CN109576774A - 一种新型制备tic晶须的生产工艺方法 - Google Patents

一种新型制备tic晶须的生产工艺方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109576774A
CN109576774A CN201910022299.3A CN201910022299A CN109576774A CN 109576774 A CN109576774 A CN 109576774A CN 201910022299 A CN201910022299 A CN 201910022299A CN 109576774 A CN109576774 A CN 109576774A
Authority
CN
China
Prior art keywords
degrees celsius
manufacturing technique
minutes
technique method
novel manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910022299.3A
Other languages
English (en)
Inventor
曹瑞香
黄根勇
熊凌鸿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Manufacturing Polytechnic College
Original Assignee
Jiangxi Manufacturing Polytechnic College
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangxi Manufacturing Polytechnic College filed Critical Jiangxi Manufacturing Polytechnic College
Priority to CN201910022299.3A priority Critical patent/CN109576774A/zh
Publication of CN109576774A publication Critical patent/CN109576774A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/10—Single-crystal growth directly from the solid state by solid state reactions or multi-phase diffusion
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/62—Whiskers or needles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%‑70%、碳30%‑45%、卤化物5%‑15%和催化剂2%‑8%，本发明提供的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法采用原料粉碎后进行混合，然后再进行压制后进行烧结，利于材料和反应稳定，保证高效催化生产，同时再烧结是采用阶梯式升温的方式，利于稳定控制，同时保证受热催化均匀性，最后再用水洗过滤取出杂质，提高产品质量，保证生产效率，有效降低成本，利于大规模生产推广。

Description

一种新型制备tic晶须的生产工艺方法
技术领域
本发明涉及晶须生产技术领域，尤其涉及一种新型制备tic晶须的生产工艺方法。
背景技术
TiC晶须是一种拒用高度取向性的短纤维状单晶体材料，其晶体结构缺陷少、长径比大、强度和模量均接近于完整晶体材料的理论值，同时它又是一种非化学计量的过渡族金属化合物，具有热稳定性好、弹性模量高、硬度高、热膨胀系数低的特点，因而也是一种热和电的良导体，受到了广泛关注和应用。
但是现有的TiC晶须制备工艺比较复杂，不利于大规模控制和生产，并且采用的工艺流程不利于晶须的形成，产品质量差，产量低，生产成本高，而且杂质含量高，不利于后续使用。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%-70%、碳30%-45%、卤化物5%-15%和催化剂2%-8%。
优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
优选的，所述催化剂为镍粉或钴粉。
优选的，所述S2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
优选的，所述S4步骤中预制压力为180MPa-220MPa。
优选的，所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
优选的，所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
优选的，所述S6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。
本发明提供的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法采用原料粉碎后进行混合，然后再进行压制后进行烧结，利于材料和反应稳定，保证高效催化生产，同时再烧结是采用阶梯式升温的方式，利于稳定控制，同时保证受热催化均匀性，最后再用水洗过滤取出杂质，提高产品质量，保证生产效率，有效降低成本，利于大规模生产推广。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%-70%、碳30%-45%、卤化物5%-15%和催化剂2%-8%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
作为优选的，所述催化剂为镍粉或钴粉。
作为优选的，所述S2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
作为优选的，所述S4步骤中预制压力为180MPa-220MPa。
作为优选的，所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述S6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。
本发明提供的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法采用原料粉碎后进行混合，然后再进行压制后进行烧结，利于材料和反应稳定，保证高效催化生产，同时再烧结是采用阶梯式升温的方式，利于稳定控制，同时保证受热催化均匀性，最后再用水洗过滤取出杂质，提高产品质量，保证生产效率，有效降低成本，利于大规模生产推广。
实施例1
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛60%、碳30%、卤化物6%和催化剂4%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁的混合物，且质量比例为1:1-1.5。
作为优选的，所述催化剂为镍粉。
作为优选的，所述S2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
作为优选的，所述S4步骤中预制压力为180MPa。
作为优选的，所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述S6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。
实施例2
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛55%、碳34%、卤化物7%和催化剂4%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠。
作为优选的，所述催化剂为粉。
作为优选的，所述S2步骤中采用双仓式球磨机，速率为120转每分钟至150转每分钟，时间为3小时至4小时。
作为优选的，所述S4步骤中预制压力为200MPa。
作为优选的，所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述S6步骤中烘干方式采用真空微波干燥箱，温度为60摄氏度至80摄氏度，真空度为800Pa-1000Pa，频率为2.2GHz-2.5GHz，时间为50分钟至90分钟。
实施例3
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%、碳36%、卤化物10%和催化剂4%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
作为优选的，所述催化剂为镍粉或钴粉。
作为优选的，所述S2步骤中采用圆锥球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
作为优选的，所述S4步骤中预制压力为210MPa。
作为优选的，所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述S6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为120摄氏度至130摄氏度，时间为30分钟至45分钟。
实施例4
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛56%、碳32%、卤化物7和催化剂5%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
作为优选的，所述催化剂为镍粉或钴粉。
作为优选的，所述S2步骤中采用超细层压磨机，速率为70转每分钟至90转每分钟，时间为3小时至4小时。
作为优选的，所述S4步骤中预制压力为220MPa。
作为优选的，所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述S6步骤中烘干方式采用.远红外干燥箱，温度为150摄氏度至180摄氏度，功能率为750W，时间为25分钟至30分钟。

Claims (9)

1.一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%-70%、碳30%-45%、卤化物5%-15%和催化剂2%-8%。
2.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
3.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
4.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述催化剂为镍粉或钴粉。
5.根据所述权利要求2的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
6.根据所述权利要求2的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S4步骤中预制压力为180MPa-220MPa。
7.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
8.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
9.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。
CN201910022299.3A 2019-01-10 2019-01-10 一种新型制备tic晶须的生产工艺方法 Pending CN109576774A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910022299.3A CN109576774A (zh) 2019-01-10 2019-01-10 一种新型制备tic晶须的生产工艺方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910022299.3A CN109576774A (zh) 2019-01-10 2019-01-10 一种新型制备tic晶须的生产工艺方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109576774A true CN109576774A (zh) 2019-04-05

Family

ID=65916526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910022299.3A Pending CN109576774A (zh) 2019-01-10 2019-01-10 一种新型制备tic晶须的生产工艺方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109576774A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0754782A1 (en) * 1995-07-20 1997-01-22 Sandvik Aktiebolag Manufacture of titanium carbide, nitride and carbonitride whiskers
US6110275A (en) * 1995-07-20 2000-08-29 Sandvik Ab Manufacture of titanium carbide, nitride and carbonitride whiskers
CN1603238A (zh) * 2004-09-27 2005-04-06 南京大学 碳化钛和氮化钛－维纳米结构材料制备方法
CN101058503A (zh) * 2006-04-17 2007-10-24 山东大学 原位生长碳化钛晶须增韧氧化铝基陶瓷刀具材料粉末及其制备工艺

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0754782A1 (en) * 1995-07-20 1997-01-22 Sandvik Aktiebolag Manufacture of titanium carbide, nitride and carbonitride whiskers
US6110275A (en) * 1995-07-20 2000-08-29 Sandvik Ab Manufacture of titanium carbide, nitride and carbonitride whiskers
CN1603238A (zh) * 2004-09-27 2005-04-06 南京大学 碳化钛和氮化钛－维纳米结构材料制备方法
CN101058503A (zh) * 2006-04-17 2007-10-24 山东大学 原位生长碳化钛晶须增韧氧化铝基陶瓷刀具材料粉末及其制备工艺

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NIKLAS AHLEN,ET AL.: "carbothermal synthesis of TiC Whiskers via a vapour-liquid-solid Growth Mechanism", 《J. AM. CERAM. SOC.》 *
NIKLAS AHLEN,ET AL.: "On the carbothermal vapour-liquid-solid (VLS) mechanism for TaC, TiC, and TaxTi1-xC whisker growth", 《JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY》 *
杨骏: "原位合成纳米晶须陶瓷刀具研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技I辑》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110845237B (zh) 高熵陶瓷粉体及其制备方法和高熵陶瓷块体
CN100376706C (zh) 一种钼合金的生产方法
CN111423236B (zh) 一种（Hf0.25Ti0.25Zr0.25W0.25）N高熵陶瓷粉体及其制备方法
CN107285746A (zh) 一种氧化铝基质的荧光陶瓷的制备方法及相关荧光陶瓷
CN101148779A (zh) 一种钛酸钾晶须的制备方法
CN106467390A (zh) 一种石墨烯紫砂复合材料及其制成的紫砂器、制备方法
CN106395787B (zh) 一种基于稻壳制备多孔碳化硅材料的方法
CN109261980A (zh) 一种高密度合金用钨粉的制备方法
CN107115825A (zh) 一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构及其制备方法和应用
CN101880160A (zh) 一种制备CaCu3Ti4O12粉体的方法
CN105883812A (zh) 一种碳化硅的微波烧结生产工艺
JP3285620B2 (ja) 透光性イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法
CN109576774A (zh) 一种新型制备tic晶须的生产工艺方法
CN100503901C (zh) 一种氧化铝晶须的制备方法
CN1952194B (zh) 一种电极用钨合金条的生产方法
CN110240483B (zh) 一种利用晶硅废砂浆制备碳化硅多孔陶瓷的方法
CN115196970A (zh) 一种高流动性AlON球形粉体的制备方法
CN105112850B (zh) 光学蒸镀用一氧化钛的制备方法
CN107311223B (zh) 一种片状钛酸镁钾及其制备方法
CN1180103C (zh) 酸洗掺杂钨粉生产金属钨条的方法
CN113024266A (zh) 一种莫来石增强柔性钛酸铝陶瓷及其制备方法
CN112299408A (zh) 一种基于温压成型的金刚石工具制备方法
CN103450814B (zh) 一种循环利用滤液晶种制备稀土抛光粉的方法
CN102531552A (zh) 一种氧化铝二氧化硅钛酸铝多孔陶瓷及其制备方法
CN108147777A (zh) 一种利用回收合成立方氮化硼固废制备超高压合成用加热管的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190405