CN109997205A - 复合线圈模块以及磁性片 - Google Patents

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Abstract

复合线圈模块具备第1平面线圈、第2平面线圈和形成第1平面线圈的磁路以及第2平面线圈的磁路的磁性片。第1平面线圈用在无线通信中。第2平面线圈用在非接触充电的电力传送中。磁性片包含一种磁性体。磁性片具有形成第1平面线圈的磁路的第1磁路形成部、和形成第2平面线圈的磁路的第2磁路形成部。第1磁路形成部的导磁率与第2磁路形成部的导磁率不同。

Description

复合线圈模块以及磁性片
技术领域
本公开涉及搭载有NFC(Near Field Communication：近场通信)、WPC(WirelessPower Consortium：无线充电联盟)制定的Qi、PMA(Power Matters Alliance：电源事务联盟)以及A4WP(Alliance for Wireless Power：无线电力联盟)等的无线供电等的天线模块、非接触充电模块等中所用的复合线圈模块。另外，本公开涉及适于使用在上述的复合线圈模块等中的具有导磁率不同的部分的新颖的磁性片。
背景技术
支撑无所不在的网络社会的RFID(Radio Frequency Identification：射频识别)的实用化在各种领域都有进展，作为其一例，有向非接触IC卡功能的便携终端进行搭载的例子。例如，包含螺旋天线的13.56MHz频段的RFID***(基于IC标签、IC卡的无线通信)将IC芯片组装到薄的树脂制卡，作为在便利店、超市、公共交通工具中使用的电子现金卡等被广泛利用。进而，当前，将13.56MHz频段的NFC搭载在便携终端的动向正在加速。
13.56MHz频段的NFC利用在读取器/写入器装置和便携终端双方所具备的螺旋天线间产生的电磁感应来进行电力提供和通信。
另外，近年来，还提出有不仅将NFC还将非接触充电模块搭载在便携终端并以非接触充电进行便携终端的充电的技术。这是如下那样的技术：在充电器侧配置发送用线圈，在便携终端侧配置接收线圈，在100kHz频段的频率下使两线圈间产生电磁感应，来使便携终端被充电。
NFC是使用13.56MHz频段的频率通过电磁感应来进行通信的近距离无线通信，另一方面，非接触充电使用100kHz频段的频率通过线圈的电磁感应进行电力传送。因此，在想要将NFC的天线和非接触充电线圈构成于相同模块的情况下，由于NFC天线的谐振频率13.56MHz频段和非接触充电线圈的谐振频率100kHz频段的谐振频率不同，因此提出有通过将特性不同的两种磁性体进行层叠来使NFC的通信效率和非接触充电的电力传送效率这两者得以提升的方法(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2013-121248号公报
发明内容
本公开所涉及的复合线圈模块具备：第1平面线圈；第2平面线圈；和形成第1平面线圈的磁路以及第2平面线圈的磁路的磁性片。第1平面线圈用在无线通信中。第2平面线圈用在非接触充电的电力传送中。磁性片包含一种磁性体。磁性片具有：形成第1平面线圈的磁路的第1磁路形成部；和形成第2平面线圈的磁路的第2磁路形成部。第1磁路形成部的导磁率与第2磁路形成部的导磁率不同。
本公开所涉及的磁性片包含一种磁性体。磁性片具有：具有第1导磁率的第1部分；和具有与第1导磁率不同的第2导磁率的第2部分。
本公开通过将无线通信用线圈和非接触充电用的线圈用包含一种磁性体的磁性片进行模块化，能实现复合线圈模块的小型化以及制造工序的简化，能实现复合线圈模块的成本降低，另外，能以包含一种磁性体的磁性片使无线通信的通信效率和非接触充电的电力传送效率这两者得到提升。
附图说明
图1A是表示本实施方式的复合线圈模块的一例的概略截面图(图1B的1A-1A线处的概略截面图)。
图1B是表示复合线圈模块的一例的概略俯视图。
图2A是表示本实施方式的复合线圈模块中所用的磁性片的一例的概略俯视图。
图2B是表示复合线圈模块中所用的磁性片的一例的概略截面图。
图3是表示本实施方式的复合线圈模块中所用的磁性片的第1磁路形成部和第2磁路形成部的一例的概略俯视图。
图4A是表示设于本实施方式的复合线圈模块中所用的磁性片的狭缝的形状的一例的概略截面图。
图4B是表示设于本实施方式的复合线圈模块中所用的磁性片的狭缝的形状的一例的概略截面图。
图5是表示本实施方式的复合线圈模块中所用的磁性片的第1磁路形成部和第2磁路形成部的另一例的概略俯视图。
图6是表示本实施方式的复合线圈模块中所用的磁性片的第1磁路形成部和第2磁路形成部的另一例的概略俯视图。
图7是表示本实施方式的复合线圈模块中所用的磁性片的第1磁路形成部和第2磁路形成部的另一例的概略截面图。
图8是表示本实施方式中的磁性片的制造工序的一例的流程图。
图9是表示现有的Mn-Zn铁氧体片(磁性片)中的导磁率(μ’，μ”)的频率特性的图表。
图10是表示本实施方式中的磁性片的狭缝间距与导磁率的关系的图表。
图11是表示本实施方式中的Mn-Zn铁氧体片(磁性片)中的频率特性的图表。
具体实施方式
在本公开的实施方式的说明之前，先简单说明现有技术中的问题点。在专利文献1中，需要在NFC的天线和非接触充电线圈中使特性不同的两种磁性片层叠。由此，产生制作复合线圈模块的工序复杂化这样的课题，进而，还存在复合线圈模块的低成本化变困难这样的课题。
鉴于上述课题，本公开提供复合线圈模块以及磁性片，通过利用包含一种磁性体的磁性片将无线通信用线圈和非接触充电线圈模块化以及小型化，能简化复合线圈模块的制造工序，能实现复合线圈模块的成本降低，并且能以包含一种磁性体的磁性片来使无线通信的通信效率和非接触充电的电力传送效率这两者得到提升。
以下，使用附图来说明本公开的实施方式中的复合线圈模块。
另外，以下说明的磁性体、保护层、天线模块只是一例，并不限定于下述的结构、素材等。
首先，说明本实施方式的复合线圈模块。
在图1A以及图1B示出本实施方式的复合线圈模块的一例。图1A是表示复合线圈模块的一例的概略截面图(图1B的1A-1A线处的概略截面图)，图1B是表示复合线圈模块的一例的概略俯视图。
如图1A所示那样，本实施方式的复合线圈模块具备基板5和磁性片1。
基板5具有卷绕的、用于近距离无线通信用的至少一种以上的第1平面线圈2和用于非接触充电的电力传送用的第2平面线圈3。第2平面线圈3作为充电线圈使用，包围该充电线圈而配置的第1平面线圈2是近距离无线通信用天线。
形成于基板5上的第1平面线圈2和第2平面线圈3经由粘接层6与磁性片1接合。
基板5能由具有挠性的绝缘膜形成。作为绝缘膜的具体例，能举出聚酰亚胺、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、玻璃环氧(Glass epoxy)基板、FPC(柔性印刷基板)等。通过将聚酰亚胺、PET等作为基板，能制作薄且具有柔软性的天线模块。在实施方式中，例如适合使用厚度为10μm以上且200μm以下的聚酰亚胺膜。
第1平面线圈2例如通过被称作RFID的利用特定的频带的电磁感应来进行近距离无线通信。例如，在NFC(Near Field Communication：近场通信)的情况下，能使用13.56MHz的频率。NFC天线是使用13.56MHz频段的频率通过电磁感应来进行通信的天线，一般使用片天线。
第2平面线圈3是根据WPC(Wireless Power Consortium：无线充电联盟)、PMA(Power Matters Alliance：电源事务联盟)以及A4WP(Alliance for Wireless Power：无线电力联盟)等的标准通过利用100～200kHz左右的频率的电磁感应来进行非接触充电等电力传送的所谓充电线圈。关于充电线圈，例如将两个端子作为始端以及末端，在镀覆工序中形成线宽为800μm且厚度为60μm左右的铜箔，以中空部为中心在面上以描绘旋涡的方式进行卷绕。
第1平面线圈2以及第2平面线圈3通常是被卷绕的。
作为第1平面线圈以及第2平面线圈的卷绕方式的具体例，能举出所谓的α卷绕，但并不限定于该卷绕方式，也可以是包含大致长方形的大致矩形、大致正方形、椭圆形、多边形等任何形状。另外，在图1A中，第1平面线圈以及第2平面线圈的卷绕数分别是3圈，但并不限定于该卷绕数。构成第1平面线圈2以及第2平面线圈3各自的导体的材质、高度、宽度、相邻的导体间的间隙的间隔并没有特别限定。例如，作为导体的材质，能使用铜箔等金属箔，导体的高度即第1平面线圈2以及第2平面线圈3的厚度可以是70μm以上且80μm以下左右。
如上述那样，由于单一的基板具有第1平面线圈2以及第2平面线圈3这两者，因此是多功能的，且能实现小型化。
第1平面线圈2以及第2平面线圈3当中的一个平面线圈设于另一个平面线圈的内侧。在此，可以是第1平面线圈2设于第2平面线圈3的内侧的形态，但从通信的妨碍更少这样的观点出发，优选如图1A以及图1B所示那样在内侧设置进行非接触电力传送的第2平面线圈3并在外侧设置进行近距离无线通信的第1平面线圈2的形态。因而，在以下的复合线圈模块中，说明包围第2平面线圈3而设置的第1平面线圈2的形态。
将基板5的表背分别设为第1面以及第2面。在基板5设置贯通孔。在基板5的第1面以及第2面以包围该贯通孔的周围的方式来设置第2平面线圈3。第2平面线圈3以镀覆通孔电连接。优选地，在基板的第1面以及第2面，为了保护第2平面线圈而设置保护层4。作为保护层的具体例，能举出液状的阻焊剂的固化物、阻焊剂膜或覆盖膜。保护层4既可以设置，也可以不设置。第2平面线圈3可以设于基板5的第1面以及第2面这两者(两层结构)，也可以设于基板的第1面或第2面中的任一单面(一层结构)。在基板的第2面以包围该第2平面线圈3的周围的方式设置第1平面线圈2。另外，若第1平面线圈2设于基板的两面，就有可能会引起电波干扰，因此优选将第1平面线圈2设于基板5的单面。在图1A所示的复合线圈模块中，第1平面线圈2设于基板5的第2面。
接下来，参考图2A以及图2B来具体说明本实施方式的大的特征部分之一，即磁性片1。另外，在本实施方式中说明复合线圈模块中所用的磁性片，但本实施方式的磁性片并不限于此，能广泛用在其他用途中。
图2A是本实施方式的复合线圈模块中所用的磁性片的概略俯视图，图2B是该磁性片的概略截面图(图2A的2B-2B线处的概略截面图)。
本实施方式的磁性片1包含形成第1平面线圈的磁路和所述第2平面线圈的磁路的一种磁性体。
如图2A所示那样，磁性片1具有形成第1平面线圈的磁路的第1磁路形成部(第1部分)20、和形成第2平面线圈的磁路的第2磁路形成部(第2部分)30。在本实施方式中，通过在包含一种磁性体的一片磁性片内使频率特性任意变化，能满足第1平面线圈中的通信效率和第2平面线圈中的非接触充电的电力传送效率这两者。因此，在第1磁路形成部(第1部分)20和第2磁路形成部(第2部分)30中，设计成导磁率不同。
如图2B所示那样，包含第1磁路形成部20和第2磁路形成部30的磁性片1可以在其表侧和背侧分别具有保护层4。作为保护层4，能使用紫外线固化型树脂、可见光固化型树脂、热可塑性树脂、热固化性树脂、耐热性树脂、合成橡胶、双面带、粘着层、膜等。也可以不设置保护层4。
作为在包含一种磁性体的磁性片1中在第1磁路形成部20和第2磁路形成部30中使频率特性任意变化的方法的一例，能举出如图2A以及图2B所示那样磁性片具有狭缝或点且使第1磁路形成部20的狭缝或点间距离(粗糙度)比第2磁路形成部30的狭缝或点间距离(粗糙度)小(粗)。通过如此地在第1磁路形成部20和第2磁路形成部30中改变狭缝或点间距离，能得到在导磁率上具有场所依赖性的磁性片1。在此，所谓狭缝，示出狭缝状的凹部，所谓点，示出点状的凹部。在本公开中，将狭缝状的凹部和点状的凹部统一称作凹部。另外，凹部也可以是从磁性片的表面贯通到背面的孔形状。
更具体地，例如如图3所示那样，在包含一种磁性体的磁性片1中，在第1磁路形成部(载置于NFC天线的部分)8以0mm以上且5mm以下的间距施予狭缝，在第2磁路形成部(载置于非接触充电线圈部的部分)9以20mm以上的间距施予狭缝，由此能得到导磁率根据场所的不同而不同的磁性片。这时，成为第1磁路形成部8的磁性片1具有柔性而第2磁路形成部9的磁性片1几乎没有柔性的状态，能在包含一种磁性体的磁性片1中使导磁率变化。另外，在图3中示出狭缝的示例，但在点的情况下，也能以同样的间距宽度来施予。另外，形成于第2磁路形成部9的狭缝或点间距离优选为100mm以下。
另外，这里所说的间距，是指在磁性片上的纵、横方向上形成的狭缝的间隔。例如，这是指用光学显微镜或激光形状显微镜等测定出的值。更具体地，例如作为激光形状显微镜，能使用“KEYENCE”公司制VK-X150，通过将磁性片放置于显微镜并调整倍率来测定形成于磁性片上的狭缝的间隔。
另外，在本实施方式的磁性片1中，只要在多个狭缝间或多个点间如上述那样具有一定的间隔(间距)，就不限定排列的形状。其中，优选在磁性片1的面整体是均匀的。另外，优选是三角形图样、多边形图样、几何学图样或格子状那样具有一定的规律性的排列。由此，能均匀地进行后述的断裂处理。
第1磁路形成部8的狭缝或点的间距更优选为0.05mm以上且5mm以下，第2磁路形成部9的狭缝或点的间距更优选为5mm以上且20mm以下。
狭缝或点的形状并没有特别限定，例如可以是图4A所示那样的切口形状、或贯通孔，但出于防止薄的磁性体的端边产生起伏的理由，优选是图4B所示那样的具备底部的凹部。
本实施方式中的狭缝或点的深度并没有特别限定，优选相对于磁性体的厚度d1(约100μm)为5％以上且30％以下(优选为5μm以上且30μm以下左右)。若是这样的范围的深度的狭缝或点，就具有能容易地在磁性体进行后述的断裂处理而平坦地形成磁性体这样的优点。
磁性片1利用该狭缝或点，通过后述的断裂处理被分割成小片。狭缝或点加工一般直线地形成，但也可以折弯或形成为曲线状。
或者，作为在包含一种磁性体的磁性片1中使导磁率变化的其他方法，能举出如图5所示那样，在包含一种磁性体的磁性片1中，使第1磁路形成部10含有弹性硅酮树脂，使第2磁路形成部11含有环氧树脂。具体地，在磁性片1的制造工序之中，在磁性片1上的第1磁路形成部10涂布弹性硅酮树脂(弹性硅酮涂布部分)，在第2磁路形成部11涂布环氧树脂(环氧树脂涂布部分)，并实施后述的断裂处理，由此能在一片磁性片内产生断裂状态的差。由此，磁性片1的频率特性根据涂布有不同树脂的场所而发生变化，可认为是能在包含一种磁性体的磁性片1中使NFC中的通信效率和非接触充电的电力传送效率这两者得到满足。
另外，作为本实施方式中使用的弹性硅酮树脂，并没有特别限定，能使用市售的树脂。作为优选的具体例，能举出“Momentiv”公司的TSE322-B等。另外，同样地，环氧树脂也没有特别限定，作为优选的环氧树脂，能例示“Threebond”公司的2206等。
进一步地，作为其他的方法，还有使形成第1磁路形成部的磁性体的粒径比形成第2磁路形成部的磁性体的粒径小的方法。
具体地，如图6所示那样，例如在包含一种磁性体的磁性片1中，第1磁路形成部12使磁性体的粒径不足5mm，第2磁路形成部13使磁性体的粒径为5mm以上，由此能在包含一种磁性体的磁性片1中产生磁性体的粒径的差，从而能使磁性片1的导磁率变化。
另外，作为更优选的磁性体的粒径，在第1磁路形成部12中是0.05mm以上且5mm以下左右，在第2磁路形成部中是5mm以上且20mm以下左右。
在本实施方式中，所谓磁性体的粒径，是指按通过后述的断裂处理产生的磁性体的小片用光学显微镜、激光形状显微镜等测定出的值。更具体地，例如作为激光形状显微镜，能使用“KEYENCE”公司制VK-X150，通过将磁性体放置在显微镜并调整倍率来测定粒径。
另外，作为进一步其他的方法，还有使形成第1磁路形成部的磁性片的厚度比形成所述第2磁路形成部的磁性片的厚度薄的方法。
具体地，如图7所示那样，在包含一种磁性体的磁性片1中，第1磁路形成部20将磁性片的厚度调整为50μm以上且200μm以下，第2磁路形成部30将磁性片的厚度调整为200μm以上且500μm以下，由此在包含一种磁性体的磁性片1中产生断裂状态的差，从而能使磁性片1的导磁率变化。
调整磁性片1的厚度的方法并没有特别限定，能以公知的方法来进行，例如能举出仅将第1磁路形成部20切取减薄成所期望的厚度的方法等。
另外，上述以外，还能在包含一种磁性体的磁性片1中，在制造时在第1磁路形成部20的烧成温度与第2磁路形成部30的烧成温度中设置差，由此能产生载置于NFC天线的部分与载置于非接触充电线圈部的部分的磁性体的导磁率差，可认为是能在包含一种磁性体的磁性片1中使NFC中的通信效率和非接触充电的电力传送效率这两者得到满足。
通过以上说明的那样的方法，能在包含一种磁性体的磁性片1中，在第1磁路形成部20和第2磁路形成部30中产生频率特性的差。作为其确认方法，也能对材料用RF阻抗材料分析仪来实际测定导磁率，另外，用激光显微镜测定材料的粒径也能进行某种程度的判别。
另外，本实施方式的磁性片1可以具备第3部分，该第3部分具有与第1磁路形成部(第1部分)20中的导磁率(第1导磁率)和第2磁路形成部(第2部分)30中的导磁率(第2导磁率)不同的导磁率(第3导磁率)。进而，本实施方式的磁性片1也可以具备与形成第1平面线圈的磁路的第1磁路形成部(第1部分)20和形成第2平面线圈的磁路的第2磁路形成部(第2部分)30不同的形成第3平面线圈的磁路的第3磁路形成部(第3部分)。即，能在任意的方法中设计具有与第1磁路形成部(第1部分)20中的导磁率(第1导磁率)以及第2磁路形成部(第2部分)30中的导磁率(第2导磁率)不同的第3导磁率的第3磁路形成部(第3部分)。
接下来，说明本实施方式的磁性片的结构。
本实施方式中使用的磁性体是铁氧体烧结体，具体能使用Mn-Zn系铁氧体，根据用途，能使用Ni-Zn系铁氧体、Mn-Ni系铁氧体、Mg-Zn系铁氧体等磁性体。另外，可以是非晶金属、坡莫合金、电磁钢、硅铁、Fe-Al合金、铝硅铁合金的任意的磁性体等。进而，也可以使片状的树脂材料之中含有磁性材料。
本实施方式的磁性体成为片状，优选厚度为50μm以上且1000μm以下左右。
接下来，说明在本实施方式的复合线圈模块中使用的保护层4。
作为在本实施方式中使用的保护层4，优选是绝缘性的，且具有柔软性，例如由具有粘着层的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等塑料膜构成。该保护层将被分割成小片的磁性体维持为片状，使得小片的磁性体不会损坏或破损。可以将磁性片的上下两面以PET膜粘接，构成为保护至少一个面。在图1A中使用PET膜，但也可以如图5所示那样通过涂布弹性硅酮树脂、环氧树脂来形成保护层，其他还能使用硅酮树脂、热激活膜、紫外线固化树脂。另外，例如可以是使具备天线图案的FPC(Flexible Printed Circuits：柔性印刷电路)等和片状的磁性体粘接的粘接剂、粘接片等。保护层可以不仅考虑相对于构成复合线圈模块的各部件的弯曲或挠曲等的柔软性，还考虑耐热性、耐湿性的对候性来进行选定。
接下来，说明本实施方式的磁性片的制造方法。
图8是本实施方式中的磁性片的制造工序流程图。在此，作为本实施方式的磁性片的一例，说明铁氧体片的制造流程。
本实施方式的磁性片例如能如图8中示出其流程那样通过进行材料的调配、混合→片成形→狭缝处理→起模→脱媒→烧成→层压加工→断裂处理而得到。对各工序详细进行说明。
首先，在材料的调配、混合中，例如在对铁氧体的粉体和成为粘合剂的聚乙烯醇缩丁醛系树脂或邻苯二甲酸酯系的增塑剂以及有机溶剂进行调配后，用专用的研磨机进行混炼，来制作浆料。制作出的浆料的粘度只要作为片成形用是合适的粘度，就没有特别限定，例如优选在20℃下是1500Pa·sec以上且2500Pa·sec以下左右。
接下来，使用刮刀将如上述那样制作出的铁氧体浆料例如在PET膜等支承体上制膜，在恒温槽中进行热干燥处理，由此来进行片成形。由此，制作具有50μm以上且350μm以下的厚度的生片。另外，本实施方式中，除了刮刀以外，还能通过挤压成形机进行生片成形。
在如此制作出的生片的上下面的至少一个面形成多个狭缝或点。由此，能在一片磁性片上产生载置于NFC天线的部分与载置于非接触充电线圈部的部分的磁性体的导磁率差。另外，该狭缝处理还能置换成上述的其他改变导磁率的方法。
狭缝或点的形成并没有特别限定，例如能通过使以所期望的间距有规律地排列有多个凸部的辊在上述的生片上一边进行按压一边进行旋转来进行狭缝或点的形成。由此，多个凸部进入到生片的内部，在生片上形成多个狭缝或点。
利用激光或尖刀将通过上述的程序制作出的生片以某一定尺寸的形状进行起模。起模后的生片在给定的条件下的温度模式下除去粘合剂即溶剂(脱媒)。进行脱媒的温度并没有特别限定，能根据有机溶剂的种类和量等适当进行设定。
接下来，在烧成炉内以给定的温度进行烧成(烧成)。烧成温度也没有特别限定，能根据铁氧体的种类等适当进行设定。
烧成的磁性体利用自动设备在磁性体的上下面粘贴PET膜等来形成保护层。
接下来，利用圆筒形的刚体从纵横两个方向对在磁性体的上下面形成有基于PET膜的保护层的磁性片进行压接(断裂处理)。通过该工序，处于保护层内的磁性体被细分割，磁性片整体成为柔性的状态。
能经过以上那样的工序来作成本实施方式的磁性片。
然而，如公知的那样，铁氧体烧成体的相对导磁率由以下那样的复导磁率表征。
μ＝μ’-jμ”(μ：相对导磁率，μ’：电感分量，μ”：电阻分量)
如图9所示那样，铁氧体的导磁率直到某频率为止都取恒定的值，但若频率变高，就会产生相位的延迟，存在μ’(电感分量)减少而μ”(电阻分量)增加的现象，将其称作Snoek极限(スネ一クの限界)。
因此，现有的Mn-Zn铁氧体材料在100kHz～200kHz下导磁率高，非接触充电的电力传送效率高，因而能使用在非接触充电中，但在NFC天线中使用的13.56MHz频段下，由于μ’(电感分量)减少而μ”(电阻分量)增加，因此不能使用Mn-Zn铁氧体材料。
本来的话，虽然以一种导磁率高的铁氧体材料在低的频带到高的频带下都能使用为佳，但过去由于存在Snoek极限这样的现象，因此现实是必须对应于所使用的频带而分开使用铁氧体材料。因而，在现有的复合线圈模块中，在非接触充电部使用Mn-Zn系铁氧体，在NFC天线部使用Ni-Zn系铁氧体，处于不得不使用两种材料不同的铁氧体材料的状况。
然而，在本实施方式中，可知，通过用上述那样的制造方法，使用Mn-Zn系铁氧体材料来作成厚度80μm且形成有相对于磁性体的厚度d1具有10％的深度的狭缝的磁性片，使狭缝的间距变化来测定导磁率时，成为图10所示那样的图表。
从图10的图表可知，铁氧体材料通过使狭缝间距进行各种变化，能使铁氧体材料所具有的μ’(电感分量)以及μ”(电阻分量)任意变化。具体可知，越加大狭缝间距则导磁率(μ)越大。
因此，通过应用该现象，能在包含一种磁性体的磁性片中，在载置于NFC天线的部分和载置于非接触充电线圈部的部分，改变磁性片的狭缝的间距而改变狭缝间距离，从而使包含一种磁性体的磁性片的导磁率的电感分量以及电阻分量任意变化。具体可知，使狭缝间距的间隔越大(粗)，则导磁率(μ)越大。其结果是，可知，能得到如图11所示那样能在非接触充电的100kHz频段以及NFC天线的13.56MHz频段下充分满足特性的磁性片。
由此，如本实施方式的复合线圈模块那样，通过将NFC天线和非接触充电线圈用包含一种磁性体的磁性片进行模块化，能实现复合线圈模块的小型化以及制造工序的简化，能实现复合线圈模块的成本降低。另外，具有能以包含一种磁性体的磁性片使NFC的通信效率和非接触充电的电力传送效率这两者得以提升的效果。
本实施方式的磁性片例如能用在搭载天线装置、非接触充电模块的便携电话、数字摄像机、笔记本PC等便携终端、电子设备的非接触充电***的模块等各种用途中。
进而，本实施方式的磁性片能在电动汽车的蓄电池充电等中使用。通常，在对电动汽车的蓄电池进行充电时，由于由车体的金属产生的涡电流，充电性能会显著受损，但通过使用本实施方式的磁性片，可抑制涡电流损失等不良影响，发挥能实现所期望的充电性能这样的优点。
产业上的可利用性
本公开的复合线圈模块通过将卷绕的充电线圈和包围充电线圈而配置的NFC天线载置于包含一种磁性体的磁性片，使载置于非接触充电线圈部和NFC天线部的包含一种磁性体的磁性片的频率特性任意变化，能使NFC中的通信效率以及非接触充电的电力传送效率这两者都得到满足。另外，本公开的磁性片能用在上述的复合线圈模块等中。通过将NFC天线和非接触充电线圈用包含一种磁性体的磁性片进行模块化，能实现复合线圈模块的小型化以及制造工序的简化，能实现复合线圈模块的成本降低。因此，本公开在具备NFC天线和非接触充电线圈的天线装置、便携终端特别是智能手机、便携音频播放器、个人计算机、数字摄像机、视频摄像机等各种电子设备中极为有用。
附图标记的说明
1 磁性片
2 第1平面线圈(NFC天线部)
3 第2平面线圈(非接触充电线圈部)
4 保护层
5 基板
6 粘接层
8、20 第1磁路形成部(第1部分)
9、30 第2磁路形成部(第2部分)
10 第1磁路形成部(弹性硅酮涂布部分)
11 第2磁路形成部(环氧树脂涂布部分)
12 第1磁路形成部(铁氧体粒径小的部分)
13 第2磁路形成部(铁氧体粒径大的部分)

Claims (19)

1.一种复合线圈模块，具备：
用在无线通信中的第1平面线圈；
用在非接触充电的电力传送中的第2平面线圈；和
形成所述第1平面线圈的磁路以及所述第2平面线圈的磁路的包含一种磁性体的磁性片，
所述磁性片具有：
形成所述第1平面线圈的所述磁路的第1磁路形成部；和
形成所述第2平面线圈的所述磁路的第2磁路形成部，
所述第1磁路形成部的导磁率与所述第2磁路形成部的导磁率不同。
2.根据权利要求1所述的复合线圈模块，其中，
所述磁性片具有多个凹部，
所述第1磁路形成部中的所述多个凹部间的距离比所述第2磁路形成部中的所述多个凹部间的距离小。
3.根据权利要求2所述的复合线圈模块，其中，
所述第1磁路形成部中的所述多个凹部间的距离是0mm以上且5mm以下的间距，
所述第2磁路形成部中的所述多个凹部间的距离是20mm以上的间距。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的复合线圈模块，其中，
所述第1磁路形成部比所述第2磁路形成部更具柔性。
5.根据权利要求1或2所述的复合线圈模块，其中，
所述第1磁路形成部包含弹性硅酮系树脂，
所述第2磁路形成部包含环氧系树脂。
6.根据权利要求1或2所述的复合线圈模块，其中，
所述第1磁路形成部中的所述磁性体的粒径比所述第2磁路形成部中的所述磁性体的粒径小。
7.根据权利要求1或2所述的复合线圈模块，其中，
所述第1磁路形成部中的所述磁性片的厚度比所述第2磁路形成部中的所述磁性片的厚度薄。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的复合线圈模块，其中，
所述磁性体是Mn-Zn系铁氧体。
9.根据权利要求2或3所述的复合线圈模块，其中，
所述多个凹部是多个狭缝状的凹部或多个点状的凹部。
10.一种磁性片，包含一种磁性体，该磁性片具有：
具有第1导磁率的第1部分；和
具有与所述第1导磁率不同的第2导磁率的第2部分。
11.根据权利要求10所述的磁性片，其中，
所述磁性片具有多个凹部，
所述第1部分中的所述多个凹部间的距离与所述第2部分中的所述多个凹部间的距离不同。
12.根据权利要求11所述的磁性片，其中，
所述第1部分中的所述多个凹部间的距离是0mm以上且5mm以下的间距，
所述第2部分中的所述多个凹部间的距离是20mm以上的间距。
13.根据权利要求10～12中任一项所述的磁性片，其中，
所述第1部分比所述第2部分更具柔性。
14.根据权利要求10或11所述的磁性片，其中，
所述第1部分包含弹性硅酮系树脂，
所述第2部分包含环氧系树脂。
15.根据权利要求10或11所述的磁性片，其中，
所述第1部分中的所述磁性体的粒径比所述第2部分中的所述磁性体的粒径小。
16.根据权利要求10或11所述的磁性片，其中，
所述第1部分中的所述磁性片的厚度比所述第2部分中的所述磁性片的厚度薄。
17.根据权利要求10～16中任一项所述的磁性片，其中，
所述磁性体是Mn-Zn系铁氧体。
18.根据权利要求10～17中任一项所述的磁性片，其中，
所述磁性片还具有：
具有与所述第1导磁率以及所述第2导磁率不同的第3导磁率的第3部分。
19.根据权利要求11或12所述的磁性片，其中，
所述多个凹部是多个狭缝状的凹部或多个点状的凹部。
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