CN109859691A - 电路及其补偿方法 - Google Patents
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Abstract
一种电路，包括：像素驱动模块和补偿模块；补偿模块由分为：光感补偿模块和电感补偿模块；光感补偿模块由光感信号控制，包括光感器件和第四晶体管；电感补偿模块由电感信号控制，包括寄生电容和第二晶体管；补偿模块通过光感补偿和电感补偿一起对像素驱动模块晶体管的阈值电压补偿；有益效果：与现有技术相比，本申请提供的一种电路及其补偿方法，通过在像素驱动电路中加入光感补偿模块和电感补偿模块，电感补偿模块对像素驱动模块中的薄膜晶体管的阈值电压及迁移率的偏移进行补偿，光感补偿模对EL发光器件的劣化问题进行补偿，同时还可以针对电感补偿所带来的误差进行补偿，防止EL器件的老化，改善画质。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种电路及其补偿方法。
背景技术
目前，随着显示面板的大力发展，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)以高对比度和低功耗成为未来面板行业的趋势所在。
在显示领域中，特别是OLED中像素电路的外部补偿电路是非常重要的，由于工艺的不稳定性以及外界的干扰使得TFT管(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的阈值电压和迁移率不能够稳定在某一个值，因而需要利用补偿电路进行补偿。但是EL(Electroluminescent，电致发光)发光材料随着时间的推移也会逐渐的劣化，即使补偿了TFT的阈值电压和迁移率变化，且只能在EL不发光的情况下对TFT进行补偿，而没有办法对EL发光器件的劣化进行补偿，EL发光器件的发光强度也不能够达到预期，如何补偿TFT的阈值电压及迁移率偏移的同时补偿EL发光器件的劣化是技术开发人员亟待解决的问题。
因此，现有的OLED阈值电压补偿电路中，还存在着在补偿TFT的阈值电压及迁移率偏移的同时补偿EL发光器件的劣化的问题，急需改进。
发明内容
本申请涉及一种电路及其补偿方法，用于解决现有技术中存在的在补偿TFT的阈值电压及迁移率偏移的同时补偿EL发光器件的劣化的问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供的一种电路，包括：像素驱动模块和补偿模块；其中，
所述补偿模块由分为：光感补偿模块和电感补偿模块；
所述光感补偿模块由光感信号控制，包括光感器件和第四晶体管；所述电感补偿模块由电感信号控制，包括寄生电容和第二晶体管；所述补偿模块通过光感补偿和电感补偿一起对所述像素驱动模块晶体管的阈值电压和发光器件进行补偿。
根据本申请提供的一优选实施例，所述像素驱动模块包括：第一晶体管、第三晶体管、存储电容以及发光器件。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一晶体管栅极电性连接第一控制信号，所述第一晶体管的第一端电性连接数据信号，所述第一晶体管的第二端电性连接第一节点；所述第三晶体管的栅极电性连接所述第一节点，所述第三晶体管的第一端电性连接电源电压输入端，所述第三晶体管的第二端电性连接第二节点；所述存储电容的第一端电性连接所述第一节点，所述存储电容的第二端电性连接所述第二节点；所述发光器件的阳极电性连接所述第二节点，所述发光器件的阴极电性连接电源电压输出端。
根据本申请提供的一优选实施例，所述光感补偿模块与所述电感补偿模块串联。
根据本申请提供的一优选实施例，所述光感补偿模块中，所述光感器件的第一端电性连接所述第二节点，所述光感器件的第二端电性连接所述第四晶体管的第一端；所述第四晶体管的栅极连接第四控制信号，所述第四晶体管的第一端电性连接所述光感器件，所述第四晶体管的第二端接地。
根据本申请提供的一优选实施例，所述电感补偿模块中，所述第二晶体管的栅极由第二控制信号控制，所述第二晶体管的第一端电性连接所述第二节点，所述第二晶体管的第二端电性连接第三节点；所述寄生电容的第一端电性连接所述第三节点，所述寄生电容的第二端接地。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一晶体管为开关晶体管，所述第三晶体管为驱动晶体管，所述第二晶体管为电感晶体管，所述第四晶体管为光感晶体管。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一控制信号，所述第二控制信号以及所述第四控制信号均有外部时序控制器提供。
本申请还提供一种电路补偿方法，包括像素驱模块和补偿模块，所述补偿模块又包括：光感补偿模块和电感补偿模块；该电路的补偿方法步骤如下：
S10，控制第一晶体管和第二晶体管的栅极为高电平，第四晶体管的栅极为低电平；
S20，控制所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的栅极均为低电位；
S30，控制所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极为高电位；
S40，控制所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极为低电位，所述第四晶体管的栅极为高电位。
根据本申请提供的一优选实施例，进行所述步骤“S10”时，所述电感补偿模块与外部检测电路相连，分别从外部检测电路和数据线端写入电压进所述电感补偿模块。
本申请的有益效果为：与现有技术相比，本申请提供的一种电路及其补偿方法，通过在像素驱动电路中加入光感补偿模块和电感补偿模块，电感补偿模块对像素驱动模块中的薄膜晶体管的阈值电压及迁移率的偏移进行补偿，光感补偿模对EL发光器件的劣化问题进行补偿，同时还可以针对电感补偿所带来的误差进行补偿，防止EL器件的老化，改善画质。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的电路的第一结构示意图。
图2为本申请实施例提供的电路的第二结构示意图。
图3为本申请实施例提供的电路电感补偿过程中的第一结构示意图。
图4为本申请实施例提供的电路电感补偿过程中的第二结构示意图。
图5为本申请实施例提供的电路光感补偿过程中的第一结构示意图。
图6为本申请实施例提供的电路光感补偿过程中的第二结构示意图。
图7为本申请实施例提供的电路电感补偿阶段的时序图。
图8为本申请实施例提供的电路光感补偿阶段的时序图。
图9为本申请实施例提供的电路补偿方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请提供一种电路，具体参阅图1-9。
参阅图1，为本申请实施例提供的电路的第一结构示意图100。包括：像素驱动模块1和补偿模块2，所述补偿模块2又包括：光感补偿模块21，电感补偿模块22。
参阅图2，为本申请实施例提供的电路的第二结构示意图200。在所述像素驱动模块1中，包括第一晶体管T1，第三晶体管T3，存储电容Cst以及发光器件OLED11。所述第一晶体管T1栅极电性连接第一控制信号G1，第一端连接数据信号，第二端电性连接第一节点g。所述第三晶体管T3栅极电性连接第一节点g，第一端电性连接电源电压输入端，第二端电性连接第二节点s。所述存储电容Cst一端电性连接第一节点g，另一端电性连接第二节点s。所述发光器件OLED11一端电性连接第二节点s，另一端电性连接电源电压输出端。所述光感补偿模块21中，包括光感器件211和第四晶体管T4。所述电感补偿模块22中，包括第二晶体管T2和寄生电容Csense。
参阅图3，为本申请实施例提供的电路电感补偿过程中的第一结构示意图300。当所述像素驱动模块1内的第一晶体管T1，所述电感补偿模块22的第二晶体管T2为高电平状态，所述光感补偿模块21的第四晶体管T4为低电平状态时，所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，所述第四晶体管关闭。所述电感补偿模块22与外部检测电路连接，当从外部检测电路写入电学检测电压至所述电感补偿模块后，所述电感补偿模块马上开始产生飘移，此时数据先再写入电压，由于存在寄生电容Csense，所以此时寄生电容Csense开始充电。
参阅图4，为本申请实施例提供的电路电感补偿过程中的第二结构示意图400。当所述像素驱动模块1内的第一晶体管T1，所述电感补偿模块22的第二晶体管T2以及所述光感补偿模块21的第四晶体管T4均为低电位时，所述第一晶体管T1，所述第二晶体管T2以及所述第四晶体管T4均关闭。由于电容具有隔直通交的特性，当此数据线上流通的是直流电时，此时数据线上的电流只能从所述第一节点流经所述第三晶体管T3，而所述电感补偿模块22的寄生电容放电，从所述第三晶体管T3的第二端点流过，此时，外部检测电路将所述电感补偿模块22的电压读出，即可测出所述第三晶体管T3的阈值电压偏移量，再通过数据线将所述第三晶体管T3的阈值电压偏移量写入，对所述第三晶体管T3的阈值电压进行补偿。
参阅图5，为本申请实施例提供的电路光感补偿过程中的第一结构示意图500。当所述像素驱动模块1内的第一晶体管和所述电感补偿模块22内的第二晶体管T2为高电位，所述光感补偿模块21中的第四晶体管T4为高电位时，所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2导通，所述第四晶体管T4关闭。将所述发光器件211所述的电压从数据线写入，然后在所述第二节点s处写入基准低电压，此时存储电容Cst开始充电。
参阅图6，为本申请实施例提供的电路光感补偿过程中的第二结构示意图600。当所述像素驱动模块1内的第一晶体管T1，所述电感补偿模块22中的第二晶体管T2为低电位，所述光感补偿模块21中的第四晶体管为高电位时，所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2关闭，所述第四晶体管T4导通。此时，所述第三晶体管T3的栅极和源极两端电位是固定的，所述存储电容Cst开始放电，所述发光器件OLED开始发光。由于所述第四晶体管T4的栅极G4处于高电位，当所述发光器件OLED的光照射到所述光感器件OLED11上时，电流即可流经所述第四晶体管T4。若所述发光器件OLED11没有劣化，那么相同的输入数据线通过所述第四晶体管T4的电流大小在放光阶段时相同的；若所述发光器件OLED11发生了劣化，则在光强发生变化时，通过光感器件OLED11的电阻会发生变化，进而影响通过所述第四晶体管T4的电流变化。从而可以根据电流的变化情况判断出所述发光器件OLED11的劣化程度，再通过数据线对所述发光器件OLED11的劣化进行补偿。
参阅图7，为本申请实施例提供的电路电感补偿阶段的时序图700。第一阶段，当所述第一晶体管和所述第二晶体管为低电平时，数据线和所述电感补偿模块均无电压写入；第二阶段，当所述第一晶体管和所述第二晶体管为高电平时，数据线写入电压，同时所述电感补偿模块的寄生电容开始充电；第三阶段，采样阶段，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为低电位，数据线继续写入电压，所述寄生电容开始放电，以此找出所述第三晶体管的阈值电压偏移量；第四阶段，所述寄生电容放电完成，数据线不再写入电压，所述第一晶体管和所述第二晶体管关闭。
参阅图8，为本申请实施例提供的电路光感补偿阶段的时序图800。第一阶段，所述第一晶体管，所述第二晶体管和所述第四晶体管均关闭，数据线无电压写入；第二阶段，所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，所述第四晶体管关闭，数据线写入电压；第三阶段，所述第一晶体管和所述第二晶体管低电位，所述第四晶体管高电位，数据线不再写入电压，所述存储电容开始放电，所述发光器件OLED11开始发光，当光线照射到所述光感器件211时，由于所述第四晶体管处于导通状态，有电流通过所述第四晶体管，通过测量经过所述第四晶体管的电流，可以获得所述发光器件OLED11的杰劣化情况，再通过数据线将所述发光器件OLED所述的补偿电压写入进去，已完成电学补偿和光学补偿。
本申请提供的一种电路，包括：像素驱动模块1和补偿模块2；其中，所述补偿模块2由分为：光感补偿模块21和电感补偿模块22；所述光感补偿模块21由光感信号控制，包括光感器件211和第四晶体管T4；所述电感补偿模块22由电感信号控制，包括寄生电容Csense和第二晶体管T2；所述补偿模块2通过光感补偿和电感补偿一起对所述像素驱动模块晶体管的阈值电压和发光器件进行补偿。
根据本申请提供的一优选实施例，所述像素驱动模块1包括：第一晶体管T1、第三晶体管T3、存储电容Cst以及发光器件OLED。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一晶体管T1栅极电性连接第一控制信号，所述第一晶体管T1的第一端电性连接数据信号，所述第一晶体管T1的第二端电性连接第一节点；所述第三晶体管T3的栅极电性连接所述第一节点，所述第三晶体管T3的第一端电性连接电源电压输入端，所述第三晶体管T3的第二端电性连接第二节点；所述存储电容Cst的第一端电性连接所述第一节点，所述存储电容Cst的第二端电性连接所述第二节点；所述发光器件OLED11的阳极电性连接所述第二节点，所述发光器件OLED11的阴极电性连接电源电压输出端。
根据本申请提供的一优选实施例，所述光感补偿模块21与所述电感补偿模块22串联。
根据本申请提供的一优选实施例，所述光感补偿模块21中，所述光感器件211的第一端电性连接所述第二节点，所述光感器件211的第二端电性连接所述第四晶体管T4的第一端；所述第四晶体管T4的栅极连接第四控制信号，所述第四晶体管T4的第一端电性连接所述光感器件211，所述第四晶体管T4的第二端接地。
根据本申请提供的一优选实施例，所述电感补偿模块22中，所述第二晶体管T2的栅极由第二控制信号控制，所述第二晶体管T2的第一端电性连接所述第二节点，所述第二晶体管T2的第二端电性连接第三节点；所述寄生电容Csense的第一端电性连接所述第三节点，所述寄生电容Csense的第二端接地。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一晶体管T1为开关晶体管，所述第三晶体管T3为驱动晶体管，所述第二晶体管T2为电感晶体管，所述第四晶体管T4为光感晶体管。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一控制信号，所述第二控制信号以及所述第四控制信号均有外部时序控制器提供。
本申请实施例提供的电路中的晶体管均为PMOS管，从而避免不同类型的晶体管之间的差异性对像素驱动电路造成的影响。
参阅图9，本申请还提供一种电路补偿方法，包括像素驱模块1和补偿模块2，所述补偿模块2又包括：光感补偿模块21和电感补偿模块22；该电路的补偿方法步骤如下：S10，控制第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极为高电平，第四晶体管T4的栅极为低电平；S20，控制所述第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管的栅极均为低电位；S30，控制所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2的栅极为高电位；S40，控制所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2的栅极为低电位，所述第四晶体管T4的栅极为高电位。
根据本申请提供的一优选实施例，进行所述步骤“S10”时，所述电感补偿模块22与外部检测电路相连，分别从外部检测电路和数据线端写入电压进所述电感补偿模块22。
根据本申请提供的一优选实施例，进行所述步骤“S40”后，所述第三晶体管T3的栅极和源极电位固定，所述发光器件OLED11开始发光。
与现有技术相比，本申请提供的一种电路及其补偿方法，通过在像素驱动电路中加入光感补偿模块21和电感补偿模块22，电感补偿模块22对像素驱动模块中的薄膜晶体管T3的阈值电压及迁移率的偏移进行补偿，光感补偿模21对EL发光器件的劣化问题进行补偿，同时还可以针对电感补偿所带来的误差进行补偿，防止EL器件的老化，改善画质。
以上对本申请实施例所提供的一种电路及其补偿方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种电路，其特征在于，包括：像素驱动模块和补偿模块；其中，
所述补偿模块由分为：光感补偿模块和电感补偿模块；
所述光感补偿模块由光感信号控制，包括光感器件和第四晶体管；所述电感补偿模块由电感信号控制，包括寄生电容和第二晶体管；所述补偿模块通过光感补偿和电感补偿一起对所述像素驱动模块晶体管的阈值电压和发光器件进行补偿。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述像素驱动模块包括：第一晶体管、第三晶体管、存储电容以及发光器件。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管栅极电性连接第一控制信号，所述第一晶体管的第一端电性连接数据信号，所述第一晶体管的第二端电性连接第一节点；所述第三晶体管的栅极电性连接所述第一节点，所述第三晶体管的第一端电性连接电源电压输入端，所述第三晶体管的第二端电性连接第二节点；所述存储电容第一端电性连接所述第一节点，所述存储电容的第二端电性连接所述第二节点；所述发光器件的阳极电性连接所述第二节点，所述发光器件的阴极电性连接电源电压输出端。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述光感补偿模块与所述电感补偿模块串联。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述光感补偿模块中，所述光感器件的第一端电性连接所述第二节点，所述光感器件的第二端电性连接所述第四晶体管的第一端；所述第四晶体管的栅极电性连接第四控制信号，所述第四晶体管的第一端电性连接所述光感器件，所述第四晶体管的第二端接地。
6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述电感补偿模块中，所述第二晶体管的栅极由第二控制信号控制，所述第二晶体管的第一端电性连接所述第二节点，所述第二晶体管的第二端电性连接第三节点；所述寄生电容的第一端电性连接所述第三节点，所述寄生电容的第二端接地。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管为开关晶体管，所述第三晶体管为驱动晶体管，所述第二晶体管为电感晶体管，所述第四晶体管为光感晶体管。
8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一控制信号，所述第二控制信号以及所述第四控制信号均有外部时序控制器提供。
9.一种电路补偿方法，其特征在于，包括像素驱模块和补偿模块，所述补偿模块又包括：光感补偿模块和电感补偿模块；该电路的补偿方法步骤如下：
S10，控制第一晶体管和第二晶体管的栅极为高电平，第四晶体管的栅极为低电平；
S20，控制所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的栅极均为低电位；
S30，控制所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极为高电位；
S40，控制所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极为低电位，所述第四晶体管的栅极为高电位。
10.根据权利要求7所述的电路补偿方法，其特征在于，进行所述步骤“S10”时，所述电感补偿模块与外部检测电路相连，分别从外部检测电路和数据线端写入电压进所述电感补偿模块。
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