CN109692639B - 一种基于licvd法的纳米材料生产设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于LICVD法的纳米材料生产设备，包括反应室、控制器、供气机构、清洁机构、捕集器和照射机构，清洁机构包括惰气室、加热盒、注水管、排水管和排气管，供气机构包括混合管、混合室和若干供气组件，供气组件包括供气室和供气管，混合室内设有第一电机和第一齿轮，供气管内设有调节组件，调节组件包括第二齿轮、转轴、转盘和供气单元，该基于LICVD法的纳米材料生产设备通过清洁机构对反应室内部进行清洁，使反应室中充满惰性气体，保证了反应环境的清洁，便于纳米材料的生产，不仅如此，通过供气机构向反应室提供特定比例的多种气体，便于各种反应气体充分反应，防止气体浪费，减小生产成本，提高了设备的实用性。
Description
技术领域
本发明涉及新材料设备领域，特别涉及一种基于LICVD法的纳米材料生产设备。
背景技术
LICVD的全称为激光诱导化学气相沉积法，是20世纪70年代后期出现的以激光为加热热源，诱发气相反应的合成纳米粉末技术，其主要原理是利用反应气体分子对特定波长激光束的吸收，引起反应气体分子激光光解、激光热解、激光光敏化和激光诱导化学合成反应，在一定工艺条件下，获得超细粒子空间成长核和生长，目前，LICVD法已制备出多种单种、无机化合物和复合材料超细微粉末，制得的主要产品由纳米硅基粉体极易纳米氧化物粉体。
现有的生产设备在利用LICVD法制备纳米材料时，需要做好反应室的净化处理，即进行抽真空准备，同时充入高纯度惰性保护气体，这样才能保证在清洁的环境中进行反应，但是在实际操作过程中，经常出现反应室抽真空不完全，除了惰性气体外，反应室中还包含其他气体，使得反应环境不够清洁，影响反应的进行，不仅如此，在制备纳米粉体时，反应气体有多种，在气体分子发生相互碰撞前，参加反应的每种气体分子都吸收激光能量，从而引起分解，由于设备难以调节各种气体的用量比例，气体过少，容易使反应不充分，气体过多，容易造成生成材料的浪费，进一步降低了现有的LICVD反应装置的实用性的降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了克服现有技术的不足，提供一种基于LICVD法的纳米材料生产设备。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于LICVD法的纳米材料生产设备，包括反应室、控制器、供气机构、清洁机构、捕集器和照射机构，所述控制器固定在反应室的一侧，所述供气机构与反应室的底部连接，所述照射机构设置在反应室的上方，所述捕集器固定在反应室的上方，所述清洁机构与反应室连接，所述控制器内设有PLC，所述捕集器与PLC电连接；
所述清洁机构包括惰气室、加热盒、注水管、排水管和排气管，所述惰气室与加热盒的一侧连通，所述加热盒的另一侧与反应室的上方连通，所述加热盒内设有电热网，所述注水管和排气管均固定在反应室的上方，所述排水管的底端位于反应室内的底部，所述注水管和排气管内分别设有第一阀门和第二阀门，所述排水管内设有第三阀门，所述电热网、第一阀门、第二阀门和第三阀门均与PLC电连接；
所述供气机构包括混合管、混合室和若干供气组件，所述混合室的一侧通过混合管与反应室的底部连通，所述混合管内设有第四阀门，所述供气组件周向均匀分布在混合室的另一侧，所述供气组件包括供气室和供气管，所述供气室通过供气管与混合室连通，所述混合室内设有第一电机和第一齿轮，所述第一电机固定在混合室内，所述第一电机与PLC电连接，所述第一电机与第一齿轮传动连接，所述供气管内设有调节组件，所述调节组件包括第二齿轮、转轴、转盘和供气单元，所述转盘通过转轴与第二齿轮固定连接，所述第二齿轮与第一齿轮啮合，所述调节组件与转盘连接。
作为优选，为了便于向反应气体照射激光，提供气体分子碰撞所需的能源，所述照射机构包括固定管和设置在固定管内的照射组件，所述固定管固定在反应室的上方，所述固定管的底端与反应室连通，所述照射组件包括升降单元、顶块、支板、底块和激光器，所述升降单元与顶块传动连接，所述底块通过支板固定在顶块的下方，所述激光器固定在支板上，所述底块的外周和顶块的外周均与固定管的内壁密封连接，所述激光器与PLC电连接。
作为优选，为了实现顶块的升降，所述升降单元包括第二电机、第一连杆和第二连杆，所述第二电机固定在固定管内，所述第二电机与PLC电连接，所述第二电机与第一连杆传动连接，所述第一连杆通过第二连杆与顶块铰接。
作为优选，为了便于底块向上移动时，进入固定管中，所述底块的顶部的形状为圆锥柱形，所述底块的顶部外径小于底块的下方的外径。
作为优选，为了检测反应室内是否干燥，所述排气管内设有湿度传感器，所述湿度传感器与PLC电连接。
作为优选，为了便于调节气流的强弱，所述供气单元包括平移单元、框架、驱动块、转动轴、两个扇叶和两个轴承，所述平移单元与框架传动连接，所述框架的形状为U形，所述框架的两端分别与两个轴承固定连接，所述转动轴的两端分别设置在两个轴承内，两个扇叶分别位于转轴的两侧，所述驱动块套设在转动轴上，所述驱动块的形状为圆锥柱形，所述驱动块与转动轴同轴设置，所述驱动块的圆锥面抵靠在转盘的侧面。
作为优选，为了带动框架移动，所述平移单元包括第三电机、缓冲块、丝杆和平移块，所述第三电机和缓冲块均固定在供气管的内壁上，所述第三电机与PLC电连接，所述第三电机与丝杆的一端传动连接，所述丝杆的另一端设置在缓冲块内，所述平移块套设在丝杆上，所述平移块的一端抵靠在供气管内壁上，所述平移块的另一端与框架固定连接。
作为优选，为了便于确定平移块的位置，所述平移块上设有距离传感器，所述距离传感器与PLC电连接。
作为优选，为了实现转轴的稳定转动，所述供气单元还包括限位环和两个夹板，所述限位环固定在供气管内，所述限位环套设在转轴上，两个夹板分别位于限位环的两侧，所述夹板固定在转轴上。
作为优选，为了使通入的各种反应气体混合均匀，所述第二齿轮的远离供气单元的一侧设有搅拌轴、支撑管和两个搅拌板，所述支撑管固定在混合管内，所述搅拌轴的一端与第二齿轮固定连接，所述搅拌轴的另一端设置在支撑管内，两个搅拌板分别位于搅拌轴的两侧，所述搅拌板上设有若干通孔。
本发明的有益效果是，该基于LICVD法的纳米材料生产设备通过清洁机构对反应室内部进行清洁，使反应室中充满惰性气体，保证了反应环境的清洁，便于纳米材料的生产，与现有的清洁机构相比，该清洁机构操作方便，且保证反应室中惰性气体的纯度，不仅如此，通过供气机构向反应室提供特定比例的多种气体，便于各种反应气体充分反应，防止气体浪费，减小生产成本，提高了设备的实用性，与现有的供气机构相比，该供气机构结构灵活，可根据需要灵活控制各种反应气体的用量和比例。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的基于LICVD法的纳米材料生产设备的结构示意图；
图2是本发明的基于LICVD法的纳米材料生产设备的清洁机构和照射机构与反应室的连接结构示意图；
图3是本发明的基于LICVD法的纳米材料生产设备的供气机构的结构示意图；
图4是图3的A部放大图；
图中：1.反应室，2.控制器，3.惰气室，4.加热盒，5.注水管，6.排水管，7.排气管，8.电热网，9.捕集器，10.混合室，11.混合管，12.供气室，13.供气管，14.第一电机，15.第一齿轮，16.第二齿轮，17.转轴，18.转盘，19.固定管，20.顶块，21.支板，22.底块，23.激光器，24.第二电机，25.第一连杆，26.第二连杆，27.湿度传感器，28.框架，29.驱动块，30.转动轴，31.扇叶，32.轴承，33.第三电机，34.缓冲块，35.丝杆，36.平移块，37.距离传感器，38.限位环，39.夹板，40.搅拌轴，41.支撑管，42.搅拌板。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1所示，一种基于LICVD法的纳米材料生产设备，包括反应室1、控制器2、供气机构、清洁机构、捕集器9和照射机构，所述控制器2固定在反应室1的一侧，所述供气机构与反应室1的底部连接，所述照射机构设置在反应室1的上方，所述捕集器9固定在反应室1的上方，所述清洁机构与反应室1连接，所述控制器2内设有PLC，所述捕集器9与PLC电连接；
该生产设备在利用LICVD法制备纳米材料时，生产人员通过控制器2操作设备运行，由清洁机构对反应室1内部进行清洁，使得反应室1内充满惰性气体，保证反应环境的清洁，而后由供气机构向反应室1中提供反应所用的气体，同时照射机构对反应室1内照射激光，使反应气体分子吸收激光的能量，使得气体分子之间内部产生碰撞，诱导气相化学反应，生产超细微粉末，利用捕集器9进行收集，从而制成纳米材料粉末。
如图2所示，所述清洁机构包括惰气室3、加热盒4、注水管5、排水管6和排气管7，所述惰气室3与加热盒4的一侧连通，所述加热盒4的另一侧与反应室1的上方连通，所述加热盒4内设有电热网8，所述注水管5和排气管7均固定在反应室1的上方，所述排水管6的底端位于反应室1内的底部，所述注水管5和排气管7内分别设有第一阀门和第二阀门，所述排水管6内设有第三阀门，所述电热网8、第一阀门、第二阀门和第三阀门均与PLC电连接；
在对反应室1内部进行清洁，去除内部的多余复杂气体时，PLC控制注水管5中的第一阀门打开，通过注水管5向反应室1中注水，使得反应室1内充满水后，PLC控制第一阀门关闭，再控制排水管6内的第三阀和排气管7内的第二阀门打开，而后由惰气室3向加热盒4内通入惰性气体，PLC控制电热网8通电，对惰性气体进行加热后，高温的惰性气体进入反应室1内，将反应室1中的水溶液从排水管6排出，当水溶液几乎排尽时，PLC控制排水管6内的第三阀门关闭，继续通入高温惰性气体，对反应室1内部进行预热，同时还可使反应室1中的残余水分受热蒸发，通过排气管7排出，当水分排尽后，PLC控制排气管7内的第二阀门关闭，从而使得反应室1中充满惰性气体，保证了反应环境的纯净，便于制备高质量的纳米材料。
如图3所示，所述供气机构包括混合管11、混合室10和若干供气组件，所述混合室10的一侧通过混合管11与反应室1的底部连通，所述混合管11内设有第四阀门，所述供气组件周向均匀分布在混合室10的另一侧，所述供气组件包括供气室12和供气管13，所述供气室12通过供气管13与混合室10连通，所述混合室10内设有第一电机14和第一齿轮15，所述第一电机14固定在混合室10内，所述第一电机14与PLC电连接，所述第一电机14与第一齿轮15传动连接，所述供气管13内设有调节组件，所述调节组件包括第二齿轮16、转轴17、转盘18和供气单元，所述转盘18通过转轴17与第二齿轮16固定连接，所述第二齿轮16与第一齿轮15啮合，所述调节组件与转盘18连接。
当反应室1中充满惰性气体后，PLC控制混合管11内的第四阀门打开，便于混合室10通过混合管11与反应室1保持连通，而后PLC控制第一电机14启动，带动第一齿轮15旋转，第一齿轮15作用在与之啮合的第二齿轮16上，使得第二齿轮16保持旋转，第二齿轮16通过转轴17带动转盘18同步转动，而后转盘18作用在供气单元上，使得供气单元产生气流，将供气室12中的反应气体通过供气管13输入混合室10中，通过混合后由混合管11输送至反应室1中，通过供气单元运行，调节气流的大小，从而精确控制各种反应气体的用量比例，减少原材料成本的同时使反应气体进行充分反应。
如图2所示，所述照射机构包括固定管19和设置在固定管19内的照射组件，所述固定管19固定在反应室1的上方，所述固定管19的底端与反应室1连通，所述照射组件包括升降单元、顶块20、支板21、底块22和激光器23，所述升降单元与顶块20传动连接，所述底块22通过支板21固定在顶块20的下方，所述激光器23固定在支板21上，所述底块22的外周和顶块20的外周均与固定管19的内壁密封连接，所述激光器23与PLC电连接。
固定管19中，通过升降单元可带动顶块20进行升降移动，顶块20通过支板21带动底块22移动，进而改变激光器23的位置，在对反应室1进行清洁时，为了防止水溶液与激光器23接触，由升降单元带动顶块20向上移动，使得底块22对固定块进行密封，而在反应室1清洁完成后，升降单元带动顶块20向下移动，使得支板21上的激光器23进入反应室1中，而后PLC控制激光器23运行，发射激光，提供反应气体化学反应的能源。
作为优选，为了实现顶块20的升降，所述升降单元包括第二电机24、第一连杆25和第二连杆26，所述第二电机24固定在固定管19内，所述第二电机24与PLC电连接，所述第二电机24与第一连杆25传动连接，所述第一连杆25通过第二连杆26与顶块20铰接。PLC控制第二电机24启动，带动第一连杆25转动，第一连杆25通过第二连杆26作用在顶块20上，使得顶块20在固定管19内沿着竖直方向进行升降移动。
作为优选，为了便于底块22向上移动时，进入固定管19中，所述底块22的顶部的形状为圆锥柱形，所述底块22的顶部外径小于底块22的下方的外径。当底块22进入反应室1内后需要向上移动至固定管19中，由于底块22的顶部尺寸小于固定管19的尺寸，从而方便底块22的顶部进入固定管19中，而后随着顶块20向上移动，进而带动底块22完整进入固定管19中。
作为优选，为了检测反应室1内是否干燥，所述排气管7内设有湿度传感器27，所述湿度传感器27与PLC电连接。向反应室1内通入高温的惰性气体后，反应室1中的水分通过排气管7进行蒸发，利用湿度传感器27检测排出的空气的湿度，并进湿度数据传递给PLC，当PLC检测到湿度数据为零时，表明此时反应室1中无水分，可开始进行LICVD反应。
如图4所示，所述供气单元包括平移单元、框架28、驱动块29、转动轴30、两个扇叶31和两个轴承32，所述平移单元与框架28传动连接，所述框架28的形状为U形，所述框架28的两端分别与两个轴承32固定连接，所述转动轴30的两端分别设置在两个轴承32内，两个扇叶31分别位于转轴17的两侧，所述驱动块29套设在转动轴30上，所述驱动块29的形状为圆锥柱形，所述驱动块29与转动轴30同轴设置，所述驱动块29的圆锥面抵靠在转盘18的侧面。
供气单元中，由驱动块29与转盘18接触，转盘18保持旋转，从而带动驱动块29转动，驱动块29带动转动轴30在两个轴承32的支撑作用下旋转，进而使得扇叶31保持旋转的状态，扇叶31旋转时产生气流，将供气室12中的反应气体通过供气管13输送至混合室10中，PLC控制平移单元运行，可改变框架28的水平位置，进而带动驱动块29移动，改变驱动块29与转盘18的接触位置，由于驱动块29与转盘18的接触位置保持稳定的线速度，而后驱动块29各处的角速度不同，从而改变了驱动块29的角速度，进而通过转轴17改变了转动轴30和扇叶31的转速，调节了气流强弱，便于控制各个供气组件的反应气体的比例用量。
作为优选，为了带动框架28移动，所述平移单元包括第三电机33、缓冲块34、丝杆35和平移块36，所述第三电机33和缓冲块34均固定在供气管13的内壁上，所述第三电机33与PLC电连接，所述第三电机33与丝杆35的一端传动连接，所述丝杆35的另一端设置在缓冲块34内，所述平移块36套设在丝杆35上，所述平移块36的一端抵靠在供气管13内壁上，所述平移块36的另一端与框架28固定连接。PLC控制第三电机33启动，带动丝杆35在缓冲块34的支撑作用下旋转，丝杆35通过螺纹作用在平移块36上，使得平移块36沿着丝杆35的轴线移动，进而带动框架28进行移动。
作为优选，为了便于确定平移块36的位置，所述平移块36上设有距离传感器37，所述距离传感器37与PLC电连接。利用距离传感器37检测平移块36与供气管13内壁之间的距离，并将距离数据反馈给PLC，PLC根据距离数据确定平移块36的位置，进而可确定供气管13内的气流强弱。
作为优选，为了实现转轴17的稳定转动，所述供气单元还包括限位环38和两个夹板39，所述限位环38固定在供气管13内，所述限位环38套设在转轴17上，两个夹板39分别位于限位环38的两侧，所述夹板39固定在转轴17上。通过固定位置的限位环38固定了转轴17的转动中心轴线，利用两个夹板39防止转轴17与限位环38发生相对滑动，从而实现了转轴17的稳定转动。
如图3所示，所述第二齿轮16的远离供气单元的一侧设有搅拌轴40、支撑管41和两个搅拌板42，所述支撑管41固定在混合管11内，所述搅拌轴40的一端与第二齿轮16固定连接，所述搅拌轴40的另一端设置在支撑管41内，两个搅拌板42分别位于搅拌轴40的两侧，所述搅拌板42上设有若干通孔。在第一齿轮15带动第二齿轮16旋转的同时，第二齿轮16带动搅拌轴40在支撑管41的支撑作用下转动，进而带动两个搅拌板42转动，搅拌板42上的通孔有利于搅拌板42两侧的气体对流，通过搅拌板42转动，使得反应气体混合均匀。
该纳米材料生产设备利用LICVD法进行生产工作前，由注水管5向反应室1内注入水溶液，而后通入惰性气体，将水溶液挤压出去，并通过对惰性气体加热，使得反应室1的温度升高，便于残留的水分蒸发，从而使反应室1中充满惰性气体，而后供气机构运行，通过第一电机14带动第一齿轮15旋转，使得第二齿轮16通过转轴17带动转盘18转动，利用供气单元调节驱动块29与转盘18的接触位置，从而改变供气管13中的气流强弱，进而调节各个供气室12中通入的反应气体的用量比例，使反应气体在反应室1中充分反应，避免反应气体多余，从而提高了设备的实用性。
与现有技术相比，该基于LICVD法的纳米材料生产设备通过清洁机构对反应室1内部进行清洁，使反应室1中充满惰性气体，保证了反应环境的清洁，便于纳米材料的生产，与现有的清洁机构相比，该清洁机构操作方便，且保证反应室1中惰性气体的纯度，不仅如此，通过供气机构向反应室1提供特定比例的多种气体，便于各种反应气体充分反应，防止气体浪费，减小生产成本，提高了设备的实用性，与现有的供气机构相比，该供气机构结构灵活，可根据需要灵活控制各种反应气体的用量和比例。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (10)
1.一种基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，包括反应室（1）、控制器（2）、供气机构、清洁机构、捕集器（9）和照射机构，所述控制器（2）固定在反应室（1）的一侧，所述供气机构与反应室（1）的底部连接，所述照射机构设置在反应室（1）的上方，所述捕集器（9）固定在反应室（1）的上方，所述清洁机构与反应室（1）连接，所述控制器（2）内设有PLC，所述捕集器（9）与PLC电连接；
所述清洁机构包括惰气室（3）、加热盒（4）、注水管（5）、排水管（6）和排气管（7），所述惰气室（3）与加热盒（4）的一侧连通，所述加热盒（4）的另一侧与反应室（1）的上方连通，所述加热盒（4）内设有电热网（8），所述注水管（5）和排气管（7）均固定在反应室（1）的上方，所述排水管（6）的底端位于反应室（1）内的底部，所述注水管（5）和排气管（7）内分别设有第一阀门和第二阀门，所述排水管（6）内设有第三阀门，所述电热网（8）、第一阀门、第二阀门和第三阀门均与PLC电连接；
所述供气机构包括混合管（11）、混合室（10）和若干供气组件，所述混合室（10）的一侧通过混合管（11）与反应室（1）的底部连通，所述混合管（11）内设有第四阀门，所述供气组件周向均匀分布在混合室（10）的另一侧，所述供气组件包括供气室（12）和供气管（13），所述供气室（12）通过供气管（13）与混合室（10）连通，所述混合室（10）内设有第一电机（14）和第一齿轮（15），所述第一电机（14）固定在混合室（10）内，所述第一电机（14）与PLC电连接，所述第一电机（14）与第一齿轮（15）传动连接，所述供气管（13）内设有调节组件，所述调节组件包括第二齿轮（16）、转轴（17）、转盘（18）和供气单元，所述转盘（18）通过转轴（17）与第二齿轮（16）固定连接，所述第二齿轮（16）与第一齿轮（15）啮合，所述调节组件与转盘（18）连接。
2.如权利要求1所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述照射机构包括固定管（19）和设置在固定管（19）内的照射组件，所述固定管（19）固定在反应室（1）的上方，所述固定管（19）的底端与反应室（1）连通，所述照射组件包括升降单元、顶块（20）、支板（21）、底块（22）和激光器（23），所述升降单元与顶块（20）传动连接，所述底块（22）通过支板（21）固定在顶块（20）的下方，所述激光器（23）固定在支板（21）上，所述底块（22）的外周和顶块（20）的外周均与固定管（19）的内壁密封连接，所述激光器（23）与PLC电连接。
3.如权利要求2所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述升降单元包括第二电机（24）、第一连杆（25）和第二连杆（26），所述第二电机（24）固定在固定管（19）内，所述第二电机（24）与PLC电连接，所述第二电机（24）与第一连杆（25）传动连接，所述第一连杆（25）通过第二连杆（26）与顶块（20）铰接。
4.如权利要求2所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述底块（22）的顶部的形状为圆锥柱形，所述底块（22）的顶部外径小于底块（22）的下方的外径。
5.如权利要求1所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述排气管（7）内设有湿度传感器（27），所述湿度传感器（27）与PLC电连接。
6.如权利要求1所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述供气单元包括平移单元、框架（28）、驱动块（29）、转动轴（30）、两个扇叶（31）和两个轴承（32），所述平移单元与框架（28）传动连接，所述框架（28）的形状为U形，所述框架（28）的两端分别与两个轴承（32）固定连接，所述转动轴（30）的两端分别设置在两个轴承（32）内，两个扇叶（31）分别位于转轴（17）的两侧，所述驱动块（29）套设在转动轴（30）上，所述驱动块（29）的形状为圆锥柱形，所述驱动块（29）与转动轴（30）同轴设置，所述驱动块（29）的圆锥面抵靠在转盘（18）的侧面。
7.如权利要求6所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述平移单元包括第三电机（33）、缓冲块（34）、丝杆（35）和平移块（36），所述第三电机（33）和缓冲块（34）均固定在供气管（13）的内壁上，所述第三电机（33）与PLC电连接，所述第三电机（33）与丝杆（35）的一端传动连接，所述丝杆（35）的另一端设置在缓冲块（34）内，所述平移块（36）套设在丝杆（35）上，所述平移块（36）的一端抵靠在供气管（13）内壁上，所述平移块（36）的另一端与框架（28）固定连接。
8.如权利要求7所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述平移块（36）上设有距离传感器（37），所述距离传感器（37）与PLC电连接。
9.如权利要求1所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述供气单元还包括限位环（38）和两个夹板（39），所述限位环（38）固定在供气管（13）内，所述限位环（38）套设在转轴（17）上，两个夹板（39）分别位于限位环（38）的两侧，所述夹板（39）固定在转轴（17）上。
10.如权利要求1所述的基于LICVD法的纳米材料生产设备，其特征在于，所述第二齿轮（16）的远离供气单元的一侧设有搅拌轴（40）、支撑管（41）和两个搅拌板（42），所述支撑管（41）固定在混合管（11）内，所述搅拌轴（40）的一端与第二齿轮（16）固定连接，所述搅拌轴（40）的另一端设置在支撑管（41）内，两个搅拌板（42）分别位于搅拌轴（40）的两侧，所述搅拌板（42）上设有若干通孔。
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