CN109690934A - 用于向感性负载供电的方法 - Google Patents
用于向感性负载供电的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109690934A CN109690934A CN201780056207.2A CN201780056207A CN109690934A CN 109690934 A CN109690934 A CN 109690934A CN 201780056207 A CN201780056207 A CN 201780056207A CN 109690934 A CN109690934 A CN 109690934A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- inductive load
- state
- switch
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 26
- 238000012956 testing procedure Methods 0.000 description 24
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011217 control strategy Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B62—LAND VEHICLES FOR TRAVELLING OTHERWISE THAN ON RAILS
- B62D—MOTOR VEHICLES; TRAILERS
- B62D5/00—Power-assisted or power-driven steering
- B62D5/04—Power-assisted or power-driven steering electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear
- B62D5/0457—Power-assisted or power-driven steering electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear characterised by control features of the drive means as such
- B62D5/0481—Power-assisted or power-driven steering electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear characterised by control features of the drive means as such monitoring the steering system, e.g. failures
- B62D5/0487—Power-assisted or power-driven steering electrical, e.g. using an electric servo-motor connected to, or forming part of, the steering gear characterised by control features of the drive means as such monitoring the steering system, e.g. failures detecting motor faults
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/34—Testing dynamo-electric machines
- G01R31/343—Testing dynamo-electric machines in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H71/00—Details of the protective switches or relays covered by groups H01H73/00 - H01H83/00
- H01H71/10—Operating or release mechanisms
- H01H71/12—Automatic release mechanisms with or without manual release
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P7/00—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors
- H02P7/03—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for controlling the direction of rotation of DC motors
- H02P7/04—Arrangements for regulating or controlling the speed or torque of electric DC motors for controlling the direction of rotation of DC motors by means of a H-bridge circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P8/00—Arrangements for controlling dynamo-electric motors rotating step by step
- H02P8/36—Protection against faults, e.g. against overheating or step-out; Indicating faults
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Transportation (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
用于向感性负载（12）供电的方法，感性负载（12）包括耦合到供电并且包括第一、第二、第三和第四开关（M1、M2、M3、M4）的H桥（2）型转换结构和被适配成测量通过每个开关（M1‑M4）的电流的电流测量装置，该供电方法包括以下步骤：a）向感性负载（12）供电，b）减小感性负载（12）中的累积电流，其特征在于，当检测到异常时，该方法还包括以下步骤：c）识别引起断路的开关，d）识别该异常是在步骤a）期间还是在步骤b）期间检测到的，‑异常是在步骤a）中检测到的：e）在第三持续时间期间执行步骤b），f）识别异常的起源，g）异常是在步骤b）中检测到的：h）识别异常的起源。
Description
技术领域
本发明一般涉及向感性负载供电。
本发明更具体地涉及异常检测，并且更确切地说，其涉及可能在转换结构中发生的短路，所述转换结构如例如用于操控感性负载中的电流的开关桥。
本发明特别适用于机动车领域。例如，它可以在集成了如晶体管H桥之类的转换结构的电子电路中实现。
背景技术
机动车辆包含许多感性负载，例如电动机。这些电动机也可用于致动器的电子控制***。其可以涉及例如节气门控制装置（或ETC装置，源于英文首字母缩合词“ElectronicThrottle Control（电子节气门控制）”、或废气再循环阀门（或EGR装置，源于英文首字母缩合词“Exhaust Gas Recirculation（废气再循环）”）、或发动机控制中使用的任何其他阀门。更一般地，其可以涉及由电动机致动的任何其他设备，例如车门玻璃升降器。
这种感性负载的供电通常使用转换结构，例如部署成H状的开关桥。H桥包括四个功率开关，即在正向供电（例如，电池）侧的两个“高侧”开关或断续器以及在负向供电侧或机动车辆的电接地侧的两个“低侧”开关或断续器。每个开关通常包括功率MOS（源于英文的“Metal Oxyde Semiconductor（金属氧化物半导体）”）晶体管。
基于整定值控制信号产生用于这四个开关的一系列模拟控制信号。整定值控制信号和模拟控制信号通常是脉宽调制信号或PWM（源于英文的“Pulse Width Modulation（脉宽调制）”）信号。PWM信号的占空比操控注入感性负载的电流量，并且因此操控该感性负载中的平均电流强度。
根据控制策略，按已确定且已批准的配置来致动H桥。相反，禁止其他配置，例如其中高侧开关和低侧开关将一起闭合的配置，这会在电池与接地之间产生短路。
然而，当控制H桥的开关时，可能在H桥的输出端或在感性负载处发生短路。H桥的输出端与接地或与电池的短路相对于感性负载的短路（短路的电动机绕组）的区分并非是显而易见的。实际上，简单地借助于测量每个晶体管处的电流来检测短路有时并不能使得我们知晓短路是源于输出端与接地或与电池的触点（contact）还是源于感性负载的触点。
本领域技术人员已知许多技术用于检测感性负载处的短路。可以举例例如一种解决方案，其包括在与H桥的晶体管的标称工作电流的方向相反的方向（即在检测到短路的情况下的电流方向）上施加电流。为此，与在标称工作方向上致动的两个晶体管互补的两个晶体管被激活相对短的时间。当然，在这种情况下，用于H桥的标称工作的两个晶体管是不活动的。如果在这两个互补晶体管激活时检测到短路，则这意味着检测到的短路源于感性负载。然而，向感性负载施加反向电流会引起感性负载漂移，这在某些情况下可能是有害的。
此外，这种方法在间歇性短路的情况下效果不是很好，这可能导致关于所述短路的定位的错误结论。
发明内容
本发明提出了一种方法，其旨在在不导致感性负载变动的情况下检测耦合到感性负载的H桥型结构中的短路。因此，所提出的解决方案使得能够在检测短路期间保持感性负载的相同状况。
为此，本发明的第一方面提出一种用于向感性负载供电的方法，所述感性负载包括：
- H桥型转换结构，其耦合到正向供电和电接地，并且包括分布在H桥的两个分支上的第一、第二、第三和第四开关，所述四个开关相对于所述感性负载被部署成使得：闭合由第一和第三开关形成的第一对开关允许电流沿正向流过感性负载，并且闭合包括第二和第四开关的第二对开关允许电流沿反向流过感性负载，
- 电流测量装置，其被适配成测量通过每个开关的电流，
该供电方法包括以下步骤：
a）借助于第一对开关或第二对开关在第一确定的持续时间期间向感性负载供电，
b）通过闭合由第二和第三开关形成的第三对开关或者通过闭合由第一和第四开关形成的第四对开关，在该向感性负载供电的步骤之后、在第二确定的持续时间期间减小感性负载中的累积电流，
其特征在于，当在步骤a）或步骤b）期间借助于电流测量装置在开关处检测到异常时，该方法还包括以下步骤：
c）识别四个开关当中的引起断路的开关，
d）识别该异常是在步骤a）期间还是在步骤b）期间检测到的，
- 异常是在步骤a）中检测到的：
e）用另一对开关在第三持续时间期间执行步骤b），
f）识别异常的起源，
- 异常是在步骤b）中检测到的：
g）识别异常的起源。
借助于这种方法，现在可以检测H桥结构处的例如短路类型的异常。
为了检测异常的起源，提出了例如检测来自两个活动开关中的一个的断路的存在。因此，在某些情况下，这使得能够根据H桥的状态在没有附加步骤的情况下知晓短路的起源。
有利地提出例如执行识别感性负载处的异常的起源的步骤，从而使得能够检测异常是否源于感性负载。
为了优化异常的识别，提出了例如识别引起断路的开关分支处的异常的起源的步骤。
为了核实异常的起源，在该方法的另一实施示例中，执行用于检测是否存在来自同一开关的检测的步骤。
作为变型，还提出了例如识别引起断路的开关分支处的异常的起源的步骤。
为了优化H桥的控制，在该方法的另一实施示例中，提出了第一持续时间具有等于第二持续时间的时间。
在一个变型中，第一持续时间具有与第二持续时间不同的时间。
为了优化异常的检测，提出了例如第三持续时间具有与第二持续时间的时间不同的时间。
附图说明
通过阅读以下描述，本发明的其他特征和优点将变得更加明显。该描述纯粹是例示性的，并且应该参考附图来阅读，在附图中：
- 图1是包括H桥的转换结构的示例的功能示意图，
- 图2a和2b是示出了脉宽调制的周期性整定值控制信号以及受控感性负载中的电流的对应演变的图示，
- 图3a、3b、3c和3d是示出借助于图1的H桥来控制感性负载的配置的示意图，以及
- 图4是示出H桥结构中的短路的图示。
具体实施方式
图1示出了传统H桥2的结构，其除其他之外还包括四个功率断续器，每个功率断续器例如由功率MOS（源于英文的“Metal Oxyde Semiconductor（金属氧化物半导体）”）晶体管构成。H桥2经由第一插头4耦合到正向供电并且经由第二插头6耦合到负向供电。正向供电可以是递送电压+VCC的机动车辆的电池，并且负向供电可以是电池和/或机动车辆的电接地。H桥2还包括第一控制输出端8和第二控制输出端10。感性负载12耦合在第一控制输出端8和第二控制输出端10之间。感性负载12例如是电动机。
H桥2还包括耦合在第一插头4和第一控制输出端8之间的第一晶体管M1；耦合在第二插头6和第一控制输出端8之间的第二晶体管M2；耦合在第二插头6和第二控制输出端10之间的第三晶体管M3以及最后的耦合在第一插头4和第二控制输出端10之间的第四晶体管M4。第一晶体管M1和第四晶体管M4也可以称为高侧晶体管（英文的“high side（高侧）”）。第二晶体管M2和第三晶体管M3也可以称为低侧晶体管（英文的“low side（低侧）”）。
为了控制感性负载12，将第一模拟信号S1、第二模拟信号S2、第三模拟信号S3和最后的第四模拟信号S4分别施加于晶体管M1至M4。因此，H桥2通过晶体管M1至M4的状态来控制感性负载12。
按理论推理，晶体管M1、M2、M3和M4由逻辑信号操控，但是将这些信号在模拟类别中进行分级的是高侧晶体管的浮动电压基准，此外还有某些晶体管的转换斜率的管理。
模拟信号S1至S4源于具有可变占空比的控制信号（图1中未示出），或者也称为初始PWM（源于英文首字母缩合词“Pulse Width Modulation（脉宽调制）”）信号。初始PWM信号具有可以达到至少10 kHz（1 kHz = 1000 Hz）的频率，从而给出大约100μs（1μs =10-6s）或更短的周期T。
如图2a中所示，这样的初始PWM信号在每个周期T中在周期T的第一部分期间处于高逻辑状态和低逻辑状态中确定的第一逻辑状态，并且在周期T的其余部分期间处于另一逻辑状态。在图2a中示出的示例中，初始PWM信号在持续时间t0期间处于高逻辑状态，该持续时间t0比周期T短，也称为激活持续时间。初始PWM信号的占空比dcom由下式给出：
dcom = t0 / T （1）
初始PWM信号的占空比dcom可以在0％和100％之间变化。短路检测仅在20％和80％之间完全操作是可行的，但优选是在10％和90％之间。
图2b示出了响应于图2a的初始PWM信号而获得的感性负载12中的电流IM的瞬时值的演变。
在初始PWM信号的激活持续时间期间，也就是说，在该示例中，当该信号处于高逻辑状态时，电流IM在感性负载12中朝向已确定的最大值增大。该最大值对应于供电电压+VCC除以总电阻值的比率。然后，如后文介绍的那样以第一或第二状态来控制H桥2。
在初始PWM信号的去激活时段期间，也就是说，在该示例中，当该信号处于低逻辑状态时，电流IM朝向零值减小。由于感性负载12的感性性质，电流IM的上升和下降具有和缓的斜率，而不是遵循初始PWM信号的方形边缘的外形。
电流IM的平均值<IM>由下式给出：
<IM> = dcom x VCC x 1 / R （2）
其中R基本上是感性负载12的阻抗值。其他电阻元素是晶体管M1至M4的导通状态的电阻（称为RDSON）以及导线、接合和印刷电路板的迹线的电阻的值。
根据初始PWM信号的状态以及因此的模拟信号S1至S4的状态，H桥2优选地能够按照三种可能的状态或配置来控制，如下面参考图3a、3b和3c描述的。
在第一状态中，由第一晶体管M1和第三晶体管M3形成的对使得当这些晶体管处于导通状态（断续器闭合）时能够引导电流在第一方向上流过感性负载12，第一方向是从+VCC朝向电接地，如图3a中的箭头所示。第二晶体管M2和第四晶体管M4在那时处于阻断状态（断续器断开）。
相反，在第二状态中，由第二晶体管M2和第四晶体管M4形成的对使得当这些晶体管处于导通状态（断续器闭合）时能够引导电流在另一方向上流过感性负载12，该另一方向仍然是从+VCC朝向电接地，如图3b中的箭头所示。第一晶体管M1和第三晶体管M3在那时处于阻断状态（断续器断开）。
最后，在图3c中示出的第三状态中，第一晶体管M1和第四晶体管M4处于阻断状态（断续器断开），并且第二晶体管M2和第三晶体管M3处于导通状态（断续器闭合）。这使得能够以流过第二晶体管M2和第三晶体管M3流向电接地的电流的形式排出累积在感性负载12中的能量，如图3c中的两个箭头所示。电流方向于是是由感性负载10强加的。该状态称为“续流”状态。其可以在上述第一状态或第二状态下的H桥2的运转之后、在分别断开第一晶体管M1或第四晶体管M4之后被控制。
应该注意的是，上面描述且在图3c中示出的续流状态也可以使用其他方式产生。实际上，还可以使用允许使单个晶体管处于导通状态的结构的二极管。
H桥2是针对已确定的续流状态实现的，也就是说它被最佳地设计成用于已确定的续流状态。因此，例如，H桥2被实现用于“低侧”续流状态，如图3c中所示。因此，利用这样的实施方式，参与低侧续流的两个晶体管——即第二晶体管M2和第三晶体管M3在大多数实施方式中具有非常接近的切换时间，从而具有略低的发热。
然而，也可以将H桥2置于第四状态，如图3d所示。在该第四状态中，第一晶体管M1和第四晶体管M4处于导通状态（断续器闭合）并且第二晶体管M2和第三晶体管M3处于阻断状态（断续器断开）。这使得能够以流过第一晶体管M1和第四晶体管M4流向正向供电+VCC的电流的形式排出累积在感性负载12中的能量，如图3d中的两个箭头所示。该状态称为“高侧”续流状态。其可以在上述第一状态或第二状态下的H桥2的运转之后、在分别断开第二晶体管M2或第三晶体管M3之后被控制。电流方向于是是由感性负载12强加的。
相反，H桥2的其他配置被禁止，例如其中第一晶体管M1和第二晶体管M2处于导通状态的配置，这是为了避免使正向供电通过第一插头4、通过H桥2的第二插头6连接到电接地。其他配置也是禁止的，并且将在后文介绍。
要领会的是，本发明不限于这种类型的转换结构。特别地，它也适用于半桥转换结构，也就是说仅用两个功率MOS晶体管并且其后基于两个半桥重建H桥。而且，图3a、3b、3c和3d中所示的一个或多个功率断续器的实现形式仅仅是非限制性示例。这些断续器每个都可以包括除了该晶体管之外的另一种类型的晶体管，例如双极性晶体管（BJT，英文的“Bipolar Junction Transistor（双极结型晶体管）”）或IGBT晶体管（英文的“InsulatedGate Bipolar Transistor（绝缘栅双极晶体管）”），来代替MOS晶体管。其还可以包括可能具有其他部件的此类晶体管的组件，所述部件诸如电阻器、电容器等。
当使用这样的H桥2来控制感性负载12时，H桥2的结构外部的物理异常可能发生在第一控制输出端8和第二控制输出端10处，但也可能发生在感性负载12处。这些异常具体为在第一控制输出端8和第二控制输出端10处的短路，尤其是以下可能的短路：
- 在第一控制输出端8和电接地之间，
- 在第一控制输出端8和电压+VCC之间，
- 在第二控制输出端10和电接地之间，
- 在第二控制输出端10和电压+VCC之间，以及
- 在第一控制输出端8和第二控制输出端10之间。
这些短路能够借助于测量晶体管中的形式为H桥2的某些配置中的电流的异常升高的电流来检测。然而，上面列举的最后一种情况——也就是当在感性负载12处存在短路时——由于H桥2的内部结构和许多故障可能性的原因而难以检测。
感性负载12处的短路的特征在于其阻抗（电阻和电感）的急剧降低。一般的短路（即在H桥2的每个晶体管处的短路）以及特别是在感性负载12处的短路可能会影响H桥2的正确运转，甚至达到毁坏其的程度。图4示出了在存在短路的情况下H桥2的晶体管的端子处的典型电流上升。然后，其中一个晶体管在流过它的电流在称为tcc的时间处高于阈值（称为Icc）时触发断路。使用本领域技术人员已知的方式产生这些断路。
本发明提出了一种用于控制H桥2的方法，该方法能够区分感性负载12的短路和施加于H桥2的另一短路。下面介绍的方法使用本领域技术人员已知的短路检测器，例如用于测量每个晶体管M1至M4处的电流的装置。当然，这种电流测量仅在晶体管闭合时才有可能。由于用于设计这种类型的电流检测器的架构是本领域技术人员所熟知的，因此这里不再详细描述。有利地，本发明的方法不在感性负载12处使用电流检测器。
如在前面的描述中提到的，根据初始PWM信号的状态并因此根据模拟信号S1至S4，H桥2能够采用图3a至3d中所示的状态。
为了控制这样的H桥2，本领域技术人员已知使用称为DIR的另一信号，其使得能够在H桥2中强加电流方向。
表1示出了在低侧（亦即在电接地侧，如上文提到的那样）续流实现的情况下晶体管M1至M4根据初始PWM信号和DIR信号的各种状态。
表1：用于具有低侧续流实现的H桥结构的晶体管（M1至M4）根据PWM控制信号和DIR信号的状态。
表1中的情况1、2、3、5、7、8、12和14是被认为不可能的情况，因为断开的开关不能进行检测。其余八个情况，即表1中的情况4、6、9、10、11、13、15和16将在下面的描述中进行分析。
情况4对应于DIR信号的高状态和初始PWM信号的高状态。因此，在这种情况下，当DIR = 1且PWM = 1时，第一晶体管M1和第三晶体管M3处于导通状态，并且第二晶体管M2和第四晶体管M4处于阻断状态。由从初始PWM信号导出的信号S1至S4控制这些晶体管。
情况4对应于图3a的H桥2的状态，也就是说，电流流过第一晶体管M1、感性负载12和第三晶体管M3。感性负载12的短路可能发生在模拟信号S1至S4施加到晶体管M1至M4时，也就是说在致动感性负载12时；或者在其运转期间，也就是说当感性负载12已活动时，例如当电动机旋转时。这种短路导致对应于第一晶体管M1、感性负载12和第三晶体管M3的电路中的电流突然上升，这引起第一晶体管M1断路或引起第三晶体管M3断路。
在此处解释的情况4中，给出的假设是第一晶体管M1首先触发断路。本领域技术人员将容易理解，由于晶体管的内部结构，第一晶体管M1和第三晶体管M3具有略微不同的固有特性并因此具有略微不同的灵敏度，这可以证实第一晶体管M1的这种断路。
在情况4中，H桥2的内部结构使得我们无法知晓电流的升高是源于感性负载12的短路还是源于第一控制输出端8处的接地短路。
如果在H桥2处于情况4时在第一晶体管M1处检测到电流升高，则本发明的方法提出了解该电流上升是源于第一控制输出端8处的接地短路还是源于感性负载12的短路。
为此，机敏地提出第一测试步骤以消除上述疑问。该第一测试步骤包括将第三晶体管M3的状态从导通状态修改为阻断状态。在相同的导通状态下重新激活第一晶体管M1并且修改第四晶体管M4的状态，也就是说从阻断状态修改为导通状态。上述晶体管的这种状态修改使得能够使H桥2转换为对应于图3c的高侧续流模式。如在本描述前文中提到的，该高侧续流状态不是制订表1所考虑的状态，而是由于H桥2的控制结构而得以允许的状态。
在检测到短路之后执行该第一测试步骤，并因此修改晶体管的状态。在这种情况下，当例如感性负载12是电动机时，那么电动机可以处于减速阶段或处于停机。
一旦在情况4中由第一晶体管M1触发的断路之后实现了高侧续流，本发明的方法就有利地能够检测该短路的起源。实际上，在高侧续流状态下，如果第一晶体管M1再次触发断路，也就是说检测到通过第一晶体管M1的电流的突然上升，则这意味着在第一控制输出端8和接地之间存在短路。
如果在高侧续流中第一晶体管M1没有触发断路，则在这种情况下检测到的短路源于感性负载12。
因此，通过在检测到短路之后的情况4中的高侧续流状态，可以确定检测到的短路是第一控制输出端8处到接地的短路还是感性负载12处的短路。有利地，这样的测试的持续时间非常短。此外，在该测试期间不激活感性负载12，从而避免其偏移或漂移。
在本发明方法的一个实施变型中，作为第一测试步骤的替代，提出了第二测试步骤，其中仅第一晶体管M1处于导通状态。在该第二测试步骤中，如果再次检测到电流上升，则这意味着在第一控制输出端8处存在接地短路。如果在第一晶体管M1处未检测到电流上升，则这意味着短路存在于感性负载12处。有利地，该第二测试步骤使得在情况4中检测到电流上升之后能够仅通过去激活第三晶体管M3来了解短路的起源。
情况6对应于DIR信号的低状态和初始PWM信号的高状态。因此，当DIR = 0并且PWM= 1时，第二晶体管M2和第四晶体管M4处于导通状态，并且第一晶体管M1和第三晶体管M3处于阻断状态。情况6对应于图3b的H桥2的状态，也就是说电流流过第四晶体管M4、感性负载12和第二晶体管M2。在感性负载12处可能发生短路并导致对应电路中的电流突然上升。该电流上升可能引起来自第二晶体管M2或者来自第四晶体管M4的断路。在情况6中，根据表1，从第四晶体管M4首先触发断路的假设开始。
在情况6中，H桥2的内部结构使得我们无法知晓电流的升高是源于感性负载12的短路还是源于第二控制输出端10处的接地短路。
为了消除情况6中的疑问，执行第三测试步骤并且其包括将第二晶体管M2的状态从导通状态修改为阻断状态。在相同的导通状态下重新激活第四晶体管M4并且修改第一晶体管M1的状态，也就是说从阻断状态修改为导通状态。对某些晶体管的这种状态修改使得能够使H桥2转换为高侧续流模式，如图3d所示。
在对应电路中检测到短路之后执行该第三测试步骤。一旦在情况6中的来自第四晶体管M4的断路之后实现了高侧续流，本发明的方法就能够检测所述短路的起源。
实际上，在高侧续流状态下，如果第四晶体管M4再次引起断路，也就是说在其端子处检测到突然的电流上升，则这意味着在第二控制输出端10与接地之间存在短路。
如果没有来自第四晶体管M4的断路，则这意味着短路源于感性负载12。
因此，借助于该第三步骤及其高侧续流阶段，可以确定检测到的短路是第二控制输出端10处到接地的短路还是感性负载12处的短路。此外，在情况6中，在该测试期间不激活感性负载12。
在本发明方法的另一实施变型中，作为第三测试步骤的替代，提出了第四测试步骤，其中仅第四晶体管M4处于导通状态。在该第四测试步骤中，如果再次检测到电流上升，则这意味着在第二控制输出端10处存在接地短路。如果未检测到电流上升，则这意味着在感性负载12处存在短路。
有利地，第四测试步骤使得在检测到电流上升之后能够仅通过去激活第二晶体管M2来了解短路的起源。
情况9对应于DIR信号的低状态和初始PWM信号的低状态。因此，当DIR = 0且PWM =0时，第二晶体管M2和第三晶体管M3处于导通状态，并且第一晶体管M1和第四晶体管M4处于阻断状态。情况9对应于低侧续流中的H桥2的状态（图3c），也就是说电流流过第二晶体管M2、感性负载12和第三晶体管M3。在第一控制输出端8处可能发生电池电压短路，并导致对应电路中的电流突然上升。该电流上升引起来自晶体管M2的断路。
在情况9中，在来自第二晶体管M2的断路的情况下，唯一的可能性是第一控制输出端8与电池电压+Vcc之间的短路。有利地，本发明的方法在情况9中、也就是说在低侧续流阶段期间检测到短路时不需要补充的测试步骤。
情况10对应于DIR信号的低状态和初始PWM信号的高状态。因此，当DIR = 0并且PWM = 1时，第二晶体管M2和第四晶体管M4闭合，并且第一晶体管M1和第三晶体管M3断开。情况10（类似于情况6）对应于图3b的H桥2的状态，也就是说电流流过第四晶体管M4、感性负载12和第二晶体管M2。在这种情况下，可能在感性负载12处发生短路并导致对应电路中的电流突然上升。在情况10中，根据表1，将从第二晶体管M2首先触发断路的假设开始。
在情况10中，H桥2的内部结构使得我们无法知晓电流的升高是源于感性负载12的短路还是源于第一控制输出端8处的电池短路。
为了消除情况10中的疑问，执行第五测试步骤并且其包括将第四晶体管M4的状态从导通状态修改为阻断状态。在相同的导通状态下重新激活第二晶体管M2并且修改第三晶体管M3的状态，也就是说从阻断状态修改为导通状态。晶体管状态的这种修改使得能够使H桥2转换为低侧续流模式。
在检测到短路之后执行该第五测试步骤，并因此修改晶体管的状态。一旦在情况10中的来自第二晶体管M2的断路之后实现了低侧续流，本发明的方法有利地能够检测短路的起源。实际上，在低侧续流状态下，如果第二晶体管M2再次触发断路，也就是说在那里检测到突然的电流上升，则这意味着在第一控制输出端8和电池电压之间存在短路。如果没有来自第二晶体管M2的断路，则这意味着短路源于感性负载12。
因此，借助于情况10中的这种低侧续流阶段，可以确定检测到的短路是第一控制输出端8处的电池短路还是感性负载12处的短路。
在本发明方法的另一实施变型中，作为第五测试步骤的替代，提出了第六测试步骤，其中仅第二晶体管M2处于导通状态。在该第六测试步骤中，如果再次检测到电流上升，则这意味着在第一控制输出端8处存在电池短路。如果未检测到电流上升，则这意味着在感性负载12处存在短路。有利地，该第六测试步骤使得在情况10期间检测到电流上升之后能够仅通过去激活第四晶体管M4就了解短路的起源。
情况11对应于DIR信号的高状态和初始PWM信号的低状态。因此，当DIR = 1且PWM= 0时，第二晶体管M2和第三晶体管M3处于导通状态，并且第一晶体管M1和第四晶体管M4处于阻断状态。情况11与情况9相同。有利地，本情况下的短路检测策略与上述情况9相同。
情况13对应于DIR信号的低状态和初始PWM信号的低状态。因此，当DIR = 0且PWM= 0时，第二晶体管M2和第三晶体管M3处于导通状态，并且第一晶体管M1和第四晶体管M4处于阻断状态。情况13对应于低侧续流中的H桥2的状态（图3c），也就是说电流流过第二晶体管M2、感性负载12和第三晶体管M3。在情况13中，根据表1，从第三晶体管M3首先引起断路的假设开始。
有利地，在情况13中且在断路来自第三晶体管M3时，唯一的可能性是电池电压+VCC和第二控制输出端10之间的短路。有利地，本发明的方法在情况13中、也就是说在低侧续流阶段期间检测到短路时不需要补充测试步骤。
情况15对应于DIR信号的高状态和初始PWM信号的低状态。因此，当DIR = 1且PWM= 0时，第二晶体管M2和第三晶体管M3处于导通状态，并且第一晶体管M1和第四晶体管M4处于阻断状态。情况15对应于图3c中的低侧续流的H桥2的状态，也就是说电流流过第二晶体管M2、感性负载12和第三晶体管M3。有利地，情况15使用与在情况13中解释的策略相同的策略，因此这里将不再进一步描述。
情况16对应于DIR信号的高状态和初始PWM信号的高状态。因此，当DIR = 1且PWM= 1时，第一晶体管M1和第三晶体管M3处于导通状态，并且第二晶体管M2和第四晶体管M4处于阻断状态。情况16对应于图3a的H桥2的状态，也就是说电流流过第一晶体管M1、感性负载12和第三晶体管M3。在短路时，在根据表1的情况16中，给出第三晶体管M3首先引起断路的初始假设。
在情况16中，H桥2的内部结构使得我们无法知晓电流的升高是源于感性负载12的短路还是源于第二控制输出端10处的电池短路。
如果在H桥2处于情况16中时在第三晶体管M3处检测到电流升高，则本发明的方法提出了解该电流上升是源于第二控制输出端10处的电池短路还是源于感性负载12的短路。
为此，执行第七测试步骤并且其包括将第一晶体管M1的状态从导通状态修改为阻断状态。在相同的导通状态下重新激活第三晶体管M3并且修改第二晶体管M2的状态，也就是说从阻断状态修改为导通状态。对某些晶体管的这种状态修改使得能够使H桥2转换为低侧续流模式。
在检测到短路之后执行该第七测试步骤，并因此修改晶体管的状态。一旦在情况16中的来自第三晶体管M3的断路之后实现了低侧续流，本发明的方法就有利地能够检测短路的起源。实际上，在低侧续流状态下，如果第三晶体管M3再次引起断路，也就是说在那里检测到突然的电流上升，则这意味着在第二控制输出端10和电池之间存在短路。如果没有来自第三晶体管M3的断路，那么这意味着短路源于感性负载12。
因此，借助于该低侧续流阶段，可以确定检测到的短路是第二控制输出端10处的电池短路还是感性负载12处的短路。
在本发明方法的一个实施变型中，作为第七测试步骤的替代，提出了第八测试步骤，其中仅第三晶体管M3被激活，即处于导通状态。在该第八测试步骤中，如果再次检测到电流上升，则这意味着在第二控制输出端10处存在电池短路。如果未检测到电流上升，则这意味着在感性负载12处存在短路。有利地，该第八测试步骤使得能够仅通过去激活第二晶体管M2就了解短路的起源。
表2示出了在高侧（即，电池侧）续流实现的情况下，晶体管M1至M4根据初始PWM信号和DIR信号的各种状态。
表2：用于具有低侧续流实现的H桥2的结构的晶体管（M1至M4）根据PWM控制信号和DIR信号的状态。
情况18、24、25、27、28、29、30和31是被认为不可能的情况，因为处于阻断状态的开关不能进行检测。表2中示出的其他八个情况，即情况17、19、20、21、22、23、26和32将在下面进行分析。
情况17对应于DIR信号的低状态和初始PWM信号的低状态。因此，当DIR = 0且PWM= 0时，第一晶体管M1和第四晶体管M4处于导通状态，并且第二晶体管M2和第三晶体管M3处于阻断状态。情况17对应于图3d的H桥2的状态，即高侧续流状态。因此，在情况17中，电流流过第一晶体管M1、感性负载12和第四晶体管M4。在第一控制输出端8处可能发生接地短路，并导致对应电路中的电流突然上升。在情况17中，根据表2，从第一晶体管M1首先引起断路的假设开始。
有利地，在情况17中且在第一晶体管M1断路时，唯一可能的短路是第一控制输出端8处的接地短路。有利地，根据本发明的方法，在情况17中、也就是说在低侧续流阶段期间检测到短路时不需要有补充测试步骤。
情况19对应于DIR信号的高状态和初始PWM信号的低状态。因此，当DIR = 1且PWM= 0时，第一晶体管M1和第四晶体管M4处于导通状态，并且第二晶体管M2和第三晶体管M3处于阻断状态。情况19对应于图3d的H桥2的状态，即高侧续流状态。
有利地，本发明方法的用于检测第一控制输出端8处的接地短路的存在的步骤与情况17的步骤相同，因此这里将不再进一步介绍。
情况20对应于DIR信号的高状态和初始PWM信号的高状态。因此，当DIR = 1且PWM= 1时，第一晶体管M1和第三晶体管M3处于导通状态，并且第二晶体管M2和第四晶体管M4处于阻断状态。情况12对应于图3a的H桥2的状态，也就是说电流流过第一晶体管M1、感性负载12和第三晶体管M3。
此处的用于区分短路的方法将是根据与上文介绍的情况4相同的本发明的方法。
情况21对应于DIR信号的低状态和初始PWM信号的低状态。因此，当DIR = 0且PWM= 0时，第一晶体管M1和第四晶体管M4处于导通状态，并且第二晶体管M2和第三晶体管M3处于阻断状态。情况21对应于图3d的H桥2的状态，即高侧续流状态。因此，在情况21中，电流流过第一晶体管M1、电感性负载12和第四晶体管M4。
有利地，在情况21中并且在来自第四晶体管M4的断路时，唯一可能的短路是在第二控制输出端10处的接地短路。有利地，根据本发明的方法，在情况20中、也就是说在高侧续流阶段期间检测到短路时不需要有补充测试步骤。
情况22对应于DIR信号的低状态和初始PWM信号的高状态。因此，当DIR = 0并且PWM = 1时，第二晶体管M2和第四晶体管M4处于导通状态，并且第一晶体管M1和第三晶体管M3处于阻断状态。情况22对应于图3b的H桥2的状态。在这种情况下，电流流过第四晶体管M4、电感性负载12和第二晶体管M2。
此处的定位短路的策略与上文介绍的情况6的策略相同。
情况23对应于DIR信号的高状态和初始PWM信号的低状态。因此，当DIR = 1且PWM= 0时，第一晶体管M1和第四晶体管M4处于导通状态，并且第二晶体管M2和第三晶体管M3处于阻断状态。情况23对应于图3d的H桥2的状态，即高侧续流。在这种情况下，电流流过第一晶体管M1、感性负载12和第四晶体管M4。在情况23中，根据表2，自从第四晶体管M4触发断路的假设开始。此处的定位短路将与在情况21中介绍的方法的步骤相同。
情况26对应于DIR信号的低状态和初始PWM信号的高状态。因此，当DIR = 0且PWM= 1时，第四晶体管M4和第二晶体管M2处于导通状态，并且第一晶体管M1和第三晶体管M3处于阻断状态。
情况26对应于图3b的H桥2的状态，也就是说，电流流过由第四晶体管M4、感性负载12和第二晶体管M2形成的电路。此处的短路检测方法的步骤与上文介绍的情况10的步骤相同。
情况32对应于DIR信号的高状态和初始PWM信号的高状态。因此，当DIR = 1且PWM= 1时，第一晶体管M1和第三晶体管M3闭合，也就是处于导通状态，并且第二晶体管M2和第四晶体管M4断开，亦即处于阻断状态。
情况32对应于图3a的H桥2的状态，也就是说电流流过由第一晶体管M1、感性负载12和第三晶体管M3形成的电路。此处的短路检测方法的步骤与上文介绍的情况16的步骤相同。
本发明提出了一种用于检测H桥型控制电路中的异常的方法，该方法没有在检测到短路之后使得在H桥中流动的电流在反方向上流动的步骤。有利地，本发明的方法将在机动车计算机中实现，或者在发动机控制计算机中实现。有利地，本发明的方法使得能够识别H桥结构中并且还有由所述H桥控制的负载处的短路的起源。此外，本发明的方法具有比现有技术的执行时间显著更快的执行时间。有利地，如上所述的本发明的方法在执行测试期间不会导致感性负载漂移。
当然，本发明不限于上文描述的和在附图中示出的优选实施例以及所展现的实施变型，而是扩展到本领域技术人员可理解到的所有变型。
Claims (10)
1.用于向感性负载（12）供电的方法，所述感性负载（12）包括：
- H桥（2）型转换结构，其耦合到正向供电和电接地，并且包括分布在H桥（2）的两个分支上的第一、第二、第三和第四开关（M1、M2、M3、M4），所述四个开关（M1、M2、M3、M4）相对于所述感性负载（12）被部署成使得：闭合由第一和第三开关（M1、M3）形成的第一对开关允许电流沿正向流过感性负载（12），并且闭合包括第二和第四开关（M2、M4）的第二对开关允许电流沿反向流过感性负载（12），
- 电流测量装置，其被适配成测量通过每个开关（M1-M4）的电流，
该供电方法包括以下步骤：
a）借助于第一对开关（M1、M3）或第二对开关（M2、M4）在第一确定的持续时间期间向感性负载（12）供电，
b）通过闭合由第二和第三开关（M2、M3）形成的第三对开关或者通过闭合由第一和第四开关（M1、M4）形成的第四对开关，在该向感性负载（12）供电的步骤之后、在第二确定的持续时间期间减小感性负载（12）中的累积电流，
其特征在于，当在步骤a）或步骤b）期间借助于电流测量装置检测到异常时，该方法还包括以下步骤：
c）识别四个开关（M1至M4）当中的引起断路的开关，
d）识别该异常是在步骤a）期间还是在步骤b）期间检测到的，
- 异常是在步骤a）中检测到的：
h）用另一对开关在第三持续时间期间执行步骤b），
i）识别异常的起源，
- 异常是在步骤b）中检测到的：
j）识别异常的起源。
2.根据权利要求1所述的用于向感性负载（12）供电的方法，在步骤f）之后还包括步骤
k）检测来自两个活动开关中的一个的断路的存在。
3.根据权利要求2所述的用于向感性负载（12）供电的方法，在没有观测到任何断路的情况下还包括以下步骤：
i）识别感性负载（12）处的异常的起源。
4.根据权利要求2所述的用于向感性负载（12）供电的方法，在观测到了断路的情况下还包括以下步骤：
j）识别引起断路的开关分支处的异常的起源。
5.根据权利要求1所述的用于向感性负载（12）供电的方法，在步骤g）之后还包括步骤
k）检测来自相同开关的断路的存在。
6.根据权利要求5所述的用于向感性负载（12）供电的方法，在步骤k）之后还包括步骤
l）识别引起断路的开关分支处的异常的起源。
7.根据权利要求5所述的用于向感性负载（12）供电的方法，在步骤k）之后还包括步骤
k）如果没有观测到任何断路则识别测量错误。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的用于向感性负载（12）供电的方法，其特征在于，第一持续时间具有等于第二持续时间的时间。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的用于向感性负载（12）供电的方法，其特征在于，第一持续时间具有与第二持续时间不同的时间。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的用于向感性负载（12）供电的方法，其特征在于，第三持续时间具有与第二持续时间的时间不同的时间。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1658578 | 2016-09-14 | ||
| FR1658578A FR3056039B1 (fr) | 2016-09-14 | 2016-09-14 | Procede d'alimentation d'une charge inductive |
| PCT/FR2017/052399 WO2018050991A1 (fr) | 2016-09-14 | 2017-09-11 | Procédé d'alimentation d'une charge inductive |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109690934A true CN109690934A (zh) | 2019-04-26 |
| CN109690934B CN109690934B (zh) | 2022-08-30 |
Family
ID=57796440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780056207.2A Active CN109690934B (zh) | 2016-09-14 | 2017-09-11 | 用于向感性负载供电的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10479402B2 (zh) |
| CN (1) | CN109690934B (zh) |
| FR (1) | FR3056039B1 (zh) |
| WO (1) | WO2018050991A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111740647A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-10-02 | 大陆汽车研发（重庆）有限公司 | 电机控制装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3087897B1 (fr) | 2018-10-26 | 2021-05-07 | Continental Automotive France | Procede d'alimentation d'une charge inductive |
| FR3087898B1 (fr) * | 2018-10-26 | 2021-08-06 | Continental Automotive France | Procede d'alimentation d'une charge inductive |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101078747A (zh) * | 2007-06-29 | 2007-11-28 | 南京航空航天大学 | 双凸极电机驱动器功率管故障诊断方法 |
| CN102868356A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 半导体元件工业有限责任公司 | H桥驱动电路 |
| CN102998588A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 山东理工大学 | 一种无刷直流电机逆变器常见断路故障诊断方法 |
| CN104777365A (zh) * | 2014-01-10 | 2015-07-15 | 法国大陆汽车公司 | 搭接电阻的测量 |
| CN104929788A (zh) * | 2014-03-19 | 2015-09-23 | 法国大陆汽车公司 | 控制和监测特别是可变气门升程控制设备的电磁体的方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT374638B (de) * | 1981-12-21 | 1984-05-10 | Siemens Ag Oesterreich | Schaltungsanordnung zur erfassung der polaritaet des laststromes in einem gleichstrom-umkehrsteller |
| JPH02188187A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-24 | Jidosha Denki Kogyo Co Ltd | モータ駆動装置 |
| US5703490A (en) * | 1995-07-28 | 1997-12-30 | Honeywell Inc. | Circuit and method for measuring current in an H-bridge drive network |
| JP3518944B2 (ja) * | 1996-04-11 | 2004-04-12 | 三菱電機株式会社 | モータ駆動装置 |
| JP3587428B2 (ja) * | 1997-10-08 | 2004-11-10 | 本田技研工業株式会社 | 故障診断回路 |
| JP4270978B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2009-06-03 | 本田技研工業株式会社 | 電動パワーステアリング装置の故障検出装置 |
| JP2008118821A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Asmo Co Ltd | 直流モータ駆動制御装置 |
| US7933110B2 (en) * | 2007-03-13 | 2011-04-26 | Ricoh Company, Ltd. | Power control device and image forming apparatus |
| US8816614B2 (en) * | 2011-09-29 | 2014-08-26 | Infineon Technologies Ag | Diagnosis of over-current conditions in bipolar motor controllers |
| DE102011088912A1 (de) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Continental Automotive Gmbh | Schaltungsanordnung zur Detektion eines Kurzschlusses bei einer Leistungsschalteranordnung |
-
2016
- 2016-09-14 FR FR1658578A patent/FR3056039B1/fr active Active
-
2017
- 2017-09-11 CN CN201780056207.2A patent/CN109690934B/zh active Active
- 2017-09-11 WO PCT/FR2017/052399 patent/WO2018050991A1/fr active Application Filing
- 2017-09-11 US US16/330,190 patent/US10479402B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101078747A (zh) * | 2007-06-29 | 2007-11-28 | 南京航空航天大学 | 双凸极电机驱动器功率管故障诊断方法 |
| CN102868356A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 半导体元件工业有限责任公司 | H桥驱动电路 |
| CN102998588A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 山东理工大学 | 一种无刷直流电机逆变器常见断路故障诊断方法 |
| CN104777365A (zh) * | 2014-01-10 | 2015-07-15 | 法国大陆汽车公司 | 搭接电阻的测量 |
| CN104929788A (zh) * | 2014-03-19 | 2015-09-23 | 法国大陆汽车公司 | 控制和监测特别是可变气门升程控制设备的电磁体的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111740647A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-10-02 | 大陆汽车研发（重庆）有限公司 | 电机控制装置 |
| CN111740647B (zh) * | 2020-07-22 | 2023-11-24 | 大陆汽车研发（重庆）有限公司 | 电机控制装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109690934B (zh) | 2022-08-30 |
| FR3056039A1 (fr) | 2018-03-16 |
| FR3056039B1 (fr) | 2018-09-28 |
| US10479402B2 (en) | 2019-11-19 |
| US20190225259A1 (en) | 2019-07-25 |
| WO2018050991A1 (fr) | 2018-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10340908B2 (en) | Half-bridge driver fault diagnostic system and method | |
| US10042002B2 (en) | System and method for contact measurement circuit | |
| US9182437B2 (en) | Method and circuit assembly for the diagnosis of a load path in a vehicle | |
| JP6353648B2 (ja) | 半導体異常検出回路 | |
| CN105980868B (zh) | 切换结构中的开路检测 | |
| JP5776607B2 (ja) | 誘導性負荷駆動装置 | |
| CN103348257B (zh) | 用于对晶体管进行操控的方法以及操控电路 | |
| CN107132466A (zh) | 用于功率半导体开关中的短路检测的方法和器件 | |
| US7812590B2 (en) | Method for detection of the presence of a load and drive circuit | |
| CN109425816A (zh) | 测试mos功率开关 | |
| CN109690934A (zh) | 用于向感性负载供电的方法 | |
| US20140327450A1 (en) | Device and method for testing the state of the connection of a load connected to a connection point | |
| WO2011073096A1 (en) | Circuit for controlling current to light-emitting diode (led) | |
| CN105450204A (zh) | 用于开关设备的故障检测 | |
| US20150102790A1 (en) | Method for identifying a short-line fault or a line interruption for a switched inductive load | |
| MX2014008502A (es) | Proteccion de voltaje inverso diagnosticable para cargas de alta energia. | |
| US9515586B2 (en) | Power output stage, method for operation | |
| US9880229B2 (en) | Measurement of bonding resistances | |
| CN110376956B (zh) | 三级栅极监控 | |
| US20150207306A1 (en) | Distinguishing between overload and open load in off conditions | |
| CN107431348A (zh) | 被保护免受过压的电子控制设备 | |
| JP6488930B2 (ja) | 電子制御装置 | |
| US20210391707A1 (en) | Method for supplying an inductive load | |
| CN112671053A (zh) | 具有双电压供应电路的电子电路 | |
| CN108432136B (zh) | 晶体管的控制装置、连接件的控制电路与电转换器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221202 Address after: Regensburg, Germany Patentee after: WeiPai Technology Co.,Ltd. Patentee after: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GmbH Address before: Toulouse, France Patentee before: CONTINENTAL AUTOMOTIVE FRANCE Patentee before: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GmbH |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230619 Address after: Regensburg, Germany Patentee after: WeiPai Technology Co.,Ltd. Address before: Regensburg, Germany Patentee before: WeiPai Technology Co.,Ltd. Patentee before: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GmbH |