CN109962150A - 一种封装薄膜及其制备方法、光电器件 - Google Patents

一种封装薄膜及其制备方法、光电器件 Download PDF

Info

Publication number
CN109962150A
CN109962150A CN201711339298.9A CN201711339298A CN109962150A CN 109962150 A CN109962150 A CN 109962150A CN 201711339298 A CN201711339298 A CN 201711339298A CN 109962150 A CN109962150 A CN 109962150A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
packaging film
blend
organic
packaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711339298.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109962150B (zh
Inventor
朱佩
曹蔚然
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Corp
Original Assignee
TCL Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Corp filed Critical TCL Corp
Priority to CN201711339298.9A priority Critical patent/CN109962150B/zh
Publication of CN109962150A publication Critical patent/CN109962150A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109962150B publication Critical patent/CN109962150B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wrappers (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开一种封装薄膜及其制备方法、光电器件，其中，所述封装薄膜包括层叠设置的第一有机薄膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第一共混膜、由陶瓷材料组成的1‑4层陶瓷膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第二共混膜、第二有机薄膜。本发明将第一有机薄膜和第二有机薄膜作为水汽阻隔层，将1‑4层致密的陶瓷膜作为氧气阻隔层，同时在所述陶瓷膜和有机薄膜之间设置由聚合物和陶瓷材料组成的共混层，所述共混层能有效提升有机薄膜和陶瓷膜之间的结合力，从而增强封装薄膜的水氧阻隔性能，进而满足光电器件对水汽渗透率的要求，提高光电器件的使用寿命。

Description

一种封装薄膜及其制备方法、光电器件
技术领域
本发明涉及光电器件领域，尤其涉及一种封装薄膜及其制备方法、光电器件。
背景技术
光电器件的使用寿命是其非常重要的一项参数，为了提高光电器件的寿命，使其达到商用水平，封装是至关重要的一个环节。对于光电器件而言，封装不仅仅是防止划伤等物理保护，更重要的是防止外界环境中水汽，氧气的渗透，这些环境中的水汽或氧气渗透到器件内部，会加速器件的老化。因此光电器件的封装结构必须具有良好的水、氧渗透阻挡功能。
当前，商用的光电器件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。相对比于传统的盖板封装，薄膜封装能够明显降低器件的厚度与质量，约节省50%的潜在封装成本，同时薄膜封装能适用于柔性器件。薄膜封装技术将是发展的必然趋势。
现有技术通常采用具有透明疏水性能的有机薄膜作为光电器件的封装膜，然而，现有的有机薄膜通常具备较佳阻隔水汽的性能，但是其气体阻隔性较差限制了其作为封装薄膜材料在光电器件中的广泛应用。
为提高有机封装薄膜材料的气体阻隔性，最常采取的手段是在有机薄膜中间引入一层无机陶瓷薄膜组成多层膜封装结构。 但是单纯的无机陶瓷薄膜与有机薄膜之间的不相容性导致复合材料性能较差，从而影响了封装薄膜材料的水氧阻隔性能。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种封装薄膜及其制备方法、光电器件，旨在解决现有封装薄膜水氧阻隔性能较差的问题。
本发明的技术方案如下：
一种封装薄膜，其中，包括依次叠放的第一有机薄膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第一共混膜、由陶瓷材料组成的1-4层陶瓷膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第二共混膜、第二有机薄膜。
所述的封装薄膜，其中，所述陶瓷材料为氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钛和氧化钨中的一种或多种。
所述的封装薄膜，其中，所述第一有机薄膜材料、第二有机薄膜材料、第一共混膜中的聚合物以及第二共混膜中的聚合物独立选自聚乳酸，聚四氟乙烯，聚甲基硅氧烷和聚丙烯中的一种或多种。
所述的封装薄膜，其中，所述第一有机薄膜的厚度为1-3μm；和/或所述第二有机薄膜的厚度均为1-3 μm。
所述的封装薄膜，其中，所述第一共混膜的厚度为0.8-1.2μm；和/或所述第二共混膜的厚度均为0.8-1.2μm 。
所述的封装薄膜，其中，所述陶瓷膜的厚度为0.1-1μm。
一种封装薄膜的制备方法，其中，包括如下步骤：
提供待封装器件，在所述器件表面沉积第一有机薄膜；
在第一有机薄膜上沉积第一共混膜，所述第一共混膜由聚合物和陶瓷材料组成；
在第一共混膜上沉积叠层设置的N层陶瓷膜，1≤N≤4；
在第N层陶瓷膜上沉积第二共混膜，所述第二共混膜由聚合物和陶瓷材料组成；
在第二共混膜上沉积第二有机薄膜。
所述的封装薄膜的制备方法，其中，所述在第一有机薄膜上沉积第一混合膜的制备包括如下步骤：
在碱性条件下，将无机前驱体和有机单体按照预定重量比在惰性气氛下进行第一次反应；
加入催化剂，在真空条件下进行第二次反应后得到共混材料；
将所述共混材料干燥后分散到四氢呋喃溶剂中，得到由聚合物和陶瓷材料组成的共混液；
在第一有机薄膜上沉积由聚合物和陶瓷材料组成的共混液，得到第一共混膜。
所述的封装薄膜的制备方法，其中，所述无机前驱体为正硅酸乙酯、硝酸铝、醋酸锌、钨酸钠或钛酸四丁酯。
所述的封装薄膜的制备方法，其中，所述有机单体为乳酸，四氟乙烯，甲基硅氧烷和丙烯中的一种或多种。
所述的封装薄膜的制备方法，其中，所述催化剂为辛酸亚锡、乙酸亚锡和盐酸中的一种或多种。
所述的封装薄膜的制备方法，其中，所述第一次反应的温度为50-100℃和/或升温速率为0.5-1 ℃/min。
所述的封装薄膜的制备方法，其中，所述第二次反应的温度为150-200℃。
一种光电器件，包括第一电极、发光层以及第二电极，其中，所述第二电极上设置有封装薄膜，所述封装薄膜为上述任一项所述的封装薄膜, 或所述封装薄膜为上述任一项所述方法制备的封装薄膜。
有益效果：本发明提供的封装薄膜包括层叠设置的第一有机薄膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第一共混膜、由陶瓷材料组成的1-4层陶瓷膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第二共混膜、第二有机薄膜。本发明将第一有机薄膜和第二有机薄膜作为水汽阻隔层，将1-4层致密的陶瓷膜作为氧气阻隔层，同时在所述陶瓷膜和有机薄膜之间设置由聚合物和陶瓷材料组成的共混层，所述共混层能有效提升有机薄膜和陶瓷膜之间的结合力，从而增强封装薄膜的水氧阻隔性能，进而满足光电器件对水汽渗透率的要求，提高光电器件的使用寿命。
附图说明
图1为本发明一种封装薄膜较佳实施例的结构示意图；
图2为本发明一种封装薄膜的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供了一种封装薄膜及其制备方法、光电器件，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为本发明提供的一种封装薄膜较佳实施例的结构示意图，如图所示，所述封装薄膜包括层叠设置的第一有机薄膜10、由聚合物和陶瓷材料组成的第一共混膜20、由陶瓷材料组成的1-4层陶瓷膜30、由聚合物和陶瓷材料组成的第二共混膜40、第二有机薄膜50。
具体来说，本实施方式将第一有机薄膜和第二有机薄膜作为水汽阻隔层，将致密的陶瓷膜作为氧气阻隔层，并且通过在陶瓷膜和有机薄膜之间添加由聚合物和陶瓷材料组成的共混膜，所述共混膜不仅能增强陶瓷膜和有机薄膜之间的相容性，还能够减少膜层之间的缺陷，从而增强封装薄膜的水氧阻隔性能以及光学性能。
优选地，所述第一有机薄膜材料、第二有机薄膜材料、第一共混膜中的聚合物以及第二共混膜中的聚合物均为透明疏水材料，具体可为聚乳酸、聚四氟乙烯、聚甲基硅氧烷和聚丙烯中的一种或多种。作为举例，本实施方式优选聚乳酸（PLA）制备有机薄膜以及共混膜，因为其不仅具有较强的水汽阻隔性能，而且PLA是一种可再生、可降解的新型环保材料，PLA的诸多性能可通过制备工艺和改性手段进行控制。
优选地，在本实施方式中，为保证所述封装薄膜具有较佳的水汽阻隔性能，将所述第一有机薄膜设置为1-3 μm。
更优选地，所述第二有机薄膜的厚度也设置为1-3μm。
为了弥补有机薄膜气体阻隔性能较差的缺陷，本实施方式通过在第一有机薄膜和第二有机薄膜之间设置了1-4层由陶瓷材料制备的致密陶瓷膜。
在一种实施方式中，所述陶瓷材料为氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钛和氧化钨中的一种或多种，但不限于此。优选氧化硅作为陶瓷膜材料，因为氧化硅薄膜不仅透明度高、致密度高，而且与有机薄膜的结合力较强，阻氧性能最佳。
更优选地，在本实施方式中，为保证所述封装薄膜具有较佳的阻氧性能，所述陶瓷膜设置有2-3层，所述陶瓷膜的厚度设置为0.1-1μm。
进一步地，本实施方式在所述陶瓷膜和有机薄膜之间设置了一层由聚合物和陶瓷材料组成的共混膜，所述共混膜不仅能增强陶瓷膜和有机薄膜之间的相容性，还能够减少膜层之间的缺陷，从而增强封装薄膜的水氧阻隔性能以及光学性能。
优选地，在本实施方式中，为增强所述陶瓷膜和有机薄膜之间的结合力，将所述第一共混膜的厚度设置为0.8-1.2μm。
更优选地，所述第二共混膜的厚度也设置为0.8-1.2μm。
本实施方式提供的多层封装薄膜能够形成良好的覆盖阶梯，利用多层膜的共同作用，能够非常有效地隔绝水汽和氧气的渗透，能够满足光电器件对水汽渗透率的要求，从而提高光电器件的寿命；同时所述封装薄膜属于透明薄膜，可用于顶发光器件以及屏幕的封装结构。
进一步地，本发明还提供一种封装薄膜的制备方法，其中，如图2所示，包括步骤：
S1、提供待封装器件，在所述器件表面沉积第一有机薄膜；
S2、在第一有机薄膜上沉积第一共混膜，所述第一共混膜由聚合物和陶瓷材料组成；
S3、在第一共混膜上沉积叠层设置的N层陶瓷膜，1≤N≤4；
S4、在第N层陶瓷膜上沉积第二共混膜，所述第二共混膜由聚合物和陶瓷材料组成；
S5、在第二共混膜上沉积第二有机薄膜。
进一步地，所述在第一有机薄膜上沉积第一混合膜的制备包括如下步骤：
在碱性条件下，将无机前驱体和有机单体按照预定重量比在惰性气氛下进行第一次反应；
加入催化剂，在真空条件下进行第二次反应后得到共混材料；
将所述共混材料干燥后分散到四氢呋喃溶剂中，得到由聚合物和陶瓷材料组成的共混液；
在第一有机薄膜上沉积由聚合物和陶瓷材料组成的共混液，得到第一共混膜。
优选地，所述无机前驱体为正硅酸乙酯、硝酸铝、醋酸锌、钨酸钠或钛酸四丁酯，但不限于此。
优选地，所述有机单体为乳酸，四氟乙烯，甲基硅氧烷和丙烯中的一种或多种，但不限于此。
更优选地，所述无机前驱体和有机单体按照1:1的重量比在惰性气氛下进行第一次反应。
优选地，所述催化剂为辛酸亚锡、乙酸亚锡和盐酸中的一种或多种，但不限于此。
优选地，所述第一次反应的温度为50-100℃和/或升温速率为0.5-1 ℃/min。
优选地，所述第二次反应的温度为150-200℃。
优选地，所述惰性气氛为氮气、氦气、氖气和氩气中的一种或多种，但不限于此。
在一种制备聚乳酸-二氧化硅共混液的具体实施方式中，先将30%强氧化铵作为催化剂添加到乙醇中，然后在50-80 ℃条件下进行搅拌，边搅拌边添加10-20ml正硅酸乙酯（TEOS），继续搅拌15-25 h可得到二氧化硅乙醇溶液；
在碱性条件下，将浓度为10%的二氧化硅乙醇溶液与乳酸按照重量比为1:1的比例在氮气气氛下进行反应，反应温度为80℃，升温速率为0.8 ℃/min，反应时间为1.5h，之后添加0.05g的辛酸亚锡作为催化剂在真空中继续反应5h，反应温度为180℃；其中，反应方程式如下所示：
SiO2-OH+OH-CO(CH3)CH-OH=SiO2-O-CO(CH3)CH-OH
SiO2-O-CO(CH3)CH-OH+OH-CO(CH3)CH-OH=SiO2-O-（CO(CH3)CH-O）nH
将反应得到的产物干燥之后分散在四氢呋喃溶剂中，制得聚乳酸-二氧化硅共混液。
在一种制备聚甲基硅氧烷-二氧化硅共混液的具体实施方式中，先将30%强氧化铵作为催化剂添加到乙醇中，然后在50-80 ℃条件下进行搅拌，边搅拌边添加10-20ml正硅酸乙酯（TEOS），继续搅拌15-25 h可得到二氧化硅乙醇溶液；
将浓度为15%的二氧化硅乙醇溶液和甲基三甲氧基硅烷重量比为1:1的比例在氮气气氛下进行反应，在50-60℃温度下搅拌10-20 min，通过盐酸调节pH值在2-3之间，并且在盐酸的催化作用下让前驱体化合物水解形成半互穿网络，让水解和单体聚合同时进行制备得到二氧化硅-聚甲基硅氧烷共混材料；
将所述二氧化硅-聚甲基硅氧烷共混材料干燥之后分散在四氢呋喃溶剂中，制得聚甲基硅氧烷-二氧化硅共混液。
在一种制备聚四氟乙烯-二氧化钛共混液的具体实施方式中，在碱性条件下，将钛酸四丁酯醇溶液与四氟乙烯按照一定的比例在惰性气氛下反应0.5-1h后，加入0.01-1g盐酸，通过盐酸调节pH值在2-3之间，并且在盐酸的催化作用下形成聚四氟乙烯-二氧化钛共混液。
通过上述方法制备的聚合物-陶瓷材料共混液使得共混膜具有良好的结合力，并且无机陶瓷材料杂化在聚合物网络中，使得共混膜稳定性得到一定提高。
优选地，在本实施方式中，所述有机薄膜和共混膜均可采用浇铸、旋涂或印刷的方式来制备。
所述陶瓷膜优选采用PECVD方法制备：以PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）方法制备SiO2薄膜为例，将待封装器件放置在PECVD装置的基片上，通入硅烷（SiH4）和笑气（N2O）在等离子状态下反应，工艺温度低于150 ℃，其反应方程式为：
SiH4+2N2O=SiO2+2N2+H2
镀膜具体工艺参数为 SiH4为10-45 sccm，N2O为100-364 sccm，N2为300-800sccm；其中氮气作为稀释气体，主要作用是影响反应室内反应气体分压情况；优选PECVD装置的功率为30W-200 W之间，其中功率越小沉积速率越小，薄膜均匀性越好，但是需要兼顾沉积速率和薄膜均匀性，所以功率选择在30W-200W之间。薄膜沉积速率保持20 nm-50 nm之间。
进一步地，本发明还提供一种光电器件，包括第一电极、发光层以及第二电极，其中，所述第二电极上设置有封装薄膜，所述封装薄膜为上述任一项所述的封装薄膜, 或所述封装薄膜为上述任一项所述方法制备的封装薄膜。所述封装薄膜能够在保证器件发光效率和发光亮度的基础上非常有效地隔绝水汽和氧气的渗透，从而提高器件寿命。
下面通过具体实施例对本发明一种光电器件及其封装方法做详细说明：
实施例1
1、光电器件的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS (50 nm)/ poly-TPD (30 nm)/量子点发光层(20 nm)/ZnO(30nm) /银(70 nm) /封装薄膜(4100 nm)，其中，所述封装薄膜的材料为PLA/SiO2-PLA共混膜/SiO2/ SiO2-PLA共混膜/PLA复合薄膜，所述SiO2薄膜厚度为100 nm，两层PLA薄膜的厚度均为1000 nm，两层SiO2-PLA共混膜的厚度均为1000nm。
2、光电器件的封装方法包括步骤：
1）、在光电器件的银电极顶面上采用浇铸的方法将10 mg/ml的PLA氯仿溶液进行浇铸成膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min制备成为PLA薄膜；
2）、在碱性条件下，将质量分数为5 wt%的 SiO2醇溶液与乳酸按照1：1的比例在氮气气氛下进行反应，反应温度为100 ℃，反应时间为1h，反应完成之后在上述反应体系中添加辛酸亚锡0.01g作为催化剂在真空中继续反应5 h，反应温度为150 ℃。将反应产物溶解于四氢呋喃溶液中，溶液浓度为10 mg/ml，在所述PLA薄膜表面进行浇铸成膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min制备成为SiO2-PLA共混薄膜；
3）、然后采用PECVD的方法，使用硅烷（SiH4）为16 sccm和笑气（N2O）为120 sccm，在等离子状态下反应，工艺温度为150 ℃，功率为40 W，氮气流量为300 sccm，镀膜速率为25nm/min条件下制备二氧化硅薄膜；
4）、采用步骤2）的方法在所述二氧化硅薄膜表面再制备一层SiO2-PLA共混薄膜；
5）、采用步骤1）的方法在步骤4）所述SiO2-PLA共混薄膜表面制备PLA薄膜，然后在120℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min，实现对光电器件的封装。
实施例2
1、光电器件的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS (50 nm)/ poly-TPD (30 nm)/量子点发光层(20 nm)/ZnO(30nm) /银(70 nm) /封装薄膜(9000 nm)，其中，所述封装薄膜的材料为PLA/SiO2-PLA共混膜/SiO2/ SiO2-PLA共混膜/PLA复合薄膜，所述SiO2薄膜厚度为1000 nm，两层PLA薄膜的厚度均为3000 nm，两层SiO2-PLA共混膜的厚度均为1000nm。
2、光电器件的封装方法包括步骤：
1）、在光电器件的银电极顶面上采用浇铸的方法将10 mg/ml的PLA氯仿溶液进行浇铸成膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min制备成为PLA薄膜；
2）、在碱性条件下，将质量分数为20 wt%的 SiO2醇溶液与乳酸按照1：1的比例在氮气气氛下进行反应，反应温度为100 ℃，反应时间为1h，反应完成之后在上述反应体系中添加辛酸亚锡0.01g作为催化剂在真空中继续反应5 h，反应温度为150 ℃。将反应产物溶解于四氢呋喃溶液中，溶液浓度为10 mg/ml，在所述PLA薄膜表面进行浇铸成膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min制备成为SiO2-PLA共混薄膜；
3）、然后采用PECVD的方法，使用硅烷（SiH4）为40 sccm和笑气（N2O）为300sccm，在等离子状态下反应，工艺温度为150 ℃，功率为190 W，氮气流量为600 sccm，镀膜速率为40 nm/min条件下制备二氧化硅薄膜；
4）、采用步骤2）的方法在所述二氧化硅薄膜表面再制备一层SiO2-PLA共混薄膜；
5）、采用步骤1）的方法在步骤4）所述SiO2-PLA共混薄膜表面制备PLA薄膜，然后在120℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min，实现对光电器件的封装。
实施例3
1、光电器件的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS (50 nm)/ poly-TPD (30 nm)/量子点发光层(20 nm)/ZnO(30nm) /银(70 nm) /封装薄膜(4100 nm)，其中，所述封装薄膜的材料为PLA/ZnO-PLA共混膜/ZnO/ ZnO-PLA共混膜/PLA复合薄膜，所述ZnO薄膜厚度为100 nm，两层PLA薄膜的厚度均为1000 nm，两层ZnO-PLA共混膜的厚度均为1000nm。
2、光电器件的封装方法包括步骤：
1）、在光电器件的银电极顶面上采用浇铸的方法将10 mg/ml的PLA氯仿溶液进行浇铸成膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min制备成为PLA薄膜；
2）、在碱性条件下，将质量分数为10 wt%的 ZnO醇溶液与乳酸按照1：1的比例在氮气气氛下进行反应，反应温度为100 ℃，反应时间为1h，反应完成之后在上述反应体系中添加辛酸亚锡0.01g作为催化剂在真空中继续反应5 h，反应温度为150 ℃。将反应产物溶解于四氢呋喃溶液中，溶液浓度为10 mg/ml，在所述PLA薄膜表面进行浇铸成膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min制备成为ZnO-PLA共混薄膜；
3）、然后采用PECVD的方法，使用醋酸锌（DEZn）为50 sccm和笑气（N2O）为100 sccm，在等离子状态下反应，工艺温度为100 ℃，功率为150W，氮气流量为600 sccm，镀膜速率为40nm/min条件下制备氧化锌薄膜；
4）、采用步骤2）的方法在所述氧化锌薄膜表面再制备一层ZnO-PLA共混薄膜；
5）、采用步骤1）的方法在步骤4）所述ZnO-PLA共混薄膜表面制备PLA薄膜，然后在120℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min，实现对光电器件的封装。
实施例4
1、光电器件的结构为：ITO衬底/PEDOT：PSS (50 nm)/ poly-TPD (30 nm)/量子点发光层(20 nm)/ZnO(30nm) /银(70 nm) /封装薄膜(4100 nm)，其中，所述封装薄膜的材料为PTFE/TiO2-PTFE共混膜/TiO2/ TiO2-PTFE共混膜/PTFE薄膜，所述TiO2薄膜厚度为100 nm，两层聚四氟乙烯（PTFE）薄膜的厚度均为1000 nm，两层TiO2-PTFE共混膜的厚度均为1000nm。
2、光电器件的封装方法包括步骤：
1）、在光电器件的银电极顶面上采用浇铸的方法将10 mg/ml的PTFE氯仿溶液进行浇铸成膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min制备成为PTFE薄膜；
2）、在碱性条件下，将质量分数为10 wt%的 TiO2醇溶液与四氟乙烯按照1：1的比例在氮气气氛下进行反应，反应温度为100 ℃，反应时间为1h，反应完成之后在上述反应体系中添加盐酸0.01g作为催化剂在真空中继续反应5 h，反应温度为150 ℃。将反应产物溶解于四氢呋喃溶液中，溶液浓度为10 mg/ml，在所述PTFE薄膜表面进行浇铸成膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min制备成为TiO2-PTFE共混薄膜；
3）、然后采用PECVD的方法，使用醋酸钛（DETi）为50 sccm和笑气（N2O）为100 sccm，在等离子状态下反应，工艺温度为100 ℃，功率为150W，氮气流量为600 sccm，镀膜速率为40nm/min条件下制备二氧化钛薄膜；
4）、采用步骤2）的方法在所述二氧化钛薄膜表面再制备一层TiO2-PTFE共混薄膜；
5）、采用步骤1）的方法在步骤4）所述TiO2-PTFE共混薄膜表面制备PTFE薄膜，然后在120 ℃条件下0.8 Pa真空干燥30 min，实现对光电器件的封装。
综上所述，本发明提供的封装薄膜包括层叠设置的第一有机薄膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第一共混膜、由陶瓷材料组成的陶瓷膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第二共混膜、第二有机薄膜。本发明将第一有机薄膜和第二有机薄膜作为水汽阻隔层，将1-4层致密的陶瓷膜作为氧气阻隔层，同时在所述陶瓷膜和有机薄膜之间设置由聚合物和陶瓷材料组成的共混层，所述共混层能有效提升有机薄膜和陶瓷膜之间的结合力，从而增强封装薄膜的水氧阻隔性能，进而满足光电器件对水汽渗透率的要求，提高光电器件的使用寿命。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (14)

1.一种封装薄膜，其特征在于，包括层叠设置的第一有机薄膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第一共混膜、由陶瓷材料组成的1-4层陶瓷膜、由聚合物和陶瓷材料组成的第二共混膜、第二有机薄膜。
2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述陶瓷材料为氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钛和氧化钨中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一有机薄膜材料、第二有机薄膜材料、第一共混膜中的聚合物以及第二共混膜中的聚合物独立选自聚乳酸，聚四氟乙烯，聚甲基硅氧烷和聚丙烯中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一有机薄膜的厚度为1-3 μm；和/或所述第二有机薄膜的厚度为1-3 μm。
5.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一共混膜的厚度为0.8-1.2μm；和/或所述第二共混膜的厚度为0.8-1.2μm。
6.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述陶瓷膜的厚度为0.1-1μm。
7.一种封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供待封装器件，在所述器件表面沉积第一有机薄膜；
在第一有机薄膜上沉积第一共混膜，所述第一共混膜由聚合物和陶瓷材料组成；
在第一共混膜上沉积叠层设置的N层陶瓷膜，1≤N≤4；
在第N层陶瓷膜上沉积第二共混膜，所述第二共混膜由聚合物和陶瓷材料组成；
在第二共混膜上沉积第二有机薄膜。
8.根据权利要求7所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述在第一有机薄膜上沉积第一混合膜的制备包括如下步骤：
在碱性条件下，将无机前驱体和有机单体按照预定重量比在惰性气氛下进行第一次反应；
加入催化剂，在真空条件下进行第二次反应后得到共混材料；
将所述共混材料干燥后分散到四氢呋喃溶剂中，得到由聚合物和陶瓷材料组成的共混液；
在第一有机薄膜上沉积由聚合物和陶瓷材料组成的共混液，得到第一共混膜。
9.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述无机前驱体为正硅酸乙酯、硝酸铝、醋酸锌、钨酸钠或钛酸四丁酯。
10.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机单体为乳酸，四氟乙烯，甲基硅氧烷和丙烯中的一种或多种。
11.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述催化剂为辛酸亚锡、乙酸亚锡和盐酸中的一种或多种。
12.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一次反应的温度为50-100℃和/或升温速率为0.5-1 ℃/min。
13.根据权利要求8所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二次反应的温度为150-200℃。
14.一种光电器件，包括第一电极、发光层以及第二电极，其特征在于，所述第二电极上设置有封装薄膜，所述封装薄膜为权利要求1-6任一项所述的封装薄膜, 或所述封装薄膜为权利要求7-13任一项所述方法制备的封装薄膜。
CN201711339298.9A 2017-12-14 2017-12-14 一种封装薄膜及其制备方法、光电器件 Active CN109962150B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711339298.9A CN109962150B (zh) 2017-12-14 2017-12-14 一种封装薄膜及其制备方法、光电器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711339298.9A CN109962150B (zh) 2017-12-14 2017-12-14 一种封装薄膜及其制备方法、光电器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109962150A true CN109962150A (zh) 2019-07-02
CN109962150B CN109962150B (zh) 2022-01-18

Family

ID=67017966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711339298.9A Active CN109962150B (zh) 2017-12-14 2017-12-14 一种封装薄膜及其制备方法、光电器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109962150B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112831076A (zh) * 2021-02-04 2021-05-25 浙江中科玖源新材料有限公司 一种高阻水透明聚酰亚胺薄膜的制备方法
WO2023043413A1 (en) * 2021-09-14 2023-03-23 Marmara Universitesi Strateji Gelistirme Daire Baskanligi Muhasebe Birimi A new solution and technique of coating for photovoltaic panels

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1273697A (zh) * 1998-07-03 2000-11-15 伊索沃尔塔奥地利绝缘材料厂股份公司 光电模块及其制造方法
US20090215279A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Korea Institute Of Science And Technology Organic/inorganic hybrid thin film passivation layer for blocking moisture/oxygen transmission and improving gas barrier property
CN103430345A (zh) * 2010-10-25 2013-12-04 荷兰应用自然科学研究组织Tno 多层保护层、有机光电器件及其制造方法
CN103490019A (zh) * 2013-09-29 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置
CN103943786A (zh) * 2013-12-27 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 一种有机发光器件、其制造方法及有机发光显示装置
CN104167506A (zh) * 2013-05-20 2014-11-26 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104733641A (zh) * 2015-04-03 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件的封装方法、封装结构及显示装置
CN106336520A (zh) * 2015-07-06 2017-01-18 三星显示有限公司 塑料衬底、制造该塑料衬底的方法及包括其的显示设备

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1273697A (zh) * 1998-07-03 2000-11-15 伊索沃尔塔奥地利绝缘材料厂股份公司 光电模块及其制造方法
US20090215279A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Korea Institute Of Science And Technology Organic/inorganic hybrid thin film passivation layer for blocking moisture/oxygen transmission and improving gas barrier property
US20110260147A1 (en) * 2008-02-25 2011-10-27 Korea Institute Of Science And Technology Organic/inorganic hybrid thin film passivation layer for blocking moisture/oxygen transmission and improving gas barrier property
CN103430345A (zh) * 2010-10-25 2013-12-04 荷兰应用自然科学研究组织Tno 多层保护层、有机光电器件及其制造方法
CN104167506A (zh) * 2013-05-20 2014-11-26 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103490019A (zh) * 2013-09-29 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件的封装结构及封装方法、显示装置
CN103943786A (zh) * 2013-12-27 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 一种有机发光器件、其制造方法及有机发光显示装置
CN104733641A (zh) * 2015-04-03 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件的封装方法、封装结构及显示装置
CN106336520A (zh) * 2015-07-06 2017-01-18 三星显示有限公司 塑料衬底、制造该塑料衬底的方法及包括其的显示设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112831076A (zh) * 2021-02-04 2021-05-25 浙江中科玖源新材料有限公司 一种高阻水透明聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN112831076B (zh) * 2021-02-04 2022-12-02 浙江中科玖源新材料有限公司 一种高阻水透明聚酰亚胺薄膜的制备方法
WO2023043413A1 (en) * 2021-09-14 2023-03-23 Marmara Universitesi Strateji Gelistirme Daire Baskanligi Muhasebe Birimi A new solution and technique of coating for photovoltaic panels

Also Published As

Publication number Publication date
CN109962150B (zh) 2022-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104114362B (zh) 功能性膜及其制造方法、以及含有所述功能性膜的电子器件
JP4147008B2 (ja) 有機ｅｌ素子に用いるフィルム及び有機ｅｌ素子
KR101430892B1 (ko) 가스 배리어성 필름 및 전자 디바이스
WO2021012700A1 (zh) 封装薄膜用化合物及其组合物和薄膜及有机发光器件和封装方法
CN105778887B (zh) 一种密封量子点的方法、量子点复合物粒子及应用
CN103328205B (zh) 无机多层堆叠件及其相关的制造方法以及组成成分
WO2013002026A1 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、および電子デバイス
CN105051152A (zh) 多层包覆的量子点珠
CN102057750A (zh) 用于封装对氧气和/或湿气敏感的电子器件的多层膜
CN109713026A (zh) 一种硅基电致发光显示面板及其制造方法、显示装置
US20100209702A1 (en) Composite layer and fabrication method thereof
JP5915557B2 (ja) 被覆蛍光体粒子及びその製造方法、それを用いたｌｅｄ素子
CN106903954B (zh) 一种水汽氧气阻隔膜及其制备方法
CN109962150A (zh) 一种封装薄膜及其制备方法、光电器件
CN108767132B (zh) 电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法
US11535796B2 (en) Quantum dot material, and preparation method and use thereof
TWI476231B (zh) Composition, hardening and electronic devices
JP5935263B2 (ja) ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、及びガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイス
CN109166891A (zh) 一种oled显示面板及其制备方法
CN111540833B (zh) 一种提高钙钛矿太阳能电池吸光层稳定性的方法
JP2011026645A (ja) バリアフィルムの製造方法、バリアフィルム及び有機光電変換素子の製造方法
WO2020134244A1 (zh) 封装薄膜及其制备方法和发光显示装置
CN109396001A (zh) 一种双面热封高阻隔高透明氧化铝pet膜及其制备方法
CN107863446B (zh) 一种oled器件结构及制备方法
CN109962149B (zh) 一种封装薄膜及其制备方法、光电器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL Corp.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant