CN109637838B - 一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用 - Google Patents

一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN109637838B
CN109637838B CN201910039078.7A CN201910039078A CN109637838B CN 109637838 B CN109637838 B CN 109637838B CN 201910039078 A CN201910039078 A CN 201910039078A CN 109637838 B CN109637838 B CN 109637838B
Authority
CN
China
Prior art keywords
molybdenum disulfide
loofah
shaped hollow
disulfide material
hollow molybdenum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910039078.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109637838A (zh
Inventor
孙淑敏
王培远
郭东杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhengzhou University of Light Industry
Original Assignee
Zhengzhou University of Light Industry
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhengzhou University of Light Industry filed Critical Zhengzhou University of Light Industry
Priority to CN201910039078.7A priority Critical patent/CN109637838B/zh
Publication of CN109637838A publication Critical patent/CN109637838A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109637838B publication Critical patent/CN109637838B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/24Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用,将钼酸铵、四甲基溴化铵和硫代乙酰胺加入水中搅拌,并将其置于水热反应器中加热至160‑220℃,并保持3‑12h,待反应釜自然冷却后,将产品抽滤,水洗,100℃干燥即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料,钼酸铵、四甲基溴化铵、硫代乙酰胺和水的质量比为0.88﹕(0.5‑4)﹕0.94:(10‑50)。本方法合成的二硫化钼具有优异的电化学性能,二硫化钼中空管具有多级孔结构,有利于电解制的传递,本发明工艺简单,制备得到的丝瓜瓤状中空二硫化钼具有比电容高、性能稳定的特点,可成为电动汽车使用的新型能量存储***的电极材料。

Description

一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用
技术领域
本发明属于超级电容器电极材料制备方法,具体地设计一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料制备方法及其在超级电容器中的应用。
背景技术
随着社会经济及人类文明意识的发展,能源与环境问题越来越受到人们的关注。超级电容器作为一种新型储能器件,具有对环境无污染、循环寿命长、使用温度范围宽、安全性高等特点。为了获得高性能的超级电容器,开发具有高比电容量的电极材料是最为关键的。
近年来,二维层状过渡金属硫化物成为超级电容器电极材料的研究热点。其中二硫化钼与石墨烯结构类似,一般是由单层或多层二硫化钼组成,层与层之间存在着微弱的范德华力,层间距约为0.65 nm。作为超级电容器电极材料,二硫化钼具有较高的理论比电容,但其易团聚,且在充放电过程中体积变化大导致其优异的电化学性能不能被表现出来。众所周知,设计合成具有纳米多级结构的二硫化钼能显著提升其电化学性能,为此,各种纳米结构的二硫化钼,如纳米球,纳米管,纳米棒,纳米片等被合成出来并表现出良好的电化学性能。由纳米片组装而成的中空结构的电极材料有利于电解液的传递、电化学反应的快速进行、有助于防止电极材料的团聚及有利于缓解充放电过程中电极材料的体积变化,是一种优异的电极材料结构,目前,由二硫化钼纳米片组装而成的中空结构的电极材料研究的不多,还需探索新的合成方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型的丝瓜瓤状中空二硫化钼材料制备方法,并将其用作超级电容器电极材料。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种新型的丝瓜瓤状中空二硫化钼材料制备方法。按照一定的比例将钼酸铵、四甲基溴化铵和硫代乙酰胺加入一定量的水中搅拌30min,并将其置于水热反应器中加热至160-220℃,并保持3-12h,待反应釜自然冷却后,将产品抽滤,水洗,100℃干燥即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料,钼酸铵、四甲基溴化铵、硫代乙酰胺和水的质量比为0.88﹕(0.5-4)﹕0.94:(10-50),优选为0.88﹕(0.5-4)﹕0.94:30。
一种根据上述的制备方法制备的丝瓜瓤状中空二硫化钼材料。
本发明丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的管内径约为0.5-1μm,管壁由二硫化钼纳米片堆积而成,厚度为80-120 nm。
本发明丝瓜瓤状中空二硫化钼材料在超级电容器中的应用。
本发明的丝瓜瓤状中空二硫化钼材料与导电剂科琴黑及粘结剂PTFE溶液混合后按照80:10:10的质量比例再加适量乙醇混合后涂覆于泡沫镍上,压片并干燥后作为超级电容器的电极,所述电极材料表现出较高的电容性能以及较好的循环稳定性。
本发明具有如下有益效果:与传统制备纳米二硫化钼的方法不同,本方法以四甲基溴化铵为模板,采用简单的水热方法合成了丝瓜瓤状中空二硫化钼,且其管壁有二硫化钼纳米片组装而成。该材料作为超级电容器电极材料与导电剂科琴黑及粘结剂PTFE溶液混合后涂覆于泡沫镍上,表现出较高的比电容(当电流密度为0.4 A/g时,比电容为353.7 F/g)和较好的稳定性(经2000次循环后,比电容保持率为90%)。本方法合成的二硫化钼具有优异的电化学性能,因为二硫化钼中空管具有多级孔结构,有利于电解制的传递,孔壁由纳米片组装而成,从而暴露出更多的活性位以利于电化学反应的发生,中空结构有利于缓解充放电过程中二硫化钼体积的变化,从而使其具有良好的循环稳定性。本发明工艺简单,制备得到的丝瓜瓤状中空二硫化钼具有比电容高、性能稳定的特点,可成为电动汽车使用的新型能量存储***的电极材料。
附图说明
图1为合成材料的X射线粉末衍射图;
图2为合成材料的扫描电镜(SEM)照片;
图3为合成材料的X射光电子能谱图: (a) Mo XPS图, (b) S XPS图;
图4为合成材料的循环伏安曲线;
图5为合成材料的充放电曲线;
图6为合成材料的充放电循环曲线;
图7为对比例制得的二硫化钼材料的扫描电镜照片;
图8为对比例制得的二硫化钼材料的X射线粉末衍射图;
图9为对比例制得的二硫化钼材料的循环伏安曲线;
图10为对比例制得的二硫化钼材料的充放电曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例,对本发明做进一步说明。应理解,以下实施例仅用于说明本发明而非用于限制本发明的范围,该领域的技术熟练人员可以根据上述发明的内容作出一些非本质的改进和调整。
本发明按照一定的比例将钼酸铵、四甲基溴化铵和硫代乙酰胺加入一定量的水中搅拌,并将其置于水热反应器中加热一定时间,即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料。并将其与导电剂科琴黑及粘结剂PTFE溶液混合后涂覆于泡沫镍上,压片并干燥后作为超级电容器的电极材料使用。
本发明涉及的丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的合成步骤如下:
按照一定的比例将钼酸铵、四甲基溴化铵和硫代乙酰胺加入一定量的水中搅拌30min,钼酸铵、四甲基溴化铵、硫代乙酰胺和水的质量比为0.88﹕(0.5-4)﹕0.94:(10-50),并将其置于水热反应器中加热至200℃,并保持6h,待反应釜自然冷却后,将产品抽滤,水洗,100℃ 干燥即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料。
实施例1
称取0.88克钼酸铵,0.5克四甲基溴化铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于200℃反应6小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-0.5-200-6。
实施例2
称取0.88克钼酸铵,1.0克四甲基溴化铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于200℃反应6小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-1-200-6。
实施例3
称取0.88克钼酸铵,2克四甲基溴化铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于200℃反应6小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-200-6。
实施例4
称取0.88克钼酸铵,4克四甲基溴化铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于200℃反应6小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-4-200-6。
实施例5
称取0.88克钼酸铵,2克四甲基溴化铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于160℃反应6小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-160-6。
实施例6
称取0.88克钼酸铵,2克四甲基溴化铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于220℃反应6小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-220-6。
实施例7
称取0.88克钼酸铵,2克四甲基溴化铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于200℃反应3小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-200-3。
实施例8
称取0.88克钼酸铵,2克四甲基溴化铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于200℃反应12小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-200-12。
实施例9:丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-200-6电极制备
将实施例3中制备的MoS2-2-200-6、导电剂科琴黑和粘结剂PTFE,按照80:10:10的质量比例再加适量乙醇混合后涂覆于预先剪好的泡沫镍片上,于100℃下干燥8 h后置于10MPa下压片即可得到电容器的电极片。
一、以丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-200-6为电极材料的循环伏安性能测试
将实施例9中电极片为工作电极,活性炭电极为对电极,以甘汞电极为参比电极组成三电极体系,以1 mol/L的硫酸钠溶液为电解质,在辰华660E电化学工作站上进行二硫化钼中空管材料的循环伏安性能测试。在-0.9~-0.2V的范围内循环扫描,扫描速度分别5、10、20、50、100 mV/s,结果示于图4中。
二、以丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-200-6为电极材料的充放电性能测量
将实施例9组装的三电极体系,以1 mol/L的硫酸钠溶液为电解质,在辰华660E电化学工作站上进行二硫化钼中空管材料的充放电性能测量。设置充电电压范围为-0.9 ~ -0.2 V,充放电电流密度分别为0.4、0.8、1.6和3.2 A/g,每个电流密度下充放电次数设置为10次,测试结果示于图5中,根据测试结果计算得到电流密度为0.4、0.8、1.6和3.2 A g-1时的比电容量分别是353.7、228.0、170.0和119 F g-1,测试结果示于图5中。
三、以丝瓜瓤状中空二硫化钼材料MoS2-2-200-6为电极材料的充放电循环曲线
将实施例9中组装的三电极体系置于辰华660E电化学工作站上,设置充电电压范围为-0.9 ~ -0.2 V,充放电电流密度为1.6 A/g,充放电次数设置为2000次,测试结果示于图6中,可以看出充放电2000次循环后性能仍可以维持在90%以上。
在材料合成过程中不添加四甲基溴化铵,其它与实验条件与实施例3相似可得到煤块状二硫化钼对比材料,具体过程如下:称取0.88克钼酸铵,0.94克硫代乙酰胺放入30毫升水中搅拌30分钟,装入反应釜中于200℃反应6小时,冷却后将产品过滤、水洗干燥后即可得到煤块状二硫化钼材料MoS2-200-6。表征测试结果如图7-10。从图7-10中可以看出对比例中合成的二硫化钼材料显示煤块状结构,其在0.4 A/g电流下充放电得到的比电容仅为144 F/g。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法,其特征在于:按照一定的比例将钼酸铵、四甲基溴化铵和硫代乙酰胺加入一定量的水中搅拌30min,并将其置于水热反应器中加热至140-220℃,并保持3-12h,待反应釜自然冷却后,将产品抽滤,水洗,100℃ 干燥得到丝瓜瓤状中空二硫化钼材料,钼酸铵、四甲基溴化铵、硫代乙酰胺和水的质量比为0.88﹕(0.5-4)﹕0.94:(10-50)。
2.一种根据权利要求1所述的制备方法制备的丝瓜瓤状中空二硫化钼材料。
3.根据权利要求2所述的丝瓜瓤状中空二硫化钼材料,其特征在于:所述丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的内径为0.5-1μm,管壁由二硫化钼纳米片堆积而成,厚度为80-120 nm。
4.权利要求2所述的丝瓜瓤状中空二硫化钼材料在超级电容器中的应用。
5.根据权利要求4所述的应用,其特征在于:丝瓜瓤状中空二硫化钼材料与导电剂科琴黑及粘结剂PTFE溶液按照80:10:10的质量比例再加适量乙醇混合后涂覆于预先剪好的泡沫镍片上,于100℃下干燥8 h后置于10 MPa下压片并干燥后得到作为超级电容器的电极片。
CN201910039078.7A 2019-01-16 2019-01-16 一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用 Active CN109637838B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910039078.7A CN109637838B (zh) 2019-01-16 2019-01-16 一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910039078.7A CN109637838B (zh) 2019-01-16 2019-01-16 一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109637838A CN109637838A (zh) 2019-04-16
CN109637838B true CN109637838B (zh) 2020-09-29

Family

ID=66061008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910039078.7A Active CN109637838B (zh) 2019-01-16 2019-01-16 一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109637838B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113173600B (zh) * 2021-05-08 2022-08-23 郑州轻工业大学 三维多通道空心核桃状的二氧化钒@碳复合材料的制备方法及其应用
CN114887631B (zh) * 2022-05-05 2023-08-18 中国石油大学(华东) 一种溶剂热法制备混合形貌1T-2H MoS2的制备方法及应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101293192A (zh) * 2007-01-25 2008-10-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 多室囊泡模板法制备多层空心球或多孔球的方法
CN106745263A (zh) * 2016-11-25 2017-05-31 中南大学 一种1t相二硫化钼的制备方法
CN107140624A (zh) * 2017-06-05 2017-09-08 江苏大学 一种表面活性剂调控MoS2/RGO纳米复合材料形貌的方法
CN107540019A (zh) * 2017-08-30 2018-01-05 山东大学 一种制备二硫化钼/石墨烯交替插层结构材料的方法
CN108358245A (zh) * 2018-05-16 2018-08-03 重庆文理学院 一种玫瑰状MoS2纳米花的制备方法
CN108878851A (zh) * 2018-07-09 2018-11-23 郑州轻工业学院 一维多孔菱形空管状的α-硫化锰/硫化钼@碳复合材料的制备方法及其应用

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105800579B (zh) * 2016-03-07 2019-01-18 南方科技大学 一种层状纳米颗粒、剥离方法及应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101293192A (zh) * 2007-01-25 2008-10-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 多室囊泡模板法制备多层空心球或多孔球的方法
CN106745263A (zh) * 2016-11-25 2017-05-31 中南大学 一种1t相二硫化钼的制备方法
CN107140624A (zh) * 2017-06-05 2017-09-08 江苏大学 一种表面活性剂调控MoS2/RGO纳米复合材料形貌的方法
CN107540019A (zh) * 2017-08-30 2018-01-05 山东大学 一种制备二硫化钼/石墨烯交替插层结构材料的方法
CN108358245A (zh) * 2018-05-16 2018-08-03 重庆文理学院 一种玫瑰状MoS2纳米花的制备方法
CN108878851A (zh) * 2018-07-09 2018-11-23 郑州轻工业学院 一维多孔菱形空管状的α-硫化锰/硫化钼@碳复合材料的制备方法及其应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Directing the Architecture of Various MoS2 Hierarchical Hollow Cages through the Controllable Synthesis of Surfactant/Molybdate Composite Precursors;Lina Ye et al;《Chemistry of Materials》;20171108;第19卷(第25期);第6331页摘要,图1-2 *
Synthesis of yolk–shell MoS2 microspheres with enhanced supercapacitance;Peiyuan Wang et al;《Materials Letters》;20180907;第233卷;第286页摘要、第287页第2.1节 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN109637838A (zh) 2019-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Synthesis of honeycomb-like NiS2/NiO nano-multiple materials for high performance supercapacitors
CN106057480B (zh) 用于超级电容器的三维多孔硒化物纳米复合材料及其制备方法
CN108400021A (zh) 一种超级电容器电极材料及其制备方法
CN110980673B (zh) 一种金属磷化物及其制备方法和在超级电容器中的应用
CN102290253B (zh) 一种碳包覆纳米过渡金属氧化物及其制备方法
Jia et al. An in situ growth strategy of NiCo-MOF nanosheets with more activity sites for asymmetric supercapacitors
CN112670096B (zh) 一种碱式金属盐纳米材料及其制备方法与应用
Xiao et al. Carbonate doped nickel-cobalt layered double hydroxide for high performance asymmetric supercapacitors
CN109637838B (zh) 一种丝瓜瓤状中空二硫化钼材料的制备方法和应用
Niu et al. Hydrothermal ion exchange synthesis of CoM (M= Fe or Mn)/MXene 2D/2D hierarchal architectures for enhanced energy storage
CN112490017A (zh) 一种NiCo-LDH纳米材料的制备方法及其应用
Li et al. Nickel sulfide and cobalt-containing carbon nanoparticles formed from ZIF-67@ ZIF-8 as advanced electrode materials for high-performance asymmetric supercapacitors
Huo et al. Construction of advanced 3D Co3S4@ PPy nanowire anchored on nickel foam for high-performance electrochemical energy storage
CN110078130B (zh) 一种中空结构铁基化合物的制备方法及其作为超级电容器负极材料的应用
CN109545573B (zh) 金属1t相硫化铼中空纳米球超级电容器电极材料的制备方法
Zhang et al. Design and synthesis of Co3S4@ CoCH/NF for high performance asymmetric supercapacitors
Li et al. Unique 3D bilayer nanostructure basic cobalt carbonate@ NiCo–layered double hydroxide nanosheets on carbon cloth for supercapacitor electrode material
Xie et al. In situ preparation of flaky attached CuCo 2 S 4 microspheres for high-performance asymmetric supercapacitors
CN107221446B (zh) 一种Co-Ni-Mn氧化物复合材料及其制备方法和应用
CN110931267B (zh) 一种镍钴钼三元金属硫化物及其制备方法和应用
Gong et al. Facile solvothermal synthesis Ni (OH) 2 nanostructure for electrochemical capacitors
Shen et al. A zinc-cobalt–nickel heterostructure synthesized by ultrasonic pulse electrodeposition as a cathode for high performance supercapacitors
CN102522209B (zh) 一种高能镍碳超级电容器负极负极板浆料的制备方法
CN111785526A (zh) 一种聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用
Cai et al. One-step solvothermal method to obtain flower-like NiCoMn Hydroxides for Super Capacitance Performance

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant