CN110003908B - 白光led用硅酸盐红色荧光粉及制备方法和白光led发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明属于无机发光材料技术领域，涉及一种白光LED用红光荧光粉及制备方法和白光LED发光装置。红光荧光粉化学组成式为(A1‑x‑ yBxCy)3YSi2O7:zEu(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，0≤x≤1,0≤y≤1,0.005≤z≤0.1。制备方法是：按化学组成式的化学计量比准确称取原料，并充分研细混匀，得到原料混合物，置于坩埚，在还原高温炉中于1150‑1300℃温度煅烧4‑8小时，从而得到烧结体；将得到的烧结体研磨成为粉末，即得到所述硅酸盐红光荧光粉。本发明的白光LED用红光荧光粉发光亮度高、温度猝灭特性良好、化学稳定性、激发和发射范围较宽。它与现有技术中的蓝光LED和绿光荧光粉组合，在蓝光激发下可获得低色温、高显色指数的高效白光。
Description
技术领域
本发明属于无机发光材料技术领域；涉及一种白光LED用红光荧光粉及其制备方法和白光LED发光装置。
背景技术
近年来，白光LED作为一种新型的固态照明光源，由于其环保、节能、可靠性高、寿命长等优点受到人们的关注。被广泛应用于普通照明、信号灯、液晶显示器、背景光源等诸多领域，并有望取代目前使用的各式灯泡和荧光灯，成为新一代的绿色照明光源。
目前可实现产业化的是光转换型白光LED，是使用蓝光InGaN芯片泵浦YAG:Ce3+黄色荧光粉得到；这种白光LED制作原理简单且发光效率高，已经在许多领域获得应用。但是由于荧光粉YAG:Ce3+的发射光谱中红光成分不足，所获得的白光显色指数还较低，应用受到了一定的限制，特别是一些对色温性和显色性要求较高的领域和艺术照明、医用照明等领域。为了解决这一问题，可在商用白光LED中引入一种可被蓝光有效激发的红色荧光粉，或者尝试用发射紫外光(350-410nm)芯片激发红、绿、蓝三基色的混合荧光粉，制成另外一种白光LED。这两种解决方案都需要开发能够被蓝光或近紫外光有效激发的红光荧光材料。
目前，能够在显色性和稳定性方面都能达到应用要求的红光荧光粉还很少见。例如，已有的白光LED用红光荧光粉体系包括硫化物体系红光荧光粉、硅基氮(氧)化物体系红光荧光粉、铝酸盐体系红光荧光粉、氟硅酸盐体系荧光粉及硅酸盐体系红光荧光粉。首先，硫化物体系蓝光荧光粉激发波段较宽，并且发光亮度较好。然而，由于硫化物稳定性和抗紫外光辐射能力较差，白光LED使用寿命不长；同时，这类荧光粉对湿度敏感，稳定性较差。其次，硅基氮(氧)化物体系红光荧光粉激发波长宽、温度稳定性好，发光性能优良；但是这类荧光粉在制备过程中需要高温高压等苛刻条件，增加了生产成本。再次，铝酸盐体系蓝光荧光粉亮度高，发射峰宽，成本低；但是工业化生产中存在合成温度较高，荧光粉颗粒度较大等问题。第四，氟硅酸盐体系荧光粉,生产过程中伴随HF酸气体的挥发，对人体有害，存在一定的安全隐患。第五，硅酸盐体系红光荧光粉具有化学稳定好，发光效率高，制备工艺简单等优点。
因此，基于现有的红光荧光粉材料进行改进，以得到能够与蓝光LED相匹配的红光荧光粉是LED发光材料面临的重要课题，相关发光材料和发光装置的发展对于白光LED的发展具有重要的意义。
发明内容
本发明目的之一是克服现有技术的不足，提供一种具有化学稳定性能够被蓝光LED芯片有效激发的白光LED用硅酸盐红光荧光粉。
本发明目的之二是提供一种制备上述白光LED用红色发光材料的制备方法。该制备方法简单、易于操作、设备成本低且无污染。
本发明目的之三是提供一种显色指数高、色温低的暖色调白光LED发光装置。
本发明所提供的荧光材料的化学通式是(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，0≤x≤1,0≤y≤1,0.005≤z≤0.1。
进一步地，采用的铷源为氢氧化铷或为氧化铷的化合物碳酸铷至少一种；采用的钾源为氢氧化钾或为氧化钾或为碳酸钾；采用的铯源为氢氧化铯或为氧化铯或为碳酸铯；采用的钇源为氧化钇或为氧化钇或为碳酸钇或为氢氧化钇；采用的硅源为氧化硅或为氧化硅。
一种如上所述的白光LED用红光荧光粉的制备方法，其特征在于以下步骤：
1)按通式(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)的化学计量比准确称取原料，其中0≤x≤1,0≤y≤1,0.005≤z≤0.1，并充分研细混匀，得到原料混合物；
2)将步骤1)得到的原料混合物置于坩埚，在还原高温炉中于1150-1300℃温度煅烧4-8小时，从而得到烧结体；
3)将步骤2)得到的烧结体研磨成为粉末，即得到所述硅酸盐红光荧光粉。
进一步地，在步骤1)中，原料可以来自钾、铷、铯、钇、硅以及铕的单质、氧化物、氯化物、硫化物、碳酸盐、硫酸盐、磷酸盐、硝酸盐，以及其它合适的盐类。
步骤2)得到的烧结体通常样品颗粒形貌不规则，颗粒度较大，粒径分布不均匀。因此，可以通过步骤3)的常规研磨步骤改善白光LED用红光荧光粉的颗粒度大小以及粒径分布均匀度。研磨时间一般为5分钟至2小时，优选10分钟至1小时，更优选15分钟至30分钟。这种研磨手段是本领域技术人员所熟知的。
本发明还提供了一种显色性能好、色温均匀性好的暖色调白光LED发光装置。包括封装基板、蓝光LED芯片以及能够有效吸收蓝光LED芯片发光并释放红、绿光的荧光粉，其中红光荧光粉为如上所述的白光LED用红光荧光粉。
进一步地，所述蓝光LED芯片为InGaN半导体芯片，其发光峰值波长为445-475nm。绿光荧光粉是Ba2SiO4:Eu2+。
上述制备方法简单、易于操作、设备成本低且无污染。所制备得到的白光LED用红光荧光粉发光亮度高、温度猝灭特性良好、化学稳定性、激发和发射范围较宽，在近紫外及蓝光波段有较宽的强激发，并可与蓝光LED芯片及绿色荧光粉组装成白光LED器件，能够在较大程度上满足产业需求。
LED发光装置通过下列原理产生白光，即将LED芯片固定于封装基板上，连通电极并将荧光粉以涂覆或点胶的方式直接或间接涂于蓝光LED芯片(InGaN半导体芯片)的表面，利用蓝光激发荧光粉产生红、绿色光，混色得到白光。
与现有技术相比，本发明具有下列优势：
1)本发明的白光LED用红光荧光粉发光亮度高、热稳定性高、激发和发射范围较宽，在近紫外到蓝光波段有较宽的强激发，并可与蓝光芯片及绿色荧光粉组装成白光LED器件，能够在较大程度上满足产业需求。
2)本发明的制备方法简单、易于操作、设备成本低且无污染；可产生巨大的社会效益和经济效益，适合普遍推广使用。
3)本发明的白光LED用红光荧光粉与现有技术中的绿光荧光粉组合，在蓝光激发下可获得高质量的白光，能够满足通用照明领域对于不同类型光源的需求，同时具有显色性能好、能量转换率高、色温均匀性好的优点。
附图说明
图1是实施例1、2所制备的荧光材料(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，0≤x≤1,0≤y≤1,0.005≤z≤0.1粉末X射线衍射(XRD)图。
图2是实施例1所制备的荧光材料(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，其中x＝1,y＝0,z＝0.02的激发、发射光谱。
图3是实施例2所制备的荧光材料(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，其中x＝0,y＝0,z＝0.02粉末的激发、发射光谱。
图4为实施例3所制作的白光LED发光装置示意图及其光谱图。
图5为实施例4所制作的白光LED发光装置示意图及其光谱图。
具体实施方式
实施例1：
该实施例的白光LED用红光荧光粉的化学组成式为(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，其中x＝1,y＝0,z＝0.02。按化学式中各元素化学计量比，准确称取Rb2CO3,Y2O3,CaCO3,Si2O4,Eu2O3，高纯度粉末原料，置于玛瑙研钵中研磨30分钟左右，使原料充分混合均匀。将混合原料转移到氧化铝坩埚中，加盖置于还原气氛高温反应炉中于1150℃烧结4小时，自然冷却后取出，再次研磨10分钟左右，即得单一相Rb3YSi2O7:0.02Eu2+荧光粉。
实施例2：
该实施例的白光LED用红光荧光粉的化学组成式为(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，其中x＝0,y＝0,z＝0.02。按化学式中各元素化学计量比，准确称取K2CO3,Y2O3,CaCO3,Si2O4,Eu2O3，高纯度粉末原料，置于玛瑙研钵中研磨30分钟左右，使原料充分混合均匀。将混合原料转移到氧化铝坩埚中，加盖置于还原气氛高温反应炉中于1250℃烧结4小时，自然冷却后取出，再次研磨10分钟左右，即得单一相K3YSi2O7:0.02Eu2+荧光粉。
实施例3：
一种白光LED发光装置。按照下列方法制备本发明的白光LED发光装置。所述白光LED发光装置包括封装基板、蓝光LED芯片以及能够有效吸收LED芯片发光并释放绿光、红光的两种荧光粉；其中，红光荧光粉为上述实施例1的用于照明的红光荧光粉，其化学组成式为(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，其中x＝1,y＝0,z＝0.02。其中，蓝光LED芯片为InGaN半导体芯片，其发光峰值波长为455nm，绿荧光粉为Ba2SiO4:Eu2+。将两种荧光粉均匀分散在硅胶中，以涂覆或点胶的方式覆盖在芯片上，焊接好电路，得到本发明的白光LED发光装置。
实施例4：一种白光LED发光装置。按照下列方法制备本发明的白光LED发光装置。所述白光LED发光装置包括封装基板、蓝光LED芯片以及能够有效吸收LED芯片发光并释放绿光、红光的两种荧光粉；其中，红光荧光粉为上述实施例2的用于照明的红光荧光粉，其化学组成式为(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+(A＝K,B＝Rb,C＝Cs)，其中x＝0,y＝0,z＝0.02。其中，蓝光LED芯片为InGaN半导体芯片，其发光峰值波长为455nm，绿荧光粉为Ba2SiO4:Eu2+。将两种荧光粉均匀分散在硅胶中，以涂覆或点胶的方式覆盖在芯片上，焊接好电路，得到本发明的白光LED发光装置。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种白光LED用红光荧光粉，其特征在于，其化学组成式为(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+，其中A = K, B = Rb, C = Cs，0 ≤ x≤ 1, 0 ≤ y≤ 1, 0.005 ≤ z≤ 0.1。
2.根据权利要求1所述的白光LED用红光荧光粉，其特征在于，采用的铷源为氢氧化铷或为氧化铷或为碳酸铷；采用的钾源为氢氧化钾或为氧化钾的或为碳酸钾；采用的铯源为氢氧化铯或为氧化铯或为碳酸铯；采用的钇源为氧化钇或为碳酸钇或为氢氧化钇；采用的硅源为氧化硅。
3.根据权利要求2所述的白光LED用红光荧光粉的制备方法，其特征在于制备步骤如下：
1) 按通式(A1-x-yBxCy)3YSi2O7:zEu2+的化学计量比准确称取原料，其中A = K, B = Rb,C = Cs，0 ≤ x≤ 1, 0 ≤ y≤ 1, 0.005 ≤ z≤ 0.1，并充分研细混匀，得到原料混合物；
2) 将步骤1）得到的原料混合物置于坩埚，在还原高温炉中于1150-1300 oC温度煅烧4-8小时，从而得到烧结体；
3) 将步骤2) 得到的烧结体研磨成为粉末，即得到硅酸盐红光荧光粉。
4.一种白光LED发光装置，包括封装基板、蓝光LED芯片以及能够有效吸收蓝光LED芯片发光并释放红、绿光的荧光粉，其特征在于，红光荧光粉为权利要求1所述的白光LED用红光荧光粉。
5.根据权利要求4所述的白光LED发光装置，其中，所述蓝光LED芯片为InGaN半导体芯片；其发光峰值波长为445-475 nm；绿光荧光粉是Ba2SiO4:Eu2+。
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