CN109787312A - 一种基于pwm波的高频恒功率无线充电模块 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，包括如下步骤：使用PWM波控制高频功率mos管的导通和截止，获得发射端正弦波电压信号；通过电磁耦合获得接收端正弦波电压信号，对高频接收端正弦波电压信号进行整流，得到直流信号，将直流信号经过LMZ35003芯片进行降压处理，测取降压处理后直流信号的电压和电流大小，计算实时功率，调节IR2104输入端PWM波的占空比，改变实时功率，实现对镍镉电池的恒功率充电。本发明用于功率限幅时的高频恒功率无线充电，具有充电速度快，从发射到接收的功率转化率高的优点。
Description
技术领域
本发明涉及无线充电的技术领域，具体涉及一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块。
背景技术
现有技术中，高频率下的无线充电会受到高频杂波的影响,电能损耗较多；充电过程中发热严重，电能以热量形式散失掉，造成极大的浪费；恒功率充电的电路结构复杂，成本较高，易出现故障；可充电范围小，多在短距离范围内进行充电，因为无线电能传输的距离越远，功率的耗损也就会越大，能量传输效率就会越低。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明公开了基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，包括无线充电发射模块、无线充电接收模块和恒功率模块；
所述无线充电发射模块包括单片机A、芯片A、高频功率mos管、发射线圈L1、谐振电容C1、谐振电容C2、电感L0、二极管D1和钽电容E1；
单片机A为芯片A提供612kHz、50％占空比的PWM波，PWM波驱动高频功率mos管工作在导通、截止两种模式下，使谐振电容C1、谐振电容C2与发射线圈L1形成谐振，得到发射端正弦波电压信号，产生交变磁场；
所述无线充电接收模块包括芯片B、接收线圈L2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D3、二极管D4和钽电容E3；
将接收线圈L2放于发射线圈L1之中，通过电磁耦合产生感应电动势，得到接收端正弦波电压信号，将接收端正弦波电压信号进行全波整流后获得直流信号(可参考：李娜娜，李瑶，唐芳芳，张婷，肖林辉，荣军.单相全波整流及有源逆变电路的仿真研究[J].船电技术，2017，37(8)：73-74)，再将直流信号经过芯片B进行降压处理；
所述恒功率模块包含芯片C、芯片D、单片机B、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3，电容C3，钽电容E2和二极管D2；
所述芯片C用于测取芯片B降压处理后的直流信号的电压值和电流值，并将该电压值和电流值传给单片机B，单片机B计算实时功率P1，通过改变输入端脉冲宽度调制PWM信号的占空比，并发送给芯片D，改变实时功率P1的大小，使降压处理后的直流信号用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电。
无线充电发射模块中，所述芯片A的1号引脚分别与所述芯片A的3号引脚、12V电源、二极管D1的正极连接；
所述二极管D1的负极分别与芯片A的8号引脚、钽电容E1的正极连接；
所述钽电容E1的负极与芯片A的6号引脚连接，芯片A的4号引脚接地；
所述芯片A的2号引脚与单片机A连接，芯片A的7号引脚与高频功率mos管的门极连接；
所述高频功率mos管的漏极分别与电感L0的一端、谐振电容C1的一端、谐振电容C2的一端连接；
所述电感L0的另一端输入12V电源，所述谐振电容C1的另一端与发射线圈L1连接，高频功率mos管的源极接地，所述谐振电容C2的另一端接地，所述发射线圈L1的另一端接地；
无线充电接收模块中，所述芯片B的10号引脚分别与钽电容E3的正极、电阻R7的一端连接；
所述钽电容E3的负极接地，所述芯片B的40号引脚接地，所述芯片B的1号引脚接地，所述芯片B的37号引脚接地；
所述电阻R7的另一端与芯片B的36号引脚连接，芯片B的31号引脚与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端接地；
所述芯片B的28号引脚与电容C4的一端连接，C4的另一端接地；
所述芯片B的27号引脚分别和电阻R6的一端、电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端接地，电阻R6的另一端分别与芯片的26号引脚、电容C5的一端、电阻R8的一端、二极管D3的负极、二级管D4的负极连接，所述电容C5的另一端接地，二极管D3的正极分别于电容C6的一端、接收线圈L2的一端连接，接收线圈L2的另一端分别与电容C6的另一端、二极管D4的正极连接；
所述电阻R8的另一端与接收线圈L2的中心抽头连接；
恒功率模块中，所述芯片C的4号引脚接地，芯片C的5号引脚与单片机B连接，芯片C的1号引脚分别与所述电阻R2的一端、采样电阻R1的一端连接，采样电阻R1的另一端与芯片C的8号引脚连接，电阻R2的另一端分别与电阻R3的一端、电容C3的一端、单片机B连接；所述电阻R3的另一端接地，电容C3的另一端接地；
所述芯片D的1号引脚分别与芯片D的3号引脚、12V电源、二极管D2的正极连接，二极管D2的负极分别与芯片D的8号引脚、钽电容E2的正极连接；所述钽电容E2的负极与芯片D的6号引脚连接，芯片D的4号引脚接地，芯片D的2号引脚与单片机B连接。
所述芯片A为IR2104芯片，芯片B为Texas Instruments的LMZ35003芯片，芯片C为AD8217芯片，芯片D为IR2104芯片，单片机A型号为Freescale Semiconductor的K60，单片机B型号为Freescale Semiconductor的K60，高频功率mos管为IRF610。
所述基于PWM波的高频恒功率无线充电模块用于实现用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电的功能，设定P0为20W。
所述芯片A即IR2104芯片的VCC端提供12V直流电压，所述单片机A为芯片A的IN端提供612kHz、50％占空比的PWM波，使PWM波驱动高频功率mos管IRF610工作在开关状态，在高频功率mos管IRF610导通的半个周期T1中发射线圈L1与谐振电容C1及谐振电容C2的串联形成串联谐振，在高频功率mos管IRF610截止的半个周期T2中发射线圈L1与谐振电容C1形成串联谐振，这两个谐振波形共同组成一个正弦信号，其电压峰峰值为120V左右；
高频功率mos管IRF610的漏极与12V电源之间连接有用于高频电路的滤波及噪声抑制的320μH功率磁环电感；信号的频率越高，在信号线的周围就越容易接收到各种杂乱的高频噪声，对正常信号的传输造成干扰；在信号频率较高时功率磁环电感的阻抗会快速增大，从而抑制高频杂波的通过并且不妨碍正常信号的传输；【功率磁环电感的原理和特性可参考高凡夫，谭向宇，梁志瑞.铁氧体磁环抑制550kV GIS中的特快速暂态过电压的试验研究[J].高压电器，2018，54(10)：133-134】
接收线圈L2和发射线圈L1上绕制有两股以上纱包线，两股以上纱包线绕制的接收线圈L2和发射线圈L1的电感值计算公式如下：
式中，L为线圈的电感值，D为线圈的平均直径，W为线圈的宽度，N为线圈绕制匝数。设定发射线圈L1平均直径DL1为20cm，发射线圈L1宽度W1为0.1cm，发射线圈L1绕制匝数N1为10匝，设定接收线圈L2平均直径DL2为10cm，接收线圈L2宽度W2为0.1cm，接收线圈L2绕制匝数N2为8匝。
高频信号经过信号线时，由于“趋肤效应”，电流集中在信号线的表面部分，造成很大的电流损耗，因此使用了两股以上纱包线来绕制接收线圈L2和发射线圈，通过增加接收线圈L2和发射线圈的表面积来减少损耗。
所述恒功率模块执行如下步骤，使降压处理后的直流信号用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电：
步骤1，所述芯片C即AD8217芯片的IN+端与芯片B即LMZ35003芯片降压处理后的直流信号的输出端相连，并将降压处理后的直流信号输出端通过电阻R2、电阻R3进行分压后传输给单片机B即单片机K60得到降压处理后的直流信号的电压值U1：
其中，设定R2为1000Ω，R3为10Ω，U2为分压后电阻R3上的电压，即单片机B读取的电压值；
步骤2，在所述芯片C即AD8217芯片的IN+端和IN-端之间连接20mΩ的采样电阻R1，从芯片C即AD8217芯片的OUT端获取采样电阻上的电压值U3并传输给单片机B即单片机K60，单片机B即单片机K60通过计算得到降压处理后的直流信号的电流大小I1，电流大小I1计算公式：
步骤3，通过单片机B即单片机K60计算出实时功率P1，实时功率P1计算公式如下：
P1＝U1·I1；
步骤4，通过单片机B即单片机K60调节PWM波占空比α并发送给芯片D即IR2104芯片的IN端，改变降压处理后的直流信号的功率P1，实现对镍铬电池进行恒功率充电。
步骤4中，所述PWM波占空比α调节公式如下：
为解决现有技术中的问题，采取有效的线圈绕制方法以及使用合适的功率磁环电感，抑制高频噪声，本发明提供了一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，为在功率限幅时的高频恒功率无线充电提供解决方案，具有电能传输速度快，损耗小，功率稳定性高的优点。
通过上述技术方案的实施，本发明的有益效果是：(1)使用功率磁环电感抑制高频杂波的通过；(2)使用多股纱包线绕制线圈，减少了电能的损耗；(3)使用全波整流，提升电能传输的效率；(4)可以快速校准实时功率，提高恒功率的稳定性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明做更进一步的具体说明，本发明的上述或其他方面的优点将会变得更加清楚。
图1是本发明流程框图。
图2是本发明中无线充电发射模块原理图。
图3是本发明中无线充电接收模块原理图。
图4是本发明中恒功率模块原理图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步说明。
如图1所示，本发明公开了基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，包括无线充电发射模块、无线充电接收模块和恒功率模块；
如图2所示，所述无线充电发射模块包括单片机A、芯片A、高频功率mos管、发射线圈L1、谐振电容C1、谐振电容C2、电感L0、二极管D1、钽电容E1,所述芯片A的1号引脚分别与所述芯片A的3号引脚、12V电源、所述二极管D1的正极连接，二极管D1的负极分别与所述芯片A的8号引脚、所述钽电容E1的正极连接，钽电容E1的负极与所述芯片A的6号引脚连接，所述芯片A的4号引脚接地，所述芯片A的2号引脚与单片机A连接，所述芯片A的7号引脚与所述高频功率mos管的门极连接，高频功率mos管的漏极分别与所述电感L0、所述谐振电容C1、所述谐振电容C2连接，电感L0的另一端输入12V电源，谐振电容C1的另一端与发射线圈L1连接，高频功率mos管的源极接地，谐振电容C2的另一端接地，发射线圈L1的另一端接地。单片机A为芯片A提供612kHz、50％占空比的PWM波，PWM波驱动高频功率mos管工作在导通、截止两种模式下，使谐振电容C1、谐振电容C2与发射线圈L1形成谐振，得到发射端正弦波电压信号，产生交变磁场；
所述无线充电接收模块包括芯片B、接收线圈L2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D3、二极管D4、钽电容E3，所述芯片B的10号引脚分别与所述钽电容E3的正极、所述电阻R7连接，钽电容的负极接地，所述芯片B的40号引脚接地，所述芯片B的1号引脚接地，所述芯片B的37号引脚接地，电阻R7的另一端与所述芯片B的36号引脚连接，所述芯片B的31号引脚与所述电阻R5连接，电阻R5的另一端接地，所述芯片B的28号引脚与所述电容C4连接，C4的另一端接地，所述芯片B的27号引脚分别和所述电阻R6、所属电阻R4连接，电阻R4的另一端接地，电阻R6的另一端分别与所述芯片的26号引脚、所述电容C5、所述电阻R8、所述二极管D3的负极、所述二级管D4的负极连接，电容C5的另一端接地，二极管D3的正极分别于所述电容C6、所述接受线圈L2连接，接受线圈L2的另一端分别与电容C6的另一端、二极管D4的正极连接，电阻R8的另一端与接收线圈L2的中心抽头连接。将接收线圈L2放于发射线圈L1之中，通过电磁耦合产生感应电动势，得到接收端正弦波电压信号，如图3所示，将接收端正弦波电压信号进行全波整流后获得直流信号(可参考：李娜娜，李瑶，唐芳芳，张婷，肖林辉，荣军.单相全波整流及有源逆变电路的仿真研究[J].船电技术，2017，37(8)：73-74)，再将直流信号经过芯片B进行降压处理；
如图4所示，所述恒功率模块包含芯片C、芯片D、单片机B、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3，电容C3，钽电容E2，二极管D2，所述芯片C的4号引脚接地，芯片C的5号引脚与所述单片机B连接，芯片C的1号引脚分别与所述电阻R2、所述采样电阻R1连接，采样电阻R1的另一端与芯片C的8号引脚连接，电阻R2的另一端分别与所述电阻R3、所述电容C3、单片机B连接，电阻R3的另一端接地，电容C3的另一端接地，所述芯片D的1号引脚分别与所述芯片D的3号引脚、12V电源、所述二极管D2的正极连接，二极管D2的负极分别与所述芯片D的8号引脚、所述钽电容E2的正极连接，钽电容E2的负极与所述芯片D的6号引脚连接，所述芯片D的4号引脚接地，所述芯片D的2号引脚与单片机B连接。芯片C用于测取芯片B降压处理后的直流信号的电压值和电流值，并将该电压值和电流值传给单片机B，单片机B计算实时功率P1，通过改变输入端脉冲宽度调制PWM信号的占空比，并发送给芯片D，改变实时功率P1的大小，使降压处理后的直流信号用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电。
所述芯片A为IR2104芯片，芯片B为Texas Instruments的LMZ35003芯片，芯片C为AD8217芯片，芯片D为IR2104芯片，单片机A为Freescale Semiconductor的K60，单片机B为Freescale Semiconductor的K60，高频功率mos管为IRF610。
所述基于PWM波的高频恒功率无线充电模块用于实现用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电的功能，设定P0为20W。
所述IR2104芯片的VCC端提供12V直流电压，所述单片机A为芯片A的IN端提供612kHz、50％占空比的PWM波，使PWM波驱动高频功率mos管IRF610工作在开关状态，在高频功率mos管IRF610导通的半个周期T1中发射线圈L1与谐振电容C1及谐振电容C2的串联形成串联谐振，在高频功率mos管IRF610截止的半个周期T2中发射线圈L1与谐振电容C1形成串联谐振，这两个谐振波形共同组成一个正弦信号，其电压峰峰值为120V左右；
高频功率mos管IRF610的漏极与12V电源之间接有用于高频电路的滤波及噪声抑制的320μH功率磁环电感；信号的频率越高，在信号线的周围就越容易接收到各种杂乱的高频噪声，对正常信号的传输造成干扰；在信号频率较高时功率磁环电感的阻抗会快速增大，从而抑制高频杂波的通过并且不妨碍正常信号的传输；【功率磁环电感的原理和特性可参考高凡夫，谭向宇，梁志瑞.铁氧体磁环抑制550kV GIS中的特快速暂态过电压的试验研究[J].高压电器，2018，54(10)：133-134】
接收线圈L2和发射线圈L1上绕制有两股以上纱包线，两股以上纱包线绕制的接收线圈L2和发射线圈L1的电感值计算公式如下：
式中，L为线圈的电感值，D为线圈的平均直径，W为线圈的宽度，N为线圈绕制匝数。设定发射线圈L1平均直径DL1为20cm，发射线圈L1宽度W1为0.1cm，发射线圈L1绕制匝数N1为10匝，设定接收线圈L2平均直径DL2为10cm，接收线圈L2宽度W2为0.1cm，接收线圈L2绕制匝数N2为8匝。
高频信号经过信号线时，由于“趋肤效应”，电流集中在信号线的表面部分，造成很大的电流损耗，因此使用了两股以上纱包线来绕制接收线圈L2和发射线圈，通过增加接收线圈L2和发射线圈的表面积来减少损耗。
所述恒功率模块执行如下步骤，使降压处理后的直流信号用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电：
步骤1，所述AD8217芯片的IN+端与LMZ35003芯片降压处理后的直流信号的输出端相连，并将降压处理后的直流信号输出端通过电阻R2、电阻R3进行分压后传输给单片机B即单片机K60得到降压处理后的直流信号的电压值U1：
其中，设定R2为1000Ω，R3为10Ω，U2为分压后电阻R3上电压即单片机B读取的电压值；
步骤2，在所述AD8217芯片的IN+端和IN-端之间连接20mΩ的采样电阻R1，从AD8217芯片的OUT端获取采样电阻上的电压值U3并传输给单片机B即单片机K60，单片机B即单片机K60通过计算得到降压处理后的直流信号的电流大小I1，电流大小I1计算公式：
步骤3，通过单片机B即单片机K60计算出实时功率P1，实时功率P1计算公式如下：
P1＝U1·I1；
步骤4，通过单片机B即单片机K60调节PWM波占空比α并发送给IR2104芯片的IN端，改变降压处理后的直流信号的功率P1，实现对镍铬电池进行恒功率充电。
步骤4中，所述PWM波占空比α调节公式如下：
本发明提供了一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。
Claims (9)
1.一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，包括无线充电发射模块、无线充电接收模块和恒功率模块；
所述无线充电发射模块包括单片机A、芯片A、高频功率mos管、发射线圈L1、谐振电容C1、谐振电容C2、电感L0、二极管D1和钽电容E1；
单片机A为芯片A提供612kHz、50％占空比的PWM波，PWM波驱动高频功率mos管工作在导通、截止两种模式下，使谐振电容C1、谐振电容C2与发射线圈L1形成谐振，得到发射端正弦波电压信号，产生交变磁场；
所述无线充电接收模块包括芯片B、接收线圈L2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D3、二极管D4和钽电容E3；
将接收线圈L2放于发射线圈L1之中，通过电磁耦合产生感应电动势，得到接收端正弦波电压信号，将接收端正弦波电压信号进行全波整流后获得直流信号，再将直流信号经过芯片B进行降压处理；
所述恒功率模块包含芯片C、芯片D、单片机B、采样电阻R1、电阻R2、电阻R3，电容C3，钽电容E2和二极管D2；
所述芯片C用于测取芯片B降压处理后的直流信号的电压值和电流值，并将该电压值和电流值传给单片机B，单片机B计算实时功率P1，通过改变输入端脉冲宽度调制PWM信号的占空比，并发送给芯片D，改变实时功率P1的大小，使降压处理后的直流信号用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电。
2.根据权利要求1所述的一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，无线充电发射模块中，所述芯片A的1号引脚分别与所述芯片A的3号引脚、12V电源、二极管D1的正极连接；
所述二极管D1的负极分别与芯片A的8号引脚、钽电容E1的正极连接；
所述钽电容E1的负极与芯片A的6号引脚连接，芯片A的4号引脚接地；
所述芯片A的2号引脚与单片机A连接，芯片A的7号引脚与高频功率mos管的门极连接；
所述高频功率mos管的漏极分别与电感L0的一端、谐振电容C1的一端、谐振电容C2的一端连接；
所述电感L0的另一端输入12V电源，所述谐振电容C1的另一端与发射线圈L1连接，高频功率mos管的源极接地，所述谐振电容C2的另一端接地，所述发射线圈L1的另一端接地；
无线充电接收模块中，所述芯片B的10号引脚分别与钽电容E3的正极、电阻R7的一端连接；
所述钽电容E3的负极接地，所述芯片B的40号引脚接地，所述芯片B的1号引脚接地，所述芯片B的37号引脚接地；
所述电阻R7的另一端与芯片B的36号引脚连接，芯片B的31号引脚与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端接地；
所述芯片B的28号引脚与电容C4的一端连接，C4的另一端接地；
所述芯片B的27号引脚分别和电阻R6的一端、电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端接地，电阻R6的另一端分别与芯片的26号引脚、电容C5的一端、电阻R8的一端、二极管D3的负极、二级管D4的负极连接，所述电容C5的另一端接地，二极管D3的正极分别于电容C6的一端、接收线圈L2的一端连接，接收线圈L2的另一端分别与电容C6的另一端、二极管D4的正极连接；
所述电阻R8的另一端与接收线圈L2的中心抽头连接；
恒功率模块中，所述芯片C的4号引脚接地，芯片C的5号引脚与单片机B连接，芯片C的1号引脚分别与所述电阻R2的一端、采样电阻R1的一端连接，采样电阻R1的另一端与芯片C的8号引脚连接，电阻R2的另一端分别与电阻R3的一端、电容C3的一端、单片机B连接；所述电阻R3的另一端接地，电容C3的另一端接地；
所述芯片D的1号引脚分别与芯片D的3号引脚、12V电源、二极管D2的正极连接，二极管D2的负极分别与芯片D的8号引脚、钽电容E2的正极连接；所述钽电容E2的负极与芯片D的6号引脚连接，芯片D的4号引脚接地，芯片D的2号引脚与单片机B连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，所述基于PWM波的高频恒功率无线充电模块用于实现用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电的功能。
4.根据权利要求3所述的一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，所述芯片A的VCC端提供12V直流电压，所述单片机A为芯片A的IN端提供612kHz、50％占空比的PWM波，使PWM波驱动高频功率mos管工作在开关状态，在高频功率mos管导通的半个周期T1中发射线圈L1与谐振电容C1及谐振电容C2的串联形成串联谐振，在高频功率mos管截止的半个周期T2中发射线圈L1与谐振电容C1形成串联谐振，这两个谐振波形共同组成一个正弦信号。
5.根据权利要求4所述的一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，高频功率mos管的漏极与12V电源之间连接有用于高频电路的滤波及噪声抑制的320μH功率磁环电感。
6.根据权利要求5所述的一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，接收线圈L2和发射线圈L1上绕制有两股以上纱包线，两股以上纱包线绕制的接收线圈L2和发射线圈L1的电感值计算公式如下：
式中，L为线圈的电感值，D为线圈的平均直径，W为线圈的宽度，N为线圈绕制匝数。
7.根据权利要求6所述的一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，所述恒功率模块执行如下步骤，使降压处理后的直流信号用基准功率P0对镍铬电池进行恒功率充电：
步骤1，所述芯片C的IN+端与芯片B降压处理后的直流信号的输出端相连，并将降压处理后的直流信号输出端通过电阻R2、电阻R3进行分压后传输给单片机B得到降压处理后的直流信号的电压值U1：
其中，U2为分压后电阻R3上的电压，即单片机B读取的电压值；
步骤2，在所述芯片C的IN+端和IN-端之间连接20mΩ的采样电阻R1，从芯片C的OUT端获取采样电阻上的电压值U3并传输给单片机B，单片机B通过计算得到降压处理后的直流信号的电流大小I1，电流大小I1计算公式：
步骤3，通过单片机B计算出实时功率P1，实时功率P1计算公式如下：
P1＝U1·I1；
步骤4，通过单片机B调节PWM波占空比α并发送给芯片D的IN端，改变降压处理后的直流信号的功率P1，实现对镍铬电池进行恒功率充电。
8.根据权利要求7所述的一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，步骤4中，所述PWM波占空比α调节公式如下：
9.根据权利要求8所述的一种基于PWM波的高频恒功率无线充电模块，其特征在于，所述芯片A为IR2104芯片，芯片B为LMZ35003芯片，芯片C为AD8217芯片，芯片D为IR2104芯片，单片机A型号为K60，单片机B型号为K60，高频功率mos管为IRF610。
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