CN109903690A - 传感显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种传感显示设备包括像素阵列基板、传感组件基板以及显示介质层。传感组件基板面对像素阵列基板，且包括第一基板、传感组件、第一～第三信号线以及遮蔽层。传感组件包括电性连接至第一以及第二信号线的第一开关组件、电性连接至第三信号线的导电层、电性连接至第一开关组件的电极层以及位于电极层与导电层之间的光传感层。遮蔽层位于第一～第三信号线与像素阵列基板之间。传感显示设备具有多个透光区以及环绕透光区的遮光区。传感组件以及第一～第三信号线位于遮光区中。显示介质层位于像素阵列基板与传感组件基板之间。

Description

传感显示设备
技术领域
本发明是有关于一种传感显示设备，且特别是有关于一种具有遮蔽层的传感显示设备。
背景技术
目前，为了提升产品使用上的便利性，许多厂商会于产品中装设传感组件。举例来说，现有的手机内时常附载有指纹辨识的传感组件。在现有的指纹辨识技术中，传感组件侦测手指指纹所反射的光线，指纹的高低起伏会有不同强度的反射光，因此不同的指纹样貌会被传感装置所分辨出来。
然而，于显示设备中装设传感组件基板时，传感组件基板所产生的电场容易影响显示设备的显示质量。举例来说，液晶显示设备中的液晶可能会因为传感组件基板所产生的电场而转动，进而导致漏光的情形产生。因此，目前亟需一种能解决前述问题的方法。
发明内容
本发明提供一种传感显示设备，可以改善传感组件基板所产生的电场影响显示质量的问题。
本发明的至少一实施例提供一种传感显示设备包括像素阵列基板、传感组件基板以及显示介质层。传感组件基板面对像素阵列基板，且包括第一基板、传感组件、第一信号线、第二信号线、第三信号线以及遮蔽层。传感组件位于第一基板上。第一信号线、第二信号线以及第三信号线位于第一基板上。传感组件包括第一开关组件、导电层、电极层以及光传感层。第一开关组件电性连接至第一信号线以及第二信号线。导电层电性连接至第三信号线。电极层电性连接至第一开关组件。光传感层位于电极层与导电层之间。遮蔽层位于第一信号线与像素阵列基板之间、第二信号线与像素阵列基板之间以及第三信号线与像素阵列基板之间。传感显示设备具有多个透光区以及环绕透光区的遮光区。传感组件、第一信号线、第二信号线以及第三信号线位于遮光区中。显示介质层位于像素阵列基板与传感组件基板之间。
本发明的至少一实施例提供一种传感显示设备包括像素阵列基板、传感组件基板以及显示介质层。传感组件基板面对像素阵列基板。显示介质层位于像素阵列基板与传感组件基板之间。传感组件基板包括第一基板、传感组件、第一信号线、第二信号线、第三信号线以及遮蔽层。传感组件位于第一基板上。第一信号线、第二信号线以及第三信号线位于第一基板上。传感组件包括第一开关组件、导电层、电极层以及光传感层。第一开关组件电性连接至第一信号线以及第二信号线。导电层电性连接至第三信号线。电极层电性连接至第一开关组件。光传感层位于电极层与导电层之间。遮蔽层位于第一信号线与像素阵列基板之间、第二信号线与像素阵列基板之间以及第三信号线与像素阵列基板之间。
基于上述，遮蔽层的设置可以改善传感组件基板所产生的电场影响显示质量的问题。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种显示设备的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。
图3A是沿着图2的剖面线AA’的剖面示意图。
图3B是沿着图2的剖面线BB’的剖面示意图。
图3C是沿着图2的剖面线CC’的剖面示意图。
图4A是依照本发明的一实施例的一种显示设备的像素阵列基板的俯视示意图。
图4B是依照本发明的一实施例的第二信号线以及数据线的侧视示意图。
图5是沿着图4A的剖面线DD’的剖面示意图。
图6是依照本发明的一实施例的一种显示设备的像素阵列基板的剖面示意图。
图7是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。
图8是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。
图9是沿着图8的剖面线EE’的剖面示意图。
图10A是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。
图10B是图10A传感组件基板的电路示意图。
图11A是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。
图11B是沿着图11A的剖面线FF’的剖面示意图。
其中，附图标记：
1：传感显示设备
10、10a、10b、10c、10d：传感组件基板
20、20a：像素阵列基板
AR：薄膜晶体管阵列
B1、B1’、I1、I1’、I2、I2’、I3、I3’、I4、I5：绝缘层
B2：钝化层
BL：背光模块
C1：导电层
Cla：第一侧面
C1b：第二侧面
C1c：第三侧面
C1t：顶面
C2：电极层
CE：共享电极
CH1、CH2、CHla：半导体沟道层
CL：共享电极线
CR：电路区
D：传感组件
D1、D2、D1a：漏极
DL：数据线
F：手指
G1、G2、G1a：栅极
H1、H2、H1’、H2’、H3、H4、O1、O2、O3：开口
L1：第一信号线
L2：第二信号线
L3：第三信号线
L4：第四信号线
L5：第五信号线
LC：显示介质层
LR：光线
M1、M2、M1a：遮光层
OR：透光区
PE：像素电极
R：光传感层
S1、S2、S1a：源极
SB1：第一基板
SB2：第二基板
SL：扫描线
SM：遮蔽层
T1、T1a：开关组件
T2：薄膜晶体管
W1、W2：宽度
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1是依照本发明的一实施例的一种显示设备的剖面示意图。为了方便说明，图1省略示出了传感组件基板10以及像素阵列基板20中的部分构件。图2是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板10的仰视示意图。为了方便说明，图2省略示出了传感组件基板10中的部分构件。图3A是沿着图2的剖面线AA’的剖面示意图。图3B是沿着图2的剖面线BB’的剖面示意图。图3C是沿着图2的剖面线CC’的剖面示意图。
传感显示设备1具有透光区OR以及电路区CR，且包括传感组件基板10、像素阵列基板20以及显示介质层LC。在一些实施例中，电路区CR重叠于黑矩阵(未绘出)，且电路区CR也可以称为是遮光区。在一些实施例中，黑矩阵位于传感组件基板10中。在其他实施例中，黑矩阵位于像素阵列基板20中。传感组件基板10面对像素阵列基板20。显示介质层LC位于像素阵列基板20与传感组件基板10之间。在一些实施例中，显示介质层LC包括负型液晶，但本发明不以此为限。
请同时参考图1、图2、图3A、图3B以及图3C，传感组件基板10包括第一基板SB1、传感组件D、第一信号线L1、第二信号线L2、第三信号线L3以及遮蔽层SM。
第一基板SB1的材质可为玻璃、石英或有机聚合物等等。传感组件D位于第一基板SB1上。传感组件D、第一信号线L1、第二信号线L2以及第三信号线L3位于电路区CR中。第一信号线L1、第二信号线L2以及第三信号线L3位于第一基板SB1上，且电性连接传感组件D。
传感组件D包括开关组件T1、导电层C1、光传感层R以及电极层C2。开关组件T1电性连接至第一信号线L1以及第二信号线L2。遮光层M1位于第一基板SB1与开关组件T1之间。遮光层M1的材质例如包括金属、树脂、石墨或其他可适用的材料。遮光层M1例如可以改善开关组件T1产生光漏电的问题。绝缘层I1覆盖遮光层M1以及第一基板SB1，且遮光层M1位于绝缘层I1以及第一基板SB1之间。
在本实施例中，开关组件T1包括栅极G1、源极S1、漏极D1以及半导体沟道层CH1。栅极G1与半导体沟道层CH1重叠，且栅极G1与半导体沟道层CH1之间夹有绝缘层I2。栅极G1与第一信号线L1电性连接。在本实施例中，栅极G1、第一信号线L1与第三信号线L3属于同一导电膜层，但本发明不以此为限。绝缘层I3位于绝缘层I2上且覆盖栅极G1。源极S1以及漏极D1位于绝缘层I3的上方，且源极S1与第二信号线L2电性连接。在本实施例中，源极S1、漏极D1以及第二信号线L2属于同一导电膜层，但本发明不以此为限。源极S1以及漏极D1分别透过开口H1、H2而电性连接至半导体沟道层CH1，开口H1、H2例如位于绝缘层I3以及绝缘层I2中。上述的开关组件T1是以顶部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。根据其他实施例，上述的开关组件T1也可是以底部栅极型薄膜晶体管或其他适合的薄膜晶体管。
绝缘层B1覆盖开关组件T1。导电层C1位于绝缘层B1上。导电层C1电性连接至第三信号线L3。举例来说，导电层C1透过开口O1而电性连接至第三信号线L3，开口O1例如位于绝缘层B1以及绝缘层I3中。导电层C1的材质较佳为透明导电材料，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物或其他合适的氧化物或者是上述至少二者的堆栈层。
光传感层R覆盖导电层C1的顶面C1t、导电层C1的第一侧面C1a以及导电层的第二侧面C1b。在本实施例中，导电层C1更具第三侧面C1c，第三侧面C1c连接第一侧面C1a和第二侧面C1b，且光传感层R覆盖导电层C1的第三侧面C1c。光传感层R的材质例如是富硅氧化物(Silicon-rich oxide，SRO)或其他合适的材料。在本实施例中，光传感层R垂直投影于基板SB1上的形状为长方形，且光传感层R的长边平行于第一信号线L1以及第三信号线L3，但本发明不以此为限。
电极层C2覆盖光传感层R。光传感层R位于电极层C2与导电层C1之间。光传感层R位于导电层C1的顶面C1t与电极层C2之间。电极层C2相较于导电层C1更远离第一基板SB1。电极层C2相较于导电层C1更靠近像素阵列基板20。
电极层C2电性连接开关组件T1。举例来说，电极层C2透过开口O2而电性连接至开关组件T1，开口O2例如位于绝缘层B1中。电极层C2的材质例如是钼、铝、钛、铜、金、银或其他导电材料或上述两种以上材料的堆栈。在一些实施例中，电极层C2可作为反射层使用，藉此增加光传感层R所能接收到的光线。
在一些实施例中，传感组件D可以包括两个以上的开关组件。举例来说，传感组件D包括两个电性连接在一起的开关组件还有与该些开关组件电性连接的电极层C2、光传感层R以及导电层C1。
虽然在本实施例中，第三信号线L3与导电层C1电性连接，但本发明不以此为限。在其他实施例中，与第一信号线L1具有相同延伸方向的其他信号线也可以作为与导电层C1电性连接的信号线使用。在一些实施例中，传感组件D电性连接至三条以上的信号线，且传感组件D与信号线的连接方式并不限制于图2所示的方式。
在本实施例中，第三信号线L3以及第一信号线L1属于同一导电膜层，传感组件D位于第三信号线L3以及第一信号线L1之间，藉此可以提升透光区OR的面积。
遮蔽层SM位于第一信号线L1与像素阵列基板20之间、第二信号线L2与像素阵列基板20之间以及第三信号线L3与像素阵列基板20之间。在一些实施例中，遮蔽层SM与导电层C1为同一导电膜层。遮蔽层SM与导电层C1电性连接至不同的信号源。
藉由遮蔽层SM来改善传感组件基板10所产生的电场影响显示介质层LC中液晶分子的问题，能够提升显示设备1的显示质量。
请参考图3B与图3C，在本实施例中，遮蔽层SM自电路区CR延伸进透光区OR的宽度W1大于等于1.5微米。举例来说，遮蔽层SM重叠于第一信号线L1、第二信号线L2以及第三信号线L3，且自第一信号线L1、第二信号线L2以及第三信号线L3上方往透光区OR延伸。遮蔽层SM重叠于第一信号线L1以及第三信号线L3的宽度W2大于等于1.5微米，且遮蔽层SM重叠于透光区OR的宽度W1大于等于1.5微米。在本实施例中，部分第一信号线L1以及部分第三信号线L3不与遮蔽层SM重叠，于一实施例中，不重叠的部分设置于较靠近导电层C1的一侧。第一信号线L1不重叠遮蔽层SM的部分较第一信号线L1重叠遮蔽层SM的部分靠近导电层C1，第三信号线L3不重叠遮蔽层SM的部分较第三信号线L3重叠遮蔽层SM的部分靠近导电层C1。也可以说第一信号线L1以及第三信号线L3在第一基板SB1上的垂直投影偏移于遮蔽层SM在第一基板SB1上的垂直投影，因此，遮蔽层SM与导电层C1之间能有更充足的间距。在本实施例中，大于50％的透光区OR面积不与遮蔽层SM重叠。在本实施例中，于剖面线BB’处，遮蔽层SM完全重叠于第二信号线L2，且和第二信号线L2重叠的遮蔽层SM重叠于透光区OR的宽度W1大于等于1.5微米。
在本实施例中，传感组件基板10更包括钝化层B2。钝化层B2覆盖导电层C1、电极层C2、遮蔽层SM以及绝缘层B1。钝化层B2例如位于电极层C2与显示介质层LC(示出于图1)之间。
图4A是依照本发明的一实施例的一种显示设备的像素阵列基板的俯视示意图。为了方便说明，图4A省略示出了像素阵列基板20的部分构件。图5是沿着图4A的剖面线DD’的剖面示意图。
请参考图1与图4A和图5，像素阵列基板20包括第二基板SB2、薄膜晶体管阵列AR、多个像素电极PE以及共享电极CE。
薄膜晶体管阵列AR、像素电极PE以及共享电极CE位于第二基板SB2上。薄膜晶体管阵列AR包括多个开关组件T2、多条扫描线SL与多条数据线DL。
开关组件T2例如位于绝缘层I1’上。在一些实施例中，开关组件T2与第二基板SB2之间夹有遮光层M2。开关组件T2包括栅极G2、源极S2、漏极D2以及半导体沟道层CH2。半导体沟道层CH2位于绝缘层I1’上。栅极G2与半导体沟道层CH2重叠，且栅极G2与半导体沟道层CH2之间夹有绝缘层I2’。栅极G2与扫描线SL电性连接。在本实施例中，栅极G2与扫描线SL属于同一导电膜层，但本发明不以此为限。绝缘层I3’位于绝缘层I2’上并覆盖栅极G2与扫描线SL。源极S2以及漏极D2位于绝缘层I3’的上方，且源极S2与数据线DL电性连接。在本实施例中，源极S2以及数据线DL属于同一导电膜层，但本发明不以此为限。源极S2以及漏极D2透过开口H1’、H2’而电性连接至半导体沟道层CH2，开口H1’、H2’例如位于绝缘层I3’以及绝缘层I2’中。绝缘层B1’位于源极S2以及漏极D2的上方。上述的薄膜晶体管T2是以顶部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。根据其他实施例，上述的薄膜晶体管T2也可是以底部栅极型薄膜晶体管。
请参考图4B，在本实施例中，第二信号线L2于垂直第一基板SB1的方向(也可以说是垂直第二基板SB2的方向)上重叠于数据线DL，藉此可以提升显示设备1的开口率。
在本实施例中，像素阵列基板20还包括共享电极线CL。共享电极线CL位于绝缘层B1’上。在本实施例中，共享电极线CL与数据线DL的延伸方向相同。在一些实施例中，共享电极线CL于垂直第一基板SB1的方向(也可以说是垂直第二基板SB2的方向)上重叠于数据线DL，藉此可以提升显示设备1的开口率。
绝缘层I4覆盖共享电极线CL。共享电极CE位于绝缘层I4上，且透过开口H3电性连接至共享电极线CL，开口H3位于绝缘层I4中。在一些实施例中，共享电极CE包括触控电极。在一些实施例中，共享电极CE与第一基板SB1上的遮蔽层SM电性连接至相同信号源。也可以说共享电极CE与遮蔽层SM上施有相同的信号，藉此进一步改善传感组件基板20所产生的电场影响显示质量的问题。
绝缘层I5位于共享电极CE上。像素电极PE位于绝缘层I5上，像素电极PE重叠于共享电极CE，像素电极PE与共享电极CE分离。像素电极PE透过开口O3而电性连接至薄膜晶体管T2的漏极D2。在本实施例中，开口O3穿过绝缘层B1’、绝缘层I4、绝缘层I5以及共享电极CE，但本发明不以此为限。在一些实施例中，像素阵列基板20可以采用边缘场切换(FringeField Switching，FFS)技术或横向电场(In-Plane-Switching，IPS)技术驱动液晶。
接着请参考图1，显示设备1还可以包括背光模块BL。背光模块BL设置于像素阵列基板20下方，也可以说像素阵列基板20位于背光模块BL与传感组件基板10之间。当手指F靠近传感组件基板10时，背光模块BL所发出的光线LR会被手指F反射至光传感层R。
图6是依照本发明的一实施例的一种显示设备的像素阵列基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图5的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图6，在本实施例中，像素阵列基板20a的共享电极线CL位于绝缘层I3’上。在本实施例中，共享电极线CL与数据线DL属于同一导电膜层，共享电极线CL与数据线DL的延伸方向相同。
绝缘层B1’覆盖共享电极线CL、数据线DL、源极S2以及漏极D2。共享电极CE位于绝缘层B1’上，且透过开口H3电性连接至共享电极线CL，开口H3位于绝缘层B1’中。
藉由使用同一道制程形成共享电极线CL、数据线DL、源极S2以及漏极D2可以节省制造过程中所需要的光罩数目。
图7是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图2～图3C的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图7，在本实施例中，遮蔽层SM覆盖整个透光区OR。藉由遮蔽层SM来改善传感组件基板10a所产生的电场影响显示介质层LC中液晶分子的问题，能够提升显示设备1的显示质量。
在本实施例中，传感组件基板10a所对应的像素阵列基板中的共享电极CE并非当作触控电极使用，因此，不需要考虑遮蔽层SM覆盖整个透光区OR会影响触控功能的问题。
图8是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。图9是沿着图8的剖面线EE’的剖面示意图。在此必须说明的是，图8和图9的实施例沿用图2～图3C的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图8和图9，在本实施例中，光传感层R位于导电层C1的顶面C1t与电极层C2之间、导电层C1的第一侧面C1a与电极层C2之间以及导电层C1的第二侧面C1b与电极层C2之间。在本实施例中，光传感层R更位于导电层C1的第三侧面C1c与电极层C2之间。电极层C2相较于导电层C1更远离第一基板SB1。电极层C2相较于导电层C1更靠近像素阵列基板20。
本实施例可以增加光传感层R的侧面感光面积，藉此提升传感组件基板10b传感物体时光电流与暗电流的比，并改善传感组件基板10b敏锐度不足的问题。
图10A是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。图10B是图10A传感组件基板的电路示意图。
请参考图10A与图10B，传感组件基板10c的传感组件D包括开关组件T1、开关组件T1a、导电层C1、光传感层R以及电极层C2。
开关组件T1a包括栅极G1a、源极S1a、漏极D1a以及半导体沟道层CH1a。在本实施例中，开关组件T1a与第一基板SB1之间还包括遮光层M1a，但本发明不以此为限。
栅极G1a与半导体沟道层CH1a重叠。栅极G1a与开关组件T1以及电极层C2电性连接。举例来说，开关组件T1的漏极D1透过开口H4而电性连接至栅极G1a，且电极层C2透过漏极D1而电性连接至栅极G1a。在本实施例中，栅极G1a、第一信号线L1与第三信号线L3属于同一导电膜层，但本发明不以此为限。源极S1a与第四信号线L4电性连接。在一些实施例中，第二信号线L2电性连接至信号VSS，而第四信号线L4电性连接至信号VDD。漏极D1a与第五信号线L5电性连接。在本实施例中，源极S1a、漏极D1a、第二信号线L2、第四信号线L4以及第五信号线L5属于同一导电膜层，但本发明不以此为限。源极S1a以及漏极D1a透过开口H1a、H2a而电性连接至半导体沟道层CH1a。藉此设计使信号更佳。上述的开关组件T1a是以顶部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此。根据其他实施例，上述的开关组件T1a也可是以底部栅极型薄膜晶体管或其他适合的薄膜晶体管。
在本实施例中，有部分遮蔽层SM往开关组件T1a的位置延伸，进一步改善传感组件基板10c所产生的电场影响显示介质层LC中液晶分子的问题。
图11A是依照本发明的一实施例的一种显示设备的传感组件基板的仰视示意图。图11B是沿着图11A的剖面线FF’的剖面示意图。在此必须说明的是，图11A和图11B的实施例沿用图2～图3C的实施例的组件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图11A和图11B，在本实施例中，传感组件基板10d的导电层C1相较于电极层C2更靠近像素阵列基板。
在本实施例中，电极层C2电性连接开关组件T1。电极层C2的材质较佳为透明导电材料，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟镓锌氧化物或其他合适的氧化物或者是上述至少二者的堆栈层。在本实施例中，遮蔽层SM与电极层C2为同一导电膜层。
导电层C1的材质例如是钼、铝、钛、铜、金、银或其他导电材料或上述两种以上材料的堆栈。在一些实施例中，导电层C1可作为反射层使用，藉此增加光传感层R所能接收到的光线。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (13)

1.一种传感显示设备，其特征在于，包括：
一像素阵列基板；以及
一传感组件基板，面对该像素阵列基板，且包括：
一第一基板；
一传感组件，位于该第一基板上；
一第一信号线、一第二信号线以及一第三信号线，位于该第一基板上，其中该传感组件包括：
一第一开关组件，电性连接至该第一信号线以及该第二信号线；
一导电层，电性连接至该第三信号线；
一电极层，电性连接至该第一开关组件；以及
一光传感层，位于该电极层与该导电层之间；
一遮蔽层，位于该第一信号线与该像素阵列基板之间、该第二信号线与该像素阵列基板之间以及该第三信号线与该像素阵列基板之间，其中该传感显示设备具有多个透光区以及环绕该些透光区的一遮光区，该传感组件、该第一信号线、该第二信号线以及该第三信号线位于该遮光区中；以及
一显示介质层，位于该像素阵列基板与该传感组件基板之间。
2.如权利要求1所述的传感显示设备，其特征在于，其中该显示介质层包括负型液晶。
3.如权利要求1所述的传感显示设备，其特征在于，其中该像素阵列基板包括：
一第二基板；
一薄膜晶体管阵列，位于该第二基板上；
多个像素电极，电性连接该薄膜晶体管阵列；以及
一共享电极，位于该第二基板上。
4.如权利要求3所述的传感显示设备，其特征在于，其中该共享电极包括触控电极。
5.如权利要求3所述的传感显示设备，其特征在于，其中该共享电极与该遮蔽层电性连接至相同信号源。
6.如权利要求1所述的传感显示设备，其特征在于，其中该遮蔽层自该遮光区延伸进该透光区的宽度大于等于1.5微米。
7.如权利要求1所述的传感显示设备，其特征在于，其中该遮蔽层覆盖整个该透光区。
8.如权利要求1所述的传感显示设备，其特征在于，其中：
该光传感层覆盖该导电层的一顶面、该导电层的一第一侧面以及该导电层的一第二侧面，且该电极层相较于该导电层更靠近该像素阵列基板。
9.如权利要求8所述的传感显示设备，其特征在于，其中该遮蔽层与该导电层为同一导电膜层。
10.如权利要求8所述的传感显示设备，其特征在于，其中该光传感层位于该导电层的该顶面与该电极层之间、该导电层的该第一侧面与该电极层之间以及该导电层的该第二侧面与该电极层之间。
11.如权利要求8所述的传感显示设备，其特征在于，其中该传感组件更包括一第二开关组件，该第二开关组件的一栅极电性连接至该第一开关组件的一漏极以及该电极层。
12.如权利要求1所述的传感显示设备，其特征在于，其中该传感组件位于该第三信号线以及该第一信号线之间，部分该第一信号线以及部分该第三信号线不与该遮蔽层重叠，且该第一信号线不重叠该遮蔽层的部分较该第一信号线重叠该遮蔽层的部分靠近该导电层，该第三信号线不重叠该遮蔽层的部分较该第三信号线重叠该遮蔽层的部分靠近该导电层。
13.一种传感显示设备，其特征在于，包括：
一像素阵列基板；
一传感组件基板，面对该像素阵列基板；
一显示介质层，位于该像素阵列基板与该传感组件基板之间，且该传感组件基板包括：
一第一基板；
一传感组件，位于该第一基板上；
一第一信号线、一第二信号线以及一第三信号线，位于该第一基板上，其中该传感组件包括：
一第一开关组件，电性连接至该第一信号线以及该第二信号线；
一导电层，电性连接至该第三信号线；
一电极层，电性连接至该第一开关组件；以及
一光传感层，位于该电极层与该导电层之间；以及
一遮蔽层，位于该第一信号线与该像素阵列基板之间、该第二信号线与该像素阵列基板之间以及该第三信号线与该像素阵列基板之间。
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