CN109932647A - 一种拨动开关状态检测电路、方法及装置 - Google Patents

一种拨动开关状态检测电路、方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种拨动开关状态检测电路、方法及装置,该电路包括:第一数量的拨动开关组和输出端口、第二数量的检测端口和上拉电阻、各拨动开关对应的二极管。第二数量为拨动开关组的最大拨动开关数;各上拉电阻一端接第一电压,另一端分别接各检测端口;各拨动开关一端接检测端口,另一端接对应二极管的正极;同一组中不同拨动开关所连接的检测端口不同;各二极管的负极均接一输出端口;两二极管所对应的拨动开关属同一组时,其所连输出端口相同,反之不同;任一输出端口所连线路的通断状态可控制。基于各输出端口所连线路的通断控制,可根据各检测端口处的电平状态来确定各拨动开关的开关状态。可见,本方案能够减少I/O端口的设置数量。

Description

一种拨动开关状态检测电路、方法及装置
技术领域
本发明涉及电子技术领域,特别涉及一种拨动开关状态检测电路、方法及装置。
背景技术
现有拨动开关状态检测电路种类繁多。
目前,较为常用的,开关检测中单个开关对接单个I/O(input/output,输入/输出)端口。
如此,当拨动开关数量较多时,就需要设置较多的I/O端口,从而会占用大量的芯片硬件资源。
发明内容
本发明提供了一种拨动开关状态检测电路、方法及装置,能够减少I/O端口的设置数量。
为了达到上述目的,本发明是通过如下技术方案实现的:
第一方面,本发明提供了一种拨动开关状态检测电路,包括:
第一数量的包括有至少一个拨动开关的拨动开关组、所述第一数量的输出端口、第二数量的检测端口、每一个拨动开关对应的二极管和所述第二数量的上拉电阻;
其中,所述第二数量为一拨动开关组中拨动开关的个数,且任一其他拨动开关组中拨动开关的个数均不大于所述第二数量;
每一个所述上拉电阻的第一端均接第一电压,每一个所述上拉电阻的第二端一一对应连接于所述第二数量的检测端口;
每一个所述拨动开关的第一端均连接一所述检测端口,且同一拨动开关组中,不同拨动开关所连接的检测端口不同;
每一个所述二极管的正极均连接对应拨动开关的第二端,每一个所述二极管的负极均连接一所述输出端口;
对于任意两个二极管,该两个二极管所分别对应的拨动开关属于同一拨动开关组时,该两个二极管所连接的输出端口相同,该两个二极管所分别对应的拨动开关不属于同一拨动开关组时,该两个二极管所连接的输出端口不同;
任一所述输出端口所连线路的通断状态可控制。
进一步地,该拨动开关状态检测电路还包括:每一个所述输出端口对应的NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属-氧化物-半导体)晶体管;
其中,每一个所述NMOS晶体管的源极均接地;
每一个所述NMOS晶体管的栅极均连接对应的输出电路;
每一个所述二极管的负极均通过与一NMOS晶体管的漏极相连,以连接该NMOS晶体管对应的输出端口。
进一步地,所述输出端口配置为N沟道漏极开路输出。
进一步地,该拨动开关状态检测电路还包括:每一个所述检测端口对应的滤波电路;
其中,每一个所述滤波电路的第一端分别连接对应的检测端口,每一个所述滤波电路的第二端均接地。
进一步地,任一所述拨动开关组中拨动开关的个数均为所述第二数量。
第二方面,本发明提供了一种基于上述任一所述拨动开关状态检测电路的拨动开关状态检测方法,包括:
依次针对每一个所述输出端口,均执行:
控制当前输出端口所连线路导通,控制任一其他输出端口所连线路断开;
针对每一个目标拨动开关,所述目标拨动开关为连接所述当前输出端口的拨动开关,均执行:
根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态。
进一步地,所述拨动开关状态检测电路包括每一个所述输出端口对应的NMOS晶体管;
其中,每一个所述NMOS晶体管的源极均接地;
每一个所述NMOS晶体管的栅极均连接对应的输出电路;
每一个所述二极管的负极均通过与一NMOS晶体管的漏极相连,以连接该NMOS晶体管对应的输出端口;
所述控制当前输出端口所连线路导通,包括:控制当前输出端口输出所述第一电压,以使所述当前输出端口对应的NMOS晶体管导通;
所述控制任一其他输出端口所连线路断开,包括:控制任一其他输出端口均输出零电平,以使任一其他输出端口对应的NMOS晶体管均不导通。
进一步地,所述输出端口配置为N沟道漏极开路输出;
所述控制当前输出端口所连线路导通,包括:将当前N沟道漏极开路输出端口设置为0电平状态,以使所述当前N沟道漏极开路输出端口所连线路导通;
所述控制任一其他输出端口所连线路断开,包括:将任一其他N沟道漏极开路输出端口均设置为开路状态,以使任一其他N沟道漏极开路输出端口所连线路均断开。
进一步地,所述根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态,包括:
读取当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态;
读取到的电平状态为高电平时,确定所述当前目标拨动开关的开关状态为断开;
读取到的电平状态为低电平时,确定所述当前目标拨动开关的开关状态为闭合。
第三方面,本发明提供了一种基于上述任一所述拨动开关状态检测电路的拨动开关状态检测装置,包括:
控制单元,用于依次针对每一个所述输出端口,均执行:控制当前输出端口所连线路导通,控制任一其他输出端口所连线路断开;
检测单元,用于针对每一个目标拨动开关,所述目标拨动开关为连接所述当前输出端口的拨动开关,均执行:根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态。
本发明提供了一种拨动开关状态检测电路、方法及装置,该电路包括:第一数量的拨动开关组和输出端口、第二数量的检测端口和上拉电阻、各拨动开关对应的二极管。第二数量为拨动开关组的最大拨动开关数;各上拉电阻一端接第一电压,另一端分别接各检测端口;各拨动开关一端接检测端口,另一端接对应二极管的正极;同一组中不同拨动开关所连接的检测端口不同;各二极管的负极均接一输出端口;两二极管所对应的拨动开关属同一组时,其所连输出端口相同,反之不同;任一输出端口所连线路的通断状态可控制。基于各输出端口所连线路的通断控制,可根据各检测端口处的电平状态来确定各拨动开关的开关状态。可见,本发明能够减少I/O端口的设置数量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的一种拨动开关状态检测电路的示意图;
图2是本发明一实施例提供的另一种拨动开关状态检测电路的示意图;
图3是本发明一实施例提供的一种拨动开关状态检测方法的流程图;
图4是本发明一实施例提供的一种拨动开关状态检测装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本发明实施例提供了一种拨动开关状态检测电路,可以包括:第一数量的包括有至少一个拨动开关101的拨动开关组、所述第一数量的输出端口102、第二数量的检测端口103、每一个拨动开关101对应的二极管104和所述第二数量的上拉电阻105;
其中,所述第二数量为一拨动开关组中拨动开关101的个数,且任一其他拨动开关组中拨动开关101的个数均不大于所述第二数量;
每一个所述上拉电阻105的第一端均接第一电压,每一个所述上拉电阻105的第二端一一对应连接于所述第二数量的检测端口103;
每一个所述拨动开关101的第一端均连接一所述检测端口103,且同一拨动开关组中,不同拨动开关101所连接的检测端口103不同;
每一个所述二极管104的正极均连接对应拨动开关101的第二端,每一个所述二极管104的负极均连接一所述输出端口102;
对于任意两个二极管104,该两个二极管104所分别对应的拨动开关101属于同一拨动开关组时,该两个二极管104所连接的输出端口102相同,该两个二极管104所分别对应的拨动开关101不属于同一拨动开关组时,该两个二极管104所连接的输出端口102不同;
任一所述输出端口102所连线路的通断状态可控制。
本发明实施例提供了一种拨动开关状态检测电路,该电路包括:第一数量的拨动开关组和输出端口、第二数量的检测端口和上拉电阻、各拨动开关对应的二极管。第二数量为拨动开关组的最大拨动开关数;各上拉电阻一端接第一电压,另一端分别接各检测端口;各拨动开关一端接检测端口,另一端接对应二极管的正极;同一组中不同拨动开关所连接的检测端口不同;各二极管的负极均接一输出端口;两二极管所对应的拨动开关属同一组时,其所连输出端口相同,反之不同;任一输出端口所连线路的通断状态可控制。基于各输出端口所连线路的通断控制,可根据各检测端口处的电平状态来确定各拨动开关的开关状态。可见,本发明实施例能够减少I/O端口的设置数量。
详细地,通过在电路中设置上拉电阻,可以起到限流保护的作用。
详细地,通过在电路中设置二极管,可以在检测过程中,防止拨动开关两两之间电压相互串扰的问题。通常情况下,电压间的串扰会影响检测1/O电平的状态,进而影响到拨动开关状态的检测。可见,本发明实施例可保证检测准确度。
详细地,在检测电路中,二极管负极的电势处于GND状态或者悬空状态,其目的在于控制二极管是否具有能够导通的前在条件。
请参考图1,这一拨动开关状态检测电路包括有11个拨动开关、3个拨动开关组、4个上拉电阻、4个检测端口、3个输出端口和11个二极管。输出端口的个数与拨动开关组的组数相等,二极管的个数与拨动开关的个数相等,检测端口与上拉电阻的个数相等,且检测端口的个数取决于拨动开关组中拨动开关的最大个数。
请参考图1,由于存在3个拨动开关组,故第一数量为3。由于这3个拨动开关组分别为,包括S1~S4这4个拨动开关的拨动开关组1、包括S5~S8这4个拨动开关的拨动开关组2、S9~S11这3个拨动开关的拨动开关组3,故第二数量为4。
请参考图1,较为常用的,第一电压可以为5V。当然,在本发明其他实施例中,基于不同的实际应用需求,第一电压也可以为3.3V,或其他电压值。
下面,基于图1所示的拨动开关状态检测电路,说明一种可能的拨动开关状态检测流程。
步骤1:可以控制输出端口B1所连线路导通,并同时控制输出端口B2所连线路断开,输出端口B3所连线路断开。
步骤2:可以基于输出端口B1和4个检测端口,来检测S1~S4这4个拨动开关的开关状态。具体地,基于图1中示出具体连接方式,是由A1反映S1的开关状态、由A2反映S2的开关状态、由A3反映S3的开关状态、由A4反映S4的开关状态。
基于与上述步骤1和步骤2相同的实现方式,可以执行下述步骤3至步骤6,以进一步确定其他拨动开关的开关状态。
步骤3:可以控制输出端口B2所连线路导通,并同时控制输出端口B1所连线路断开,输出端口B3所连线路断开。
步骤4:可以基于输出端口B2和4个检测端口,来检测S5~S8这4个拨动开关的开关状态。具体地,基于图1中示出具体连接方式,是由A1反映S5的开关状态、由A2反映S6的开关状态、由A3反映S7的开关状态、由A4反映S8的开关状态。
步骤5:可以控制输出端口B3所连线路导通,并同时控制输出端口B1所连线路断开,输出端口B2所连线路断开。
步骤6:可以基于输出端口B3和3个检测端口,来检测S9~S11这3个拨动开关的开关状态。具体地,基于图1中示出具体连接方式,是由A1反映S9的开关状态、由A2反映S10的开关状态、由A3反映S11的开关状态。
由上述步骤1~步骤6可知,通过对输出端口有规律的控制,可以分别实现每一组拨动开关状态的检测,最后实现所有拨动开关状态的检测。
综上所述可知,基于这一拨动开关状态检测电路,可以检测到每一个拨动开关的开关状态。对应地,为实现检测,电路板上需要设置4个检测端口和3个输出端口,即共需设置7个端口即可。而采用现有实现方式时,电路板上需要设置11个I/O端口,以分别检测这11个拨动开关。经对比,本发明实施例可以减少I/O端口的设置数量。由于减少了I/O端口的硬件需求,故可达到节省成本的目的。
由上述步骤6可知,由于拨动开关组3中不存在与A4相连的拨动开关,故此时可无需关注A4。因此,优选地,不同拨动开关组中拨动开关的个数可以相等,以最大化的利用每一个检测端口。
基于此,在本发明一个实施例中,任一所述拨动开关组中拨动开关101的个数均为所述第二数量。即不同拨动开关组中拨动开关个数相等,如此,所有的拨动开关理论上可以呈矩阵式分布,矩阵的行数即为上述第二数量,矩阵的列数即为上述第一数量。请参考图2,图2所示拨动开关状态检测电路中包括有16个拨动开关,这些拨动开关呈4行4列矩阵式分布。
本发明实施例中,对于矩阵式拨动开关的检测,端口设置数量为第一数量与第二数量的加和。而现有实现方式中,端口设置数量为第一数量与第二数量的乘积。可见,本发明实施例中所需设置的端口数量有所减少,且第一数量和第二数量的数值越大,这种优势越显著。
详细地,矩阵式拨动开关状态检测电路可实现拨动开关状态的快速检测,可适用于电子电路行业,特别是适用于单片机领域。
基于上述内容可知,为实现拨动开关的状态检测,输出端口所连线路的通断状态应可控制。本发明实施例中,至少可以存在下述两种实现方式,以支持对输出端口所连线路的通断状态的控制。
方式A:电路中不存在原有的N沟道漏极开路输出时,设置NMOS晶体管,通过与输出端口相连的NMOS晶体管,来支持对输出端口所连线路的通断状态的控制;
方式B:电路中存在原有的N沟道漏极开路输出时,通过将输出端口配置为N沟道漏极开路输出,来支持对输出端口所连线路的通断状态的控制。
详细地,基于上述方式A:
在本发明一个实施例中,请参考图2,该拨动开关状态检测电路还包括:每一个所述输出端口102对应的NMOS晶体管201;
其中,每一个所述NMOS晶体管201的源极均接地;
每一个所述NMOS晶体管201的栅极均连接对应的输出电路;
每一个所述二极管104的负极均通过与一NMOS晶体管201的漏极相连,以连接该NMOS晶体管201对应的输出端口102。
本发明实施例中,对于任一输出端口,可以控制该输出端口输出第一电压,以使该输出端口对应的NMOS晶体管导通;以及可以控制该输出端口输出零电平,以使该输出端口对应的NMOS晶体管不导通。
详细地,输出端口对应的NMOS晶体管导通时,即输出端口所连线路导通,输出端口对应的NMOS晶体管不导通时,即输出端口所连线路断开。
详细地,基于上述方式B:
在本发明一个实施例中,所述输出端口102配置为N沟道漏极开路输出。
本发明实施例中,对于任一输出端口,可以将该N沟道漏极开路输出端口设置为0电平状态,以使该N沟道漏极开路输出端口所连线路导通;以及可以将该N沟道漏极开路输出端口设置为开路状态,以使该N沟道漏极开路输出端口所连线路断开。
基于上述内容,优选地,在本发明一个实施例中,请参考图2,该拨动开关状态检测电路还可以包括:每一个所述检测端口103对应的滤波电路202;其中,每一个所述滤波电路202的第一端分别连接对应的检测端口103,每一个所述滤波电路202的第二端均接地。
详细地,滤波电容的大小可以根据实际情况按需调整。
基于上述内容,如图3所示,本发明一个实施例提供了一种基于上述任一所述拨动开关状态检测电路的拨动开关状态检测方法,可以包括以下步骤:
步骤301:依次针对每一个所述输出端口,均执行:
控制当前输出端口所连线路导通,控制任一其他输出端口所连线路断开。
步骤302:针对每一个目标拨动开关,所述目标拨动开关为连接所述当前输出端口的拨动开关,均执行:
根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态。
详细地,对应于上述方式A:
在本发明一个实施例中,所述拨动开关状态检测电路包括每一个所述输出端口对应的NMOS晶体管;
其中,每一个所述NMOS晶体管的源极均接地;
每一个所述NMOS晶体管的栅极均连接对应的输出电路;
每一个所述二极管的负极均通过与一NMOS晶体管的漏极相连,以连接该NMOS晶体管对应的输出端口;
所述控制当前输出端口所连线路导通,包括:控制当前输出端口输出所述第一电压,以使所述当前输出端口对应的NMOS晶体管导通;
所述控制任一其他输出端口所连线路断开,包括:控制任一其他输出端口均输出零电平,以使任一其他输出端口对应的NMOS晶体管均不导通。
详细地,对应于上述方式B:
在本发明一个实施例中,所述输出端口配置为N沟道漏极开路输出;
所述控制当前输出端口所连线路导通,包括:将当前N沟道漏极开路输出端口设置为0电平状态,以使所述当前N沟道漏极开路输出端口所连线路导通;
所述控制任一其他输出端口所连线路断开,包括:将任一其他N沟道漏极开路输出端口均设置为开路状态,以使任一其他N沟道漏极开路输出端口所连线路均断开。
在本发明一个实施例中,所述根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态,包括:
读取当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态;
读取到的电平状态为高电平时,确定所述当前目标拨动开关的开关状态为断开;
读取到的电平状态为低电平时,确定所述当前目标拨动开关的开关状态为闭合。
如图4所示,本发明一个实施例提供了一种基于上述任一所述拨动开关状态检测电路的拨动开关状态检测装置,可以包括:
控制单元401,用于依次针对每一个所述输出端口,均执行:控制当前输出端口所连线路导通,控制任一其他输出端口所连线路断开;
检测单元402,用于针对每一个目标拨动开关,所述目标拨动开关为连接所述当前输出端口的拨动开关,均执行:根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态。
上述装置内的各单元之间的信息交互、执行过程等内容,由于与本发明方法实施例基于同一构思,具体内容可参见本发明方法实施例中的叙述,此处不再赘述。
综上所述,本发明的实施例具有至少如下有益效果:
1、本发明实施例中,拨动开关状态检测电路包括:第一数量的拨动开关组和输出端口、第二数量的检测端口和上拉电阻、各拨动开关对应的二极管。第二数量为拨动开关组的最大拨动开关数;各上拉电阻一端接第一电压,另一端分别接各检测端口;各拨动开关一端接检测端口,另一端接对应二极管的正极;同一组中不同拨动开关所连接的检测端口不同;各二极管的负极均接一输出端口;两二极管所对应的拨动开关属同一组时,其所连输出端口相同,反之不同;任一输出端口所连线路的通断状态可控制。基于各输出端口所连线路的通断控制,可根据各检测端口处的电平状态来确定各拨动开关的开关状态。可见,本发明实施例能够减少I/O端口的设置数量。
2、本发明实施例中,由于减少了I/O端口的硬件需求,故可达到节省成本的目的。
3、本发明实施例中,通过在电路中设置二极管,可以在检测过程中,防止拨动开关两两之间电压相互串扰的问题。通常情况下,电压间的串扰会影响检测1/O电平的状态,进而影响到拨动开关状态的检测。可见,本发明实施例可保证检测准确度。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个〃····〃”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。
本领域普通技术人员可以理解:实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成,前述的程序可以存储在计算机可读取的存储介质中,该程序在执行时,执行包括上述方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质中。
最后需要说明的是:以上所述仅为本发明的较佳实施例,仅用于说明本发明的技术方案,并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等,均包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种拨动开关状态检测电路,其特征在于,包括:
第一数量的包括有至少一个拨动开关的拨动开关组、所述第一数量的输出端口、第二数量的检测端口、每一个拨动开关对应的二极管和所述第二数量的上拉电阻;
其中,所述第二数量为一拨动开关组中拨动开关的个数,且任一其他拨动开关组中拨动开关的个数均不大于所述第二数量;
每一个所述上拉电阻的第一端均接第一电压,每一个所述上拉电阻的第二端一一对应连接于所述第二数量的检测端口;
每一个所述拨动开关的第一端均连接一所述检测端口,且同一拨动开关组中,不同拨动开关所连接的检测端口不同;
每一个所述二极管的正极均连接对应拨动开关的第二端,每一个所述二极管的负极均连接一所述输出端口;
对于任意两个二极管,该两个二极管所分别对应的拨动开关属于同一拨动开关组时,该两个二极管所连接的输出端口相同,该两个二极管所分别对应的拨动开关不属于同一拨动开关组时,该两个二极管所连接的输出端口不同;
任一所述输出端口所连线路的通断状态可控制。
2.根据权利要求1所述的拨动开关状态检测电路,其特征在于,
还包括:每一个所述输出端口对应的N型金属-氧化物-半导体NMOS晶体管;
其中,每一个所述NMOS晶体管的源极均接地;
每一个所述NMOS晶体管的栅极均连接对应的输出电路;
每一个所述二极管的负极均通过与一NMOS晶体管的漏极相连,以连接该NMOS晶体管对应的输出端口。
3.根据权利要求1所述的拨动开关状态检测电路,其特征在于,
所述输出端口配置为N沟道漏极开路输出。
4.根据权利要求1所述的拨动开关状态检测电路,其特征在于,
还包括:每一个所述检测端口对应的滤波电路;
其中,每一个所述滤波电路的第一端分别连接对应的检测端口,每一个所述滤波电路的第二端均接地。
5.根据权利要求1至4中任一所述的拨动开关状态检测电路,其特征在于,
任一所述拨动开关组中拨动开关的个数均为所述第二数量。
6.一种基于如权利要求1至5中任一所述拨动开关状态检测电路的拨动开关状态检测方法,其特征在于,包括:
依次针对每一个所述输出端口,均执行:
控制当前输出端口所连线路导通,控制任一其他输出端口所连线路断开;
针对每一个目标拨动开关,所述目标拨动开关为连接所述当前输出端口的拨动开关,均执行:
根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态。
7.根据权利要求6所述的拨动开关状态检测方法,其特征在于,
所述拨动开关状态检测电路包括每一个所述输出端口对应的N型金属-氧化物-半导体NMOS晶体管;
其中,每一个所述NMOS晶体管的源极均接地;
每一个所述NMOS晶体管的栅极均连接对应的输出电路;
每一个所述二极管的负极均通过与一NMOS晶体管的漏极相连,以连接该NMOS晶体管对应的输出端口;
所述控制当前输出端口所连线路导通,包括:控制当前输出端口输出所述第一电压,以使所述当前输出端口对应的NMOS晶体管导通;
所述控制任一其他输出端口所连线路断开,包括:控制任一其他输出端口均输出零电平,以使任一其他输出端口对应的NMOS晶体管均不导通。
8.根据权利要求6所述的拨动开关状态检测方法,其特征在于,
所述输出端口配置为N沟道漏极开路输出;
所述控制当前输出端口所连线路导通,包括:将当前N沟道漏极开路输出端口设置为0电平状态,以使所述当前N沟道漏极开路输出端口所连线路导通;
所述控制任一其他输出端口所连线路断开,包括:将任一其他N沟道漏极开路输出端口均设置为开路状态,以使任一其他N沟道漏极开路输出端口所连线路均断开。
9.根据权利要求6至8中任一所述的拨动开关状态检测方法,其特征在于,
所述根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态,包括:
读取当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态;
读取到的电平状态为高电平时,确定所述当前目标拨动开关的开关状态为断开;
读取到的电平状态为低电平时,确定所述当前目标拨动开关的开关状态为闭合。
10.一种基于如权利要求1至5中任一所述拨动开关状态检测电路的拨动开关状态检测装置,其特征在于,包括:
控制单元,用于依次针对每一个所述输出端口,均执行:控制当前输出端口所连线路导通,控制任一其他输出端口所连线路断开;
检测单元,用于针对每一个目标拨动开关,所述目标拨动开关为连接所述当前输出端口的拨动开关,均执行:根据当前目标拨动开关所连检测端口处的电平状态,确定所述当前目标拨动开关的开关状态。
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