CN109859922A - 一种低重稀土含量的R-Fe-B类磁体的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种R‑Fe‑B类磁体的制备方法，包括以下步骤：A)将R1‑Fe‑B‑M1样品与RH‑M2‑Q1样品混合后氢碎，得到粗粉；B)将所述粗粉进行扩散处理，将扩散处理后得到的粗粉进行氢碎；C)将步骤B)得到的粗粉进行气流磨，将得到的细粉成型；D)将成型后的磁体烧结，得到R‑Fe‑B类磁体。在制备R‑Fe‑B类磁体的过程中，通过上述方法使得制备的磁体具有在基本保持烧结磁体的剩磁和最大磁能积的前提下，使用极少量重稀土Dy或Tb而显著提高了磁体矫顽力。

Description

一种低重稀土含量的R-Fe-B类磁体的制备方法

技术领域

本发明涉及磁体材料技术领域，尤其涉及一种低重稀土含量的R-Fe-B类磁体的制备方法。

背景技术

众所周知，以Nd2Fe14B型化合物为主相的R-Fe-B类稀土烧结磁铁是永磁体，是所有磁性材料中性能最高的磁体，它广泛地用于硬盘驱动的音圈电动机(VCM)、伺服电机、变频空调电机、混合动力车搭载用电动机、新能源汽车驱动电机等。R-Fe-B类稀土烧结磁铁在上述各种电机应用过程中，为了适应使用环境温度，保证电机在高温工作中不退磁，要求其耐热性优异，具有较高的矫顽力。

提高R-Fe-B类稀土烧结磁铁的矫顽力的传统方法主要是以重稀土元素RH作为原料、并经过熔炼的合金破碎、压制、烧结等工序做成磁体。这种方法特点是轻稀土元素RL作为稀土元素R的R2Fe14B相的稀土元素被重稀土元素RH置换，因此，R2Fe14B相的结晶磁各向异性(决定矫顽力的本质的物理量)提高。但是，Nd2Fe14B相中的轻稀土元素RL的磁矩比重稀土元素RH的磁矩要高，因此，越是用重稀土元素RH置换轻稀土元素RL，越会导致剩余磁通密度Br下降。另一方面，由于重稀土元素RH是稀少资源，所以减少其使用量是非常必要的。因此，通过传统的工艺用重稀土元素RH置换全部轻稀土元素RL的方法不甚理想。另外，由于新能源汽车的快速发展，新能源汽车所需要的磁体在需要高矫顽力的同时也需要较高的磁能积，所以如何在低重稀土的条件下生产高性能磁体是今后钕铁硼永磁材料的研究热点。

对于上述问题，现阶段主要通过两种方式解决：一种是细晶技术，一种是晶界扩散技术，但是上述两种方式在减少重稀土的使用量和提高磁体矫顽力效果上，晶粒细化的效果比较有限，并且设备要求高，过程管控难，生产成本高。

目前晶界扩散技术主要采用涂敷、沉积、镀覆、溅射等方式，使含有Dy/Tb金属或化合物(如Dy203、DyF3、TbF3、DyH3、TbH3等)的粉末先附着在磁体外表面作为扩散源，在某一温度范围内进行扩散热处理，使稀土元素沿晶界扩散到主相晶粒表层，置换晶粒表层Nd₂Fe₁₄B中的Nd形成(Nd,Dy/Tb)2Fe14B壳层结构，提高晶粒表面各向异性场，同时改善晶界显微组织，从而提高磁体矫顽力的一种工艺。

而涂覆扩散工艺一般通过两道工序，第一道工序是首先制得扩散源，将重稀土扩散源涂在烧结磁体的表面，随后进行烘干；第二工序是涂好的产品摆放在烧结料盒，随后进真空烧结炉进行高温热处理，晶界扩散技术可以通过添加较少量的重稀土元素RH氢化物或氟化物或合金，达到极大的提高磁体矫顽力的效果，同时也保证了磁体剩磁不至于很大的降低，但此工艺的生产过程比较复杂，产品的尺寸规格受到限制，一般在8毫米以内，磁体厚度越厚，扩散的效果越差，另外增加了多道工序生产周期较长，设备工装投入大，生产过程复杂，生产成本也比较高等。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种R-Fe-B类磁体的制备方法，本申请制备的类磁体可在基本保持磁体的剩磁和最大磁能积的前提下，可显著提高磁体矫顽力。

有鉴于此，本申请提供了一种R-Fe-B类磁体的制备方法，包括以下步骤：

A)将R1-Fe-B-M1样品与RH-M2-Q1样品混合后氢碎，得到粗粉；

R1选自稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、Gd、La、Ho和Ce中的一种或多种，M1选自Ti、V、Cr、Co、Ga、Cu、Mn、Si、Al、Zr、W和Mo中的一种或多种，R1的含量为26wt％～33wt％，B的含量为0.8wt％～1.2wt％，M1的含量为0～4wt％，余量为Fe；

RH选自Dy和Tb中的至少一种，M2选自Fe、Al、Cu、Zn、Ga、Ge、Nb、Ti或Zr，Q1选自Zn、Sn、V、W、Ni、Ta、Mn、Cd或Mo，RH的含量为70wt％～100wt％，M2的含量为0～30wt％，Q1的含量为0～10wt％，RH、M2和Q1的总含量为100wt％；

B)将所述粗粉进行扩散处理，将扩散处理后得到的粗粉进行氢碎；

C)将步骤B)得到的粗粉进行气流磨，将得到的细粉成型；

D)将成型后的磁体烧结，得到R-Fe-B类磁体。

优选的，所述RH-M2-Q1样品为所述R1-Fe-B-M1样品的0.1wt％～10wt％。

优选的，所述扩散处理在真空或惰性气氛下进行，所述扩散处理的温度为750～1000℃，时间为1～50h。

优选的，所述扩散处理在真空下进行时，所述真空度为1*10^-5～9*10^-1Pa；所述扩散处理在惰性气氛下进行时，所述惰性气体为氩气，压力为500Pa～80KPa。

优选的，所述步骤B)和所述步骤C)在严格密封和保护气氛下进行，且增氧量小于1000ppm。

优选的，所述RH的含量为80wt％～98wt％，所述M2的含量为1wt％～18wt％，所述Q1的含量为0.5wt％～6wt％。

优选的，所述R1的含量为28wt％～30wt％，所述B的含量为0.9wt％～1.1wt％，所述M1的含量为0.5wt％～3wt％。

优选的，所述成型在1.2T～2.5T磁场中取向成型。

优选的，所述烧结具体为：

将成型后的磁体在950℃～1100℃保温4～25h，在最高温度保温后进行时效处理，所述时效处理的一级时效温度为850～920℃，二级时效温度为450～580℃，所述一级时效和二级时效的时间均为4～6h。

本申请提供了一种R-Fe-B类磁体的制备方法，其利用R1-Fe-B-M1样品和RH-M2-Q1样品混合后依次经过氢碎处理-扩散处理-氢碎处理-气流磨-成型-烧结，由此得到了R-Fe-B类磁体；在上述制备方法中，本申请首先将混合物进行氢碎处理，形成厚度薄的粗粒，以利于进行扩散处理，而扩散处理使得重稀土元素RH可以更好地渗透至R1-Fe-B-M1合金中，对主相晶粒进行一个更好地包裹；同时由于两种样品形成了粗粉，扩散效率高，一致性好，最终使经过烧结后的磁体在保证磁体较少剩磁减少的同时，极大的提高了磁体的矫顽力。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

针对现有技术磁体的制备方法可提高磁体矫顽力，却不可避免大幅度降低磁体剩磁的问题，本申请提供了一种R-Fe-B类磁体的制备方法，该方法制备的以R12Fe14B型化合物为主的R-Fe-B类稀土烧结磁体在提高磁体矫顽力的同时，剩磁降低幅度小。具体的，本申请所述R-Fe-B类磁体的制备方法，包括以下步骤：

A)将R1-Fe-B-M1样品与RH-M2-Q1样品混合后氢碎，得到粗粉；

R1选自稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、Gd、La、Ho和Ce中的一种或多种，M1选自Ti、V、Cr、Co、Ga、Cu、Mn、Si、Al、Zr、W和Mo中的一种或多种，R1的含量为26wt％～33wt％，B的含量为0.8wt％～1.2wt％，M1的含量为0～4wt％，余量为Fe；

RH选自Dy和Tb中的至少一种，M2选自Fe、Al、Cu、Zn、Ga、Ge、Nb、Ti或Zr，Q1选自Zn、Sn、V、W、Ni、Ta、Mn、Cd或Mo，RH的含量为70wt％～100wt％，M2的含量为0～30wt％，Q1的含量为0～10wt％，RH、M2和Q1的总含量为100wt％；

B)将所述粗粉进行扩散处理，将扩散处理后得到的粗粉进行氢碎；

C)将步骤B)得到的粗粉进行气流磨，将得到的细粉成型；

D)将成型后的磁体烧结，得到R-Fe-B类磁体。

在上述R-Fe-B类磁体的制备方法中，本申请首先将R1-Fe-B-M1样品与RH-M2-Q1样品混合；对于上述两种样品，其中R1-Fe-B-M1样品中R1选自稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、Gd、La、Ho和Ce中的一种或多种，M1选自Ti、V、Cr、Co、Ga、Cu、Mn、Si、Al、Zr、W和Mo中的一种或多种，在具体实施例中，R1选自Nb，M1选自Co。R1的含量为26wt％～33wt％，B的含量为0.8wt％～1.2wt％，M1的含量为0～4wt％，余量为Fe；在具体实施例中，所述R1的含量为28wt％～30wt％，所述B的含量为0.9wt％～1.1wt％，所述M1的含量为0.5wt％～3wt％。

所述RH-M2-Q1样品中，RH选自Dy和Tb中的至少一种，M2选自Fe、Al、Cu、Zn、Ga、Ge、Nb、Ti或Zr，Q1选自Zn、Sn、V、W、Ni、Ta、Mn、Cd或Mo，在具体实施例中，RH选自Dy，M2选自铜；RH的含量为70wt％～100wt％，M2的含量为0～30wt％，Q1的含量为0～10wt％，RH、M2和Q1的总含量为100wt％，在具体实施例中，所述RH的含量为80wt％～98wt％，所述M2的含量为1wt％～18wt％，所述Q1的含量为0.5wt％～6wt％。在RH-M2-Q1样品中，所述RH、M2和Q1的含量过低，则扩散后磁体的剩磁下降较多，矫顽力增加较少，所述RH、M2和Q1的含量过高，则氢碎难以氢碎完全，另外需要的扩散温度较高，较容易进入主相中，造成剩磁较大降低。

在上述两种样品中，所述RH-M2-Q1样品为所述R1-Fe-B-M1样品的0.1wt％～10wt％；更具体的，所述RH-M2-Q1样品为所述R1-Fe-B-M1样品的0.5wt％～5wt％；所述RH-M2-Q1样品的添加量小于0.1wt％，则重稀土添加量较少，很难起到扩散的效果，无法对粗粉中的主相晶粒形成包覆，当RH-M2-Q1样品的添加量大于10wt％时，由于添加量较大，磁体剩磁降低较多，另外，由于重稀土元素含量较高，重稀土元素较容易进入晶粒中，进一步降低磁体磁性能。

本申请所述RH-M2-Q1样品和所述R1-Fe-B-M1样品的具体形式为本领域技术人员熟知的形式，具体可以为块状形式或铸片形式，更具体的，所述RH-M2-Q1样品为铸片或最大尺寸＜20mm的块状；所述RH-M2-Q1样品的尺寸较小，则氢碎后粒度较小，扩散过程中容易造成浪费，粉末活泼性大，容易氧化，合金尺寸过大，氢碎后不能破碎完全，不易扩散。

在上述两种原料混合之后则将得到的混合物进行氢碎处理，以得到初始粗粉；所述氢碎处理为本领域技术人员熟知的氢碎处理，对其具体实施方式本申请不进行特别的限制。所述初始粗粉的粒径为45～355μm，大部分是100～150μm，以利于后期的扩散处理；初始粗粉的粒径过大不利于后期的扩散，粒径过小则活性太高，容易发生氧化。

按照本发明，氢碎后的初始粗粉进行扩散处理，所述扩散处理以使RH-M2-Q1粗粉扩散至R1-Fe-B-M1主相中，对主相晶粒进行一个更好的包裹。所述扩散处理在真空或惰性气体保护下进行，所述扩散处理在真空下进行时，所述真空度为1*10^-5～9*10^-1Pa；所述扩散处理在惰性气氛下进行时，所述惰性气体为氩气，压力为500Pa～80kPa，在具体实施例中，所述压力为15kPa～60kPa。所述扩散处理的温度为750～1000℃，时间为1～50h；在具体实施例中，所述扩散处理的温度为820～950℃，时间为3～15h；所述扩散处理的温度低于750℃时，由于扩散驱动力降低，重稀土元素扩散困难，从而很难对主相晶粒进行包覆；当温度高于1000℃时，重稀土元素较容易进入晶粒内，降低磁体磁性能；保温时间较短，扩散效果较差，一致性较差，无法较好的形成对主相晶粒的包覆，另外保温时间较长，重稀土元素较容易进入主相中，造成剩磁明显降低，磁性能变差。

本申请然后将经过扩散处理的粗粉再次进行氢碎处理，所述氢碎处理为本领域技术人员熟知的技术手段，对其具体操作方式本申请不进行特别的限制。在上述氢碎处理之后，则将氢碎后的粗粉进行气流磨，以得到细粉；所述气流磨为本领域技术人员熟知的技术方式，对其具体操作手段本申请不进行特别的限制。本申请最后将得到的细粉依次进行成型、烧结，以得到R-Fe-B磁体。在上述成型的过程中，优选在1.2T～2.5T磁场中取向成型。所述烧结的温度为950～1100℃，时间为4～25h。在烧结最高温度保温结束后，对磁体进行了时效处理，在时效处理的过程中，一级时效的温度为850～920℃，二级时效的温度为450～580℃，所述一级时效和二级时效的时间均为4～6h。

本申请所述氢碎处理、扩散处理、气流磨与成型均是在严格密封和保护气氛下进行的，且控制增氧量小于1000ppm，以避免处理后产品的氧化。

本发明提供了一种R-Fe-B类烧结磁体制备方法，其将R1-Fe-B-M1样品与RH-M2-Q1样品混合后一起进行氢碎处理，氢碎后的粗粉转入旋转扩散炉中进行扩散处理，一方面在粗粉中进行扩散处理，重稀土可以更好的渗透到合金中去，对主相晶粒进行一个更好的包裹，由于铸片厚度薄，扩散效率高，一致性好，并且在粗粉过程中进行渗透，不影响后续工序，生产效率高。因此，本申请制备的类磁体在基本保持烧结磁体的剩磁和最大磁能积的前提下，使用了极少量的重稀土而显著提高了磁体的矫顽力。

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的R-Fe-B类磁体的制备方法进行详细说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。

实施例1

按照表1和表2的成分配比采用真空熔炼炉在惰性气体保护下对所配置原材进行熔炼，分别熔炼R1-Fe-B-M1合金铸片和RH-M2-Q1合金铸片，形成厚度0.1～1mm的铸片，按照R1-Fe-B-M1重量的1wt％添加RH-M2-Q1合金铸片；两种合金铸片均经氢碎后，转入旋转扩散炉，于惰性气氛下在20～40kPa压力下按照870℃/5h进行扩散处理，扩散后转氢碎炉中进行二次氢碎，气流磨破碎其SMD至3.2μm；采用15KOe的磁场取向压制成型，制成压坯，压坯密度为3.95g/cm³；压坯在烧结炉中进行真空烧结，首先1045℃烧结500min，再进行时效处理，于890℃时效180min，于490℃时效240min得到生坯。取直径10mm样柱测试磁性能M1。

表1实施例1制备的R-Fe-B的R1-Fe-B-M1的成分配比表

组别	Nd	B	Co	小料	Fe
						含量wt％	30.6	0.92	0.5	0.3	剩余

表2实施例1制备的R-Fe-B的RH-M2-Q1成分配比表

表3实施例1制备的R-Fe-B类磁体的性能数据表

实施例2

按照表4和表5的成分配比采用真空熔炼炉在惰性气体保护下对所配置原材料进行熔炼，分别熔炼R1-Fe-B-M1合金铸片和RH-M2-Q1合金铸片，形成厚度0.1～1mm的铸片，按照R1-Fe-B-M1重量的1wt％添加RH-M2-Q1合金铸片；两种合金铸片均经氢碎后，转入旋转扩散炉，于惰性气氛下在20～40kPa压力下按照870℃/10h进行扩散处理，扩散后转氢碎炉中进行二次氢碎，气流磨破碎其SMD至3.2μm；采用15KOe的磁场取向压制成型，制成压坯，压坯密度为3.95g/cm³；压坯在烧结炉中进行真空烧结，首先1045℃烧结500min，再进行时效处理，于890℃时效180min，于490℃时效240min得到生坯。取直径10mm样柱测试磁性能M2。

表4实施例4制备的R-Fe-B的R1-Fe-B-M1的成分配比表

组别	Nd	B	Co	小料	Fe
						含量wt％	30.6	0.92	0.5	0.3	剩余

表5实施例2制备的R-Fe-B的RH-M2-Q1成分配比表

组别	Dy	Cu	Mn
				含量wt％	92	7	1

表6实施例2制备的R-Fe-B类磁体的性能数据表

由表6可知，M2矫顽力较M1高0.66kOe，剩磁较M1低0.05kGs，说明扩散时间越长，磁体的矫顽力越高，剩磁越低。

实施例3

按照表7和表8的成分配比采用真空熔炼炉在惰性气体保护下对所配置原材料进行熔炼，分别熔炼R1-Fe-B-M1合金铸片和RH-M2-Q1合金铸片，形成厚度0.1～1mm的铸片，按照R1-Fe-B-M1重量的1wt％添加RH-M2-Q1合金铸片；两种合金铸片经氢碎后，转入旋转扩散炉，于惰性气氛下在15～35kPa压力下按照910℃/5h进行扩散处理，扩散后转氢碎炉中进行二次氢碎，气流磨破碎其SMD至3.2μm；采用15KOe的磁场取向压制成型，制成压坯，压坯密度为3.95g/cm³；压坯在烧结炉中进行真空烧结，首先1045℃烧结500min，再进行时效处理，于890℃时效180min，于490℃时效240min得到生坯。取直径10mm样柱测试磁性能M3。

表7实施例3制备的R-Fe-B的R1-Fe-B-M1的成分配比表

组别	Nd	B	Co	小料	Fe
						含量wt％	30.6	0.92	0.5	0.3	剩余

表8实施例3制备的R-Fe-B的RH-M2-Q1成分配比表

组别	Dy	Cu	Mn
				含量wt％	92	7	1

表9实施例3制备的R-Fe-B类磁体的性能数据表

由表9可知，M3矫顽力较M1高0.57kOe，剩磁较M1低0.07kGs，说明扩散温度越高，磁体的矫顽力越高，剩磁越低。

实施例4

按照表10和表11成分配比采用真空熔炼炉在惰性气体保护下对所配置原材料进行熔炼，分别熔炼R1-Fe-B-M1和RH-M2-Q1合金铸片，形成厚度0.1～1mm的铸片，按照R1-Fe-B-M1重量的1wt％添加RH-M2-Q1合金铸片；两种合金铸片经氢碎后，转入旋转扩散炉，于惰性气氛下在30～50kPa压力下按照870℃/5h进行扩散处理，扩散后转氢碎炉中进行二次氢碎，气流磨破碎其SMD至3.2μm；采用15KOe的磁场取向压制成型，制成压坯，压坯密度为3.95g/cm³；压坯在烧结炉中进行真空烧结，首先1045℃烧结500min，再进行时效处理，于890℃时效180min，于490℃时效240min得到生坯。取直径10mm样柱测试磁性能M4。

表10实施例4制备的R-Fe-B的R1-Fe-B-M1的成分配比表

组别	Nd	B	Co	小料	Fe
						含量wt％	30.6	0.92	0.5	0.3	剩余

表11实施例4制备的R-Fe-B的RH-M2-Q1成分配比表

组别	Dy	Cu	Mn
				含量wt％	85	12	3

表12实施例4制备的R-Fe-B类磁体的性能数据表

由表12可知，M4矫顽力较M1低0.8kOe，剩磁较M1低0.11kGs，说明随着重稀土含量降低，金属M2含量增加，磁体的矫顽力、剩磁均降低。

对比例1

按照表1和表2的成分配比采用真空熔炼炉在惰性气体保护下对所配置原材进行熔炼，分别熔炼R1-Fe-B-M1合金铸片和RH-M2-Q1合金铸片，形成厚度0.1～1mm的铸片，按照R1-Fe-B-M1重量的1wt％添加RH-M2-Q1合金铸片；转氢碎炉氢碎为粗粉，气流磨破碎其SMD至3.2μm；采用15KOe的磁场取向压制成型，制成压坯，压坯密度为4.05g/cm3；压坯在烧结炉中进行真空烧结，首先1045℃烧结500min。再进行时效处理，于890℃时效180min，于490℃时效240min得到生坯。取直径10mm样柱测试磁性能D1。

表13对比例制备的R-Fe-B类磁体的性能数据表

以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种R-Fe-B类磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)将R1-Fe-B-M1样品与RH-M2-Q1样品混合后氢碎，得到粗粉；

R1选自稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、Gd、La、Ho和Ce中的一种或多种，M1选自Ti、V、Cr、Co、Ga、Cu、Mn、Si、Al、Zr、W和Mo中的一种或多种，R1的含量为26wt％～33wt％，B的含量为0.8wt％～1.2wt％，M1的含量为0～4wt％，余量为Fe；

RH选自Dy和Tb中的至少一种，M2选自Fe、Al、Cu、Zn、Ga、Ge、Nb、Ti或Zr，Q1选自Zn、Sn、V、W、Ni、Ta、Mn、Cd或Mo，RH的含量为70wt％～100wt％，M2的含量为0～30wt％，Q1的含量为0～10wt％，RH、M2和Q1的总含量为100wt％；

B)将所述粗粉进行扩散处理，将扩散处理后得到的粗粉进行氢碎；

C)将步骤B)得到的粗粉进行气流磨，将得到的细粉成型；

D)将成型后的磁体烧结，得到R-Fe-B类磁体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述RH-M2-Q1样品为所述R1-Fe-B-M1样品的0.1wt％～10wt％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述扩散处理在真空或惰性气氛下进行，所述扩散处理的温度为750～1000℃，时间为1～50h。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述扩散处理在真空下进行时，所述真空度为1*10^-5～9*10^-1Pa；所述扩散处理在惰性气氛下进行时，所述惰性气体为氩气，压力为500Pa～80KPa。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B)和所述步骤C)在严格密封和保护气氛下进行，且增氧量小于1000ppm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述RH的含量为80wt％～98wt％，所述M2的含量为1wt％～18wt％，所述Q1的含量为0.5wt％～6wt％。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述R1的含量为28wt％～30wt％，所述B的含量为0.9wt％～1.1wt％，所述M1的含量为0.5wt％～3wt％。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述成型在1.2T～2.5T磁场中取向成型。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结具体为：

将成型后的磁体在950℃～1100℃保温4～25h，在最高温度保温后进行时效处理，所述时效处理的一级时效温度为850～920℃，二级时效温度为450～580℃，所述一级时效和二级时效的时间均为4～6h。