CN109904182A - 形成图像传感器的方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底之上形成刻蚀停止层，所述半导体衬底包括用于形成光电二极管的半导体材料；在所述刻蚀停止层之上形成牺牲层，所述牺牲层与所述刻蚀停止层包括不同的材料；在所述牺牲层中，在与将要形成的光学隔离件对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽，所述光学隔离件用于像素单元之间的光学隔离，所述刻蚀处理停止在所述刻蚀停止层；以及在所述凹槽中填充光学隔离材料以形成所述光学隔离件。本公开的方法能够容易地制造高宽比较大的光学隔离件。

Description

形成图像传感器的方法

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种形成图像传感器的方法。

背景技术

在图像传感器中，各像素单元之间可能存在光学串扰，需要形成降低像素单元之间的光学串扰的光学隔离件，例如金属栅格。为了能够有效地降低像素单元之间的光学串扰，光学隔离件需要有足够的高度，例如不低于滤色器的高度。为了不影响像素单元的进光量，光学隔离件的宽度应尽可能地减小。

因此，希望在图像传感器中有高宽比较大的光学隔离件。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新的形成图像传感器的方法。

根据本公开的一个方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底之上形成刻蚀停止层，所述半导体衬底包括用于形成光电二极管的半导体材料；在所述刻蚀停止层之上形成牺牲层，所述牺牲层与所述刻蚀停止层包括不同的材料；在所述牺牲层中，在与将要形成的光学隔离件对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽，所述光学隔离件用于像素单元之间的光学隔离，所述刻蚀处理停止在所述刻蚀停止层；以及在所述凹槽中填充光学隔离材料以形成所述光学隔离件。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1至5是分别示意性地示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图6是示意性地示出了在现有技术的形成图像传感器的方法的一个步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图7是示意性地示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一个步骤处的图像传感器的截面的示意图。

图8至15是示意性地分别示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一些示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

在本公开中，对“一个实施例”、“一些实施例”的提及意味着结合该实施例描述的特征、结构或特性包含在本公开的至少一个实施例、至少一些实施例中。因此，短语“在一个实施例中”、“在一些实施例中”在本公开的各处的出现未必是指同一个或同一些实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以任何合适的组合和/或子组合来组合特征、结构或特性。

为简便起见，本文中描述方位时，例如顶、底、上、下、侧等，均是以附图所示的方向为参考进行描述。例如，当提及半导体衬底的上表面时，是指以附图所示的方向的半导体衬底的上表面，其可以是用于接受光照射的表面也可以不是；类似地，当提及半导体衬底的下表面时，是指以附图所示的方向的半导体衬底的下表面，其可以是用于接受光照射的表面也可以不是。

图1至5是分别示意性地示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

根据本公开一些示例性实施例的形成图像传感器的方法包括参照附图描述的如下步骤。

如图1所示，在半导体衬底10之上形成刻蚀停止层70，并在刻蚀停止层70之上形成牺牲层20。其中，半导体衬底10可以用于形成光电二极管11，牺牲层20与刻蚀停止层70包括不同的材料。

本领域技术人员应理解，半导体衬底10可以由适合于半导体装置的任何半导体材料(诸如Si、SiC、SiGe等)制成。此外，半导体衬底10也可以为绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上锗硅等各种复合衬底的半导体部分。本领域技术人员可以理解，半导体衬底10的材料不受到任何限制，可以根据实际应用进行选择。

牺牲层20和刻蚀停止层70均可以由电介质材料形成。由于电介质材料比较易于被刻蚀，因此由电介质材料形成牺牲层20，更有利于在牺牲层20中形成凹槽21。例如，牺牲层20可以由半导体材料的氧化物(例如氧化硅)形成，刻蚀停止层70可以由半导体材料的氮化物(例如氮化硅)形成。如此，在后续步骤中对牺牲层20进行刻蚀时，由于牺牲层20与刻蚀停止层70包括不同的材料，可以使用对牺牲层20比对刻蚀停止层70的刻蚀选择比较高的刻蚀剂进行刻蚀，从而使得对牺牲层20的刻蚀处理可以停止在刻蚀停止层70。

如图2所示，在牺牲层20中，在与将要形成的光学隔离件31对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽21。其中，光学隔离件31用于像素单元之间的光学隔离。本领域技术人员应理解，用于形成凹槽21的刻蚀处理可以通过先在牺牲层20之上施加一层光致抗蚀剂，然后对光致抗蚀剂进行曝光显影，使得光致抗蚀剂暴露出牺牲层20的需要被刻蚀的区域，即与将要形成的光学隔离件31对应的区域，并且覆盖其他区域；然后可以通过用于牺牲层20的刻蚀气体对暴露出的牺牲层20的部分进行刻蚀，该刻蚀停止在刻蚀停止层70。为了使得刻蚀处理形成的凹槽21的形貌更好，还可以在刻蚀处理中使用硬掩膜。

牺牲层20的与将要形成的光学隔离件31对应的区域位于光电二极管11的周围区域之上，即在与图像传感器的主表面平行的平面图中，与将要形成的光学隔离件31对应的区域、和光电二极管11的周围区域之间存在重叠的部分。在一些实施例中，光学隔离件31形成在每个像素单元的边界，例如形成在相邻的两个像素单元之间，以降低像素单元之间的光学串扰。在这些情况下，牺牲层20的与将要形成的光学隔离件31对应的区域即为每个像素单元的边界区域，即在牺牲层20的对应于每个像素单元的边界的区域形成凹槽21。

如图3所示，在凹槽21中填充光学隔离材料以形成光学隔离件31。光学隔离材料为不透光材料。例如，光学隔离材料可以是不透光且具有反射功能的材料，还可以是不透光且具有吸收光的功能的材料。本公开中所描述的“不透光”是指透光率低于阈值(例如图像传感器的设计所要求的光学隔离件31的透光率的上限)，并不仅限于指透光率为0。由于光学隔离件31不透光，则不会有光(或者只会有极少数的光)能够透过光学隔离件31而到达邻近的像素单元，从而降低了像素单元之间的光的串扰。在一些实施例中，光学隔离材料为金属。金属为不透光材料，能够达到良好的光隔离效果。

在一些实施例中，在凹槽21中填充光学隔离材料是通过沉积处理进行的。本领域技术人员可以理解，在凹槽中填充光学隔离材料还可以通过其他合适的处理过程来进行，例如当光学隔离材料为金属时还可以通过化学电镀处理来进行。在通过沉积处理向凹槽21中填充光学隔离材料的实施例中，沉积处理是对图像传感器的整个表面进行的，因此，光学隔离材料不仅沉积在了凹槽21中，还沉积到了牺牲层20的上表面上。在这种情况下，形成光学隔离件31的步骤还包括去除沉积在牺牲层20之上的光学隔离材料。在一些实施例中，去除沉积在牺牲层20之上的光学隔离材料包括：先对沉积的位于牺牲层20之上的光学隔离材料进行平坦化处理(例如化学机械平坦化(CMP)处理)，然后对经过平坦化处理的光学隔离材料进行刻蚀处理从而去除沉积的位于牺牲层20之上的光学隔离材料，该刻蚀处理停止在牺牲层20，从而仅保留位于凹槽21中的光学隔离材料，以形成光学隔离件31。

如图4所示，在形成光学隔离件31之后，去除牺牲层20；然后在相邻的光学隔离件31之间填充滤色材料，以形成滤色器40，如图5所示。去除牺牲层20可以通过干法刻蚀处理和/或湿法刻蚀处理来进行。可以通过选择性刻蚀处理，例如可以使用对牺牲层20的材料比对光学隔离件31的材料的刻蚀选择比高的刻蚀剂来进行选择性刻蚀处理，来去除牺牲层20，如此可以在去除牺牲层20的步骤中不使用光致抗蚀剂、硬掩模等刻蚀掩蔽材料，也能够在去除牺牲层20的过程中减少对光学隔离件31的影响。

图6和7是分别示意性地示出了在现有技术和根据本公开一些示例性实施例的形成图像传感器的方法的一个步骤处的图像传感器的截面的示意图。

在现有技术中，形成图像传感器的方法包括：在半导体衬底L1’之上形成作为光学隔离材料的金属层L2’，然后通过刻蚀处理来将金属层L2’的不用作光学隔离件的部分去除，保留的部分(位于光电二极管的周围区域之上的部分)即为用于像素单元之间的光学隔离的光学隔离件。由于工艺的限制，金属层L2’不能形成足够的厚度，还需要在金属层L2’之上形成加高层L3’。加高层L3’可以由电介质材料，例如氧化硅，来形成。在形成了加高层L3’之后，将加高层L3’和金属层L2’一起进行刻蚀，从而形成用于像素单元之间的光学隔离的光学隔离件。在上述过程中，对金属层L2’和加高层L3’的刻蚀处理是基于曝光显影后的光致抗蚀剂层L4’来进行的。

本申请的发明人在仔细研究了现有技术后发现，如图6所示，在现有技术的形成图像传感器的方法中，由于需要形成的光学隔离件的高宽比较大，因此曝光显影后的光致抗蚀剂层L4’的高宽比也较大(例如形成如图6所示的光致抗蚀剂的“高墙”)，而高宽比较大的光致抗蚀剂的“高墙”倒塌的风险也较大，造成缺陷的可能性较大。此外，为了降低光学隔离件对像素单元的感光面积的影响，通常希望光学隔离件的横向尺寸(指的是附图所示的视角下沿水平方向的尺寸)在不透光的前提下尽量的小，这就要求曝光显影后的光致抗蚀剂层L4’中的“高墙”的横向尺寸尽量的小，如此在高度不变的情况下，要求曝光显影后的光致抗蚀剂层L4’中的“高墙”的高宽比进一步地增大，从而进一步增大了造成缺陷的可能性。此外，在现有技术中，受到曝光显影的工艺或者设备的限制，曝光显影后的光致抗蚀剂层L4’中的“高墙”的横向尺寸可能达不到要求的那么小，因此还需要在曝光显影后增加光致抗蚀剂修剪(photoresist trim)的步骤，以使得光致抗蚀剂层L4’中的“高墙”的横向尺寸满足要求，这进一步增大了工艺的难度和风险。进一步地，由于光致抗蚀剂自身特性的限制，即使经过了曝光显影和修剪后的光致抗蚀剂层L4’中的“高墙”的横向尺寸也无法做到足够的小，该限制使得现有技术中形成的光学隔离件的横向尺寸无法进一步减小。

如图7所示，在根据本公开一些示例性实施例的形成图像传感器的方法中，在半导体衬底L1之上形成牺牲层L3，然后在牺牲层L3中形成用于形成光学隔离件的凹槽。如此，在本公开的方法中，需要在牺牲层L3中形成凹槽的步骤中使用光致抗蚀剂。因此，若需要形成的光学隔离件的高宽比较大，就需要在牺牲层L3中形成的凹槽的深宽比较大，则需要通过曝光显影处理在光致抗蚀剂层L4中形成的凹槽具有足够的深宽比。如此，可以避免形成高宽比较大的光致抗蚀剂的“高墙”，从而避免了光致抗蚀剂的“高墙”倒塌的风险，降低了造成缺陷的可能性。此外，通过曝光显影处理在光致抗蚀剂层L4中形成的凹槽的横向尺寸可以做到足够小，从而使得形成在牺牲层L3中的凹槽以及后续步骤中形成的光学隔离件的尺寸都足够小，从而能够尽量减小光学隔离件对像素单元的感光面积的影响，即增大像素单元的感光面积。

此外，在根据本公开一些示例性实施例的形成图像传感器的方法中，在半导体衬底L1和牺牲层L3之间形成有刻蚀停止层L5，这使得在牺牲层L3中形成凹槽的过程中，可以容易地控制凹槽底部的位置，使得在刻蚀处理中形成的所有凹槽的底部均位于刻蚀停止层L5。

图8至15是分别示意性地示出了在根据本公开一些示例性实施例来形成图像传感器的一个方法示例的一些步骤处的图像传感器的截面的示意图。

根据本公开一些示例性实施例的形成图像传感器的方法包括参照附图描述的如下步骤。

如图8所示，在半导体衬底10之上形成间隔层80，在间隔层80之上形成刻蚀停止层70，并在刻蚀停止层70之上形成牺牲层20。其中，半导体衬底10可以用于形成光电二极管11，牺牲层20与刻蚀停止层70由不同的材料形成，间隔层80与刻蚀停止层70也由不同的材料形成，但是牺牲层20与间隔层80之间可以是由相同的材料形成也可以是由不同的材料形成。在一些实施例中，牺牲层20、刻蚀停止层70和间隔层80均可以由电介质材料形成，例如，牺牲层20和间隔层80可以由半导体材料的氧化物(例如氧化硅)形成，刻蚀停止层70可以由半导体材料的氮化物(例如氮化硅)形成。在不希望将要形成的光学隔离件31与位于牺牲层20之下的半导体衬底10(包括半导体材料层、高介电常数材料层、抗反射层等)直接接触时，可以通过间隔层80来将光学隔离件31和半导体衬底10间隔开。

如图9所示，在牺牲层20中，在与将要形成的光学隔离件31对应的区域通过第一刻蚀处理形成第一凹槽22。该第一刻蚀处理停止在刻蚀停止层70。第一凹槽22形成在光电二极管11的周围区域之上，例如各像素单元的边界区域，以用于在这些区域形成光学隔离件31。由于牺牲层20和刻蚀停止层70由不同的材料形成，所以通过第一刻蚀处理对牺牲层20进行刻蚀以形成第一凹槽22时，可以使用对牺牲层20比对刻蚀停止层70的刻蚀选择比较高的刻蚀剂进行刻蚀，从而使得对牺牲层20的刻蚀处理可以停止在刻蚀停止层70。如此可以容易地控制第一刻蚀处理的停止，控制第一凹槽22的底部的深度。

在牺牲层20中形成第一凹槽22的第一刻蚀处理之前会使用光刻处理，与现有技术相比，该光刻处理不会形成高宽比较大的光致抗蚀剂的“高墙”，从而避免了光致抗蚀剂的“高墙”倒塌的风险，降低了造成缺陷的可能性。

如图10所示，在牺牲层20中，继续对第一凹槽22的底部进行第二刻蚀处理，以形成第二凹槽23。该第二刻蚀处理停止在间隔层80。由于间隔层80与刻蚀停止层70由不同的材料形成，所以通过第二刻蚀处理对第一凹槽22的底部，即刻蚀停止层70的部分，进行刻蚀以形成第二凹槽23时，可以使用对刻蚀停止层70比对间隔层80的刻蚀选择比较高的刻蚀剂进行刻蚀，从而使得对刻蚀停止层70的刻蚀处理可以停止在间隔层80。如此可以容易地控制第二刻蚀处理的停止，控制第二凹槽23的底部的深度。

如图11所示，通过保形沉积处理(例如原子层沉积ALD处理等)，在形成了第二凹槽23的牺牲层20上形成用于黏合和/或阻挡的粘附层90，粘附层90覆盖第二凹槽23的侧壁和底壁，可以增加光学隔离材料(例如金属)与牺牲层20之间的结合力，还可以阻挡填充光学隔离材料时对半导体衬底10等结构造成损伤。当将要填充的光学隔离材料30包括金属钨时，粘附层90可以由钛、和/或氮化钛等形成，因为包括钛的粘附层90可以增加与金属钨之间的结合力。

如图12和13所示，在第二凹槽23中填充光学隔离材料30，以形成光学隔离件31。可以通过沉积处理来在第二凹槽23中填充光学隔离材料30。沉积处理是对图像传感器的整个表面进行的，因此光学隔离材料不仅沉积在了第二凹槽23中，还沉积到了牺牲层20的上表面上。为了便于去除位于牺牲层20之上的光学隔离材料30，可以先对沉积的位于牺牲层20之上的光学隔离材料30进行平坦化处理(例如化学机械平坦化(CMP)处理)，经过平坦化处理之后的图像传感器如图12所示。然后对经过平坦化处理之后的图像传感器的上表面进行操作，以去除位于牺牲层20之上的光学隔离材料30的部分以及粘附层90的部分，从而形成位于第二凹槽23中的光学隔离件31、以及位于光学隔离件31的侧壁的阻挡件91，如图13所示。

在一些实施例中，光学隔离材料可以为金属。金属通常具有较好的反射性和较低的透光率。但是金属可能会对其他部件，例如半导体衬底10(包括半导体材料层、高介电常数材料层、抗反射层等)，产生金属污染，而间隔层80的存在可以避免光学隔离件31对半导体衬底10的金属污染。此外，位于第二凹槽23底部的阻挡件91的一部分，也能避免光学隔离件31对半导体衬底10的金属污染。

在一些实施例中，光学隔离材料30为金属钨。由于沉积钨时会用到氟化物，沉积处理的过程产生的氟若接触到半导体衬底10(包括半导体材料层、高介电常数材料层、抗反射层等)或间隔层80，则造成对这些结构的损伤。因此，在沉积钨之前，先形成粘附层90，除了能够增加光学隔离材料30与牺牲层20之间的结合力，还能够阻挡氟对半导体衬底10或间隔层80造成损伤。

如图14所示，去除牺牲层20和刻蚀停止层70，例如可以通过干法刻蚀处理和/或湿法刻蚀处理来去除。同样可以通过两次刻蚀处理来去除牺牲层20和刻蚀停止层70，第一次刻蚀处理先去除牺牲层20，然后更换刻蚀剂之后再去除刻蚀停止层70。也可以使用对牺牲层20的材料和刻蚀停止层70的材料均均有刻蚀能力的刻蚀剂，通过一次刻蚀处理去除牺牲层20和刻蚀停止层70。

如图15所示，在相邻的光学隔离件31之间、并且在间隔层80之上形成滤色器40。可以通过在相邻的光学隔离件31之间填充与所在的像素单元相匹配的滤色材料来形成各像素单元的滤色器40。当光学隔离材料为金属时，光学隔离件31可能会对其他部件，例如形成在相邻的光学隔离件31之间的滤色器40，产生金属污染。在以上参照图11所描述的步骤中形成的覆盖第二凹槽23的侧壁和底壁的粘附层90、以及在以上参照图13所描述的步骤中形成的位于光学隔离件31的侧壁的阻挡件91，能够位于滤色器40和金属形成的光学隔离件31之间，从而避免光学隔离件31对滤色器的金属污染。

虽然本公开的附图中仅以截面图的形式示意性地示出了像素区的图像传感器的结构，本领域技术人员基于本公开记载的内容能够得到本公开所涉及的图像传感器整体的结构和形成方法。

在说明书及权利要求中的词语“A或B”包括“A和B”以及“A或B”，而不是排他地仅包括“A”或者仅包括“B”，除非另有特别说明。

在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其他取向上操作。

如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。

如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪音以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。

上述描述可以指示被“连接”或“耦合”在一起的元件或节点或特征。如在此所使用的，除非另外明确说明，“连接”意指一个元件/节点/特征与另一种元件/节点/特征在电学上、机械上、逻辑上或以其它方式直接地连接(或者直接通信)。类似地，除非另外明确说明，“耦合”意指一个元件/节点/特征可以与另一元件/节点/特征以直接的或间接的方式在机械上、电学上、逻辑上或以其它方式连结以允许相互作用，即使这两个特征可能并没有直接连接也是如此。也就是说，“耦合”意图包含元件或其它特征的直接连结和间接连结，包括利用一个或多个中间元件的连接。

另外，仅仅为了参考的目的，还可以在下面描述中使用某种术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。

还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。

在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。

本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其他各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。

虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种形成图像传感器的方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底之上形成刻蚀停止层，所述半导体衬底被配置为形成光电二极管；

在所述刻蚀停止层之上形成牺牲层，所述牺牲层与所述刻蚀停止层包括不同的材料；

在所述牺牲层中，在与将要形成的光学隔离件对应的区域通过刻蚀处理形成凹槽，所述光学隔离件用于像素单元之间的光学隔离，所述刻蚀处理停止在所述刻蚀停止层；以及

在所述凹槽中填充光学隔离材料以形成所述光学隔离件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述光学隔离件之后，去除整个所述牺牲层；以及

在相邻的所述光学隔离件之间形成滤色器。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

在除所述牺牲层之后并且在形成所述滤色器之前，去除整个所述刻蚀停止层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述刻蚀停止层之前，在半导体衬底之上形成间隔层，所述间隔层与所述刻蚀停止层包括不同的材料，其中，

在半导体衬底之上形成刻蚀停止层包括：在所述间隔层之上形成所述刻蚀停止层；

通过所述刻蚀处理形成所述凹槽包括：通过第一刻蚀处理和第二刻蚀处理形成所述凹槽，其中所述第一刻蚀处理针对所述牺牲层在所述区域内的部分进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层，所述第二刻蚀处理针对所述刻蚀停止层在所述区域内的部分进行刻蚀并停止在所述间隔层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层包括氧化物，所述刻蚀停止层包括氮化物。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述间隔层包括氧化物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光学隔离材料包括金属。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属为钨。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述凹槽中填充光学隔离材料之前，在所述凹槽中形成粘附层，所述粘附层覆盖所述凹槽的侧壁和底壁，。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述粘附层包括氮化钛。