CN109600937A - 一种集成电路板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种集成电路板的制备方法，包括以下步骤：A、对基板进行前处理，前处理包括清洗、刻蚀；B、对经过步骤A前处理的基板进行定位钻孔，制作通孔；C、在通孔内表面涂覆隔离层，然后在通孔内表面沿轴向均匀开设若干个凹槽；D、对步骤C加工出的凹槽进行第一次电镀处理；E、去除通孔内表面残余的隔离层，然后对通孔内表面进行第二次电镀处理；隔离层采用蜡剂保护层；F、对基板进行裁板压膜后进行二次刻蚀；G、对基板涂覆阻焊层，然后经过表面处理得到成品集成电路板。本发明能够改进现有技术的不足，提高了通孔电镀层的电阻分布均匀度。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，尤其是一种集成电路板及其制备方法。
背景技术
集成电路板是通过设置多层导电板，并在导电板上根据设计要求制作相应电路而成的集成化程度较高的电器元件。在集成电路板中要通过设置通孔实现不同层导电板之间的电流导通。现有技术中，由于通孔在制作时不可避免的会产生毛刺，尽管通过打磨等手段可以减少毛刺数量，但还是会导致电镀层容易出现电阻分布不均匀的问题，直接影响到了产品的良品率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种集成电路板及其制备方法，能够解决现有技术的不足，提高了通孔电镀层的电阻分布均匀度。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案如下。
一种集成电路板的制备方法，包括以下步骤：
A、对基板进行前处理，前处理包括清洗、刻蚀；
B、对经过步骤A前处理的基板进行定位钻孔，制作通孔；
C、在通孔内表面涂覆隔离层，然后在通孔内表面沿轴向均匀开设若干个凹槽；
D、对步骤C加工出的凹槽进行第一次电镀处理；
E、去除通孔内表面残余的隔离层，然后对通孔内表面进行第二次电镀处理；隔离层采用蜡剂保护层；
F、对基板进行裁板压膜后进行二次刻蚀；
G、对基板涂覆阻焊层，然后经过表面处理得到成品集成电路板。
作为优选，步骤C中，凹槽的侧壁为弧形，凹槽的底面设置有若干个条形凸起。
作为优选，凹槽的顶部宽度小于凹槽的底部宽度，凹槽宽度的最大值小于相邻凹槽之间的间距。
作为优选，步骤D中，第一次电镀处理包括以下步骤，
D1、将基板浸入第一电镀液中，第一电镀液含有235～280g/L的硫酸铜、80～100g/L的硫酸；
D2、电镀时间为1～2min，电流密度为10～12ASD，电镀液喷射流速为3～5L/min；
D3、电镀结束后，对电镀表面进行粗糙打磨处理。
作为优选，步骤E中，第二次电镀处理包括以下步骤，
E1、将基板浸入第二电镀液中，第二电镀液含有120～150g/L的硫酸铜、40～50g/L的硫酸；
E2、第一阶段电镀时间为3～5min，电流密度为4～5ASD，电镀液喷射流速为1～2L/min；
E3、第二阶段电镀时间为1～2min，电流密度为7～10ASD，电镀液喷射流速为1～2L/min；
E3、第三阶段电镀时间为5～10min，电流密度为1～2ASD，电镀液喷射流速为4～5L/min。
作为优选，步骤E3中，在电镀液中加入20～50g/L的硝酸银。
一种集成电路板，使用上述的集成电路板的制备方法制备而成。
采用上述技术方案所带来的有益效果在于：本发明通过在通孔内设置带有第一电镀层的凹槽，利用凹槽作为电流汇集导流的主要通道，降低了其它位置上的电流强度，从而降低由于毛刺导致的电阻变化对电流的影响。通过设置第二电镀层，可以提高不同凹槽内电流强度的均匀度。凹槽的形状可以有效提高第一次电镀过程形成的第一电镀层与通孔的结合强度，同时增加第一电镀层的导电面积。第一次电镀采用大电流快速电镀的方式，降低对于隔离层的损耗。第一电镀层打磨粗糙后，可以有效提高第一电镀层和第二电镀层的接触面积，降低接触电阻。第二次电镀采用小电流多次电镀的方式，以提高第二电镀层的成型均匀度。
附图说明
图1是本发明一个具体实施方式中凹槽径向剖视图。
图2是本发明一个具体实施方式中凹槽端部的结构图。
图中：1、凹槽；2、条形凸起；3、环形槽；4、通孔。
具体实施方式
本发明中使用到的标准零件均可以从市场上购买，异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制，各个零件的具体连接方式均采用现有技术中成熟的螺栓、铆钉、焊接、粘贴等常规手段，在此不再详述。
参照图1，本发明一个具体实施方式包括以下步骤：
A、对基板进行前处理，前处理包括清洗、刻蚀；
B、对经过步骤A前处理的基板进行定位钻孔，制作通孔4；
C、在通孔4内表面涂覆隔离层，然后在通孔4内表面沿轴向均匀开设若干个凹槽1；
D、对步骤C加工出的凹槽1进行第一次电镀处理；
E、去除通孔4内表面残余的隔离层，然后对通孔4内表面进行第二次电镀处理；
F、对基板进行裁板压膜后进行二次刻蚀；
G、对基板涂覆阻焊层，然后经过表面处理得到成品集成电路板。
步骤C中，凹槽1的侧壁为弧形，凹槽1的底面设置有若干个条形凸起2。
凹槽1的顶部宽度小于凹槽1的底部宽度，凹槽1宽度的最大值小于相邻凹槽1之间的间距。
步骤D中，第一次电镀处理包括以下步骤，
D1、将基板浸入第一电镀液中，第一电镀液含有235～280g/L的硫酸铜、80～100g/L的硫酸；
D2、电镀时间为1～2min，电流密度为10～12ASD，电镀液喷射流速为3～5L/min；
D3、电镀结束后，对电镀表面进行粗糙打磨处理。
步骤E中，第二次电镀处理包括以下步骤，
E1、将基板浸入第二电镀液中，第二电镀液含有120～150g/L的硫酸铜、40～50g/L的硫酸；
E2、第一阶段电镀时间为3～5min，电流密度为4～5ASD，电镀液喷射流速为1～2L/min；
E3、第二阶段电镀时间为1～2min，电流密度为7～10ASD，电镀液喷射流速为1～2L/min；
E3、第三阶段电镀时间为5～10min，电流密度为1～2ASD，电镀液喷射流速为4～5L/min。
步骤E3中，在电镀液中加入20～50g/L的硝酸银。
参照图2，在通孔4的两端设置环形槽3，在进行裁板压膜过程中，使干膜（包括聚酯簿膜，光致抗蚀膜和聚乙烯保护膜）与环形槽3充分贴合，从而提高干膜表面应力的均匀度，提高压膜过程的成型质量。
一种集成电路板，使用上述的集成电路板的制备方法制备而成。
本发明所述的清洗、刻蚀、裁板压膜、涂覆阻焊层等步骤均为现有技术中制作集成电路板的公知常识，在此不再详述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种集成电路板的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、对基板进行前处理，前处理包括清洗、刻蚀；
B、对经过步骤A前处理的基板进行定位钻孔，制作通孔；
C、在通孔内表面涂覆隔离层，然后在通孔内表面沿轴向均匀开设若干个凹槽；
D、对步骤C加工出的凹槽进行第一次电镀处理；
E、去除通孔内表面残余的隔离层，然后对通孔内表面进行第二次电镀处理；
F、对基板进行裁板压膜后进行二次刻蚀；
G、对基板涂覆阻焊层，然后经过表面处理得到成品集成电路板。
2.根据权利要求1所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：步骤C中，凹槽的侧壁为弧形，凹槽的底面设置有若干个条形凸起。
3.根据权利要求2所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：凹槽的顶部宽度小于凹槽的底部宽度，凹槽宽度的最大值小于相邻凹槽之间的间距。
4.根据权利要求1所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：步骤D中，第一次电镀处理包括以下步骤，
D1、将基板浸入第一电镀液中，第一电镀液含有235～280g/L的硫酸铜、80～100g/L的硫酸；
D2、电镀时间为1～2min，电流密度为10～12ASD，电镀液喷射流速为3～5L/min；
D3、电镀结束后，对电镀表面进行粗糙打磨处理。
5.根据权利要求4所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：步骤E中，第二次电镀处理包括以下步骤，
E1、将基板浸入第二电镀液中，第二电镀液含有120～150g/L的硫酸铜、40～50g/L的硫酸；
E2、第一阶段电镀时间为3～5min，电流密度为4～5ASD，电镀液喷射流速为1～2L/min；
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E3、第三阶段电镀时间为5～10min，电流密度为1～2ASD，电镀液喷射流速为4～5L/min。
6.根据权利要求5所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：步骤E3中，在电镀液中加入20～50g/L的硝酸银。
7.一种集成电路板，其特征在于：使用权利要求1-6任意一项所述的集成电路板的制备方法制备而成。
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