CN109728063B - 显示基板及显示装置 - Google Patents
显示基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109728063B CN109728063B CN201910016093.XA CN201910016093A CN109728063B CN 109728063 B CN109728063 B CN 109728063B CN 201910016093 A CN201910016093 A CN 201910016093A CN 109728063 B CN109728063 B CN 109728063B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dam
- display
- substrate
- power supply
- display substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000005574 cross-species transmission Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示基板及显示装置。该显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的电源正极线、电源负极线、第一围坝，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的周边区域，所述电源正极线、所述电源负极线和所述第一围坝位于所述周边区域，且所述第一围坝围绕所述显示区域设置；至少在所述电源正极线和所述电源负极线之间对应的区域中，所述第一围坝的靠近所述显示区域的一侧设置有凸起结构。本发明所提供的显示基板及显示装置，能够有效防止IJP的墨水的溢出，从而保证了显示基板的良率和封装性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
目前，在柔性OLED显示屏的封装工艺中，封装结构中的有机封装结构通常采用喷墨打印技术(Ink-Jet Printing，简称：IJP)制作，制作过程中，用于制作有机封装结构的墨水(Ink)具有流动性，为了保证IJP的良率，防止墨水溢出(Overflow)尤为重要。但现有的方法中，防止墨水溢出的效果并不佳，从而影响了柔性OLED显示屏的封装性能。
发明内容
本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及显示装置。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，该显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的电源正极线、电源负极线、第一围坝，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的周边区域，所述电源正极线、所述电源负极线和所述第一围坝位于所述周边区域，且所述第一围坝围绕所述显示区域设置；
至少在所述电源正极线和所述电源负极线之间对应的区域中，所述第一围坝的靠近所述显示区域的一侧设置有凸起结构。
可选地，所述凸起结构沿第一方向的宽度范围为50微米至80微米，所述第一方向为所述第一围坝靠近所述显示区域的方向。
可选地，所述凸起结构沿所述第一方向的宽度为65微米。
可选地，所述第一围坝沿与第一方向垂直的第二方向的高度范围为4微米至5微米，所述第一方向为所述第一围坝靠近所述显示区域的方向。
可选地，所述第一围坝沿所述第二方向的高度为4.5微米。
可选地，所述第一围坝包括第一围坝结构、第二围坝结构和第三围坝结构，所述第一围坝结构位于所述衬底基板之上，所述第二围坝结构位于所述第一围坝结构的远离所述衬底基板的一侧，所述第三围坝结构位于所述第二围坝结构的远离所述第一围坝结构的一侧。
可选地，所述凸起结构与所述第一围坝同层设置，且所述凸起结构与所述第一围坝一体形成。
可选地，所述凸起结构的靠近所述显示区域的边缘的形状为弧形。
可选地，所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影的形状为矩形。
为实现上述目的，本发明提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示基板。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图；
图2为图1中的显示基板的AA’向剖视图；
图3为图1中的区域P的一种结构示意图；
图4为图1中的区域P的另一种结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的显示基板及显示装置进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种显示基板的结构示意图，图2为图1中的显示基板的AA’向剖视图，图3为图1中的区域P的一种结构示意图，如图1至图3所示，该显示基板包括衬底基板1和位于衬底基板1上的电源正极线2、电源负极线3、第一围坝4，衬底基板1包括显示区域M和围绕显示区域设置的周边区域N，电源正极线2、电源负极线3和第一围坝4位于周边区域N，且第一围坝4围绕显示区域M设置；至少在电源正极线2和电源负极线3之间对应的区域P中，第一围坝4的靠近显示区域M的一侧设置凸起结构5。
本实施例中，如图1所示，虚线L围成的区域即为显示区域M，围绕区域M设置的区域为周边区域N。需要说明的是，图1仅示出了部分显示区域M和位于该部分显示区域M的下侧的周边区域N，即图1示出了显示基板的下边框的结构。
在周边区域N中，由于电源正极线2和电源负极线3之间存在凹槽，使得第一围坝(Dam)4在该凹槽对应的区域即区域P中的高度相对其他区域的高度较低，故当该凹槽对IJP的墨水进行引流时，汇集于该凹槽处的墨水容易从高度较低的第一围坝4溢出，造成显示器件的不良。因此，本实施例中，优选地，在电源正极线2和电源负极线3之间对应的区域P中，第一围坝4沿靠近显示区域M的一侧设置凸起结构5。其中，凸起结构5用于对汇集于区域P中的墨水能够起到一定的分散引流作用，从而使得该区域P中的墨水不易于从该区域P中的第一围坝4上溢出，进而保证了显示器件的良率和封装性能，保证了显示器件的封装信赖性。其中，以第一围坝4靠近显示区域M的方向作为第一方向，垂直于第一方向的方向作为第二方向，则前述“高度”可以理解为第一围坝4沿第二方向上的高度，如图1所示，A’A方向即为第一方向，垂直于A’A方向的方向即为第二方向。
本实施例中，如图3所示，凸起结构5设置为沿靠近显示区域M的方向即第一方向突出。优选地，凸起结构5与第一围坝4同层设置，且凸起结构5与第一围坝4一体形成。换言之，凸起结构5为第一围坝4沿靠近显示区域M的方向即A’A方向延伸出的部分。在电源正极线2和电源负极线3之间对应的区域P中，凸起结构5沿第二方向的高度可设置为与第一围坝4相同的高度，亦可设置为低于第一围坝4的高度，只要能够起到分散引流区域P中的墨水的作用即可。
本实施例中，如图3所示，凸起结构5沿第一方向的宽度D范围为50微米至80微米，其中，第一方向为第一围坝4靠近显示区域M的方向，即A’A方向。优选地，凸起结构5沿第一方向的宽度D为65微米。如图3所述，不难理解地，当凸起结构5在衬底基板1上的投影为非规则图形时，例如，非规则图形为图3所示的弧形图形时，凸起结构5沿第一方向的宽度D即为凸起结构5沿第一方向的最大宽度。
图3示出了一种凸起结构的结构示意图，如图3所示，凸起结构5的靠近显示区域的边缘的形状为弧形。图4为图1中的区域P的另一种结构示意图，如图4所示，凸起结构5在衬底基板1上的正投影的形状为矩形。本实施例中，凸起结构5还可设置为其他形状，此处不再一一列举。
本实施例中，如图2所示，第一围坝4沿与第一方向垂直的第二方向的高度H范围为4微米至5微米。优选地，第一围坝4沿第二方向的高度H为4.5微米。从而能够有效防止IJP的墨水从第一围坝4上溢出。
本实施例中，显示基板还包括位于衬底基板1上的栅极(Gate)金属走线6，栅极金属走线6位于周边区域N。在显示区域M的边缘与第一围坝4之间，由于栅极金属走线6之间存在凹槽，该凹槽对IJP的墨水的流动具有明显的引流作用。因此，为了能够有效阻挡IJP的墨水的流动，防止IJP的墨水溢出，同时在一定程度上减小显示区域M的边缘到第一围坝4之间的长度，实现窄边框设计，本实施例中，优选地，第一围坝4包括第一围坝结构41、第二围坝结构42和第三围坝结构43，第一围坝结构41位于衬底基板1之上，第二围坝结构42位于第一围坝结构41的远离衬底基板1的一侧，第三围坝结构43位于第二围坝结构42的远离第一围坝结构41的一侧。本实施例通过采用具有三层结构的第一围坝4，在周边区域N中围绕显示区域M设置，并将其沿第二方向的高度H设置为4.5微米，从而能够有效防止IJP的墨水从第一围坝4上溢出，保证了显示基板的良率和封装信赖性，同时在一定程度上能够减小显示区域M的边缘到第一围坝4之间的长度，实现下边框的窄边框设计。
本实施例中，凸起结构5亦可设置为与第一围坝4相同的三层结构，具体参见第一围坝4的三层结构的描述，此处不再赘述。
本实施例中，如图1至图3所示，显示基板还包括位于衬底基板1上的第二围坝(Dam)7，第二围坝7位于第一围坝4的远离显示区域M的一侧，且第二围坝7围绕第一围坝4设置。其中，第二围坝7包括第一围坝部71、第二围坝部72和第三围坝部73，第一围坝部71位于衬底基板1之上，第二围坝部72位于第一围坝部71的远离衬底基板1的一侧，第三围坝部73位于第二围坝部72的远离第一围坝部71的一侧。
本实施例中，优选地，显示基板为OLED显示基板。进一步优选地，OLED显示基板为柔性OLED显示基板。其中，显示区域M包括位于衬底基板1上的薄膜晶体管、像素界定层(图中未示出)和像素界定层之间限定出的像素单元(图中未示出)，像素单元包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的有机发光层，有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层和电子注入层。其中，阳极与薄膜晶体管的源漏极连接，阳极还与周边区域N中的电源负极线(VSS)3连接，阴极与周边区域N中的电源正极线(VDD)2连接，电源正极线2和电源负极线3用于向阳极和阴极加载电压，以驱动有机发光层发光，实现显示。
本实施例中，电源正极线2和电源负极线3同层设置，如图2所示，第一围坝4位于电源负极线3的远离衬底基板1的一侧。电源正极线2和电源负极线3的材料与薄膜晶体管的源漏极的材料相同。
本实施例中，如图2所示，栅极金属走线6包括第一栅极金属走线61和第二栅极金属走线62。在周边区域N中，显示基板还包括位于衬底基板1上的无机层8、绝缘层9、层间介质层(ILD)10、平坦化层(PLN)11、阳极走线12、像素界定层(PDL)13和隔垫物(PS)14。
具体地，无机层8位于衬底基板1之上，第一栅极金属走线61位于无机层8的远离衬底基板1的一侧，绝缘层9位于第一栅极金属走线61的远离无机层8的一侧，第二栅极金属走线62位于绝缘层9的远离第一栅极金属走线61的一侧，层间介质层10位于第二栅极金属走线62的远离绝缘层9的一侧，电源负极线3位于层间介质层10的远离第二栅极金属走线62的一侧，平坦化层11位于电源负极线3的远离层间介质层10的一侧，第一围坝结构41、第一围坝部71和平坦化层11同层同材料形成，阳极走线12位于平坦化层11的远离电源负极线3的一侧，像素界定层13位于阳极走线12的远离平坦化层11的一侧，第二围坝结构42、第二围坝部72和像素界定层13同层同材料形成，隔垫物14位于像素界定层13的远离阳极走线12的一侧，第三围坝结构43、第三围坝部73和隔垫物14同层同材料形成。
本实施例所提供的显示基板的技术方案中，至少在电源正极线和电源负极线之间对应的区域中，第一围坝的靠近显示区域的一侧设置有凸起结构。通过凸起结构能够对汇集于电源正极线和电源负极线之间对应的区域中的墨水能够起到一定的分散引流作用，有效阻挡了IJP的墨水的流动，从而使得墨水不易于从第一围坝上溢出，进而保证了显示基板的良率和封装性能。
本发明实施例二提供了一种显示装置，该显示装置包括显示基板，该显示基板包括上述实施例一提供的显示基板，具体描述可参见上述实施例一，此处不再赘述。
本实施例所提供的显示装置的技术方案中，至少在电源正极线和电源负极线之间对应的区域中，第一围坝的靠近显示区域的一侧设置有凸起结构。通过凸起结构能够对汇集于电源正极线和电源负极线之间对应的区域中的墨水能够起到一定的分散引流作用，有效阻挡了IJP的墨水的流动，从而使得墨水不易于从第一围坝上溢出，进而保证了显示基板的良率和封装性能。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的电源正极线、电源负极线、第一围坝，所述衬底基板包括显示区域和围绕所述显示区域设置的周边区域，所述电源正极线、所述电源负极线和所述第一围坝位于所述周边区域，且所述第一围坝围绕所述显示区域设置；
至少在所述电源正极线和所述电源负极线之间对应的区域中，所述第一围坝的靠近所述显示区域的一侧设置有凸起结构，所述凸起结构与所述第一围坝同层设置，且所述凸起结构与所述第一围坝一体形成。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构沿第一方向的宽度范围为50微米至80微米，所述第一方向为所述第一围坝靠近所述显示区域的方向。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构沿所述第一方向的宽度为65微米。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一围坝沿与第一方向垂直的第二方向的高度范围为4微米至5微米，所述第一方向为所述第一围坝靠近所述显示区域的方向。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一围坝沿所述第二方向的高度为4.5微米。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一围坝包括第一围坝结构、第二围坝结构和第三围坝结构，所述第一围坝结构位于所述衬底基板之上，所述第二围坝结构位于所述第一围坝结构的远离所述衬底基板的一侧，所述第三围坝结构位于所述第二围坝结构的远离所述第一围坝结构的一侧。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构的靠近所述显示区域的边缘的形状为弧形。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凸起结构在所述衬底基板上的正投影的形状为矩形。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至8任一所述的显示基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910016093.XA CN109728063B (zh) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 显示基板及显示装置 |
| PCT/CN2019/128251 WO2020143449A1 (zh) | 2019-01-08 | 2019-12-25 | 显示基板及显示装置 |
| US16/959,370 US11569332B2 (en) | 2019-01-08 | 2019-12-25 | Display substrate and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910016093.XA CN109728063B (zh) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 显示基板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109728063A CN109728063A (zh) | 2019-05-07 |
| CN109728063B true CN109728063B (zh) | 2021-02-09 |
Family
ID=66298877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910016093.XA Active CN109728063B (zh) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 显示基板及显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11569332B2 (zh) |
| CN (1) | CN109728063B (zh) |
| WO (1) | WO2020143449A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109728063B (zh) | 2019-01-08 | 2021-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
| WO2022051994A1 (zh) * | 2020-09-10 | 2022-03-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN113078173A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5954075B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2016-07-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR102404577B1 (ko) * | 2015-03-27 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102362189B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101763616B1 (ko) | 2015-07-29 | 2017-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102668184B1 (ko) * | 2016-07-25 | 2024-05-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN107887405A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 群创光电股份有限公司 | 有机电激发光显示面板 |
| KR20180079092A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인-셀 터치 유기 발광 표시 장치 |
| CN106933431B (zh) | 2017-02-15 | 2020-05-12 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光二极管触控显示基板及触控显示装置 |
| CN106951125B (zh) * | 2017-03-30 | 2019-09-13 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板及触控显示装置 |
| CN207852679U (zh) * | 2018-03-09 | 2018-09-11 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109728063B (zh) | 2019-01-08 | 2021-02-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
-
2019
- 2019-01-08 CN CN201910016093.XA patent/CN109728063B/zh active Active
- 2019-12-25 US US16/959,370 patent/US11569332B2/en active Active
- 2019-12-25 WO PCT/CN2019/128251 patent/WO2020143449A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11569332B2 (en) | 2023-01-31 |
| WO2020143449A1 (zh) | 2020-07-16 |
| US20210074796A1 (en) | 2021-03-11 |
| CN109728063A (zh) | 2019-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9590212B2 (en) | Organic EL display device and method for manufacturing the organic EL display device | |
| KR100963075B1 (ko) | 유기전계발광 표시 장치 | |
| KR100936881B1 (ko) | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US8149188B2 (en) | EL display device | |
| US20150206929A1 (en) | Light-emitting element display device | |
| US20150187860A1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| CN109728063B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| CN112289841B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| WO2010013626A1 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| CN103594476B (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法以及使用其的有机发光显示装置 | |
| KR100696479B1 (ko) | 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
| EP2713398B1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, oled display device | |
| US10608070B2 (en) | Organic EL display device | |
| KR20110111746A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| WO2010013639A1 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| KR102543973B1 (ko) | 유기발광소자 표시장치 | |
| US20210175313A1 (en) | Organic light-emitting diode display panel | |
| KR101192017B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US20170279078A1 (en) | Method of manufacturing an organic el display device | |
| KR20160055344A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
| CN110224010B (zh) | Oled显示基板、显示面板、oled显示基板的制备方法 | |
| WO2022052229A1 (zh) | 像素电路、显示基板和显示装置 | |
| US20240090270A1 (en) | Display panel, display device and method for preparing display panel | |
| KR101593395B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 유기 발광장치 | |
| KR20200083863A (ko) | 디스플레이 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |