三排水孔32快速地排放出去。
在本申请的一个实施例中，优选地，如图7所示，密封机构2包括密封顶盖21和气缸22；密封顶盖21的一端为密封端，密封端与所对应的排水孔相适配，能够对相对应的排水孔进行密封封堵；密封顶盖21的另一端与气缸22的活动端相连接，气缸22能够驱动密封顶盖21对相对应的排水孔进行封堵或开启。
在该实施例中，密封机构2包括密封顶盖21和气缸22，其中密封顶盖21的一端为密封端，密封端能够与相对应的排水孔相适配并对其进行密封封堵；密封顶盖21的另一端与气缸22的活动端相连接，通过气功能够驱动密封顶盖21沿气缸22伸缩杆的长度方向做往复运动，对相应的排水孔进行密封封堵或开启。
具体地，气缸22通过一个安装支座安装于溢流槽1或节水槽3的相应位置上，当需要对排水孔进行封堵时，气缸22的活动端驱动密封顶盖21向靠近排水孔的方向运动直至对相对应的排水孔进行密封封堵，当需要开启相应的排水孔时，通过气缸22的活动端驱动密封顶盖21相远离排水孔的方向运动，从而开启相应的排水孔。
需要说明的是，气缸22包括防水壳体，能够保证在气缸22与超纯水接触时，超纯水不会进入到气缸22内部而影响气缸22的正常运行。
在本申请的一个实施例中，优选地，如图7所示，密封端的端面上设置有密封凸台23，密封凸台23与所对应的排水孔相适配并能够伸入到所对应的排水孔内；密封凸台23的侧壁延其周向开设有密封凹槽，密封凹槽内设置有密封圈24。
在该实施例中，密封顶盖21的的密封端的端面上行设置有密封凸台23，密封凸台23能够与相对应的排水孔的尺寸相适配，密封凸台23能够伸入到相对应的排水孔内，密封凸台23的侧壁上延其周向开设有密封凹槽，密封凹槽内放置有密封圈24，当密封机构2对相对应的排水孔进行密封封堵时，密封顶盖21在气缸22活动端的驱动下，密封端的端面上的密封凸台23能够伸入到相对应的排水孔内，且相应排水孔的侧壁和密封凸台23能够夹紧位于二者之间的密封圈24，从而保证密封顶盖21对相应排水孔的密封性能。
在本申请的一个实施例中，优选地，如图1和图2所示，节水槽3的底壁沿第一方向a具有一定的倾斜角度，使节水槽3的底壁靠近第二排水孔31的一端高于靠近第三排水孔32的一端。
在该实施例中，节水槽3的底壁沿第一方向a上的两端设置有第二排水孔31和第三排水孔32，同时接水槽的底壁沿第一方向a具有一定的倾斜角度，使设置有第二排水孔31的一端高于设置有第三排水孔32的一端；节水槽3中来自溢流槽1的超纯水会携带玷污物，玷污物会沉积在节水槽3的槽底，而由于节水槽3的槽底靠近第二排水孔31的一端高于靠近第三排水孔32的一端，能够使大部分的玷污物会沉积在第三排水孔32的一侧，从而当通过第二排水孔31将节水槽3内的超纯水排放至超纯水回收装置内时，能够在一定程度上降低其中携带的玷污物的含量；同时当通过第三排水孔32将节水槽3内的废水排放出去时，也能够将大部分的玷污物随之排放出去。
在本申请的一个实施例中，优选地，如图1和图4所示，溢流槽1的槽体顶部开设有溢流口12；溢流口12的数量为一个或多个，当溢流口12的数量为多个时，多个溢流口12沿溢流槽1的槽体顶部的周向间隔设置。
在该实施例中，溢流槽1的槽体的顶部开设有多个溢流口12，溢流口12的数量为一个或多个，溢流槽1内的超纯水能够带着清洗下来的玷污物通过溢流口12溢流进节水槽3内；当溢流口12的数量为多个时，多个溢流口12沿溢流槽1的槽体顶部的周向间隔设置；优选地，溢流孔可以为圆弧形也可以为方形；从而通过在溢流槽1的槽体顶部开设溢流口12，增加了溢流口12的面积，能够有效地提高溢流槽1排污能力。
在本申请的一个实施例中，优选地，如图1和图4所示，晶圆清洗装置还包括喷淋机构4；喷淋机构4包括进水管道41和喷嘴42；进水管道41通过固定支撑板43固定连接于溢流槽1的侧壁上，喷嘴设置于进水管道41上并与进水管道41相连通，且喷嘴42的喷射端朝向溢流槽1内部。
在该实施例中，晶圆清洗装置还包括喷淋机构4，喷淋机构4包括进水管道41和喷嘴42；进水管道41通过固定支撑板43固定架设与溢流槽1的侧壁上，进水管道41的一端外接超纯水进料管，进水管道41的另一端被封堵，在进水管道41上设置有喷嘴42，喷嘴42的一端与进水管道41相连通，喷嘴42的喷射端朝向溢流槽1的内部，从喷嘴42的喷射端能够喷射出圆锥形水柱，圆锥形水柱能够直接对晶圆片表面进行冲刷，可以有效的将晶圆表面玷污物冲洗干净。
优选地，喷嘴42的数量为多个，多个喷嘴42间隔设置于进水管道41上，不仅增加喷嘴42喷射出来的水柱与晶圆片的接触面积，能够将晶圆片冲洗干净，同时可以同时对多个晶圆片进行冲洗。
优选地，喷淋机构4的数量为两个，两个喷淋机构4相对设置于溢流槽1第一方向a的两端，增加喷嘴42喷射出来的水柱与晶圆片的接触面积，从而能够更有效地将晶圆片冲洗干净。
在本申请的一个实施例中，优选地，如图5所示，溢流槽1内还设置有匀流板5，匀流板5位于溢流槽1底部；匀流板5上沿其厚度方向开设有贯穿匀流板5板面的匀流孔51，匀流孔51的数量为多个，多个匀流孔51间隔分布匀流板5上；匀流板5内还开设有气体流通槽52，匀流板5上设置有进气口54，进气口54与气体流通槽52相连通；匀流板5上还开设有鼓泡孔53，气体流通槽52通过鼓泡孔53与溢流槽1相连通；鼓泡孔53的数量为多个，多个鼓泡孔53间隔设置于气体流通槽52上。
在该实施例中，溢流槽1内侧底部还通过支撑架架设有匀流板5，匀流板5与溢流槽1的底壁之间还留有一定的间隙；匀流板5上开设有贯穿匀流板5的匀流孔51，匀流孔51的数量为多个，且多个匀流孔51间隔分布在匀流板5上；溢流槽1的底部设置有注水孔，通过注水孔能够向溢流槽1内持续注入超纯水，通过匀流板5可对底部注入的超纯水进行匀流，使超纯水均匀地注满整个溢流槽1。
匀流板5内部还开设有气体流通槽52，匀流板5上设置有进气口54，进气口54与气体流通槽52的一端相连通，通过进气口54能够像气体流通槽52内部冲入氮气；匀流板5上还开设有鼓泡孔53，通过鼓泡孔53将气体流通槽52与溢流槽1内部连通起来；鼓泡孔53的数量为多个，多个鼓泡孔53间隔设置于气体流通槽52上，气体流通槽52内的氮气从鼓泡孔53中排出，使溢流槽1内形成气泡，通过氮气鼓泡对将原片表面的玷污物进行清除，从而有效的提高晶圆片的清洁度。
在本申请的一个实施例中，优选地，如图1和图5所示，晶圆清洗装置还包括水阻率检测***6；水阻率检测***6包括三通接头61和水质电阻率传感器62；溢流槽1的槽体的侧壁上开设有出水孔，三通接头61的第一接口与出水孔相连通，水质电阻率传感器62与三通接头61的第二接口相连通，第二接口与第一接口为相对设置的两个接口；三通接头61的第三接口为水阻率检测***6的出水口63，且出水口63低于溢流口12。
在该实施例中，晶圆清洗装置还包括水阻率检测***6；水阻率检测***6包括三通接头61和水质电阻率传感器62；溢流槽1的槽体的侧壁上开设有出水孔，三通接头61的第一接口与出水孔相连通，溢流槽1内的超纯水能够通过第一接口进入到三通接头61内；三通接头61中与第一接口相对的一端接口为第二接口，水质电阻率传感器62与第二接口相连通，并能够三通连接件内的超纯水的水质进行检测；三通接头61中与第一接口和第二接口相垂直的一端的接口为第三接口，第三接口为水阻率检测***6的出水口63，第三接口为敞口，且敞口端朝上，该出水口63低于溢流槽1的溢流口12，从而从第一接口进入三通接头61内超纯水能够从第三接口溢出至节流槽，保证三通接头61内的超纯水为活水，其水质能够始终保持与溢流槽1内的水质状况相同，从而通过水质电阻率传感器62能够准确地检测出溢流槽1内超纯水的实际水质情况。
本申请还提供了一种硅片清洗***，包括上述任一实施例的晶圆清洗装置。
在该实施例中，硅片清洗***包括晶圆清洗装置，因此硅片清洗***具有晶圆清洗装置的全部有益效果，在此不再一一赘述。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括溢流槽和密封机构；
所述溢流槽的底壁上开设有第一排水孔，所述第一排水孔上设置有所述密封机构，所述密封机构能够开启或关断所述第一排水孔。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括节水槽；
所述节水槽位于所述溢流槽的下方，所述节水槽能够承接来自所述溢流槽的溢流液和来自所述第一排水孔的排放液；
所述节水槽的底壁上沿第一方向的两端分别开设有第二排水孔和第三排水孔；所述第二排水孔与超纯水回收装置相连通，所述第三排水孔用于超纯水进行废水排放；
所述第二排水孔和所述第三排水孔上均相应设置有所述密封机构，用于对所述第二排水孔和所述第三排水孔进行开启或关断。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述密封机构包括密封顶盖和气缸；
所述密封顶盖的一端为密封端，所述密封端与所对应的排水孔相适配，能够对相对应的排水孔进行密封封堵；
所述密封顶盖的另一端与所述气缸的活动端相连接，所述气缸能够驱动所述密封顶盖对相对应的排水孔进行封堵或开启。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述密封端的端面上设置有密封凸台，所述密封凸台与所对应的排水孔相适配并能够伸入到所对应的排水孔内；所述密封凸台的侧壁延其周向开设有密封凹槽，所述密封凹槽内设置有密封圈。
5.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述节水槽的底壁沿所述第一方向具有一定的倾斜角度，使所述节水槽的底壁靠近所述第二排水孔的一端高于靠近所述第三排水孔的一端。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述溢流槽的槽体顶部开设有溢流口；
所述溢流口的数量为一个或多个，当所述溢流口的数量为多个时，多个所述溢流口沿所述溢流槽的槽体顶部的周向间隔设置。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括喷淋机构；
所述喷淋机构包括进水管道和喷嘴；所述进水管道通过固定支撑板固定连接于所述溢流槽的侧壁上，所述喷嘴设置于所述进水管道上并与所述进水管道相连通，且所述喷嘴的喷射端朝向所述溢流槽内部。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述溢流槽内还设置有匀流板，所述匀流板位于所述溢流槽底部；
所述匀流板上沿其厚度方向开设有贯穿所述匀流板板面的匀流孔，所述匀流孔的数量为多个，多个所述匀流孔间隔分布所述所述匀流板上；
所述匀流板内还开设有气体流通槽，所述匀流板上设置有进气口，所述进气口与所述气体流通槽相连通；所述匀流板上还开设有鼓泡孔，所述气体流通槽通过所述鼓泡孔与所述溢流槽相连通；所述鼓泡孔的数量为多个，多个所述鼓泡孔间隔设置于所述气体流通槽上。
9.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括水阻率检测***；所述水阻率检测***包括三通接头和水质电阻率传感器；
所述溢流槽的槽体的侧壁上开设有出水孔，所述三通接头的第一接口与所述出水孔相连通，所述水质电阻率传感器与所述三通接头的第二接口相连通，所述第二接口与所述第一接口为相对设置的两个接口；所述三通接头的第三接口为所述水阻率检测***的出水口，且所述出水口低于所述溢流口。
10.一种晶圆清洗***，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的晶圆清洗装置。
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