CN109728183B - 有机发光二极管显示设备 - Google Patents

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Abstract

有机发光二极管显示设备。所述有机发光二极管显示设备包括：基板，所述基板具有多个子像素，每个子像素具有发光区域和沿着所述发光区域的边缘限定的非发光区域；反射屏障物，所述反射屏障物被设置成与所述非发光区域对应并包括反射侧表面，所述反射屏障物具有上表面与下表面之间的高度并且具有沿着从所述上表面到所述下表面的高度而减小的宽度；外涂层，所述外涂层被设置在所述反射屏障物的上部上；以及发光二极管，所述发光二极管包括依次设置在所述外涂层上的第一电极、有机发光层和第二电极。

Description

有机发光二极管显示设备
技术领域
本公开涉及有机发光二极管显示设备，更具体地，涉及一种具有提高的光提取效率的有机发光二极管显示设备。
背景技术
近来，随着信息化社会的出现，对用于处理并显示大量信息的信息显示器的兴趣和对便携式信息介质的需求已经增加，显示领域已得到迅速发展。因此，已经开发并突出了各种轻且薄的平板显示设备。
作为平板显示设备的具体示例，存在液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)设备、场发射显示(FED)设备、电致发光显示(ELD)设备、有机发光二极管(OLED)显示设备等。平板显示设备在薄化、轻化和降低其功耗方面表现出优异的特性，因此已经迅速取代了常规阴极射线管(CRT)显示器。
在平板显示设备当中，OLED显示设备是发光型设备并且不需要在非发光型设备(即，LCD设备)中使用的背光单元。结果，OLED显示设备的重量轻且外形薄。
此外，与LCD设备相比，OLED显示设备在视角、对比度和功耗方面具有优点。此外，OLED显示设备可以用低直流(DC)电压来驱动并且响应速度快。而且，由于OLED显示设备的内部元件具有固相，因此OLED显示设备具有抵抗外部冲击的高耐久性并且具有宽的可用温度范围。
具体地，由于OLED显示设备通过简单的工艺制造，因此与常规LCD设备相比可以降低制造成本。
OLED显示设备是通过发光二极管(LED)发光的发光型设备。LED通过有机电致发光现象来发光。
图1是例示具有基于一般有机电致发光现象的发光原理的LED的能带图。
如图所示，LED 10包括阳极21、阴极25和设置在阳极21和阴极25之间的有机发光层。有机发光层包括空穴传输层(HTL)33、电子传输层(ETL)35和插置在HTL 33和ETL 35之间的发光材料层(EML)40。
为了提高发光效率，在阳极21和HTL 33之间插置空穴注入层(HIL)37，并且在阴极25和ETL 35之间插置电子注入层(EIL)39。
在LED 10中，当正电压和负电压分别被施加到阳极21和阴极25时，阳极21的空穴和阴极25的电子被传输到EML 40以形成激子。当激子从激发态转变为基态时，由EML 40产生光并且所述光以可见光的形式发射。
然而，在包括LED 10的OLED显示设备中，在从有机发光层发射的光穿过各种组件并且被发射到外部时，损失大部分光。因此，发射到OLED显示设备的外部的光仅为从有机发光层发射的光的约20％。
这里，由于从有机发光层发射的光的量随着施加到OLED显示设备的电流的量而增加，因此能够通过向有机发光层施加更多电流来进一步增加OLED显示设备的亮度。然而，在这种情况下，功耗增加，并且OLED显示设备的寿命也减少。
因此，需要各种研究来提高OLED显示设备的光提取效率。
发明内容
本公开致力于解决上述问题并且本公开旨在提供一种具有提高的光提取效率的有机发光二极管显示设备。
此外，本公开旨在防止光泄漏。
为了实现如上所述的目的，本公开提供了一种有机发光二极管显示设备，该有机发光二极管显示设备包括：基板，所述基板具有多个子像素，每个子像素具有发光区域和沿着所述发光区域的边缘限定的非发光区域；反射屏障物(reflective barrier)，所述反射屏障物被设置成与所述非发光区域对应并包括反射侧表面，所述反射屏障物具有上表面与下表面之间的高度并且具有沿着从所述上表面到所述下表面的高度而减小的宽度；外涂层，所述外涂层被设置在所述反射屏障物的上部上；以及发光二极管，所述发光二极管包括依次设置在所述外涂层上的第一电极、有机发光层和第二电极。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图例示了本公开的实施方式并且与本说明书一起用于解释本公开的实施方式的原理。
图1是例示根据现有技术的具有基于有机电致发光现象的发光原理的发光二极管(LED)的能带图。
图2是例示根据本公开的一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示设备中的包括三个子像素的一个单位像素的结构的平面图。
图3是沿着图2中的线III-III截取的截面图，其例示了根据本公开的实施方式的OLED显示设备中的包括三个子像素的一个单位像素P的结构。
图4是图3中的一部分的放大图，并且例示了光在根据本公开的一个实施方式的OLED显示设备中被导向的状态的示意图。
图5A例示了测量光在不包括反射屏障物的OLED显示设备中被导向的状态的模拟结果。
图5B至图5E例示了测量光在根据本公开的多个实施方式的包括反射屏障物的OLED显示设备中被导向的状态的模拟结果。
图6是例示根据本公开的一个实施方式的反射屏障物的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开的实施方式。
图2是例示根据本公开的一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示设备中的包括三个子像素的一个单位像素的结构的平面图。
图3是沿着图2中的线III-III截取的截面图，其例示了根据本公开的实施方式的OLED显示设备中的包括三个子像素R-SP、G-SP和B-SP的一个单位像素P的结构。
在描述之前，根据本公开的一个实施方式的OLED显示设备100根据发射的光的传输方向被分类为顶部发光型或底部发光型。在下文中，作为本公开中的一个示例，将描述底部发光型。
如图2中所示，在根据本公开的实施方式的OLED显示设备100中，一个单位像素P包括红色子像素R-SP、绿色子像素G-SP和蓝色子像素B-SP。子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个包括发光区域EA。堤119沿发光区域EA的边缘设置以构成非发光区域NEA。
这里，为了便于描述，子像素R-SP、G-SP和B-SP被例示为具有相同的宽度并且彼此平行地设置。然而，子像素R-SP、G-SP和B-SP可以具有不同的宽度和各种结构。
在这种情况下，在子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的非发光区域NEA中设置开关薄膜晶体管STr和驱动薄膜晶体管DTr。在子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的发光区域EA中设置包括第一电极111、有机发光层113和第二电极115的发光二极管(LED)E。
这里，开关薄膜晶体管STr和驱动薄膜晶体管DTr彼此连接，驱动薄膜晶体管DTr连接到LED E。
更具体地，选通线GL、数据线DL和电源线VDD设置在基板101上以限定子像素R-SP、G-SP和B-SP。
开关薄膜晶体管STr形成在选通线GL和数据线DL彼此交叉的部分处。开关薄膜晶体管STr用于选择子像素R-SP、G-SP和B-SP。
开关薄膜晶体管STr包括从选通线GL分支的栅电极SG、半导体层103、源电极SS和漏电极SD。
驱动薄膜晶体管DTr用于驱动子像素R-SP、G-SP和B-SP中的由开关薄膜晶体管STr选择的每一个子像素的LED E。驱动薄膜晶体管DTr包括与开关薄膜晶体管STr的漏电极SD连接的栅电极DG、半导体层103、漏电极DD以及与电源线VDD连接的源电极DS。
驱动薄膜晶体管DTr的漏电极DD连接到LED E的第一电极111。
有机发光层113插置在第一电极111和第二电极115之间。
更具体地，参照图3，半导体层103设置在基板101上的子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的开关区域TrA中。半导体层103由硅制成并且具有漏极区103c、源极区103b以及被配置为构成沟道并设置在半导体层103的中心部分处的有源区103a，漏极区103c和源极区103b掺杂有高浓度杂质并设置在有源区103a的两侧表面上。
栅极绝缘膜105设置在半导体层103的上部上。
栅电极DG和在一个方向上延伸的选通线GL设置在栅极绝缘膜105的上部上以与半导体层103的有源区103a对应。
另外，第一层间绝缘膜109a设置在栅电极DG和选通线GL上。在这种情况下，第一层间绝缘膜109a和第一层间绝缘膜109a下面的栅极绝缘膜105具有半导体层接触孔116，半导体层接触孔116被配置为分别使设置在有源区103a的两侧表面上的源极区103b和漏极区103c暴露。
接下来，源电极DS和漏电极DD在具有半导体层接触孔116的第一层间绝缘膜109a的上部彼此间隔开，并且分别与通过半导体层接触孔116暴露的源极区103b和漏极区103c接触。
第二层间绝缘膜109b设置在源电极DS和漏电极DD之间暴露的第一层间绝缘膜109a的上部上。
在这种情况下，源电极DS和漏电极DD、具有与源电极DS和漏电极DD接触的源极区103b和漏极区103c的半导体层103、设置在半导体层103的上部上的栅极绝缘膜105以及栅电极DG构成驱动薄膜晶体管DTr。
尽管未在附图中示出，但是开关薄膜晶体管STr具有与驱动薄膜晶体管DTr相同的结构并且连接到驱动薄膜晶体管DTr。
开关薄膜晶体管STr和驱动薄膜晶体管DTr在附图中例示为具有其中半导体层103被形成为多晶硅半导体层或氧化物半导体层的顶栅型。作为修改的示例，开关薄膜晶体管STr和驱动薄膜晶体管DTr可以具有其中半导体层103由本征非晶硅和掺杂的非晶硅制成的底栅型。
在这种情况下，当半导体层103被形成为氧化物半导体层时，可以在半导体层103下方进一步设置遮光层(未示出)。可以在遮光层(未示出)和半导体层103之间设置缓冲层。
另外，各个滤色器106a、106b和106c与子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的发光区域EA对应地设置在第二层间绝缘膜109b的上部上。
滤色器106a、106b和106c用于转换从有机发光层113发射的白光的颜色。红色滤色器106a、绿色滤色器106b和蓝色滤色器106c分别设置在子像素R-SP、G-SP和B-SP的发光区域EA中。由于子像素R-SP、G-SP和B-SP分别发射红色光R、绿色光G和蓝色光B，因此本公开的OLED显示设备100实现高亮度全色显示器。
这里，在根据本公开的实施方式的OLED显示设备100中，在第二层间绝缘膜109b的上部进一步设置反射屏障物200。
反射屏障物200沿着子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的非发光区域NEA的边缘设置。反射屏障物200具有与子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的边缘对应的四边形框架形状，并且反射屏障物200的侧表面具有倒锥形形状。
由于反射屏障物200，能够提高根据本公开的实施方式的OLED显示设备100的光提取效率。另外，能够使由于从相邻的子像素R-SP、G-SP或B-SP反射的光产生的光泄漏最小化。
稍后将对此进行更详细地描述。
具有漏极接触孔PH的外涂层108设置在反射屏障物200和滤色器106a、106b和106c上，该漏极接触孔PH被配置为使第二层间绝缘膜109b和驱动薄膜晶体管DTr的漏电极DD暴露。
第一电极111设置在外涂层108的上部上，第一电极111连接到驱动薄膜晶体管DTr的漏电极DD并且由具有相对高的功函数值的材料制成以构成LED E的阳极。
第一电极111设置在子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个中。堤119可以设置在子像素R-SP、G-SP和B-SP中设置的第一电极111之间。也就是说，由于作为子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的边界部分的堤119，致使第一电极111分别设置在子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个中。
有机发光层113设置在第一电极111的上部上。构成阴极的第二电极115设置在有机发光层113的整个上表面上。
在OLED显示设备100中，当根据所选信号向第一电极111和第二电极115施加特定电压时，从第一电极111注入的空穴和从第二电极115注入的电子被传输到有机发光层113以形成激子。当激子从激发态转变为基态时，产生光并且所述光以可见光的形式发射。
在这种情况下，发射的光穿过透明的第一电极111并被发射到外部，使得OLED显示设备100实现任何图像。
在根据本公开的实施方式的OLED显示设备100中，由于在第二层间绝缘膜109b的上部上沿着子像素R-SP、G-SP和B-SP中的每一个的边缘另外设置反射屏障物200，因此能够提高OLED显示设备的光提取效率。另外，能够使由于从相邻的子像素R-SP、G-SP或B-SP反射的光而产生的光泄漏最小化。
图4是图3的一部分的放大图，并且例示了光在根据本公开的实施方式的OLED显示设备100中被导向的状态。
如图所示，红色子像素R-SP和绿色子像素G-SP按照非发光区域NEA(其对应于数据线DL)插置于其间的方式在基板101上彼此相邻地设置。红色滤色器106a在红色子像素R-SP的发光区域EA中设置在第二层间绝缘膜109b的上部上。绿色滤色器106b在绿色子像素G-SP的发光区域EA中设置在第二层间绝缘膜109b的上部上。
反射屏障物200在红色子像素R-SP的发光区域EA与绿色子像素G-SP的发光区域EA之间的非发光区域NEA中设置在第二层间绝缘膜109b的上部上。
反射屏障物200具有倒锥形的两个侧表面201、下表面203和上表面205，下表面203和上表面205连接两个侧表面201。反射屏障物200的横截面具有其宽度随着远离第二层间绝缘膜109b而逐渐增加的倒梯形形状。
同时，除了倒梯形形状之外，反射屏障物200的横截面可以具有任何形状，只要两个侧表面201具有倒锥形结构即可。在一个示例中，反射屏障物200的横截面可以具有倒三角形形状，如图5C中所示。
在这种情况下，当反射屏障物200的横截面具有倒三角形形状时，可以省略下表面203。
这里，倒锥形结构意味着彼此面对的两个侧表面201倾斜以使得该结构的宽度沿着从有机发光层113发射的光的行进方向减小。
反射屏障物200可以不需要光学特性，因此可以由各种材料制成，例如光可限定的丙烯酸、光刻胶、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂或聚酯，但是本公开不限于此。
反射屏障物200可以由不透明材料(例如堤材料)制成。堤材料可包含有机树脂，含有玻璃浆料和黑色颜料的树脂或浆料，诸如镍、铝、钼及其合金的金属颗粒，金属氧化物(例如，氧化铬)的颗粒或金属氮化物(例如，氮化铬)的颗粒。
反射层210设置在反射屏障物200的两个侧表面201和上表面205上。
反射层210可以由能够反射光的任何材料制成。通过在反射屏障物200的两个侧表面201和上表面205上沉积选自于二氧化钛、铝、氧化铝、硫酸钡、碳酸钙、硫酸钙、硫酸镁、碳酸钡、氧化锌、氢氧化镁、氢氧化钙以及滑石粉(talc)中的至少一种来形成反射层210。
因此，反射屏障物200具有倒锥形的反射侧表面201。但是本公开不限于此。在本公开的一个实施方式中，反射屏障物200可以由能够反射光的材料制成。在这种情况下，可以省略图4中所示的反射层210，但是反射屏障物200仍具有倒锥形的反射侧表面。
外涂层108设置在红色滤色器106a、绿色滤色器106b和反射屏障物200上。第一电极111设置在子像素R-SP和G-SP中的每一个中，并且与红色子像素R-SP和绿色子像素G-SP的发光区域EA对应地设置在外涂层108的上部上。另外，有机发光层113和第二电极115依次堆叠在第一电极111上以构成LED E。
其上形成有LED E的基板101由保护膜102封装。
这里，堤119被设置为与设置在红色子像素R-SP上的第一电极111和设置在绿色子像素G-SP上的第一电极111之间的非发光区域NEA对应，并且设置在外涂层108上。优选地，堤119的与非发光区域NEA的宽度对应的宽度D2大于非发光区域NEA中的反射屏障物200的上表面205的宽度D1，从而防止设置有反射层210的反射屏障物200可见。
这里，在根据本公开的实施方式的(图3的)OLED显示设备100中，由于具有倒锥形的反射侧表面201的反射屏障物200沿着子像素R-SP和G-SP中的每一个的边缘设置，因此可以将行进到非发光区域NEA的光引出到外部。因此，可以提高光提取效率。
更具体地，由于有机发光层113的折射率与第一电极111的折射率基本相同，因此有机发光层113中产生的光的光路在有机发光层113和第一电极111之间的界面处不会改变。
有机发光层113和第一电极111可以具有1.7至2.0的折射率。
在这种情况下，由于外涂层108具有约1.5的折射率，因此在有机发光层113中发射的光在第一电极111和外涂层108之间的界面处被折射。这里，在第一电极111和外涂层108之间的界面处被折射的光当中，一些光L1行进到子像素R-SP和G-SP中的每一个的发光区域EA。然而，一些光L2没有行进到子像素R-SP和G-SP中的每一个的发光区域EA，而是行进到设置在子像素R-SP的发光区域EA和子像素G-Sp的发光区域EA之间的非发光区域NEA。
由于行进到发光区域EA的光L4具有大于全反射临界角的角度，因此光L4没有穿过基板101而是在基板101的界面处全反射，因此光L4被捕获而没有被发射到基板101的外部。
这里，在根据本公开的实施方式的(图3的)OLED显示器100中，行进到非发光区域NEA的光L2被反射屏障物200反射，因此被引出到基板101的外部。
也就是说，设置有反射层210的反射屏障物200通过对行进到非发光区域NEA的光L2进行反射的反射侧表面201来调整入射光的反射角。在这种情况下，由于反射屏障物200的反射侧表面201是倒锥形的，因此在行进到非发光区域NEA的光L2被倒锥形的反射侧表面201反射的同时，反射屏障物200防止了具有特定角度的光被全内反射。
因此，行进到非发光区域NEA的光L2被倒锥形的反射屏障物200朝向发光区域EA反射。反射到发光区域EA的光L2被引出到基板101的外部，从而提高了根据本公开的实施方式的(图3的)OLED显示设备100的光提取效率。
也就是说，在从绿色子像素G-SP的有机发光层113发射的光L1和光L2当中，一些光L1行进到发光区域EA，穿过绿色滤色器106b，并且被发射到基板101的外部。然而，一些光L2行进到绿色子像素G-SP的发光区域EA和红色子像素R-SP的发光区域EA之间的非发光区域NEA。
在这种情况下，行进到非发光区域NEA的光L2被反射屏障物200的反射侧表面201反射，然后行进到绿色子像素G-SP的发光区域EA，并且被引出到基板101的外部。
因此，可以提高光提取效率以提高(图3的)OLED显示设备100的亮度，并且还防止了(图3的)OLED显示设备100的功耗增加。
另外，随着光提取效率的提高，LED E的寿命也增加。
此外，根据本公开的实施方式的(图3的)OLED显示设备100可以使由于从相邻的子像素R-SP或G-SP反射的光而产生的光泄漏最小化。
更具体地，在从有机发光层113发射的光当中的行进到基板101的光L3和光L4中的一些被设置在基板101上的诸如数据线DL的金属线反射并到达相邻的子像素R-SP或G-SP。因此，产生光泄漏。
也就是说，在从绿色子像素G-SP的有机发光层113发射的光L1、光L3和光L4穿过绿色滤色器106b并被发射到外部的同时，一些光L3被诸如数据线DL的金属线反射并行进到红色子像素R-SP。因此，在红色子像素R-SP中产生绿光的光泄漏。
在这种情况下，在根据本公开的实施方式的(图3的)OLED显示设备100中，由于反射屏障物200沿着子像素R-SP和G-SP中的每一个的边缘设置在非发光区域NEA中，因此防止光到达相邻的子像素R-SP或G-SP。
因此，能够使由于从相邻的子像素R-SP或G-SP反射的光L3而产生的光泄漏最小化。
另外，从相邻的子像素R-SP或G-SP反射和产生的光L4被反射并被引出到外部，从而进一步提高(图3的)OLED显示设备100的光提取效率。
图5A例示了测量光在不包括反射屏障物的OLED显示设备中被导向的状态的模拟结果。图5B例示了测量光在根据本公开的实施方式的包括反射屏障物200的OLED显示设备100中被导向的状态的模拟结果。
图5C至图5E例示了测量光根据由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角被导向的状态的模拟结果。图6是例示根据本公开的实施方式的反射屏障物200的示意性截面图。
在描述之前，由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)是56.3°，有机发光层113和第一电极111具有1.7至1.8的折射率，并且外涂层108和基板101的折射率为1.5。
参考图5A和图5B，可以确认光在第一电极111和外涂层108之间的界面处被折射并且行进到非发光区域NEA。
这里，如图5A中所示，在不包括反射屏障物的OLED显示设备中，可以确认行进到非发光区域NEA的光在基板101的边界处被全反射。
结果，光被捕获而没有被发射到基板101的外部。
相反，如图5B中所示，在包括反射屏障物200的(图3的)OLED显示设备100中，可以确认在外涂层108和第一电极111之间的界面处折射并行进到非发光区域NEA的光被反射屏障物200的反射侧表面201反射，因此被引出到基板101的外部。
因此，在根据本公开的实施方式的(图3的)OLED显示设备100中，由于在第二层间绝缘膜(图4的109b)的上部上沿着子像素(图4中的R-SP和G-SP)中的每一个的边缘另外设置反射屏障物200，因此可以看出(图3的)OLED显示设备100的光提取效率的提高是可能的。
另一方面，将参照附图的图5C至图5E和图6来描述光根据由根据本公开的实施方式的反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)被导向的状态。
在描述之前，图5C中的由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)为45°，图5D中的由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)为72°，图5E中的由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)为90°。
参照图5C至图5E和图5B，当由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)在45°至72°的范围内时，如图5C和图5D中所示，可以确认由反射屏障物200反射的光通过侧表面发射。当由反射屏障物200的反射侧表面201限定的倒锥角(θ)是56.3°时，如图5B中所示，可以确认由反射屏障物200反射的光通过前表面发射。
因此，可以调整由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)，以提高发射到显示器的前面或侧面的亮度。
同时，参考图5E，当由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)为90°时，可以确认由反射屏障物200的反射侧表面201反射的光在基板101的边界处被全反射。因此，当由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)为90°时，光被捕获而未被发射到基板101的外部。
因此，优选的是，由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)被设计为小于90°。
当由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)为45°或更小时，反射屏障物200的上表面205的宽度D1增加。因此，由于需要增加设置有反射屏障物200的非发光区域NEA的宽度，因此优选的是，由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)大于45°。
随着由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)减小，在反射屏障物200的下表面203附近执行反射。因此，为了减小由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)，需要增加反射屏障物200的厚度h。
当增加反射屏障物200的厚度h时，(图3的)OLED显示设备100的总厚度也增加。因此，优选的是，由反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)大于45°。
同时，在对设置在反射屏障物200的两个侧表面201和上表面205上的反射层210进行沉积的过程中，邻近下表面203形成反射层210的尾部220。优选的是，尾部220不被暴露在反射屏障物200的上表面205外部，从而不可见。
这里，随着由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)增加，尾部220可暴露在反射屏障物200的上表面205外部。因此，优选的是，由反射屏障物200的反射侧表面201和基板101限定的倒锥角(θ)是小于90°的角度(在该角度下光可以被引出到基板101的外部)，并且处于其中反射层210的尾部220未暴露在反射屏障物200的上表面205外部的限制范围内。
如上所述，在根据本发明的实施方式的(图3的)OLED显示设备100中，由于具有倒锥形的反射侧表面201的反射屏障物200被设置为与沿着子像素(图4的R-SP和G-SP)中的每一个的发光区域(图4的EA)的边缘限定的非发光区域(图4的NEA)对应，因此在从子像素(图4的R-SP和G-SP)中的每一个发射的光当中，行进到非发光区域(图4的NEA)的光(图4的L2)可以被反射并引出到基板101的外部。
结果，提高了(图3的)OLED显示设备100的光提取效率。
另外，能够使由于从相邻的子像素(图4的R-SP或G-SP)反射的光而产生的光泄漏最小化。此外，从相邻的子像素(图4的R-SP或G-SP)反射和产生的光(图4的L4)被反射并引出到外部，从而进一步提高(图3的)OLED显示设备100的光提取效率。
在以上描述中，作为一个示例已经描述了一个单位像素(图3中的P)仅包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素(图3的R-SP、G-SP和B-SP)，但是在一个单位像素(图3中的P)中还可以包括白色子像素。白色滤色器可以单独设置在白色子像素中，或者可以使从有机发光层(图4中的113)实现的白光直接透射以实现白光。
另外，可以在子像素(图3的R-SP、G-SP和B-SP)中省略红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器(图3的106a、106b和106c)，并且可以从设置在子像素(图3的R-SP、G-SP和B-SP)中的有机发光层(图3中的113)实现红色光、绿色光和蓝色光。
设置在子像素(图3的R-SP、G-SP和B-SP)中的有机发光层(图3中的113)可以根据要实现的颜色而具有各种厚度。
如上所述，根据本公开，由于具有倒锥形的反射侧表面的反射屏障物被设置为与沿着每个子像素的边缘限定的非发光区域对应，因此在从每个子像素发射的光当中，行进到非发光区域的光可以被反射并引出到基板的外部，从而提高OLED显示设备的光提取效率。
另外，能够使由于从相邻的子像素反射的光而产生的光泄漏最小化。此外，从相邻的子像素反射和产生的光可以被反射并引出到外部，从而进一步提高OLED显示设备的光提取效率。
本公开不限于上述实施方式，并且对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0144069的权益，该韩国专利申请通过引用全部包含于此。

Claims (11)

1.一种有机发光二极管显示设备，该有机发光二极管显示设备包括：
基板，所述基板具有多个子像素，每个子像素具有发光区域和沿着所述发光区域的边缘限定的非发光区域；
反射屏障物，所述反射屏障物被设置成与所述非发光区域对应并包括反射侧表面，所述反射屏障物具有上表面与下表面之间的高度并且具有沿着从所述上表面到所述下表面的高度而减小的宽度；
外涂层，所述外涂层被设置在所述反射屏障物的上部上；以及
发光二极管，所述发光二极管包括依次设置在所述外涂层上的第一电极、有机发光层和第二电极，
其中，反射层被设置在所述反射屏障物上，所述反射层包括尾部，所述尾部被设置为与所述反射屏障物的所述下表面相邻。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，所述反射屏障物具有沿着所述发光区域的边缘形成的四边形框架形状，并且包括形成为所述反射侧表面的侧表面以及形成为连接所述侧表面的所述上表面，并且
其中，所述反射层被设置在所述侧表面和所述上表面上。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示设备，其中，所述反射屏障物的横截面具有其宽度随着远离所述基板而逐渐增加的倒梯形形状和倒三角形形状中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，由所述基板和所述反射侧表面限定的倒锥角大于45°且小于90°。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，所述第一电极被设置在所述子像素中的每一个中，并且堤沿着所述第一电极的边缘设置且被设置在所述外涂层上。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，堤被设置在与所述反射屏障物对应的所述外涂层上。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示设备，其中，所述反射屏障物的宽度小于所述堤的宽度。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，所述多个子像素包括：红色子像素，所述红色子像素包括设置在所述发光区域中的红色滤色器；绿色子像素，所述绿色子像素包括设置在所述发光区域中的绿色滤色器；以及蓝色子像素，所述蓝色子像素包括设置在所述发光区域中的蓝色滤色器。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示设备，其中，驱动薄膜晶体管被设置在所述多个子像素中的每一个中，并且所述驱动薄膜晶体管包括半导体层、设置在所述半导体层的上部上的栅极绝缘膜、设置在所述栅极绝缘膜的上部上的栅电极、设置在所述栅电极的上部上的第一层间绝缘膜以及设置在所述第一层间绝缘膜的上部上的源电极和漏电极。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示设备，其中，所述反射屏障物以及所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器被设置在第二层间绝缘膜的上部上，所述第二层间绝缘膜被设置在所述源电极和所述漏电极上。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，所述尾部不被暴露在所述反射屏障物的所述上表面外部。
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