CN109901337A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
一种阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109901337A CN109901337A CN201910295726.5A CN201910295726A CN109901337A CN 109901337 A CN109901337 A CN 109901337A CN 201910295726 A CN201910295726 A CN 201910295726A CN 109901337 A CN109901337 A CN 109901337A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- public electrode
- electrode wire
- substrate
- array substrate
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 187
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 20
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域。本发明实施例的阵列基板中位于第一连通区域的第一公共电极线通过第二公共电极线与驱动绑定区域的驱动器件连接,栅极驱动电路区域内的第三公共电极线的一端与驱动器件连接,另一端靠近第一连通区域且与第一公共电极线绝缘,因为栅极驱动电路区域中的第三公共电极线与第一连通区域的第一公共电极线绝缘,即切断了阵列基板中第一连通区域进入栅极驱动电路区域的公共电极走线,使得静电不会大量流向栅极驱动电路区域,避免了ESD击穿栅极驱动电路区域的跳孔的现象发生,提升阵列基板的抗ESD特性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
目前,液晶显示面板在市场上的应用越来越广泛,例如薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)、有机发光二极管显示器(OLED,Organic Light-Emitting Diode)等已被广泛应用于电视、笔记本电脑、移动电话等终端设备。且,随着窄边框终端的兴起,以及扭曲向列(TN,Twisted Nematic)的TFT-LCD的价格低廉等优势,使得窄边框TN型TFT-LCD被得到较多的发展。
相关技术中,窄边框TN型TFT-LCD中,在显示面板中,靠近源极驱动器的一侧为面板的DP(数据绑定侧,DataPad)侧,与DP侧相对的一侧为DPO侧,DPO侧容易产生较强的静电,导致驱动电路的信号无法控制有效显示区域(Active Area,像素阵列所在的像素区),进而导致显示出错。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,能够在一定程度上解决现有的显示装置中,防静电击穿(ESD,electrostatic discharge)的能力较弱的问题。
本发明公开了一种阵列基板,包括:
所述阵列基板包括衬底基板,以及设置在衬底基板一侧的显示区域,栅极驱动电路区域,位于显示区域一侧的驱动绑定区域,及位于所述显示区域远离所述驱动绑定区域一侧的第一连通区域;
所述第一连通区域设置有第一公共电极线,所述栅极驱动电路区域远离所述显示区域的一侧设置有第二公共电极线,以及所述栅极驱动电路区域设置有第三公共电极线,其中,
所述第二公共电极线与所述第一公共电极线电连接,且用于和驱动器件在所述驱动绑定区域电连接;
所述第三公共电极线包括靠近所述驱动绑定区域的第一端和靠近所述第一连通区域的第二端,所述第三公共电极线的第一端用于与所述驱动器件连接,所述第三公共电极线的第二端与所述第一公共电极线绝缘。
进一步的,所述驱动器件被配置为在输出显示驱动信号之前,向所述第三公共电极线加载设定时长的公共电极信号;
所述驱动器件还被配置为在所述阵列基板启动时长达到设定输出时长的情况下,对所述阵列基板进行显示驱动。
进一步的,所述第三公共电极线远离所述衬底基板的一侧设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层中形成有连通至所述第三公共电极线的第一过孔;
其中,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影到所述第三公共电极线第一端的距离,大于到所述第三公共电极线第二端的距离。
进一步的,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影与所述第三公共电极线的第二端至少部分重叠。
进一步的,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影与所述第三公共电极线的第二端重叠。
进一步的,所述第一公共电极线远离所述衬底基板的一侧设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层厚度大于或等于
本发明还公开了一种显示面板,所述显示面板包括所述的阵列基板。
进一步的,所述显示面板还包括:与所述阵列基板对盒设置的对向基板;
所述对向基板包括第二连通区域,所述第二连通区域在所述阵列基板的衬底基板上的正投影与所述第一连通区域在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠;
所述第二连通区域设置有第四公共电极,所述第四公共电极用于与所述第一连通区域的第一公共电极线电连接。
进一步的,所述第三公共电极线在远离所述衬底基板的一侧设置有第一绝缘层,且所述第一绝缘层中形成有连通至所述第三公共电极线的第一过孔,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影与所述第三公共电极线的第二端至少部分重叠;
所述第四公共电极朝向所述阵列基板的一侧设置有与所述第四公共电极电连接的导电柱,所述导电柱通过所述第一过孔与所述第三公共电极线电连接。
进一步的,所述导电柱外侧包裹有第三绝缘层。
进一步的,所述阵列基板的所述第一连通区域与所述对向基板的所述第二连通区域之间设置有能够导电的密封胶。
进一步的,所述第一公共电极线远离所述衬底基板的一侧设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层中设置有多个连通至所述第一公共电极线的第二过孔,所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有连接电极;
其中,所述连接电极与所述密封胶直接接触的区域在所述衬底基板上的正投影面积为第一面积,所述连接电极在所述衬底基板上的正投影面积为第二面积,所述第一面积与所述第二面积的比值大于30%。
进一步的,所述第二连通区域内所述第四公共电极的外边缘与所述对向基板的边缘间的距离满足设定阈值。
进一步的,所述第四公共电极的外边缘至所述对向基板的边缘间设置有所述密封胶。
本发明还公开了一种显示装置,包括上述的显示面板。
本发明至少包括以下优点:
本发明实施例中,阵列基板中位于第一连通区域的第一公共电极线通过第二公共电极线与驱动绑定区域的驱动器件连接,栅极驱动电路区域内的第三公共电极线的一端与驱动器件连接,另一端靠近第一连通区域且与第一公共电极线绝缘,因为栅极驱动电路区域中的第三公共电极线与第一连通区域的第一公共电极线绝缘,即切断了阵列基板中第一连通区域进入栅极驱动电路区域的公共电极走线,使得静电不会大量流向栅极驱动电路区域,避免了ESD击穿栅极驱动电路区域的跳孔的现象发生,提升阵列基板的抗栅极驱动特性。且虽然切断了阵列基板中第一连通区域进入栅极驱动电路区域的公共电极走线,但是第一连通区域仍然可以通过驱动绑定区域实现与第三公共电极线的连通,所以本发明实施例在提升阵列基板的抗ESD特性的基础上,也不会破坏阵列基板的基本性能。
附图说明
图1示出了本发明实施例的一种阵列基板的结构示意图;
图2示出了本发明实施例的另一种阵列基板的结构示意图;
图3示出了本发明实施例的第一连通区域示意图;
图4示出了本发明实施例的一种显示面板示意图;
图5示出了本发明实施例的另一种显示面板示意图;
图6示出了本发明实施例的一种对向基板的结构示意图;
图7示出了本发明实施例的一种对向基板边缘设计示意图;
图8示出了本发明实施例的一种对向基板剖视图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
本发明实施例提供了一种阵列基板,参照图1,示出了本发明实施例的一种阵列基板的结构示意图,该阵列基板包括衬底基板,以及设置在衬底基板一侧的显示区域10,栅极驱动电路区域20,位于显示区域一侧的驱动绑定区域30,及位于所述显示区域远离所述驱动绑定区域30一侧的第一连通区域40;所述第一连通区域40的一侧设置有第一公共电极线401,所述栅极驱动电路区域20远离所述显示区域10的一侧设置有第二公共电极线201,以及所述栅极驱动电路区域20靠近所述显示区域10一侧设置有第三公共电极线202,其中,所述第二公共电极线201分别与所述第一公共电极线401电连接,且用于和驱动器件在所述驱动绑定区域30电连接;所述第三公共电极线202包括靠近所述驱动绑定区域30的第一端2021和靠近所述第一连通区域40的第二端2022,所述第三公共电极线202的第一端2021用于与所述驱动器件连接,所述第三公共电极线202的第二端2022用于与所述第一公共电极线201绝缘。
本发明实施例中,显示区域10也可以称为AA(Active Area,即像素阵列所在的像素区),在阵列基板工作时,显示区域10可以根据栅极驱动电路区域20的控制进行显示;栅极驱动电路区域20可以根据驱动绑定区域30中的驱动器件的驱动,发出控制信号,以控制显示区域10的显示。
具体应用中,阵列基板中靠驱动绑定区域30的一侧为面板的DP侧,与DP侧相对的一侧为DPO侧,阵列基板中DPO侧的第一连通区域40中设置第一公共电极线401,第一公共电极线401用于与对向基板的第四公共电极连通(图1中未示出),从而保证第一公共电极线401与对向基板中的第四公共电极之间的电位相等;第二公共电极线201用于向第一公共电极线401传输公共电极信号,第三公共电极线202用于向栅极驱动电路区域20的栅极驱动电路传输公共电极信号。
实际应用中,可以在现有的阵列基板中采用激光切断等方式,将第三公共电极线202靠近第一连通区域40的一侧与第一公共电极线401的连通位置切断,使得第三公共电极线202靠近第一连通区域40的一侧与第一公共电极线401绝缘,使得本发明实施例的阵列基板可以兼容现有的阵列基板,在实验中,本发明实施例将经过上述激光切断的阵列基板进行多次测试,均没有静电击穿GOA跳孔的现象发生;可以理解,本领域技术人员也可以在生产阵列基板时,将阵列基板中的第三公共电极线202靠近第一连通区域40的一侧与第一公共电极线401之间通过设置间隔距离、设置绝缘物等实现绝缘,本发明实施例对此不做具体限定。
本发明实施例中,栅极驱动电路区域20中的第三公共电极线202与第一连通区域的第一公共电极线401绝缘,即切断了阵列基板中第一连通区域40进入栅极驱动电路区域20的公共电极走线,使得静电不会大量流向栅极驱动电路区域20,避免了ESD击穿栅极驱动电路区域20导致跳孔的现象发生,提升阵列基板的抗ESD特性。虽然切断了阵列基板中第一连通区域40进入栅极驱动电路区域20的公共电极走线,但是第一连通区域40仍然可以通过驱动绑定区域实现与第三公共电极线的连通,具体的,如图1所示,第一公共电极线401可以依次通过第二公共电极线201、驱动绑定区域30中的驱动器件与第三公共电极线202连通,所以本发明实施例在提升阵列基板的抗ESD特性的基础上,也不会破坏阵列基板的基本性能。
本发明实施例在实验中发现,栅极驱动电路区域中的第三公共电极线202与第一连通区域的第一公共电极线401绝缘的设置方式应用在面积较小的显示装置时,因为该较小的显示装置中电极线走向较短,电传导速度很快,所以阵列基板中的电传导时间延迟对显示控制基本没有影响,显示控制不会发生延迟;但是,栅极驱动电路区域中的第三公共电极线202与第一连通区域的第一公共电极线401绝缘的设置方式应用在面积较大的显示装置时,电传导延迟在公共电极线中就较为明显,参照图1所示,因为第一公共电极线401与第三公共电极线202绝缘,使得第一公共电极线401的公共电极信号不能直接传到第三公共电极线202,第三公共电极线202靠近第一公共电极线401的一端需要等待DP侧驱动绑定区域30的公共电极信号沿着DP侧传到DPO侧的方向传导,在传导的过程会存在时间延迟,使得第三公共电极线202靠近第一公共电极线401的一端(具体应用中可以对应为GOA用于控制第一行像素显示的一端)延迟接收到公共电极信号,导致出现控制逻辑错误等现象,使得显示颜色不正常。
因此,作为本发明实施例的一种优选实施方式,为了适应面积较大的显示装置,所述驱动器件被配置为,根据沿所述DP侧到所述DPO侧的方向,所述第三公共电极线的电传导速度,确定公共电极信号的预先输出时长;在所述阵列基板启动时长达到所述预先输出时长的情况下,进行显示驱动。
具体应用中,第三公共电极线202的电传导速度可以根据第三公共电极线的具体材料、长度等综合确定,本发明实施例对此不作具体限定,在确定出预先输出时长后,可以在阵列基板启动时长达到该预先输出时长的情况下,进行显示驱动,因为阵列基板启动时长达到该预先输出时长后,可以确保公共电极信号已经传导到第三公共电极线202靠近DPO的一端,可以认为整个阵列基板充电完成,然后再进行显示驱动,则显示驱动中不存在因为电传导延时导致的显示异常问题,使得本发明实施例的阵列基板可以适用于面积较大的显示装置。
作为本发明实施例的另一种优选实施方式,为了适应面积较大的显示装置,还可以配置为:所述第三公共电极线在靠近所述第一连通区域的一端覆盖第一绝缘层,所述第一绝缘层中形成有连通至所述第三公共电极线的第一过孔。
具体应用中,如图2所示,形成有第一过孔的第一绝缘层的位置在第三公共电极线在靠近第一连通区域40的一端,具体应用中,导电器件通过所述第一过孔可以将第三公共电极线与对向基板的第四公共电极连通,以通过对向基板的第四公共电极直接为第三公共电极线在靠近所述第一连通区域的一端传输公共电极信号,使得公共电极信号不需要沿着DP侧传到DPO侧的方向从驱动器件传导到第三公共电极线在靠近所述第一连通区域的一端,从而就避免了公共电极信号传输到第三公共电极线在靠近所述第一连通区域的一端时的延迟现象发生,使得本发明实施例的阵列基板可以适用于面积较大的显示装置。
较佳的,在实际的设计中,可以将第一过孔的面积设置的稍大,使得所述第一过孔可以通过较多尺寸的导电器件,从而可以增大第一过孔中设置的导电器件的工艺余量,所述第一过孔的具体尺寸可以由本领域技术人员根据实际的应用场景设定。在一种具体实现中,参考图4,导电器件可以是导电柱204,导电柱204可以设置在阵列基板上,阵列基板上的导电柱穿过所述第一过孔后可以实现与对向基板的第四公共电极82的连通,所述导电柱的伸出所述第一通孔的部分外侧设置有第三绝缘层205;在另外一种具体实施例中,参考图5,所述导电柱也可以设置在对向基板上,所述阵列基板中的第一过孔中覆盖第五公共电极206,所述对向基板上的导电柱204通过所述第五公共电极206可以实现与阵列基板的第三公共电极线202的连通,所述导电柱的外侧设置有第三绝缘层205。
本实施例在实验中还发现,在窄边框的显示产品中,阵列基板的DPO侧与对向基板的DPO侧通常通过点胶(含Au球)或者直线涂胶(含Au球)的方式,实现阵列基板的第一连通区域与对向基板的第二连通区域的导通,但是因为现有的阵列基板的第一连通区域内的连接电极覆盖跳孔的面积通常较小,使得阵列基板的第一连通区域与对向基板的第二连通区域导通时,有效导通面积较小,进而会导致对向基板的Vcom充电不足而出现显示发白等不良现象,且该现象在点胶实现方式中尤为明显。
作为本发明实施例的另一种优选实施方式,所述第一公共电极线远离所述衬底基板的一侧设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层厚度大于或等于
在所述第一连通区域,所述第二绝缘层中设置有多个连通至所述第一公共电极线的第二过孔,所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有连接电极;其中,
所述多个第二过孔在所述衬底基板上的正投影落在所述连接电极在所述衬底基板的正投影范围内的正投影面积为第一面积,所述多个第二过孔在所述衬底基板上的正投影面积为第二面积,所述第一面积与所述第二面积的比值大于30%。
具体应用中如图3所示,示出了本发明实施例中阵列基板中第一连通区域40的连接电极对第二过孔402的覆盖方式,具体的,连接电极与封框胶直接接触的区域可以如线框404所圈出的区域,连接电极区域可以如线框405所圈出的区域;在实验中,本实施例发现,所述连接电极与所述密封胶直接接触的区域404在所述衬底基板上的正投影面积为第一面积,所述连接电极区域405在所述衬底基板上的正投影面积为第二面积;在所述第一面积与所述第二面积的比值大于30%的情况下,能够有效提高对向基板的Vcom充电效率而减少出现显示发白问题;同时增加连接电极与封框胶的接触面积,有利于静电的分散分布。
实际工艺中,可以在进行阵列基板制作时,在进行连接电极刻蚀(mask)的工艺时,增大第一连通区域的连接电极对第一连通区域的第二过孔的覆盖率即可,本发明实施例对具体工艺不作限定。
本发明实施例在实验中还发现,因为阵列基板的第一连通区域与对向基板的第二连通区域的连通关系,在第一连通区域还可以能存在静电,该静电可能会击穿第一连通区域的跳孔,导致电路损坏。
因此,作为本发明实施例的另一种优选实施方式,所述第一公共电极线上覆盖有第二绝缘层,所述第二绝缘层厚度大于
实验中,根据验证,当利用离子体增强化学气相沉积法PECVD沉积方法得到的第二绝缘层厚度增加到以上时候,ESD测试改善效果明显,ESD测试时第一电极连接线上方Au Ball(导电金球)所携带的静电不会击穿第二绝缘层,保证Vcom走线畅通。且由于TN型面板的TFT(阵列)基板面只有一层导电电极,所以即使第二绝缘层厚度发生变化,也不会对阵列基板造成其他影响。
综上所述,本发明实施例中,阵列基板中位于第一连通区域的第一公共电极线通过第二公共电极线与驱动绑定区域的驱动器件连接,栅极驱动电路区域内的第三公共电极线的一端与驱动器件连接,另一端靠近第一连通区域且与第一公共电极线绝缘,因为栅极驱动电路区域中的第三公共电极线与第一连通区域的第一公共电极线绝缘,即切断了阵列基板中第一连通区域进入栅极驱动电路区域的公共电极走线,使得静电不会大量流向栅极驱动电路区域,避免了ESD击穿栅极驱动电路区域的跳孔的现象发生,提升阵列基板的抗ESD特性。且虽然切断了阵列基板中第一连通区域进入栅极驱动电路区域的公共电极走线,但是第一连通区域仍然可以通过驱动绑定区域实现与第三公共电极线的连通,所以本发明实施例在提升阵列基板的抗ESD特性的基础上,也不会破坏阵列基板的基本性能。
实施例二
本发明实施例提供了一种显示面板,包括上述的阵列基板。
较佳的,该显示面板还包括,与该阵列基板对盒设置的对向基板,参照图6,示出了本发明实施例的对向基板的结构示意图。结合图2所示的阵列基板示意图,说明本发明实施例的显示面板。
其中,所述对向基板包括位于所述对向基板DPO侧的第二连通区域60,位于所述第二连通区域60的第四公共电极601与所述第一连通区域40的第一公共电极线401电连接。
具体应用中,第二连通区域60的第四公共电极601与第一连通区域40的第一公共电极线401可以通过含有Au Ball的封装胶电连接,Au Ball一般是在塑料材料外部包裹镍(Ni)和金(Au)层的技术,Au Ball可以代替传统的导电银胶工艺,在导通对向基板公共电极与阵列基板公共电极的同时,减少工艺步骤,提高生产效率。
具体的工艺实现中,可以在所述阵列基板DPO侧与所述对向基板DPO侧之间填充有用于导电的密封胶,且所述密封胶之间设置有导电金属,该导电金属可以是Au Ball等,本发明实施例对此不作具体限定。
本实施例在实验中发现,栅极驱动电路区域中的第三公共电极线202与第一连通区域的第一公共电极线401绝缘的设置方式应用在面积较小的显示装置时,因为该较小的显示装置中电极线走向较短,电传导速度很快,所以阵列基板中的电传导时间延迟对显示控制基本没有影响,显示控制不会发生延迟;但是,栅极驱动电路区域中的第三公共电极线202与第一连通区域的第一公共电极线401绝缘的设置方式应用在面积较大的显示装置时,电传导延迟在公共电极线中就较为明显,参照图1所示,因为第一公共电极线401与第三公共电极线202绝缘,使得第一公共电极线401的公共电极信号不能直接传到第三公共电极线202,第三公共电极线202靠近第一公共电极线401的一端需要等待DP侧驱动绑定区域30的公共电极信号沿着DP侧传到DPO侧的方向传导,在传导的过程会存在时间延迟,使得第三公共电极线202靠近第一公共电极线401的一端(具体应用中可以对应为栅极驱动电路用于控制第一行像素显示的一端)延迟接收到公共电极信号,导致出现控制逻辑错误等现象,使得显示颜色不正常。
因此,作为本发明实施例的一种优选方式,若所述第三公共电极线202在远离所述衬底基板的一侧设置有第一绝缘层203,所述第一绝缘层中形成有连通至所述第三公共电极线的第一过孔,其中,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影到所述第三公共电极线第一端的距离,大于到所述第三公共电极线第二端的距离。所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影与所述第三公共电极线的第二端至少部分重叠。优选地,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影与所述第三公共电极线的第二端重叠。则对应的,所述对向基板在位于所述第二连通区域60的第四公共电极上601形成有导电柱,参考图5,,所述导电柱通过所述第一过孔中覆盖的第五连接电极206与所述第三公共电极线202导通。以通过对向基板的第四公共电极601直接为第三公共电极线202在靠近所述第一连通区域的一端传输公共电极信号,使得公共电极信号不需要沿着DP侧传到DPO侧的方向从驱动器件传导到第三公共电极线在靠近所述第一连通区域的一端,从而就避免了公共电极信号传输到第三公共电极线在靠近所述第一连通区域的一端时的延迟现象发生,使得本发明实施例的阵列基板可以适用于面积较大的显示装置。
作为本发明实施例的另一种优选方式,所述第二连通区域60内所述第四公共电极601的外边缘与所述对向基板的外边缘间的距离满足预设阈值。
具体的,如图7所示,第二连通区域60内的第四公共电极601的外边缘71与对向基板的外边缘70之间满足预设距离,也即第二连通区域60内的第四公共电极601的外边缘71与对向基板的外边缘70为非对齐边设计,可选地,所述非对齐边设计是指所述第四公共电极601的外边缘71与所述对向基板的外边缘70不重合,所述第四公共电极601的外边缘设置于所述对向基板的外边缘70以内。通过该非对齐边设计,且在非对齐的区域采用密封胶填充。在对盒后对向基板的第四公共电极设计边缘区域会被封框胶完全覆盖,使得外界静电能够被封框胶阻挡而不能直接接触到第四公共电极。因此,所述连接电极内缩设置一方面可以增强抵抗ESD能力,另一方面也不会影响封框胶的性能。可以理解,该非对齐边设计不仅可以用于TN型窄边框显示装置,在所有的TN型显示装置中都可以适用。
实际应用中,预设距离可以由本领域技术人员根据实际的应用场景设定,非对齐的边缘可以是直线,也可以是曲线等,本发明实施例对此不作具体限定。
在图7的非对齐边设计中,第四公共电极601的外边缘71到对向基板的外边缘70之间有空隙,在本发明实施例的一种优选实施方案中,所述第四公共电极的外边缘填充有密封胶。
具体的,如图8所示,示出了一种非对齐边设计的对向基板的剖视图,具体可以包括:Glass(玻璃)层80、PI(聚酰亚胺)配向层81、ITO(氧化铟锡)材质的第四公共电极层82、BM(黑矩阵)层83、Sealant(密封胶)层84、UV Mask(紫外线遮罩)层85。根据图8可以看到,ITO层82与对向基板的Glass层80为非对齐边设计,且在非对齐的区域采用密封胶填充。在对盒后对向基板的第四公共电极设计边缘区域会被封框胶完全覆盖,使得外界静电能够被封框胶阻挡而不能直接接触到第四公共电极。因此,所述第四公共电极内缩设置一方面可以增强抵抗ESD能力,另一方面也不会影响封框胶的性能。
作为一种优选的实施例,参考图4,所述显示面板包括阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的对向基板,所述阵列基板可以包括衬底基板50、设置在所述衬底基板上的第三连接电极线202,设置在所述第三连接电极线远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层203,所述第一绝缘层上开有第一通孔,所述第一通孔中设置有导电柱204,所述导电柱伸出所述第一通孔的部分外侧包裹有第三绝缘层205,所述对向基板包括与所述导电柱204相连接的第四公共电极层82和Glass(玻璃)层80;所述导电柱与对向基板中的第四公共电极层82能够实现电连接。
作为另一种优选的实施例,参考图5,所述显示面板包括阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的对向基板,所述阵列基板可以包括衬底基板50、设置在所述衬底基板上的第三连接电极线202,设置在所述第三连接电极线远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层203,所述第一绝缘层上开有第一通孔,覆盖在所述第一通孔中的第五公共电极206,所述对向基板可以包括第四公共电极层82和Glass(玻璃)层80,所述第五公共电极82远离所述Glass(玻璃)层80的一侧设置有导电柱204,所述导电柱204外侧设置有第三绝缘层205,所述导电柱204通过第一通孔中设置的第五公共电极206与所述第三公共电极线相连接。
此外,本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述任一项所述的显示面板。具体的,显示装置可以是手机、电脑、手环、电视等电子产品,本发明实施例对显示装置不做具体限定。
综上所述,本发明实施例中,显示面板的阵列基板中位于第一连通区域的第一公共电极线通过第二公共电极线与驱动绑定区域的驱动器件连接,栅极驱动电路区域内的第三公共电极线的一端与驱动器件连接,另一端靠近第一连通区域且与第一公共电极线绝缘,因为栅极驱动电路区域中的第三公共电极线与第一连通区域的第一公共电极线绝缘,即切断了阵列基板中第一连通区域进入栅极驱动电路区域的公共电极走线,使得静电不会大量流向栅极驱动电路区域,避免了ESD击穿栅极驱动电路区域的跳孔的现象发生,提升阵列基板的抗ESD特性。且虽然切断了阵列基板中第一连通区域进入栅极驱动电路区域的公共电极走线,但是第一连通区域仍然可以通过驱动绑定区域实现与第三公共电极线的连通,所以本发明实施例在提升阵列基板的抗ESD特性的基础上,也不会破坏阵列基板的基本性能。
需要说明的是,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (15)
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板,以及设置在衬底基板一侧的显示区域,栅极驱动电路区域,位于显示区域一侧的驱动绑定区域,及位于所述显示区域远离所述驱动绑定区域一侧的第一连通区域;
所述第一连通区域设置有第一公共电极线,所述栅极驱动电路区域远离所述显示区域的一侧设置有第二公共电极线,以及所述栅极驱动电路区域设置有第三公共电极线,其中,
所述第二公共电极线与所述第一公共电极线电连接,且用于和驱动器件在所述驱动绑定区域电连接;
所述第三公共电极线包括靠近所述驱动绑定区域的第一端和靠近所述第一连通区域的第二端,所述第三公共电极线的第一端用于与所述驱动器件连接,所述第三公共电极线的第二端与所述第一公共电极线绝缘。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动器件被配置为在输出显示驱动信号之前,向所述第三公共电极线加载设定时长的公共电极信号;
所述驱动器件还被配置为在所述阵列基板启动时长达到设定输出时长的情况下,对所述阵列基板进行显示驱动。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第三公共电极线远离所述衬底基板的一侧设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层中形成有连通至所述第三公共电极线的第一过孔;
其中,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影到所述第三公共电极线第一端的距离,大于到所述第三公共电极线第二端的距离。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影与所述第三公共电极线的第二端至少部分重叠。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影与所述第三公共电极线的第二端重叠。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极线远离所述衬底基板的一侧设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层厚度不小于
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,还包括:与所述阵列基板对盒设置的对向基板;
所述对向基板包括第二连通区域,所述第二连通区域在所述阵列基板的衬底基板上的正投影与所述第一连通区域在所述阵列基板的衬底基板上的正投影至少部分重叠;
所述第二连通区域设置有第四公共电极,所述第四公共电极用于与所述第一连通区域的第一公共电极线电连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第三公共电极线在远离所述衬底基板的一侧设置有第一绝缘层,且所述第一绝缘层中形成有连通至所述第三公共电极线的第一过孔,所述第一过孔在所述第三公共电极线上的正投影与所述第三公共电极线的第二端至少部分重叠;
所述第四公共电极朝向所述阵列基板的一侧设置有与所述第四公共电极电连接的导电柱,所述导电柱通过所述第一过孔与所述第三公共电极线电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述导电柱外侧包裹有第三绝缘层。
11.根据权利要求8至10任一项所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板的所述第一连通区域与所述对向基板的所述第二连通区域之间设置有能够导电的密封胶。
12.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述第一公共电极线远离所述衬底基板的一侧设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层中设置有多个连通至所述第一公共电极线的第二过孔,所述第二绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有连接电极;
其中,所述连接电极与所述密封胶直接接触的区域在所述衬底基板上的正投影面积为第一面积,所述连接电极在所述衬底基板上的正投影面积为第二面积,所述第一面积与所述第二面积的比值大于30%。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述第二连通区域内所述第四公共电极的外边缘与所述对向基板的边缘间的距离满足设定阈值。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述第四公共电极的外边缘至所述对向基板的边缘间设置有所述密封胶。
15.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求8至14任一项所述的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910295726.5A CN109901337B (zh) | 2019-04-12 | 2019-04-12 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
US16/564,320 US10964726B2 (en) | 2019-04-12 | 2019-09-09 | Array substrate, display panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910295726.5A CN109901337B (zh) | 2019-04-12 | 2019-04-12 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109901337A true CN109901337A (zh) | 2019-06-18 |
CN109901337B CN109901337B (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=66955848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910295726.5A Active CN109901337B (zh) | 2019-04-12 | 2019-04-12 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10964726B2 (zh) |
CN (1) | CN109901337B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115016186A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-06 | 苏州华星光电技术有限公司 | 显示母板及显示面板 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102021111259A1 (de) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optische vorrichtung und herstellungsverfahren |
CN215494959U (zh) * | 2021-04-30 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及显示设备 |
CN113707673B (zh) * | 2021-08-27 | 2023-12-26 | 成都京东方光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN114355690B (zh) * | 2022-03-16 | 2022-05-24 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050122099A (ko) * | 2004-06-23 | 2005-12-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
CN101308271A (zh) * | 2008-06-30 | 2008-11-19 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶面板、液晶显示装置及其驱动方法 |
CN101424828A (zh) * | 2007-11-02 | 2009-05-06 | 上海广电Nec液晶显示器有限公司 | 液晶显示面板 |
CN201876643U (zh) * | 2010-11-22 | 2011-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和液晶显示面板 |
CN102193259A (zh) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示装置 |
CN102314027A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示面板 |
CN103513459A (zh) * | 2013-10-14 | 2014-01-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置及其制备方法 |
CN203811938U (zh) * | 2014-05-14 | 2014-09-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN107966861A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-04-27 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6538534B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2019-07-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | トランジスタ基板及び表示装置 |
KR102453711B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP7077145B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2022-05-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
TWI694365B (zh) * | 2019-01-16 | 2020-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 觸控顯示面板 |
-
2019
- 2019-04-12 CN CN201910295726.5A patent/CN109901337B/zh active Active
- 2019-09-09 US US16/564,320 patent/US10964726B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050122099A (ko) * | 2004-06-23 | 2005-12-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
CN101424828A (zh) * | 2007-11-02 | 2009-05-06 | 上海广电Nec液晶显示器有限公司 | 液晶显示面板 |
CN101308271A (zh) * | 2008-06-30 | 2008-11-19 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶面板、液晶显示装置及其驱动方法 |
CN102193259A (zh) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示装置 |
CN102314027A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示面板 |
CN201876643U (zh) * | 2010-11-22 | 2011-06-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和液晶显示面板 |
CN103513459A (zh) * | 2013-10-14 | 2014-01-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置及其制备方法 |
CN203811938U (zh) * | 2014-05-14 | 2014-09-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN107966861A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-04-27 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115016186A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-06 | 苏州华星光电技术有限公司 | 显示母板及显示面板 |
CN115016186B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-12-05 | 苏州华星光电技术有限公司 | 显示母板及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200328232A1 (en) | 2020-10-15 |
CN109901337B (zh) | 2022-04-12 |
US10964726B2 (en) | 2021-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109901337A (zh) | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | |
US11488987B2 (en) | Display substrate, splicing screen and manufacturing method thereof | |
CN102053415B (zh) | 水平电场液晶显示设备 | |
EP2889681B1 (en) | Curved liquid crystal display | |
WO2020249009A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US9341902B2 (en) | Fanout zone structure of slim-bezel liquid crystla display | |
US11281052B2 (en) | Liquid crystal display panel having multi-signal HVA mode | |
US20150187820A1 (en) | Array substrate, display panel and display device | |
CN104375347A (zh) | 阵列基板、修补片、显示面板和修复阵列基板的方法 | |
CN105446031A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
WO2020107594A1 (zh) | 显示面板及其修复方法 | |
CN103296021A (zh) | Tft阵列基板 | |
TW200644255A (en) | Array substrate, method of manufacturing the same, display panel having the same, and liquid crystal display apparatus having the same | |
CN106200153A (zh) | 一种液晶显示装置 | |
KR20020056622A (ko) | 반사형 또는 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US20160238900A1 (en) | Array substrate and liquid crystal display panel using same | |
US9753344B2 (en) | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device | |
CN103680317A (zh) | 一种阵列基板及其制造方法和显示装置 | |
WO2020108143A1 (zh) | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 | |
US20160349585A1 (en) | Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel | |
KR102113523B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US11942584B2 (en) | Micro display panel, manufacturing method thereof, and spliced display panel | |
US20210397055A1 (en) | Display panel, repair method for display panel and display device | |
US8704995B2 (en) | Liquid crystal display device, panel and panel manufacture method thereof | |
CN105204225A (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |