CN109791966B - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

根据实施例，发光器件封装包括：第一封装本体，该第一封装本体包括平坦的下表面、与所述下表面平行的上表面、以及贯穿所述上表面和下表面设置的第一开口部和第二开口部；第二封装本体，该第二封装本体布置在第一封装本体上，并且包括贯穿第二封装本体的上表面和下表面设置的开口；以及发光器件，该发光器件布置在所述开口中，并且包括第一结合部和第二结合部。根据实施例，第一封装本体的上表面与第二封装本体的下表面联接，第一结合部布置在第一开口部上，并且第二结合部布置在第二开口部上。

Description

发光器件封装
技术领域
实施例涉及一种半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源设备。
背景技术
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，例如宽且易于调节的带隙能，所以这种器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。
特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线。此外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。
此外，随着器件材料的发展，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，通过吸收具有各种波长域的光来生成光电流，从而能够使用具有各种波长域(例如从伽马射线到无线电波)的光。此外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保和易于控制器件材料等的优点，使得光接收器件能够容易地用于功率控制、超高频电路或通信模块。
因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、取代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替换荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。此外，半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制设备或通信模块。
例如，发光器件可以被提供为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的p-n结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现各种波长。
例如，因为氮化物半导体具有高的热稳定性和宽的带隙能，所以在光学器件和高功率电子器件的开发领域中已受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。
例如，紫外发光器件是指产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围内，短波长可以用于灭菌、净化等，而长波长可以用于光刻机、固化设备等。
按照长波长的顺序，紫外线可以被分类为UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)域被应用于各种领域，例如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、***的鉴别、光催化灭菌、特殊照明(例如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。
同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高功率源来增加输出功率的半导体器件的研究。
此外，关于半导体器件封装，已经进行了提高半导体器件的光提取效率和提高封装阶段中的光强度的方法的研究。此外，关于半导体器件封装，已经进行了提高封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。
此外，关于半导体器件封装，已经进行了通过提高工艺效率和改变结构来降低制造成本和提高制造产量的方法的研究。
发明内容
技术问题
实施例可以提供能够改善光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造该半导体器件封装的方法、以及光源设备。
实施例可以提供能够降低制造成本并提高制造产量的半导体器件封装、制造该半导体器件封装的方法、以及光源设备。
实施例提供了一种半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，所述半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法可以防止在将半导体器件封装重新结合到基板等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象(re-melting phenomenon)。
技术方案
根据实施例，发光器件封装可以包括：第一封装本体，该第一封装本体包括平坦的下表面、与所述下表面平行的上表面、以及贯穿所述上表面和下表面设置的第一开口部和第二开口部；第二封装本体，该第二封装本体布置在第一封装本体上，并且包括贯穿第二封装本体的上表面和下表面设置的开口；以及发光器件，该发光器件布置在所述开口中，并包括第一结合部和第二结合部，其中，第一封装本体的上表面可以与第二封装本体的下表面联接，第一结合部可以布置在第一开口部上，并且第二结合部可以布置在第二开口部上。
根据实施例，第一封装本体和第二封装本体中的至少一个可以包括波长转换材料。
根据实施例，第一封装本体和第二封装本体中的至少一个可以由透明树脂形成。
根据实施例，第一封装本体和第二封装本体中的至少一个可以由反射树脂形成。
根据实施例，第一封装本体和第二封装本体可以包括相互不同的材料。
根据实施例，第一封装本体和第二封装本体可以包括选自PPA、PCT、EMC、SMC和PI的相互不同的材料，并且第一封装本体可以包括反射材料且第二封装本体可以包括波长转换材料。
根据实施例，第一封装本体和第二封装本体可以包括选自PPA、PCT、EMC、SMC和PI的相互不同的材料，并且第一封装本体可以包括波长转换材料且第二封装本体可以包括反射材料。
根据实施例，第一封装本体和第二封装本体可以包括选自PPA、PCT、EMC、SMC和PI的相互不同的材料，并且第一封装本体可以包括透明树脂且第二封装本体可以包括波长转换材料和反射材料中的至少一种。
根据实施例，该发光器件封装可以包括布置在第一封装本体和第二封装本体之间的粘合剂层。
根据实施例，第一封装本体可以包括凹部，该凹部在从第一封装本体的上表面到下表面的方向上凹进地设置，该凹部可以布置在第一开口部和第二开口部之间，并且第一树脂可以布置在该凹部中，同时与发光器件的下表面接触。
有益效果
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够改善光提取效率、电特性和可靠性。
根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法能够提高工艺效率并提出了新的封装结构，从而降低了制造成本并提高制造产量。
根据实施例，该半导体器件封装设置有具有高反射率的本体，从而能够防止反射器变色，由此提高半导体器件封装的可靠性。
根据实施例，该半导体器件封装和制造半导体器件的方法能够防止在将半导体器件封装重新结合到基板等或者对半导体器件封装进行热处理的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生重熔现象。
附图说明
图1是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的视图。
图2是用于描述根据本发明的实施例的发光器件封装的分解立体图。
图3是用于描述根据本发明的实施例的发光器件封装的封装本体、凹部和开口部的布置的视图。
图4至图8是用于描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法的视图。
图9是示出了根据本发明的另一实施例的发光器件封装的视图。
图10是示出了根据本发明的又一实施例的发光器件封装的视图。
图11是示出了根据本发明的又一实施例的发光器件封装的视图。
图12是用于描述被应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的发光器件的俯视图。
图13是示出了沿着图12的线A-A截取的发光器件的剖视图。
图14是用于描述被应用于根据本发明的另一实施例的发光器件封装的发光器件的俯视图。
图15是沿着图14的线F-F截取的发光器件的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述实施例。在对实施例的描述中，在每个层(膜)、区域、图案或结构可以被称为设置在基板、每个层(膜)、区域、焊盘、图案“上/上方”或“下方”的情况下，术语“上/上方”或“下方”包括“直接”在上/上方或下方以及“间接***有另一层”两者。此外，将基于附图来描述每层的“上/上方”或“下方”，但实施例不限于此。
在下文中，将参考附图来详细描述根据实施例的半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法。在下文中，描述将基于应用发光器件作为半导体器件的一个示例的情形。
首先，将参考图1至图3描述根据本发明的实施例的发光器件封装。图1是示出了根据本发明的实施例的发光器件封装的视图，图2是用于描述根据本发明的实施例的发光器件封装的分解立体图，并且图3是用于描述根据本发明的实施例的发光器件封装的封装本体、凹部和开口部的布置的视图。
根据实施例，如图1至图3中所示，发光器件封装100可以包括封装本体110和发光器件120。
封装本体110可以包括第一封装本体113和第二封装本体117。第二封装本体117可以设置在第一封装本体113上。第二封装本体117可以布置在第一封装本体113的上表面的外周处。第二封装本体117可以在第一封装本体113的上表面上方形成腔体C。第二封装本体117可以包括贯穿第二封装本体117的上表面和下表面设置的开口。
换句话说，第一封装本体113可以被称为下本体，而第二封装本体117可以被称为上本体。此外，根据实施例，封装本体110可以不包括形成所述腔体的第二封装本体117，而是可以仅包括具有平坦上表面的第一封装本体113。
第二封装本体117可以在向上方向上反射从发光器件120发射的光。第二封装本体117可以相对于第一封装本体113的上表面倾斜。
封装本体110可以包括腔体C。该腔体可以包括底表面、以及从该底表面倾斜到封装本体110的上表面的侧表面。
根据实施例，封装本体110可以具有设置有腔体C的结构，或者可以具有设置有平坦上表面而无腔体C的结构。
例如，封装本体110可以由从以下项组成的组中选出的一种材料形成：聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、陶瓷、聚酰亚胺(PI)、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等。此外，封装本体110可以包括反射材料，该反射材料包括诸如TiO2或SiO2的高折射填料。封装本体110可以包括波长转换材料，例如量子点或荧光物质。
同时，根据实施例，第一封装本体113和第二封装本体117可以包括相互不同的材料。例如，第一封装本体113和第二封装本体117可以在相互不同的工艺中由相互不同的材料形成，然后彼此联接。例如，第一封装本体113和第二封装本体117可以通过粘合剂层160彼此联接。
粘合剂层160可以布置在第一封装本体113和第二封装本体117之间。粘合剂层160可以布置在第一封装本体113的上表面上。粘合剂层160可以布置在第二封装本体117的下表面上。粘合剂层160可以布置在发光器件120的***处，以形成所述腔体。
粘合剂层160可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，粘合剂层160可以反射从发光器件120发射的光。如果粘合剂层160具有反射功能，则该粘合剂可以包括白色硅树脂。
同时，第一封装本体113和第二封装本体117中的每一个可以包括从包括聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、聚酰亚胺(PI)等作为基材的树脂材料中选出的至少一种。
此外，第一封装本体113和第二封装本体117中的每一个可以包括反射材料和波长转换材料中的至少一种。此外，第一封装本体113和第二封装本体117可以不包括反射材料和波长转换材料。第一封装本体113和第二封装本体117可以由透明树脂形成。
第一封装本体113和第二封装本体117可以包括相互不同的基材。
例如，第一封装本体113可以包括反射材料，并且第二封装本体117可以包括波长转换材料。此外，第一封装本体113可以包括波长转换材料，并且第二封装本体117可以包括反射材料。
根据实施例，第一封装本体113可以包括反射材料，并且第二封装本体117可以包括反射材料和波长转换材料。此外，第一封装本体113可以包括反射材料和波长转换材料，并且第二封装本体117可以包括波长转换材料。
根据实施例的发光器件封装100，包括相互不同的基材的第一封装本体113和第二封装本体117可以在相互不同的工艺中被分开地形成，并且通过对部件选择性地组合而以模块化方案制造，以满足应用所需的特性。稍后将更详细地讨论制造根据实施例的发光器件封装的方法。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和基板124。
发光器件120可以包括布置在基板124下方的发光结构123。发光结构123可以包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层。第一结合部121可以电连接到第一导电半导体层。第二结合部122可以电连接到第二导电半导体层。
发光器件120可以布置在封装本体110上。发光器件120可以布置在第一封装本体113上。发光器件120可以布置在由第二封装本体117提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一封装本体113之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第一封装本体113之间。
第一结合部121和第二结合部122可以制备为由以下项组成的组中选出的至少一种材料形成的单层或多层：Ti、Al、Sn、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO、或者它们的合金。
同时，根据实施例，如图1至图3中所示，发光器件封装100可以包括第一开口部TH1和第二开口部TH2。
封装本体110可以包括在腔体C的底表面中贯穿封装本体110的下表面设置的第一开口部TH1。封装本体110可以包括在腔体C的下表面中贯穿封装本体110的下表面设置的第二开口部TH2。
例如，第一封装本体113可以包括平坦的下表面、以及与下表面平行的上表面。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以贯穿第一封装本体113的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1可以设置在第一封装本体113中。第一开口部TH1可以贯穿第一封装本体113设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一封装本体113的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口部TH1可以在从第一封装本体113的上表面朝向其下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口部TH2可以设置在第一封装本体113中。第二开口部TH2可以贯穿第一封装本体113设置。第二开口部TH2可以在所述第一方向上贯穿第一封装本体113的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口部TH2可以在从第一封装本体113的上表面朝向其下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，第一开口部TH1的上部区域的宽度W1可以等于或小于第一结合部121的宽度。此外，第二开口部TH2的上部区域的宽度可以等于或小于第二结合部122的宽度。
此外，第一开口部TH1的上部区域的宽度W1可以等于或小于第一开口部TH1的下部区域的宽度W2。此外，第二开口部TH2的上部区域的宽度可以等于或小于第二开口部TH2的下部区域的宽度。
第一开口部TH1可以倾斜，使得第一开口部TH1的宽度从第一开口部TH1的下部区域朝向其上部区域逐渐减小。第二开口部TH2可以倾斜，使得第二开口部TH2的宽度从第二开口部TH2的下部区域朝向其上部区域逐渐减小。
然而，实施例不限于此，而是可以在第一开口部TH1和第二开口部TH2的上部区域和下部区域之间设置具有相互不同的斜率的多个倾斜表面，其中这些倾斜表面可以具有曲率。第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的、在第一封装本体113的下表面区域中的宽度可以是几百微米。第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的、在第一封装本体113的下表面区域中的宽度可以是100微米至150微米。
根据实施例，当发光器件封装100后来安装在电路板、子底座等上时，第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的、在第一封装本体113的下表面区域中的宽度可以被设定为预定距离或更多，以便防止在所述结合部之间发生电短路。
根据实施例，如图1至图3中所示，发光器件封装100可以包括凹部R。凹部R可以在腔体C的底表面处朝向封装本体110的下表面凹进地设置。
凹部R可以设置在第一封装本体113中。凹部R可以在从第一封装本体113的上表面到其下表面的方向上凹进地设置。凹部R可以布置在发光器件120下方。
凹部R可以布置在发光器件120下方，同时布置在第一结合部121和第二结合部122之间。凹部R可以在发光器件120的短轴方向上在发光器件120下方延伸。
根据实施例，如图1中所示，发光器件封装100可以包括第一树脂130。
第一树脂130可以布置在凹部R中。第一树脂130可以布置在发光器件120和第一封装本体113之间。第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。例如，第一树脂130可以与第一结合部121的侧表面及第二结合部122的侧表面接触。
第一树脂130可以布置在第一结合部121的***处，以密封第一开口部TH1的上部区域。第一树脂130可以布置在第二结合部122的***处，以密封第二开口部TH1的上部区域。
第一树脂130可以在发光器件120和第一封装本体113之间提供稳定的固定强度。例如，第一树脂130可以与第一封装本体113的上表面直接接触。此外，第一树脂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，第一树脂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，第一树脂130可以反射从发光器件120发射的光。如果第一树脂130具有反射功能，则粘合剂可以包括白色硅树脂。如果第一树脂130具有反射功能，则第一树脂130例如可以由包括TiO2、SiO2等的材料形成。第一树脂130可以被称为粘合剂。
根据实施例，凹部R的深度可以小于第一开口部TH1的深度或第二开口部TH2的深度。
可以考虑第一树脂130的粘合强度来确定凹部R的深度。此外，可以考虑第一封装本体113的稳定强度来确定凹部R的深度T1，和/或可以确定凹部R的深度T1以防止由于从发光器件120发出的热量而在发光器件封装100上产生裂缝。
凹部R可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。凹部R可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面与第一封装本体113的上表面之间足够多地提供第一树脂130。此外，凹部R可以具有第二深度或更小深度，以为第一封装本体113提供稳定的强度。
凹部R的深度和宽度可以影响第一树脂130的位置和固定强度。凹部R的深度和宽度可以被确定为使得布置在第一封装本体113和发光器件120之间的第一树脂130提供足够的固定强度。
例如，凹部R的深度可以是几十微米。凹部R的深度可以是40微米至60微米。
此外，凹部R的宽度可以是几百微米。凹部R的宽度可以是140微米至160微米。例如，该凹部的宽度W3可以是150微米。
第一开口部TH1的深度可以确定为对应于第一封装本体113的厚度。可以确定第一开口部TH1的深度，使得第一封装本体113可以维持稳定的强度。
例如，第一开口部TH1的深度可以是几百微米。第一开口部TH1的深度可以是180微米至220微米。例如，第一开口部TH1的深度可以是200微米。
例如，通过将第一开口部TH1的深度减去凹部R的深度而定义的厚度可以被设定为100微米或更大。通过考虑允许第一封装本体113没有裂缝的注射成型工艺所需的厚度来选择上述厚度。
根据实施例，第一开口部TH1的深度可以是凹部R的深度的2至10倍。例如，如果第一开口部TH1的深度是200微米，则凹部R的深度可以是20微米至100微米。
此外，根据实施例，如图1中所示，发光器件封装100可以包括第二树脂140。
第二树脂140可以设置在发光器件120上。第二树脂140可以布置在第一封装本体113上。第二树脂140可以布置在由第二封装本体117提供的腔体C中。
第二树脂140可以包括绝缘材料。此外，第二树脂140可以包括波长转换材料，用于接收从发光器件120发射的光以提供经过波长转换的光。例如，第二树脂140可以包括荧光物质、量子点等。
此外，根据实施例，发光结构123可以是化合物半导体。例如，发光结构123可以是II-VI族或III-V族化合物半导体。例如，发光结构123可以包括从铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中选出的至少两种元素。
发光结构123可以包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。
第一导电半导体层和第二导电半导体层可以实施为III-V族或II-VI族化合物半导体中的至少一种。第一导电半导体层和第二导电半导体层例如可以由具有InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。例如，第一导电半导体层和第二导电半导体层可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等组成的组中选出的至少一种。第一导电半导体层可以是掺杂有n型掺杂剂(例如Si、Ge、Sn、Se或Te)的n型半导体层。第二导电半导体层可以是掺杂有p型掺杂剂(例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)的p型半导体层。
有源层可以实现为化合物半导体。有源层例如可以实现为III-V族或II-VI族化合物半导体中的至少一种。如果有源层被实现为多阱结构，则有源层可以包括彼此交替地布置的多个阱层和多个势垒层，并且可以由具有InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。例如，有源层可以包括从由InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP以及InP/GaAs组成的组中选出的至少一种。
此外，根据实施例，如图1中所示，发光器件封装100可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以与第二导电层322间隔开。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一结合部121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上的宽度，第一开口部TH1被沿着所述第一方向设置。第一结合部121的宽度可以大于第一开口部TH1在第二方向上的宽度。
第一导电层321可以与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被第一封装本体113包围。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二结合部122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二结合部122的宽度可以大于第二开口部TH2在第二方向上的宽度。
第二导电层322可以与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被第一封装本体113包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等组成的组中选出的至少一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，并且第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料形成。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以由导电膏形成。该导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以制备为由相互不同的材料形成的多层，或者由合金形成的多层或单层。例如，第一导电层321和第二导电层322可以包括Sn-Ag-Cu(SAC)材料。
根据实施例，第一导电层321可以电连接到第一结合部121，并且第二导电层322可以电连接到第二结合部122。例如，外部电力可以供应到第一导电层321和第二导电层322，从而驱动发光器件120。
第一树脂130可以执行将发光器件120稳定地固定到封装本体110的功能。此外，第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122的***处，同时与第一结合部121的侧表面及第二结合部122的侧表面接触。当从发光器件120的顶部观察时，第一树脂130布置成使得第一开口部TH1和第二开口部TH2被与设置有第二树脂140的外侧区域隔离。
由于第一树脂130，可以防止分别设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2中的第一导电层321和第二导电层322流到发光器件120的外部。
当从发光器件120的顶部观察时，如果第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的外部，则第一导电层321和第二导电层322可能沿着发光器件120的侧表面扩散。如果第一导电层321和第二导电层322如上所述地移动到发光器件120的侧表面，则发光器件120的第一导电半导体层和第二导电半导体层可能会电短路。此外，如果第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，则发光器件120的光提取效率可能会降低。
然而，根据实施例，因为第一结合部121和第二结合部122的***区域能够被第一树脂130密封，所以可以防止第一导电层321和第二导电层322溢出到第一开口部TH1和第二开口部TH2的区域的外部。
因此，根据实施例的发光器件封装100，能够防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，能够防止发光器件120电短路，并能够提高光提取效率。
在下文中，将参考图4至图8描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法。
在参考图4至图8描述根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法时，可以省略与参考图1至图3描述的那些重复的描述。
首先，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，如图4中所示，可以提供支撑框架B和布置在支撑框架B中的多个第一本体阵列A1、A2、A3和A4。
支撑框架B可以稳定地支撑第一本体阵列A1、A2、A3和A4。支撑框架B可以是绝缘框架或导电框架。
例如，可以通过注射成型工艺等提供第一本体阵列A1、A2、A3和A4。
图4示出了了四个第一本体阵列A1、A2、A3和A4布置在支撑框架B上的情况。然而，可以设置三个或更少的第一本体阵列，或者可以设置五个或更多个第一本体阵列。此外，这些第一本体阵列可以布置成多行和多列，或者可以布置成一行和多列。
第一本体阵列A1、A2、A3和A4中的每一个可以包括多个子本体阵列A11、A12、......。
子本体阵列A11、A12、......中的每一个可以包括参考图1至图3描述的第一封装本体113、第一开口部TH1和第二开口部TH2、以及凹部R。此外，子本体阵列A11、A12、......中的每一个可以以彼此相似的结构设置。第一开口部TH1可以设置在第一封装本体113中。第一开口部TH1可以贯穿第一封装本体113设置。第一开口部TH1可以在第一方向上贯穿第一封装113的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以设置在第一封装本体113中。第二开口部TH2可以贯穿第一封装本体113设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第一封装本体113的上表面和下表面设置。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。
凹部R可以设置在第一封装本体113中。凹部R可以在从第一封装本体113的上表面到其下表面的方向上凹进地设置。
接下来，根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图5中所示，发光器件120可以布置在子本体阵列A11、A12、......中的每一个上。
如参考图1至图3所描述的，第一树脂130可以设置在凹部R中，并且可以安装发光器件120。
第一树脂130可以通过点图方案(doting scheme)等设置在凹部R的区域中。例如，第一树脂130可以设置在这样的区域中：在该区域中，凹部R以预定的量设置，并且第一树脂130可以设置到该第一树脂130从凹部R溢出的程度。
此外，发光器件120可以布置在第一封装本体113上。
根据实施例，凹部R可以在将发光器件120布置在封装本体110上的工艺中用作一种对准键(align key)。
发光器件120可以通过第一树脂130固定到第一封装本体113。设置在凹部R中的第一树脂130的一部分可以朝向发光器件120的第一结合部121和第二结合部122移动并固化。因此，第一树脂130可以设置在发光器件120的下表面与第一封装本体113的上表面之间的宽区域中，从而提高发光器件120和第一封装本体113之间的固定强度。
根据实施例，第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口部TH1可以在从第一封装本体113的上表面朝向其下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口部TH2可以在从第一封装本体113的上表面朝向其下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一树脂130可以用于将发光器件120稳定地固定到封装本体110。此外，第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122的***处，同时与第一结合部121的侧表面及第二结合部122的侧表面接触。
接下来，根据制造如参考图1至图3描述的实施例的发光器件封装的方法，每个子本体阵列A11、A12、......的第一开口部TH1和第二开口部TH2可以分别设置有第一导电层321和第二导电层322。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一结合部121下方。第一导电层321的宽度可以小于第一结合部121的宽度。
第一结合部121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上的宽度，第一开口部TH1被沿着该第一方向设置。第一结合部121的宽度可以大于第一开口部TH1在第二方向上的宽度。
第一导电层321可以与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被第一封装本体113包围。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二结合部122下方。第二导电层322的宽度可以小于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二结合部122的宽度可以大于第二开口部TH2在第二方向上的宽度。
第二导电层322可以与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被第一封装本体113包围。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等组成的组中选出的一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，并且第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料形成。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以由导电膏形成。该导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以制备为由相互不同的材料形成的多层，或者由合金形成的多层或单层。例如，第一导电层321和第二导电层322可以包括Sn-Ag-Cu(SAC)材料。
因为第一开口部TH1和第二开口部TH2的上部区域能够被第一树脂130密封，所以可以防止分别设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2中的第一导电层321和第二导电层322在发光器件120的下表面下方扩散。
因为第一开口部TH1和第二开口部TH2能够如上所述地被第一树脂130密封，所以可以防止分别设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2中的第一导电层321和第二导电层322移动到第一封装本体113的上表面上。
同时，根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图6中所示，可以提供第二本体阵列D。
第二本体阵列D可以包括多个子本体阵列E11、E12、......。例如，第二本体阵列D可以包括如图6中所示的沿一个方向布置的多个子本体阵列E11、E12、......。此外，第二本体阵列D可以包括以具有多个列和多个行的矩阵的形式布置的多个子本体阵列E11、E12、......。
如图6中所示，子本体阵列E11、E12、......中的每一个可以包括在从每个子本体阵列E11、E12、......的上表面到其下表面的方向上设置的开口部。
接下来，根据实施例的制造发光器件封装的方法，如图7中所示，可以在第一本体阵列A1、A2、A3和A4上设置第二本体阵列D。
如参考图1至图3所描述的，第一本体阵列A1、A2、A3和A4以及第二本体阵列D可以通过粘合剂层160彼此联接。
例如，子本体阵列E11可以布置在子本体阵列A11上，并且子本体阵列E12可以布置在子本体阵列A12上。
同时，根据实施例，第一本体阵列A1、A2、A3和A4以及第二本体阵列D可以包括相互不同的材料。例如，第一本体阵列A1、A2、A3和A4以及第二本体阵列D可以在相互不同的工艺中由相互不同的材料形成，然后通过粘合剂层160彼此联接。
粘合剂层160可以布置在第一本体阵列A1、A2、A3和A4与第二本体阵列D之间。粘合剂层160可以布置在第一本体阵列A1、A2、A3和A4的上表面上。粘合剂层160可以布置在第二本体阵列D的下表面上。
粘合剂层160可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，粘合剂层160可以反射从发光器件120发射的光。如果粘合剂层160具有反射功能，则该粘合剂可以包括白色硅树脂。
同时，第一本体阵列A1、A2、A3和A4中的每一个以及第二本体阵列D可以包括从包括聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、聚酰亚胺(PI)等作为基材的树脂材料中选出的至少一种。
此外，第一本体阵列A1、A2、A3和A4中的每一个以及第二本体阵列D可以包括反射材料和波长转换材料中的至少一种。此外，第一本体阵列A1、A2、A3和A4以及第二本体阵列D可以不包括反射材料和波长转换材料。
第一本体阵列A1、A2、A3和A4以及第二本体阵列D可以包括相互不同的基材。
例如，第一本体阵列A1、A2、A3和A4可以包括反射材料，并且第二本体阵列D可以包括波长转换材料。此外，第一本体阵列A1、A2、A3和A4可以包括波长转换材料，并且第二本体阵列D可以包括反射材料。
根据实施例，第一本体阵列A1、A2、A3和A4可以包括反射材料，并且第二本体阵列D可以包括反射材料和波长转换材料。此外，第一本体阵列A1、A2、A3和A4可以包括反射材料和波长转换材料，并且第二本体阵列D可以包括波长转换材料。
根据实施例的发光器件封装，包括相互不同的基材的第一本体阵列A1、A2、A3和A4以及第二本体阵列D可以在相互不同的工艺中被分开地提供，并且通过对部件选择性地组合而以模块化方案制造，以满足应用所需的特性。
接下来，如参考图1至图3所描述的，由第二本体阵列D的开口部提供的腔体可以设置有第二树脂140。
第二树脂140可以设置在发光器件120上。第二树脂140可以布置在第一本体阵列A1、A2、A3和A4上。第二树脂140可以布置在由第二本体阵列D提供的腔体C中。
第二树脂140可以包括绝缘材料。此外，第二树脂140可以包括波长转换材料，用于接收从发光器件120发射的光以提供经过波长转换的光。例如，第二树脂140可以包括荧光物质、量子点等。
接下来，根据实施例的制造发光器件封装的方法，在第一本体阵列A1、A2、A3和A4以及第二本体阵列D彼此联接的状态下，可以通过诸如切割或划线的分离工艺来制造如图8中所示的单个发光器件封装。
根据实施例，如图8中所示，发光器件封装100可以包括封装本体110，其中，通过模块化方案来制造第一封装本体113和第二封装本体117并将第一封装本体113和第二封装本体117彼此联接。
根据实施例的发光器件封装100，如参考图1至图7所描述的，在提供封装本体110时，没有应用传统的引线框架。
在应用有传统的引线框架的发光器件封装的情况下，需要形成该引线框架的附加工艺。然而，根据本发明的实施例，制造发光器件封装的方法不需要形成引线框架的工艺。因此，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，能够缩短工艺时间并能够减少材料。
此外，在应用有传统的引线框架的发光器件封装的情况下，有必要添加使用银等的电镀工艺以防止引线框架的劣化。然而，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，并不需要引线框架，从而，诸如镀银工艺的附加工艺是不必要的。因此，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，可以降低制造成本并可以提高制造产量。
此外，与应用有传统的引线框架的发光器件封装相比，根据本发明的实施例的发光器件封装能够被小型化。
根据实施例的发光器件封装100，电源可以通过设置在第一开口部TH1中的第一导电层321连接到第一结合部121，并且该电源可以通过设置在第二开口部TH2中的第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120能够由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动电力驱动。此外，从发光器件120发射的光可以在封装本体110的向上方向上指向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装被安装在子底座、电路板等上时，可能应用诸如回流工艺或热处理工艺的高温工艺。在该回流工艺或热处理工艺中，在发光器件封装中设置的引线框架与发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，发光器件120的第一结合部121和第二结合部122可以通过第一导电层321和第二导电层322接收驱动电力。此外，第一导电层321和第二导电层322的熔点可以设定为高于典型结合材料的熔点的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，从而电连接和物理结合强度可以不恶化。
此外，根据实施例的发光器件封装100和制造该发光器件封装的方法，因为发光器件120通过使用导电膏而安装在第一本体阵列A1、A2、A3和A4上，在制造发光器件封装的工艺中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110由于该封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
例如，封装本体110可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂、硅树脂模塑化合物(SMC)树脂和聚酰亚胺(PI)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
在下文中，将参考图9描述根据本发明的另一实施例的发光器件封装。图8是示出了根据本发明的另一实施例的发光器件封装的视图。
图9中所示的根据本发明的实施例的发光器件封装是参考图1至图8描述的发光器件封装100被安装在电路板310上并且被提供的示例。
在参考图9描述根据本发明的实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图8描述的那些重复的描述。
根据实施例，如图9中所示，该发光器件封装可以包括电路板310、封装本体110和发光器件120。
电路板310可以包括第一焊盘311、第二焊盘312和支撑基板313。支撑基板313可以设置有用于控制发光器件120的驱动的电源电路。
封装本体110可以布置在电路板310上。第一焊盘311和第一结合部121可以彼此电连接。第二焊盘312和第二结合部122可以彼此电连接。
第一焊盘311和第二焊盘312可以包括导电材料。例如，第一焊盘311和第二焊盘312可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Fe、Sn、Zn和Al组成的组中选出的至少一种材料或其合金。第一焊盘311和第二焊盘312可以制备为单层或多层。
封装本体110可以包括第一封装本体113和第二封装本体117。
封装本体110可以包括在第一方向上从封装本体110的上表面到下表面设置的第一开口部TH1和第二开口部TH2。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在第一方向上从第一封装本体113的上表面到下表面设置。
同时，根据实施例，第一封装本体113和第二封装本体117可以包括相互不同的材料。例如，第一封装本体113和第二封装本体117可以在相互不同的工艺中由相互不同的材料形成，然后通过粘合剂层160彼此连接。
粘合剂层160可以布置在第一封装本体113和第二封装本体117之间。粘合剂层160可以布置在第一封装本体113的上表面上。粘合剂层160可以布置在第二封装本体117的下表面上。粘合剂层160可以布置在发光器件120的***处，以形成所述腔体。
粘合剂层160可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，粘合剂层160可以反射从发光器件120发射的光。如果粘合剂层160具有反射功能，则该粘合剂可以包括白色硅树脂。
同时，第一封装本体113和第二封装本体117中的每一个可以包括从包括聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、聚酰亚胺(PI)等作为基材的树脂材料中选出的至少一种。
此外，第一封装本体113和第二封装本体117中的每一个可以包括反射材料和波长转换材料中的至少一种。此外，第一封装本体113和第二封装本体117可以不包括反射材料和波长转换材料。
第一封装本体113和第二封装本体117可以包括相互不同的基材。
例如，第一封装本体113可以包括反射材料，并且第二封装本体117可以包括波长转换材料。此外，第一封装本体113可以包括波长转换材料，并且第二封装本体117可以包括反射材料。
根据实施例，第一封装本体113可以包括反射材料，并且第二封装本体117可以包括反射材料和波长转换材料。此外，第一封装本体113可以包括反射材料和波长转换材料，并且第二封装本体117可以包括波长转换材料。
根据实施例的发光器件封装100，包括相互不同的基材的第一封装本体113和第二封装本体117可以在相互不同的工艺中被分开地提供，并且通过对部件选择性地组合而以模块化方案制造，以满足应用所需的特性。
发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和基板124。
发光器件120可以布置在封装本体110上。发光器件120可以布置在第一封装本体113上。发光器件120可以布置在由第二封装本体117提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一封装本体113之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第一封装本体113之间。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口部TH1可以在从第一封装本体113的上表面朝向其下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口部TH2可以在从第一封装本体113的上表面朝向其下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，如图9中所示，该发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。
第一导电层321可以布置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以在竖直方向上与第一结合部121重叠。
第一导电层321的上表面可以与第一封装本体113的上表面共面。第一导电层321的下表面可以与第一封装本体113的下表面共面。
第二导电层322可以布置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以在竖直方向上与第二结合部122重叠。
第二导电层322的上表面可以与第一封装本体113的上表面共面。第二导电层322的下表面可以与第一封装本体113的下表面共面。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等组成的组中选出的至少一种材料或其合金。
根据实施例，如图9中所示，该发光器件封装可以包括金属层430。
金属层430可以布置在第一导电层321和第二导电层322下方。金属层430可以布置在第一导电层321和第二导电层322的下表面上。此外，根据实施例，金属层430可以与第一开口部TH1和第二开口部TH2邻接地设置在第一封装本体113的下表面上。
金属层430可以由从由钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)或其合金组成的组中选出的至少一种材料形成。
根据实施例，电路板310的第一焊盘311和第一导电层321可以通过金属层430彼此电连接。此外，电路板310的第二焊盘312和第二导电层322可以通过金属层430彼此电连接。
此外，根据实施例，如图9中所示，该发光器件封装可以包括凹部R。凹部R可以在腔体C的底表面处朝向封装本体110的下表面凹进地设置。
凹部R可以设置在第一封装本体113中。凹部R可以在从第一封装本体113的上表面到其下表面的方向上凹进地设置。凹部R可以布置在第一封装本体113下方。
凹部R可以布置在发光器件120下方，同时布置在第一结合部121和第二结合部122之间。凹部R可以在发光器件120下方在发光器件120的短轴方向上延伸。
根据实施例，如图9中所示，该发光器件封装可以包括第一树脂130。
第一树脂130可以布置在凹部R中。第一树脂130可以布置在发光器件120和第一封装本体113之间。第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。例如，第一树脂130可以与第一结合部121的侧表面及第二结合部122的侧表面接触。
第一树脂130可以布置在第一结合部121的***处，以密封第一开口部TH1的上部区域。第一树脂130可以布置在第二结合部122的***处，以密封第二开口部TH1的上部区域。
第一树脂130可以在发光器件120和第一封装本体113之间提供稳定的固定强度。例如，第一树脂130可以与第一封装本体113的上表面直接接触。此外，第一树脂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，第一树脂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，第一树脂130可以反射从发光器件120发射的光。如果第一树脂130具有反射功能，则粘合剂可以包括白色硅树脂。如果第一树脂130具有反射功能，则第一树脂130例如可以由包括TiO2、SiO2等的材料形成。第一树脂130可以被称为粘合剂。
根据实施例，凹部R的深度可以小于第一开口部TH1的深度或第二开口部TH2的深度。
可以考虑第一树脂130的粘合强度来确定凹部R的深度。此外，可以考虑第一封装本体113的稳定强度来确定凹部R的深度T1，和/或可以确定凹部R的深度T1以防止由于从发光器件120发出的热量而在发光器件封装100上产生裂缝。
凹部R可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。凹部R可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面与第一封装本体113的上表面之间足够多地提供第一树脂130。此外，凹部R可以具有第二深度或更小深度，以向第一封装本体113提供稳定的强度。
凹部R的深度和宽度可以影响第一树脂130的位置和固定强度。凹部R的深度和宽度可以被确定为使得布置在第一封装本体113和发光器件120之间的第一树脂130提供足够的固定强度。
例如，凹部R的深度可以是几十微米。凹部R的深度可以是40微米至60微米。
此外，凹部R的宽度W3可以是几百微米。凹部R的宽度W3可以是140微米至160微米。例如，该凹部的宽度W3可以是150微米。
第一开口部TH1的深度可以被确定为对应于第一封装本体113的厚度。可以确定第一开口部TH1的深度，使得第一封装本体113可以维持稳定的强度。
例如，第一开口部TH1的深度可以是几百微米。第一开口部TH1的深度可以是180微米至220微米。例如，第一开口部TH1的深度可以是200微米。
例如，通过将第一开口部TH1的深度减去凹部R的深度而定义的厚度可以被设定为100微米或更大。通过考虑允许第一封装本体113没有裂缝的注射成型工艺所需的厚度来选择上述厚度。
根据实施例，第一开口部TH1的深度可以是凹部R的深度的2至10倍。例如，如果第一开口部TH1的深度是200微米，则凹部R的深度可以是20微米至100微米。
此外，根据实施例，如图9中所示，该发光器件封装可以包括第二树脂140。
第二树脂140可以设置在发光器件120上。第二树脂140可以布置在第一封装本体113上。第二树脂140可以布置在由第二封装本体117提供的腔体C中。
根据实施例的发光器件封装，如参考图9所描述的，在提供封装本体110时，没有应用传统的引线框架。
在应用有传统的引线框架的发光器件封装的情况下，需要形成该引线框架的附加工艺。然而，根据本发明的实施例，制造发光器件封装的方法不需要形成该引线框架的工艺。因此，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，能够缩短工艺时间并且能够减少材料。
此外，在应用有传统的引线框架的发光器件封装的情况下，有必要添加使用银等的电镀工艺以防止引线框架的劣化。然而，根据本发明的实施例的发光器件封装，不需要引线框架，从而能够省略诸如镀银工艺的附加工艺。因此，根据实施例的发光器件封装，不存在被镀银材料的变色，并且通过省略该工艺，能够降低制造成本。因此，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，能够降低制造成本，并且能够提高制造产量和产品的可靠性。
此外，与应用有传统的引线框架的发光器件封装相比，根据本发明的实施例的发光器件封装能够被小型化。
根据实施例的发光器件封装100，电源可以通过设置在第一开口部TH1中的第一导电层321连接到第一结合部121，并且该电源可以通过设置在第二开口部TH2中的第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120能够由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动电力驱动。此外，从发光器件120发射的光可以在封装本体110的向上方向上指向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装100可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装被安装在子底座、电路板等上时，可能应用诸如回流工艺的高温工艺。在该回流工艺中，在发光器件封装中设置的引线框架与发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，发光器件120的第一结合部121和第二结合部122可以通过第一导电层321和第二导电层322接收驱动电力。此外，第一导电层321和第二导电层322的熔点可以被设定为高于典型结合材料的熔点的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装100结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，从而电连接和物理结合强度可以不劣化。
此外，根据实施例的发光器件封装100和制造该发光器件封装的方法，因为通过使用导电膏将发光器件120安装在第一本体阵列A1、A2、A3和A4上，所以在制造发光器件封装的过程中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110由于该封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
例如，封装本体110可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧模塑化合物(EMC)树脂、硅树脂模塑化合物(SMC)和聚酰亚胺(PI)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
同时，图10是示出了根据本发明的又一实施例的发光器件封装的视图。根据实施例，如图10中所示，与参考图1至图9描述的发光器件封装相比，该发光器件封装可以还包括框架170。
例如，框架170可以布置在第一封装本体113的两端处。框架170可以为封装本体110提供机械支撑结构。框架170可以设置为绝缘支撑构件。此外，框架170可以设置为导电支撑构件。
同时，已经基于在每个结合部下方设置一个开口部的情况描述了根据上述实施例的发光器件封装。
然而，根据另一实施例的发光器件封装，可以在每个开口部下方设置多个开口部。此外，这些开口部可以具有相互不同的宽度。
此外，根据实施例，所述开口部可以具有各种形状。
例如，根据实施例，所述开口部可以从所述开口部的上部区域到下部区域具有相同宽度。
此外，根据实施例，所述开口部可以以多级结构的形式被提供。例如，所述开口部可以以具有相互不同的倾斜角度的两级结构的形式被提供。此外，所述开口部可以以具有相互不同的倾斜角度的三级或更多级的形式被提供。
此外，所述开口部可以以所述开口部的宽度从所述开口部的上部区域朝向下部区域变化的形式被提供。例如，所述开口部可以以从所述开口部的上部区域朝向下部区域具有曲率的形式被提供。
此外，根据实施例的发光器件封装，封装本体110可以仅包括具有平坦上表面的第一封装本体，并且可以省略布置在第一封装本体113上的第二封装本体117。
接下来，将参考图11描述根据另一实施例的发光器件封装。
图11是示出了根据本发明的另一实施例的发光器件封装的视图。当参考图11描述根据实施例的发光器件封装时，可以省略与参考图1至图10描述的那些重复的描述。
根据实施例，如图11中所示，该发光器件封装可以包括封装本体110和发光器件120。
封装本体110可以包括第一封装本体113和第二封装本体117。第二封装本体117可以布置在第一封装本体113上。第二封装本体117可以布置在第一封装本体113的上表面的外周处。第二封装本体117可以在第一封装本体113的上表面上方形成腔体C。
根据实施例，封装本体110可以具有设置有腔体C的结构，或者可以具有设置有平坦上表面而无腔体C的结构。
例如，封装本体110可以由从由聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、陶瓷、聚酰亚胺(PI)、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)等组成的组中选出的一种材料形成。此外，封装本体110可以包括反射材料，该反射材料包括诸如TiO2或SiO2的高折射填料。封装本体110可以包括波长转换材料，例如量子点或荧光物质。
同时，根据实施例，第一封装本体113和第二封装本体117可以包括相互不同的材料。例如，第一封装本体113和第二封装本体117可以在相互不同的工艺中由相互不同的材料形成，然后通过粘合剂层160彼此联接。
粘合剂层160可以布置在第一封装本体113和第二封装本体117之间。粘合剂层160可以布置在第一封装本体113的上表面上。粘合剂层160可以布置在第二封装本体117的下表面上。粘合剂层160可以布置在发光器件120的***处，以形成所述腔体。
粘合剂层160可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，粘合剂层160可以反射从发光器件120发射的光。如果粘合剂层160具有反射功能，则该粘合剂可以包括白色硅树脂。
同时，第一封装本体113和第二封装本体117中的每一个可以包括从包括聚邻苯二甲酰胺(PPA)、多氯三苯基(PCT)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、硅树脂、环氧树脂模塑化合物(EMC)、硅树脂模塑化合物(SMC)、聚酰亚胺(PI)等作为基材的树脂材料中选出的至少一种。
此外，第一封装本体113和第二封装本体117中的每一个可以包括反射材料和波长转换材料中的至少一种。此外，第一封装本体113和第二封装本体117可以不包括反射材料和波长转换材料。
第一封装本体113和第二封装本体117可以包括相互不同的基材。
例如，第一封装本体113可以包括反射材料，并且第二封装本体117可以包括波长转换材料。此外，第一封装本体113可以包括波长转换材料，并且第二封装本体117可以包括反射材料。
根据实施例，第一封装本体113可以包括反射材料，并且第二封装本体117可以包括反射材料和波长转换材料。此外，第一封装本体113可以包括反射材料和波长转换材料，并且第二封装本体117可以包括波长转换材料。
根据实施例的发光器件封装100，包括相互不同的基材的第一封装本体113和第二封装本体117可以在相互不同的工艺中被分开地提供，并且通过对部件选择性地组合而以模块化方案制造，以满足应用所需的特性。
根据实施例，发光器件120可以包括第一结合部121、第二结合部122、发光结构123和基板124。
如图11中所示，发光器件120可以包括布置在基板124下方的发光结构123。第一结合部121和第二结合部122可以布置在发光结构123和第一封装本体113之间。
发光器件120可以布置在封装本体110上。发光器件120可以布置在第一封装本体113上。发光器件120可以布置在由第二封装本体117提供的腔体C中。
第一结合部121可以布置在发光器件120的下表面上。第二结合部122可以布置在发光器件120的下表面上。第一结合部121和第二结合部122可以在发光器件120的下表面上彼此间隔开。
第一结合部121可以布置在发光结构123和第一封装本体113之间。第二结合部122可以布置在发光结构123和第一封装本体113之间。
同时，根据实施例，如图11中所示，该发光器件封装可以包括第一开口部TH1和第二开口部TH2。
封装本体110可以包括第一开口部TH1，该第一开口部TH1在腔体C的底表面中贯穿封装本体110的下表面设置。封装本体110可以包括第二开口部TH2，该第二开口部TH2在腔体C的下表面中贯穿封装本体110的下表面设置。
第一开口部TH1可以布置在发光器件120的第一结合部121下方。第一开口部TH1可以与发光器件120的第一结合部121重叠。第一开口部TH1可以在从第一封装本体113的上表面朝向其下表面指向的第一方向上与发光器件120的第一结合部121重叠。
第二开口部TH2可以设置在第一封装本体113中。第二开口部TH2可以贯穿第一封装本体113设置。第二开口部TH2可以在第一方向上贯穿第一封装本体113的上表面和下表面设置。
第二开口部TH2可以布置在发光器件120的第二结合部122下方。第二开口部TH2可以与发光器件120的第二结合部122重叠。第二开口部TH2可以在从第一封装本体113的上表面朝向其下表面指向的第一方向上与发光器件120的第二结合部122重叠。
第一开口部TH1和第二开口部TH2可以彼此间隔开。第一开口部TH1和第二开口部TH2可以在发光器件120的下表面下方彼此间隔开。
根据实施例，第一开口部TH1的上部区域的宽度可以大于第一结合部121的宽度。此外，第二开口部TH2的上部区域的宽度可以大于第二结合部122的宽度。
根据实施例，第一结合部121的下部区域可以布置在第一开口部TH1的上部区域中。第一结合部121的底表面可以布置在比第一封装本体113的顶表面的位置低的位置处。
此外，第二结合部122的下部区域可以布置在第二开口部TH2的上部区域中。第二结合部122的底表面可以布置在比第一封装本体113的顶表面的位置低的位置处。
第一开口部TH1的上部区域的宽度可以等于或小于第一开口部TH1的下部区域的宽度。第二开口部TH2的上部区域的宽度可以等于或小于第二开口部TH2的下部区域的宽度。
第一开口部TH1可以倾斜，使得第一开口部TH1的宽度从第一开口部TH1的下部区域朝向其上部区域逐渐减小。第二开口部TH2可以倾斜，使得第二开口部TH2的宽度从第二开口部TH2的下部区域朝向其上部区域逐渐减小。
然而，实施例不限于此，而是可以在第一开口部TH1和第二开口部TH2的上部区域和下部区域之间设置具有相互不同的斜率的多个倾斜表面，其中这些倾斜表面可以具有曲率。
第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的、在第一封装本体113的下表面区域中的宽度可以是几百微米。第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的、在第一封装本体113的下表面区域中的宽度可以是100微米至150微米。
根据实施例，当该发光器件封装后来安装在电路板、子底座等上时，第一开口部TH1和第二开口部TH2之间的、在第一封装本体113的下表面区域中的宽度可以被设定为预定距离或更长，以便防止在焊盘之间发生电短路。
此外，根据实施例，该发光器件封装可以包括第一树脂130。
第一树脂130可以布置在第一封装本体113和发光器件120之间。第一树脂130可以布置在第一封装本体113的上表面与发光器件120的下表面之间。
此外，根据实施例，该发光器件封装可以包括凹部R。凹部R可以在腔体C的底表面处朝向封装本体110的下表面凹进地设置。
凹部R可以设置在第一封装本体113中。凹部R可以在从第一封装本体113的上表面到其下表面的方向上凹进地设置。凹部R可以布置在第一封装本体113下方。
凹部R可以布置在发光器件120下方，同时布置在第一结合部121和第二结合部122之间。凹部R可以在发光器件120下方在发光器件120的短轴方向上延伸。
第一树脂130可以布置在凹部R中。第一树脂130可以布置在发光器件120和第一封装本体113之间。第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122之间。例如，第一树脂130可以与第一结合部121的侧表面及第二结合部122的侧表面接触。
第一树脂130可以布置在第一结合部121的***处，以密封第一开口部TH1的上部区域。第一树脂130可以布置在第二结合部122的***处，以密封第二开口部TH1的上部区域。
第一树脂130可以在发光器件120和第一封装本体113之间提供稳定的固定强度。例如，第一树脂130可以与第一封装本体113的上表面直接接触。此外，第一树脂130可以与发光器件120的下表面直接接触。
例如，第一树脂130可以包括以下项中的至少一种：环氧基材料、硅树脂基材料、包括环氧基材料和硅树脂基材料的混合材料。此外，第一树脂130可以反射从发光器件120发射的光。如果第一树脂130具有反射功能，则粘合剂可以包括白色硅树脂。如果第一树脂130具有反射功能，则第一树脂130例如可以由包括TiO2、SiO2等的材料形成。第一树脂130可以被称为粘合剂。
根据实施例，凹部R的深度可以小于第一开口部TH1的深度或第二开口部TH2的深度。
可以考虑第一树脂130的粘合强度来确定凹部R的深度。此外，可以考虑第一封装本体113的稳定强度来确定凹部R的深度T1，和/或可以确定凹部R的深度T1以防止由于从发光器件120发出的热量而在发光器件封装100上产生裂缝。
凹部R可以提供适合于在发光器件120的下部处执行一种底部填充工艺的空间。凹部R可以具有第一深度或更大深度，以在发光器件120的下表面与第一封装本体113的上表面之间足够多地提供第一树脂130。此外，凹部R可以具有第二深度或更小深度，以向第一封装本体113提供稳定的强度。
凹部R的深度和宽度可以影响第一树脂130的位置和固定强度。凹部R的深度和宽度W3可以被确定为使得布置在第一封装本体113和发光器件120之间的第一树脂130提供足够的固定强度。
例如，凹部R的深度可以是几十微米。凹部R的深度可以是40微米至60微米。
此外，凹部R的宽度可以是几百微米。凹部R的宽度W3可以是140微米至160微米。例如，该凹部的宽度W3可以是150微米。
第一开口部TH1的深度可以被确定为对应于第一封装本体113的厚度。可以确定第一开口部TH1的深度，使得第一封装本体113可以维持稳定的强度。
例如，第一开口部TH1的深度可以是几百微米。第一开口部TH1的深度可以是180微米至220微米。例如，第一开口部TH1的深度可以是200微米。
例如，通过将第一开口部TH1的深度减去凹部R的深度而定义的厚度可以被设定为100微米或更大。通过考虑允许第一封装本体113没有裂缝的注射成型工艺所需的厚度来选择上述厚度。
根据实施例，第一开口部TH1的深度可以是凹部R的深度的2至10倍。例如，如果第一开口部TH1的深度是200微米，则凹部R的深度可以是20微米至100微米。
此外，根据实施例，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以是基板124的上表面的面积的10％或更小。根据实施例的发光器件封装，为了通过确保光从发光器件发射的发光面积来提高光提取效率，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以被设定为基板124的上表面的面积的10％或更小。
此外，根据实施例，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以是基板124的上表面的面积的0.7％或更多。根据实施例的发光器件封装，为了向已安装的发光器件提供稳定的结合强度，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以被设定为基板124的上表面的面积的0.7％或更多。
如上所述，因为第一结合部121和第二结合部122的面积小，所以可以增加被透射到发光器件120的下表面的光的量。此外，可以在发光器件120下方设置具有良好反射性的第一树脂130。因此，在发光器件120的向下方向上发射的光被第一树脂130反射并且在该发光器件封装的向上方向上被有效地放出，并且能够提高光提取效率。
此外，根据实施例，如图11中所示，该发光器件封装可以包括第二树脂140。
第二树脂140可以设置在发光器件120上。第二树脂140可以布置在第一封装本体113上。第二树脂140可以布置在由第二封装本体117提供的腔体C中。
第二树脂140可以包括绝缘材料。此外，第二树脂140可以包括波长转换材料，用于接收从发光器件120发射的光以提供经过波长转换的光。例如，第二树脂140可以包括荧光物质、量子点等。
根据实施例，如图11中所示，该发光器件封装可以包括第一导体221和第二导体222。此外，根据实施例，该发光器件封装可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一导电层321可以与第二导电层322间隔开。
第一导体221可以布置在第一结合部121下方。第一导体221可以电连接到第一结合部121。第一导体221可以在第一方向上与第一结合部121重叠。
第一导体221可以设置在第一开口部TH1中。第一导体221可以布置在第一结合部121和第一导电层321之间。第一导体221可以电连接到第一结合部121和第一导电层321。
第一导体221的下表面可以布置在比第一开口部TH1的上表面的位置低的位置处。第一导体221的下表面可以布置在比第一导电层321的上表面的位置低的位置处。
第一导体221可以布置在第一开口部TH1上。此外，第一导体221可以从第一结合部121延伸到第一开口部TH1的内部。
此外，第二导体222可以布置在第二结合部122下方。第二导体222可以电连接到第二结合部122。第二导体222可以在第一方向上与第二结合部122重叠。
第二导体222可以设置在第二开口部TH2中。第二导体222可以布置在第二结合部122和第二导电层322之间。第二导体222可以电连接到第二结合部122和第二导电层322。
第二导体222的下表面可以布置在比第二开口部TH2的上表面的位置低的位置处。第二导体222的下表面可以布置在比第二导电层322的上表面的位置低的位置处。
第二导体222可以布置在第二开口部TH2上。此外，第二导体222可以从第二结合部122延伸到第二开口部TH2的内部。
根据实施例，第一导电层321可以布置在第一导体221的下表面和侧表面上。第一导电层321可以与第一导体221的下表面和侧表面接触。
第一导电层321可以设置在第一开口部TH1中。第一导电层321可以布置在第一结合部121下方。第一导电层321的宽度可以大于第一结合部121的宽度。
根据如上所述的实施例的发光器件封装，第一导电层321和第一结合部121之间的电连接能够由第一导体221稳定地提供。
此外，根据实施例，第二导电层322可以布置在第二导体222的下表面和侧表面上。第二导电层322可以与第二导体222的下表面和侧表面接触。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二结合部122下方。第二导电层322的宽度可以大于第二结合部122的宽度。
根据如上所述的实施例的发光器件封装，第二导电层322和第二结合部122之间的电连接能够由第二导体222稳定地提供。
例如，第一导体221和第二导体222可以分别通过单独的结合材料稳定地结合到第一结合部121和第二结合部122。此外，第一导体221和第二导体222的侧表面和下表面可以分别与第一导电层321和第二导电层322接触。因此，与第一和第二导电层321、322与第一和第二结合部121、122的下表面直接接触的情况相比，分别与第一导体221和第二导体222接触的第一导电层321和第二导电层322的面积可以变大。因此，能够分别通过第一导体221和第二导体222将电力从第一导电层321和第二导电层322稳定地供应到第一结合部121和第二结合部122。
例如，第一导体221和第二导体222可以由从Al、Au、Ag、Pt等组成的组中选出的至少一种材料或其合金形成。此外，第一导体221和第二导体222中的每一个可以被制备为单层或多层。
第一结合部121可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第一开口部TH1被沿着该第一方向设置。第一结合部121的宽度可以小于第一开口部TH1在第二方向上的宽度。
第一导电层321可以与第一结合部121的下表面直接接触。第一导电层321可以电连接到第一结合部121。第一导电层321可以被第一封装本体113包围。
在第一开口部TH1的上部区域中，第一导电层321的上部可以围绕第一结合部121的下部布置。第一导电层321的上表面可以布置在比第一结合部121的下表面的位置高的位置处。
第二导电层322可以设置在第二开口部TH2中。第二导电层322可以布置在第二结合部122下方。第二导电层322的宽度可以大于第二结合部122的宽度。
第二结合部122可以具有在与第一方向垂直的第二方向上限定的宽度，第二开口部TH2被沿着该第一方向设置。第二结合部122的宽度可以小于第二开口部TH2在第二方向上的宽度。
第二导电层322可以与第二结合部122的下表面直接接触。第二导电层322可以电连接到第二结合部122。第二导电层322可以被第一封装本体113包围。
在第二开口部TH2的上部区域中，第二导电层322的上部可以围绕第二结合部122的下部布置。第二导电层322的上表面可以布置在比第二结合部122的下表面的位置高的位置处。
第一导电层321和第二导电层322可以包括从由Ag、Au、Pt、Sn、Cu等组成的组中选出的至少一种材料或其合金。然而，实施例不限于此，并且第一导电层321和第二导电层322可以由能够确保导电功能的材料形成。
例如，第一导电层321和第二导电层322可以由导电膏形成。该导电膏可以包括焊膏、银膏等，并且可以被制备为由相互不同的材料形成的多层，或者由合金形成的多层或单层。例如，第一导电层321和第二导电层322可以包括Sn-Ag-Cu(SAC)材料。
根据实施例，第一导电层321可以电连接到第一结合部121，并且第二导电层322可以电连接到第二结合部122。例如，外部电力可以供应到第一导电层321和第二导电层322，从而驱动发光器件120。
第一树脂130可以执行将发光器件120稳定地固定到封装本体110的功能。此外，第一树脂130可以布置在第一结合部121和第二结合部122的***处，同时与第一结合部121的侧表面及第二结合部122的侧表面接触。当从发光器件120的顶部观察时，第一树脂130布置成使得第一开口部TH1和第二开口部TH2被与设置有第二树脂140的外侧区域隔离。
由于第一树脂130，可以防止分别设置在第一开口部TH1和第二开口部TH2中的第一导电层321和第二导电层322流到发光器件120的外部。
当从发光器件120的顶部观察时，如果第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的外部，则第一导电层321和第二导电层322可能沿着发光器件120的侧表面扩散。如果第一导电层321和第二导电层322如上所述地移动到发光器件120的侧表面，则发光器件120的第一导电半导体层和第二导电半导体层可能会电短路。此外，如果第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，则发光器件120的光提取效率可能会降低。
然而，根据实施例，由于第一结合部121和第二结合部122的***区域能够被第一树脂130密封，所以可以防止第一导电层321和第二导电层322溢出到第一开口部TH1和第二开口部TH2的区域的外部。
因此，根据实施例的发光器件封装100，能够防止第一导电层321和第二导电层322移动到发光器件120的侧表面，能够防止发光器件120被电短路，并能够提高光提取效率。
根据实施例的发光器件封装，如参考图11所描述的，在提供封装本体110时，没有应用传统的引线框架。
在应用有传统的引线框架的发光器件封装的情况下，需要形成该引线框架的附加工艺。然而，根据本发明的实施例，制造发光器件封装的方法不需要形成该引线框架的工艺。因此，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，能够缩短工艺时间并能够减少材料。
此外，在应用有传统的引线框架的发光器件封装的情况下，有必要添加使用银等的电镀工艺以防止引线框架的劣化。然而，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，并不需要引线框架，从而，诸如镀银工艺的附加工艺是不必要的。因此，根据本发明的实施例的制造发光器件封装的方法，可以降低制造成本并可以提高制造产量。
此外，与应用有传统的引线框架的发光器件封装相比，根据本发明的实施例的发光器件封装能够被小型化。
根据实施例的发光器件封装100，电源可以通过设置在第一开口部TH1中的第一导电层321连接到第一结合部121，并且该电源可以通过设置在第二开口部TH2中的第二导电层322连接到第二结合部122。
因此，发光器件120能够由通过第一结合部121和第二结合部122供应的驱动电力驱动。此外，从发光器件120发射的光可以在封装本体110的向上方向上指向。
同时，根据上述实施例的发光器件封装可以安装并设置在子底座、电路板等上。
然而，当传统的发光器件封装被安装在子底座、电路板等上时，可能应用诸如回流工艺或热处理工艺的高温工艺。在该回流工艺或热处理工艺中，在发光器件封装中设置的引线框架与发光器件之间的结合区域中可能发生重熔现象，从而削弱电连接和物理联接的稳定性。
然而，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，发光器件的结合部可以通过布置在开口部中的导电层来接收驱动电力。此外，布置在开口部中的导电层的熔点可以被设定为高于典型结合材料的熔点的值。
因此，根据实施例，即使通过回流工艺将发光器件封装结合到主基板等，也可以不发生重熔现象，从而电连接和物理结合强度可以不劣化。
此外，根据实施例的发光器件封装和制造发光器件封装的方法，在制造发光器件封装的工艺中，封装本体110不需要暴露在高温下。因此，根据实施例，能够防止封装本体110由于该封装本体110暴露在高温下而损坏或变色。
因此，能够不同地选择构成第一封装本体113的材料。根据实施例，第一封装本体113可以由诸如陶瓷的昂贵材料和相对便宜的树脂材料形成。
例如，第一封装本体113可以包括从由聚对苯二甲酰胺(PPA)树脂、聚对苯二甲酸二亚甲基对苯二甲酸酯(PCT)树脂、环氧树脂模塑化合物(EMC)树脂、硅树脂模塑化合物(SMC)树脂和聚酰亚胺(PI)树脂组成的组中选出的至少一种材料。
在下文中，将参考附图来描述被应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的倒装芯片发光器件的示例。
图12是图示了根据本发明的实施例的发光器件的俯视图，并且图13是沿着图12中所示的发光器件的线A-A截取的剖视图。
为了更好地理解，图12示出了电连接到第一结合部1171的第一子电极1141以及电连接到第二结合部1172的第二子电极1142，尽管它们布置在第一结合部1171和第二结合部1172下方。
如图12和图13中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括布置在基板1105上的发光结构1110。
基板1105可以选自包括蓝宝石基板(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge的组。例如，基板1105可以设置为在其上表面上形成有凹凸图案的图案化蓝宝石基板(PSS)。
发光结构1110可以包括第一导电半导体层1111、有源层1112和第二导电半导体层1113。有源层1112可以布置在第一导电半导体层1111和第二导电半导体层1113之间。例如，有源层1112可以布置在第一导电半导体层1111上，并且第二导电半导体层1113可以布置在有源层1112上。
根据实施例，第一导电半导体层1111可以设置为n型半导体层，并且第二导电半导体层1113可以设置为p型半导体层。根据另一实施例，第一导电半导体层1111可以设置为p型半导体层，并且第二导电半导体层1113可以设置为n型半导体层。
在下文中，为了描述方便，将参考第一导电半导体层1111被设置为n型半导体层并且第二导电半导体层1113被设置为p型半导体层的情况进行描述。
如图13中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括透明电极层1130。透明电极层1130可以通过改善电流扩散来增加光输出。
例如，透明电极层1130可以包括从包括金属、金属氧化物和金属氮化物的组中选出的至少一种。透明电极层1130可以包括透光材料。
透明电极层1130可以包括从包括以下项的组中选出的材料：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、IZO氮化物(IZON)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh和Pd。
如图12和图13中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括反射层1160。反射层1160可以包括第一反射层1161、第二反射层1162和第三反射层1163。反射层1160可以布置在透明电极层1130上。
第二反射层1162可以包括用于暴露透明电极层1130的第一开口h1。第二反射层1162可以包括布置在透明电极层1130上的多个第一开口h1。
第一反射层1161可以包括用于暴露第一导电半导体层1111的上表面的第二开口h2。
第三反射层1163可以布置在第一反射层1161和第二反射层1162之间。例如，第三反射层1163可以连接到第一反射层1161。此外，第三反射层1163可以连接到第二反射层1162。第三反射层1163可以布置成与第一反射层1161和第二反射层1162物理地直接接触。
根据实施例的反射层1160可以通过设置在透明电极层1130中的接触孔而与第二导电半导体层1113接触。反射层1160可以通过设置在透明电极层1130中的接触孔1113而与第二导电半导体层1113的上表面物理地接触。
反射层1160可以设置为绝缘反射层。例如，反射层1160可以设置为分布式布拉格反射器(DBR)层。此外，反射层1160可以设置为全向反射器(ODR)层。此外，可以通过堆叠该DBR层和ODR层来提供反射层1160。
如图12和图13中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括第一子电极1141和第二子电极1142。
第一子电极1141可以在第二开口h2中电连接到第一导电半导体层1111。第一子电极1141可以布置在第一导电半导体层1111上。例如，根据实施例的发光器件1100，第一子电极1141可以在第一导电半导体层1111的上表面上布置在贯穿第二导电半导体层1113和有源层1112设置到第一导电半导体层1111的部分区域中的凹部内。
第一子电极1141可以通过设置在第一反射层1161中的第二开口h2电连接到第一导电半导体层1111的上表面。第二开口h2和所述凹部可以彼此竖直地重叠。例如，如图12和图13中所示，第一子电极1141可以在凹部区域中与第一导电半导体层1111的上表面直接接触。
第二子电极1142可以电连接到第二导电半导体层1113。第二子电极1142可以布置在第二导电半导体层1113上。根据实施例，透明电极层1130可以布置在第二子电极1142和第二导电半导体层1113之间。
第二子电极1142可以通过设置在第二反射层1162中的第一开口h1电连接到第二导电半导体层1113。例如，如图12和13中所示，第二子电极1142可以在P区域中通过透明电极层1130电连接到第二导电半导体层1113。
如图12和13中所示，第二子电极1142可以在P区域中通过设置在第二反射层1162中的多个第一开口h1而与透明电极层1130的上表面直接接触。
根据实施例，如图12和13中所示，第一子电极1141和第二子电极1142可以具有相对于彼此的极性并且可以彼此间隔开。
例如，第一子电极1141可以设置为线形形状。另外，例如，第二子电极1142可以设置为线形形状。第一子电极1141可以布置在邻近的第二子电极1142之间。第二子电极1142可以布置在邻近的第一子电极1141之间。
当第一子电极1141和第二子电极1142具有彼此不同的极性时，电极的数量可以彼此不同。例如，当第一子电极1141被构造为n电极而第二子电极1142被构造为p电极时，第二子电极1142的数量可以更多。当第二导电半导体层1113和第一导电半导体层1111的电导率和/或电阻彼此不同时，注入到发光结构1110中的电子可以通过第一子电极1141和第二子电极1142与正空穴平衡，因此，可以改善发光器件的光学特性。
同时，取决于应用了根据实施例的发光器件的发光器件封装所需的特性，第一子电极1141和第二子电极1142的极性可以彼此相反。此外，第一子电极1141和第二子电极1142的宽度、长度、形状、和数量可以根据发光器件封装中所需的特性进行各种修改。
第一子电极1141和第二子电极1142可以设置有具有单层或多层的结构。例如，第一子电极1141和第二子电极1142可以是欧姆电极。例如，第一子电极1141和第二子电极1142可以包括以下项中的至少一种或由其至少两种形成的合金：ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf。
如图12和图13中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括保护层1150。
保护层1150可以包括用于暴露第二子电极1142的第三开口h3。第三开口h3可以与设置在第二子电极1142中的PB区域对应地布置。
此外，保护层1150可以包括用于暴露第一子电极1141的第四开口h4。第四开口h4可以与设置在第一子电极1141中的NB区域对应地布置。
保护层1150可以布置在反射层1160上。保护层1150可以布置在第一反射层1161、第二反射层1162和第三反射层1163上。
例如，保护层1150可以被设置作为绝缘材料。例如，保护层1150可以由从包括SixOy、SiOxNy、SixNy和AlxOy的组中选出的至少一种材料形成。
如图12和图13中所示，根据实施例的发光器件1100可以包括布置在保护层1150上的第一结合部1171和第二结合部1172。
第一结合部1171可以布置在第一反射层1161上。此外，第二结合部1172可以布置在第二反射层1162上。第二结合部1172可以与第一结合部1171间隔开。
第一结合部1171可以在NB区域中通过设置在保护层1150中的第四开口h4而与第一子电极1141的上表面接触。NB区域可以与第二开口h2竖直地偏移。当多个NB区域和第二开口h2彼此竖直地偏移时，注入第一结合部1171中的电流可以在第一子电极1141的水平方向上均匀地分布，因此可以在NB地区中均匀地注入电流。
此外，第二结合部1172可以在PB区域中通过设置在保护层1150中的第三开口h3而与第二子电极1142的上表面接触。当PB区域和第一开口h1彼此不竖直地重叠时，注入第二结合部1172中的电流可以在第二子电极1142的水平方向上均匀地分布，因此可以PB区域中均匀地注入电流。
因此，根据实施例的发光器件1100，第一结合部1171可以在第四开口h4中与第一子电极1141接触。此外，第二结合部1172可以在多个区域中与第二子电极1142接触。因此，根据实施例，由于可以通过这些区域提供电力，所以能够根据接触面积的增加和接触区域的分散而产生电流分散效果并能够降低工作电压。
此外，根据实施例的发光器件1100，如图13中所示，第一反射层1161布置在第一子电极1141下方并且第二反射层1162布置在第二子电极1142下方。因此，第一反射层1161和第二反射层1162反射从发光结构1110的有源层1112发射的光，以使第一子电极1141和第二子电极1142中的光吸收最小化，从而能够提高光强度Po。
例如，第一反射层1161和第二反射层1162可以由绝缘材料形成，并且具有诸如DBR结构的结构：该结构使用具有高反射率的材料，以便反射从有源层1112发射的光。
第一反射层1161和第二反射层1162可以具有DBR结构，在该DBR结构中，具有不同折射率的材料被交替地布置。例如，第一反射层1161和第二反射层1162可以布置为单层或包括TiO2、SiO2、Ta2O5和HfO2中的至少一种的堆叠结构。
不限于此，根据另一实施例，可以自由地选择第一反射层1161和第二反射层1162，以根据从有源层1112发射的光的波长来调整对从有源层1112发射的光的反射率。
此外，根据另一实施例，第一反射层1161和第二反射层1162可以设置为ODR层。根据又一实施例，第一反射层1161和第二反射层1162可以设置为在其中DBR层和ODR层被堆叠的一种混合型。
当根据实施例的发光器件在通过倒装芯片结合方案安装之后被实现为发光器件封装时，从发光结构1110提供的光可以通过基板1105发射。从发光结构1110发射的光可以被第一反射层1161和第二反射层1162反射并朝向基板1105发射。
此外，从发光结构1110发射的光可以在发光结构1110的横向方向上发射。此外，从发光结构1110发射的光可以通过其上布置有第一结合部1171和第二结合部1172的表面中的、未设置有第一结合部1171和第二结合部1172的区域被发射到外部。
具体地，从发光结构1110发射的光可以通过其上布置有第一结合部1171和第二结合部1172的表面中的、未设置有第三反射层1163的区域被发射到外部。
因此，根据实施例的发光器件1100可以在围绕发光结构1110的六个表面方向上发射光，并且显著地提高光强度。
同时，根据实施例的发光器件，当从发光器件1100的顶部观察时，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和小于或等于发光器件1100的其上布置有第一结合部1171和第二结合部1172的上表面的总面积的60％。
例如，发光器件1100的上表面的总面积可以对应于由发光结构1110的第一导电半导体层1111的下表面的横向长度和纵向长度限定的面积。另外，发光器件1100的上表面的总面积可以对应于基板1105的上表面或下表面的面积。
因此，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和等于或小于发光器件1100的总面积的60％，使得发射到布置有第一结合部1171和第二结合部1172的表面上的光量可以增加。因此，根据实施例，由于增加了在发光器件1100的六个表面方向上发射的光量，所以可以提高光提取效率并且可以提高光强度Po。
此外，当从发光器件的顶部观察时，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和等于或大于发光器件1100的总面积的30％。
因此，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和等于或大于发光器件1100的总面积的30％，从而可以通过第一结合部1171和第二结合部1172执行稳定的安装，并且可以确保发光器件1100的电特性。
考虑到确保光提取效率和结合稳定性，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和可以被选择为相对于发光器件1100的总面积的30％至60％。
换句话说，当第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和是发光器件1100的总面积的30％至100％时，可以确保发光器件1100的电特性并且可以确保要安装在该发光器件封装上的结合强度，从而可以执行稳定的安装。
此外，当第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和大于发光器件1100的总面积的0％但等于或小于其60％时，发射到布置有第一结合部1171和第二结合部1172的表面上的光量增加，从而可以提高发光器件1100的光提取效率并且可以提高光强度Po。
在实施例中，第一结合部1171和第二结合部1172的面积之和被选择为发光器件1100的总面积的30％至60％，以确保发光器件1100的电特性和要安装在发光器件封装上的结合强度并提高光强度。
此外，根据实施例的发光器件1100，第三反射层1163可以布置在第一结合部1171和第二结合部1172之间。例如，第三反射层1163在发光器件1100的主轴向上的长度W5可以对应于第一结合部1171和第二结合部1172之间的距离。此外，例如，第三反射层1163的面积可以是发光器件1100的整个上表面的10％至25％。
当第三反射层1163的面积是发光器件1100的整个上表面的10％或更大时，可以防止布置在发光器件下方的封装本体变色或破裂。当为25％或更小时，有利地确保了光提取效率，用于将光发射到发光器件的六个表面。
此外，不限于此，在另一个实施例中，第三反射层1163的面积可以布置成大于发光器件1100的整个上表面的0％但小于其10％，以进一步确保光提取效率，并且第三反射层1163的面积可以布置成大于发光器件1100的整个上表面的25％但小于其100％，以防止封装本体变色或破裂。
此外，从发光结构1110产生的光可以通过第二区域被透射和发射，该第二区域设置在沿主轴方向布置的侧表面和与该侧表面相邻的第一结合部1171或第二结合部1172之间。
此外，从发光结构1110产生的光可以通过第三区域被透射和发射，该第三区域设置在沿短轴方向布置的侧表面和与该侧表面相邻的第一结合部1171或第二结合部1172之间。
根据实施例，第一反射层1161的尺寸可以比第一结合部1171的尺寸大几微米。例如，第一反射层1161的面积设置为在尺寸上完全覆盖第一结合部1171的面积。考虑到工艺误差，例如，第一反射层1161的一边的长度可以比第一结合部1171的一边的长度大了约4微米至约10微米。
此外，第二反射层1162的尺寸可以比第二结合部1172的尺寸大几微米。例如，第二反射层1162的面积可以设置为在尺寸上完全覆盖第二结合部1162的面积。考虑到工艺误差，例如，第二反射层1162的一边的长度可以比第二结合部1172的一边的长度大了约4微米到约10微米。
根据实施例，从发光结构1110发射的光可以被第一反射层1161和第二反射层1162反射而不入射在第一结合部1171和第二结合部1172上。因此，根据实施例，可以使从发光结构1110产生和发射并入射到第一结合部1171和第二结合部1172的光的损失最小化。
此外，根据实施例的发光器件1100，因为第三反射层1163布置在第一结合部1171和第二结合部1172之间，所以可以调节在第一结合部1171和第二结合部1172之间发射的光量。
如上所述，根据实施例的发光器件1100可以在例如以倒装芯片结合方案安装之后被设置为发光器件封装。这里，当其上安装有发光器件1100的封装本体设置有树脂等时，由于从发光器件1100发射的强的短波长光，该封装本体在发光器件1100的下部区域中变色或破裂。
然而，根据实施例的发光器件1100，因为调整了在其上布置有第一结合部1171和第二结合部1172的区域之间发射的光量，所以可以防止布置在发光器件1100的下部区域中的封装本体变色或破裂。
根据实施例，从发光结构1100产生的光可以通过发光器件1100的其上布置有第一结合部1171、第二结合部1172和第三反射层1163的上表面的20％或更大的面积被透射和发射。
因此，根据实施例，由于增加了在发光器件1100的六个表面方向上发射的光量，所以可以提高光提取效率并且可以提高光强度Po。另外，可以防止与发光器件1100的下表面相邻地布置的封装本体变色或破裂。
此外，根据实施例的发光器件1100，可以在透明电极层1130中设置有多个接触孔C1、C2、和C3。第二导电半导体层1113可以通过设置在透明电极层1130中的多个接触孔C1、C2、和C3被结合到反射层1160。反射层1160与第二导电半导体层1113直接接触，使得与反射层1160和透明电极层1130接触的情况相比，可以提高粘合强度。
当反射层1160仅与透明电极层1130直接接触时，反射层1160和透明电极层1130之间的结合强度或粘合强度可能会减弱。例如，当绝缘层被结合到金属层时，其材料之间的结合强度或粘合强度可能会减弱。
例如，当反射层1160和透明电极层1130之间的结合强度或粘合强度弱时，可能在这两个层之间发生剥离。因此，当在反射层1160和透明电极层1130之间发生剥离时，发光器件1100的特性可能劣化并且可能无法确保发光器件1100的可靠性。
然而，根据实施例，由于反射层1160能够与第二导电半导体层1113直接接触，所以可以在反射层1160、透明电极层1130和第二导电半导体层1113之间稳定地提供结合强度和粘合强度。
因此，根据实施例，由于可以稳定地提供反射层1160和第二导电半导体层1113之间的结合强度，所以可以防止反射层1160从透明电极层1130剥离。此外，由于可以稳定地提供反射层1160和第二导电半导体层1113之间的结合强度，所以可以提高发光器件1100的可靠性。
同时，如上所述，透明电极层1130可以设置有接触孔C1、C2、和C3。从有源层1112发射的光可以通过设置在透明电极层1130中的接触孔C1、C2和C3入射到反射层1160并被反射层1160反射。因此，减少了从有源层1112产生并入射到透明电极层1130的光的损失，从而可以提高光提取效率。因此，根据实施例的发光器件1100，可以提高光强度。
在下文中，将参考图14和图15描述应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的倒装芯片发光器件的示例。
图14是描述应用于根据本发明的实施例的发光器件封装的发光器件的电极布置结构的俯视图，并且图15是沿着图14中所示的发光器件的线F-F截取的剖视图。
同时，为了更好地理解，图14仅概念性地示出了第一电极127和第二电极128的相对布置。第一电极127可以包括第一结合部121和第一分支电极125。第二电极128可以包括第二结合部122和第二分支电极126。
如图14和图15中所示，根据实施例的发光器件可以包括布置在基板124上的发光结构123。
基板124可以选自包括蓝宝石基板(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge的组。例如，基板124可以设置为在其上表面上形成有凹凸图案的图案化蓝宝石基板(PSS)。
发光结构123可以包括第一导电半导体层123a、有源层123b和第二导电半导体层123c。有源层123b可以布置在第一导电半导体层123a和第二导电半导体层123c之间。例如，有源层123b可以布置在第一导电半导体层123a上，并且第二导电半导体层123c可以布置在有源层123b上。
根据实施例，第一导电半导体层123a可以设置为n型半导体层，并且第二导电半导体层123c可以设置为p型半导体层。根据另一实施例，第一导电半导体层123a可以设置为p型半导体层，并且第二导电半导体层123c可以设置为n型半导体层。
如图14和图15中所示，根据实施例的发光器件可以包括第一电极127和第二电极128。
第一电极127可以包括第一结合部121和第一分支电极125。第一电极127可以电连接到第二导电半导体层123c。第一分支电极125可以从第一结合部121分支。第一分支电极125可以包括从第一结合部121分支的多个分支电极。
第二电极128可以包括第二结合部122和第二分支电极126。第二电极128可以电连接到第一导电半导体层123a。第二分支电极126可以从第二结合部122分支。第二分支电极126可以包括从第二结合部122分支的多个分支电极。
第一分支电极125和第二分支电极126可以以手指形状彼此交替地布置。通过第一结合部121和第二结合部122供应的电力可以通过第一分支电极125和第二分支电极126扩散到整个发光结构123。
第一电极127和第二电极128可以具有单层或多层结构。例如，第一电极127和第二电极128可以是欧姆电极。例如，第一电极127和第二电极128可以包括以下项中的至少一种或由其至少两种形成的合金：ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf。
同时，发光结构123还可以包括保护层。该保护层可以设置在发光结构123的上表面上。此外，该保护层可以设置在发光结构123的侧表面上。该保护层可以设置成暴露第一结合部121和第二结合部122。此外，该保护层可以选择性地设置在基板124的外周和下表面上。
例如，该保护层可以设置为绝缘材料。例如，该保护层可以由从包括SixOy、SiOxNy、SixNy和AlxOy的组中选出的至少一种材料形成。
在根据实施例的发光器件中，在有源层123b中产生的光可以在发光器件的六个表面方向上发射。在有源层123b中产生的光可以通过发光器件的上表面、下表面和四个侧表面在六个表面方向上发射。
作为参考，参考图1至图11描述的发光器件的竖直方向和图14和图15中所示的发光器件的竖直方向被彼此相反地示出。
根据实施例，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以是基板124的上表面的面积的10％或更小。根据实施例的发光器件封装，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以是基板124的面积的10％或更小，以通过确保来自发光器件的发光面积来提高光提取效率。
此外，根据实施例，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以是基板124的上表面的面积的0.7％或更多。根据实施例的发光器件封装，第一结合部121和第二结合部122的面积之和可以是基板124的上表面的面积的0.7％或更多。
例如，第一结合部121在发光器件的长轴方向上的宽度可以是几十微米。第一结合部121的宽度可以在70微米至90微米的范围内。此外，第一结合部121的面积可以是数千平方微米。
此外，第二结合部122在发光器件的长轴方向上的宽度可以是几十微米。第二结合部122的宽度可以在70微米至90微米的范围内。此外，第二结合部122的面积可以是数千平方微米。
因此，当第一结合部121和第二结合部122的面积减小时，可以增加被透射到发光器件120的下表面的光量。
同时，已经基于第一结合部121和第二结合部122分别与第一导电层321和第二导电层322直接接触的情况描述了根据参考图1至图11描述的实施例的发光器件封装。
然而，根据另一实施例的发光器件封装，可以在第一结合部121和第二结合部122与第一导电层321和第二导电层322之间进一步设置附加的导电部件。
【工业适用性】
根据实施例的发光器件封装可以应用于光源设备。
此外，该光源设备可以包括基于工业领域的显示设备、照明设备、前照灯等。
作为光源设备的一个示例，该显示设备包括底盖、布置在底盖上的反射板、发射光并包括发光器件的发光模块、布置在反射板前面并引导从发光模块发射的光的导光板、布置在导光板前面的包括棱镜片的光学片、布置在光学片前面的显示面板、连接到显示面板并将图像信号供应到显示面板的图像信号输出电路、以及布置在显示面板前面的滤色器。这里，所述底盖、反射板、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。此外，该显示设备可以具有如下结构：其中布置有分别发射红光、绿光和蓝光的发光器件而不包括滤色器。
作为光源设备的另一示例，前照灯可以包括：发光模块，该发光模块包括布置在基板上的发光器件封装；反射器，该反射器用于在预定方向上(例如，在向前方向上)反射从发光模块发射的光；透镜，该透镜用于向前折射所述光；以及遮光物，该遮光物用于阻挡或反射由反射器反射并被指向到透镜的光的一部分，以形成设计者所期望的光分布图案。
作为另一光源设备的照明设备可以包括盖、光源模块、散热器、电源、内壳和插座。此外，根据实施例的光源设备还可以包括构件和保持器中的至少一个。该光源模块可以包括根据实施例的发光器件封装。
在以上实施例中描述的特征、结构、效果等被包括在至少一个实施例中，并且不仅仅限于一个实施例。此外，关于实施例中描述的特征、结构、效果等，本领域普通技术人员可以通过组合或修改来实现其它实施例。因此，与这些组合和修改相关的内容应被解释为包括在实施例的范围内。
尽管已经在前述的描述中提出并阐述了优选实施例，但本发明不应被解释为局限于此。将显而易见的是，在不脱离本发明的实施例的固有特征的情况下，本领域普通技术人员可以在所述范围内进行没有示出的各种变形和修改。例如，可以通过修改来实现实施例中具体示出的每个部件。另外，显而易见的是，与这些修改和变形相关的差异被包括在本发明的所附权利要求中设定的实施例的范围内。
[附图标记的描述]
110：封装本体
113：第一封装本体
117：第二封装本体
120：发光器件
121：第一结合部
122：第二结合部
123：发光结构
124：基板
130：第一树脂
140：第二树脂
160：粘合剂层
310：电路板
311：第一焊盘
312：第二焊盘
313：支撑基板
321：第一导电层
322：第二导电层
R：凹部
TH1：第一开口部
TH2：第二开口部

Claims (12)

1.一种发光器件封装，包括：
第一封装本体，所述第一封装本体具有第一通孔和第二通孔；
发光器件，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部；
第二封装本体，所述第二封装本体具有第一开口，其中所述发光器件在所述第一开口中；
粘合剂层，所述粘合剂层在所述第一封装本体和所述第二封装本体之间，用于联接所述第一封装本体和所述第二封装本体；
第一树脂，所述第一树脂布置在所述第一封装本体和所述发光器件之间；
第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层分别布置在所述第一通孔和所述第二通孔中；
第一导体，所述第一导体设置在所述第一通孔中，并且布置在所述第一结合部和所述第一导电层之间；以及
第二导体，所述第二导体设置在所述第二通孔中，并且布置在所述第二结合部和所述第二导电层之间，
其中，所述发光器件的所述第一结合部与所述第一通孔重叠，并且所述发光器件的所述第二结合部与所述第二通孔重叠，
其中，所述第一结合部和所述第二结合部彼此间隔开，
其中，在所述第一通孔和所述第二通孔中的所述第一导电层和所述第二导电层分别接触所述第一结合部和所述第二结合部，并且，所述第一结合部的第一侧表面以及所述第二结合部的与所述第一侧表面面对的第二侧表面接触所述第一树脂，
其中，所述粘合剂层布置在所述发光器件的外周处以形成第二开口，并且所述第二开口与所述第一开口竖直地重叠，
其中，所述第一导体电连接到所述第一结合部和所述第一导电层，
其中，所述第二导体电连接到所述第二结合部和所述第二导电层，
其中，所述第一导电层布置在所述第一导体的下表面和侧表面上，并且
其中，所述第二导电层布置在所述第二导体的下表面和侧表面上。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件还包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电层、在该第一导电层上的有源层、以及在该有源层上的第二导电层，并且
其中，所述第一结合部和所述第二结合部在所述发光结构上彼此间隔开。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一封装本体还包括在所述第一通孔和所述第二通孔之间的凹部。
4.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，所述第一树脂布置在所述凹部中。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一导电层和所述第二导电层包括Sn。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一通孔和所述第二通孔具有倾斜的内表面。
7.根据权利要求6所述的发光器件封装，其中，所述第一通孔和第二通孔的所述倾斜的内表面从所述第一封装本体的上表面向外倾斜到所述第一封装本体的下表面。
8.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一封装本体的材料不同于所述第二封装本体的材料。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第二封装本体包括荧光体。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一封装本体包括荧光体。
11.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一通孔和第二通孔的在所述第一封装本体的下表面处的宽度大于所述第一通孔和第二通孔的在所述第一封装本体的上表面处的宽度。
12.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述发光器件布置在所述第一封装本体的上表面上，其中所述第一通孔和第二通孔布置在所述发光器件下方。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102392013B1 (ko) 2017-09-15 2022-04-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
CN110707198A (zh) 2019-09-20 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN113506846B (zh) * 2019-12-31 2023-11-10 泉州三安半导体科技有限公司 一种紫外led封装结构
JP7389363B2 (ja) 2021-05-26 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1574261A (zh) * 2003-05-27 2005-02-02 精工爱普生株式会社 电子部件的安装方法、电子部件的安装结构、电子部件模块和电子设备
CN101546802A (zh) * 2008-03-25 2009-09-30 日东电工株式会社 用于封装光学半导体元件的树脂片和光学半导体器件
KR20100021891A (ko) * 2008-08-18 2010-02-26 삼성전기주식회사 반도체 칩 패키지 및 그 제조 방법
CN103155184A (zh) * 2010-09-30 2013-06-12 首尔Opto仪器股份有限公司 晶片级发光二极管封装件及其制造方法
CN105280798A (zh) * 2014-05-28 2016-01-27 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
JP2001257453A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板、半導体装置及びそれらの製造方法
JP4193446B2 (ja) * 2001-08-22 2008-12-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3773525B2 (ja) * 2003-08-07 2006-05-10 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源
JP4337574B2 (ja) * 2003-09-25 2009-09-30 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその形成方法
JP2007103512A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Kyocera Corp 発光装置
US7719099B2 (en) * 2005-10-21 2010-05-18 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same
JP5038631B2 (ja) * 2006-02-03 2012-10-03 新光電気工業株式会社 発光装置
JP4828248B2 (ja) * 2006-02-16 2011-11-30 新光電気工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5025143B2 (ja) * 2006-02-27 2012-09-12 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
JP2007335798A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7652374B2 (en) * 2006-07-31 2010-01-26 Chi Wah Kok Substrate and process for semiconductor flip chip package
KR101443365B1 (ko) * 2007-12-31 2014-10-01 서울반도체 주식회사 발광 효율이 개선된 발광 다이오드
JP2010080800A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Seiko Instruments Inc 発光デバイス及びその製造方法
CN102651442B (zh) * 2011-02-23 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源
TWI433361B (zh) * 2011-04-06 2014-04-01 Lustrous Green Technology Of Lighting 用於增加均光效果的發光二極體封裝結構
JP5730159B2 (ja) * 2011-08-25 2015-06-03 京セラ株式会社 アンテナ基板およびアンテナモジュール
KR20120039587A (ko) * 2012-03-06 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지
JP2014082453A (ja) * 2012-09-25 2014-05-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
JP6065811B2 (ja) * 2012-12-18 2017-01-25 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102031967B1 (ko) * 2013-05-07 2019-10-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP2014220431A (ja) * 2013-05-09 2014-11-20 日東電工株式会社 回路基板、光半導体装置およびその製造方法
JP6323020B2 (ja) * 2014-01-20 2018-05-16 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
KR20150139660A (ko) * 2014-06-03 2015-12-14 삼성전자주식회사 전자소자 패키지
US9865779B2 (en) * 2015-09-30 2018-01-09 Nichia Corporation Methods of manufacturing the package and light-emitting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1574261A (zh) * 2003-05-27 2005-02-02 精工爱普生株式会社 电子部件的安装方法、电子部件的安装结构、电子部件模块和电子设备
CN101546802A (zh) * 2008-03-25 2009-09-30 日东电工株式会社 用于封装光学半导体元件的树脂片和光学半导体器件
KR20100021891A (ko) * 2008-08-18 2010-02-26 삼성전기주식회사 반도체 칩 패키지 및 그 제조 방법
CN103155184A (zh) * 2010-09-30 2013-06-12 首尔Opto仪器股份有限公司 晶片级发光二极管封装件及其制造方法
CN105280798A (zh) * 2014-05-28 2016-01-27 Lg伊诺特有限公司 发光器件

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