CN109564394B - 膜组件和颗粒捕集器 - Google Patents

Abstract

颗粒捕集器组件配置成减少具有较大范围的尺寸、材料、行进速度和入射角的污染物颗粒到达颗粒敏感环境的可能性。所述颗粒捕集器可以是位于光刻设备的静止零件与可移动零件之间的间隙几何颗粒捕集器。所述颗粒捕集器也可以是位于光刻或量测设备中的颗粒敏感环境的表面上的表面几何颗粒捕集器。

Description

膜组件和颗粒捕集器

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年7月29日提交的美国临时专利申请62/368,609的优先权，所述美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本发明中。

技术领域

本公开涉及用于EUV光刻的膜组件和颗粒捕集器设计。

背景技术

光刻设备是一种将所需的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备能够用于例如集成电路(IC)的制造中。在所述实例中，可以将被替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置用来产生待形成于IC的个别层上的电路图案。这种图案能够被转移至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行这种图案的转移。大体而言，单个衬底将包含被依序图案化的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛地认为是在IC以及其它器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻所制成的特征的尺寸变得更小，光刻变为用于实现小型IC或其它器件和/或结构的更具决定性的因素。

图案打印极限的理论估计能够通过瑞利(Rayleigh)分辨率准则给出，如方程式(1)所示：

其中入是所使用辐射的波长，NA是用以打印所述图案的投影***的数值孔径，k₁是过程依赖调整因子(也被称为瑞利常数)，且CD是已打印特征的特征尺寸(或临界尺寸)。从方程式(1)可见，能够以三种方式来获得特征的最小可打印尺寸的减少：通过缩短曝光波长λ，通过增加数值孔径NA，或通过减少k₁的值。

为了缩短曝光波长且因而减少最小可打印尺寸，已提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在10nm至20nm的范围内(例如，在13nm至14nm的范围内)的波长的电磁辐射。已进一步提出可使用具有小于10nm(例如，在5nm至10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm)的波长的EUV辐射。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。例如，可能的源包括激光产生的等离子体源、放电等离子体源，或基于由电子储存环所提供的同步加速器辐射的源。

光刻设备包括图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。辐射通过所述图案形成装置而被提供、或从所述图案形成装置反射，以在衬底上形成图像。可提供膜组件以保护所述图案形成装置免受空气悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。用于保护所述图案形成装置的所述膜组件可被称为表膜。所述图案形成装置的表面上的污染物能够造成所述衬底上的制造缺陷。所述膜组件可包括边界和跨越所述边界而伸展的膜。

在使用中，例如需要通过安装特征使所述膜相对于所述图案形成装置固定。需要减少由所述安装特征所占据的空间的量。也需要使膜组件在被输送就位以用于安装至所述图案形成装置的同时占据较少空间。也需要减少污染物颗粒到达介于所述膜与所述图案形成装置之间的区的可能性。

发明内容

根据本公开的一方面，提供一种用于EUV光刻的膜组件，所述膜组件包括：平面膜；边界，所述边界配置成保持所述膜；和框架组件，所述框架组件连接至所述边界且配置成以可释放方式附接至用于EUV光刻的图案形成装置，其中所述框架组件包括回弹性构件；其中所述框架组件沿着与膜的平面垂直的方向连接至所述边界，使得在使用中所述框架组件位于所述边界与所述图案形成装置之间。

根据本公开的一方面，提供一种用于EUV光刻的图案形成装置组件，所述图案形成装置组件包括：平面图案形成装置；从所述图案形成装置突起的至少一个突起部；和前述权利要求中任一项的膜组件，所述框架组件经由至少一个突起部而连接至所述图案形成装置；其中所述至少一个突起部位于所述边界与所述图案形成装置之间。

根据本公开的一方面，提供一种用于EUV光刻的膜组件，所述膜组件包括：平面膜；和框架组件，所述框架组件被配置成保持所述膜且附接至用于EUV光刻的图案形成装置；其中所述框架组件具有：锁定状态，在所述锁定状态中，所述框架组件被锁定至图案形成装置使得所述膜被保持成与图案形成装置相距预定距离；和解锁状态，在所述解锁状态中，所述膜与图案形成装置相距小于所述预定距离。

根据本公开的一方面，提供一种用于EUV光刻的图案形成装置组件，所述图案形成装置组件包括：用于EUV光刻的平面图案形成装置；膜组件，所述膜组件包括：平面膜；和框架组件，所述框架组件被配置成保持所述膜并且附接至所述图案形成装置，其中在所述框架组件与所述图案形成装置的相对置表面之间形成间隙；其中所述框架组件包括伸长挡板，所述伸长挡板配置成限制污染物颗粒进入所述间隙，其中所述伸长挡板在超出所述图案形成装置的平面范围的位置处延伸超出所述图案形成装置的所述相对置表面。

根据本公开的一方面，提供一种用于EUV光刻的图案形成装置组件，所述图案化器件组件包括：平面图案形成装置；膜组件，所述膜组件包括平面膜和边界，所述边界配置成保持所述膜；至少一个突起部，所述至少一个突起部从所述图案形成装置和所述边界之一中突起，其中所述至少一个突起部介于所述边界与所述图案形成装置之间：和框架组件，所述框架组件连接至所述图案形成装置和所述边界中的另一个，其中所述框架组件配置成附接至介于所述边界与所述图案形成装置之间的所述至少一个突起部。

根据本公开的一方面，提供一种用于暂时容纳安装到用于EUV光刻的图案形成装置上的膜组件的装载设备，所述装载设备包括位于所述装载设备的内表面处的突起部，其中所述突起部配置成当所述装载设备容纳所述膜组件时将所述膜组件的膜保持器朝向所述图案形成装置挤压。

根据本公开的一方面，提供一种图案形成装置，所述图案形成装置包括所述图案形成装置的具有第一表面的第一结构、所述图案形成装置的具有第二表面的第二结构(其中第一表面与第二表面彼此相对)，以及形成于第一表面上且与第二表面相对置的捕集器，所述捕集器包括多个挡板。间隙形成于相对置的第一表面与第二表面之间。

根据本公开的一方面，提供一种设备，所述设备包括所述图案形成装置的具有第一表面的第一结构、所述图案形成装置的具有第二表面的第二结构，和形成于所述第一表面与所述第二表面之间的间隙。所述装置还包括附接至所述第一表面的第一捕集器，其中所述第一捕集器包括从所述第一表面突起的多个挡板。

根据本公开的一方面，提供一种设备，所述设备包括配置成约束污染物颗粒的捕集器。捕集器形成于所述设备的表面上并且包括从所述表面突起的多个挡板。

附图说明

现将参见示意性附图仅作为示例来描述本公开的实施例，附图中对应的参考符号指示对应零件，且附图中：

图1图示根据本公开的实施例的光刻设备；

图2是所述光刻设备的较详细视图：

图3以横截面示意性地图示根据本公开的实施例的膜组件的部分；

图4至图6以平面图示意性地图示使用根据本公开的实施例的膜组件的锁定机构的阶段；

图7至图10以横截面示意性地图示根据本公开的不同实施例的膜；

图11至图14以横截面示意性地图示安装根据本公开的实施例的膜组件的过程的各种阶段，其中所述膜组件正在被安装到图案形成装置上；

图15以横截面示意性地图示装载设备中的根据本公开的实施例的膜组件；

图16和图17以横截面示意性地图示从装载设备移除的根据本公开的实施例的膜组件；

图18以横截面示意性地图示位于根据本公开的实施例的膜组件与图案形成装置之间的间隙；和

图19以横截面示意性地图示根据本公开的实施例的膜组件。

图20A至图20C以横截面示意性地图示根据本公开的各种实施例的形成于图案形成装置上的间隙颗粒捕集器90。

图21A至图21D以横截面示意性地图示根据本公开的各种实施例的形成于图案形成装置上的间隙颗粒捕集器的各种配置。

图22A和图22B以横截面示意性地图示根据本公开的各种实施例的形成于图案形成装置上的表面颗粒捕集器。

图23A和图23F以横截面示意性地图示根据本公开的各种实施例的形成于图案形成装置上的表面颗粒捕集器的各种配置。

图24A和图24B以平面图示意性地图示根据本公开的各种实施例的形成于图案形成装置上的表面颗粒捕集器。

具体实施方式

图1示意性地图示根据本公开的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述设备100包括：

-照射***(或照射器)IL，配置成用以调节辐射束B(例如，EUV辐射)；

-支撑结构(例如，掩模台)MT，构造成用以支撑图案形成装置(例如，掩模或掩模版)MA，并且与配置成准确地定位所述图案形成装置的第一定位装置PM相连接；

-衬底台(例如，晶片台)WT，构造成用以保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且与配置成准确地定位所述衬底的第二定位装置PW相连接；和

-投影***(例如，反射式投影***)PS，配置成用以将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

所述照射***可包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构MT以取决于所述图案形成装置的取向、所述光刻设备的设计以及诸如例如所述图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持所述图案形成装置。所述支撑结构MT能够使用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保所述图案形成装置位于所需的位置处(例如相对于所述投影***PS)。

术语“图案形成装置”应被广泛地解释为表示能够用以利用图案在辐射束的横截面中赋予辐射束B以便在所述衬底W的目标部分C中产生图案的任何装置。被赋予辐射束B的图案可与在所述目标部分C中产生的装置中的特定的功能层相对应，诸如集成电路。

所述图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程液晶显示器(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜能够个别地/独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜在由所述反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

0039类似于所述照射***IL，所述投影***PS可包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空的其他因素所适合的。可能需要将真空用于EUV辐射，这是因为其它气体可吸收过多辐射。因此，可借助于真空壁和真空泵向整个束路径提供真空环境。

如此处所示，所述设备100是反射型(例如，运用反射掩模)。

所述光刻设备100可以是具有两个(“双平台”)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多个支撑结构MT)的类型。在这种“多平台”光刻设备中，可以并行地使用额外的衬底台WT(和/或额外的支撑结构MT)，或可在一个或更多个衬底台WT(和/或一个或更多个支撑结构MT)上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT(和/或一个或更多个其它支撑结构MT)用于曝光。

参见图1，所述照射***IL接收来自所述源收集器模块SO的极紫外辐射束。产生EUV光的方法包括(但不必限于)将材料转换成等离子体状态，该材料具有在EUV范围中具备一个或更多个发射线的至少一种元素，例如氙、锂或锡。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，所需的等离子体能够通过利用激光束照射燃料来产生，燃料诸如具有所需的发射线元素的材料的液滴、束流或簇团。源收集器模块SO可以是包括用于提供用于激发燃料的激光束的激光器(在图1中未示出)的EUV辐射***的一部分。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，所述辐射通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。所述激光器和所述源收集器模块SO可以是分立的实体，例如当使用CO₂激光器提供激光束用于燃料激发时。

在这种情况下，所述激光器不被认为形成所述光刻设备100的一部分，并且，借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递***，所述辐射束B被从所述激光器传递至所述源收集器模块SO。在其他情况下，所述源可以是源收集器模块SO的整合部分，例如当所述源是放电产生等离子体EUV产生器，通常称为DPP源。

照射***IL可以包括用于调节所述辐射束的角度强度分布的调节器。通常，能够对所述照射***IL的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射***IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。可以将所述照射***IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束入射到被保持在所述支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上并且由所述图案形成装置MA来形成图案。在从所述图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，所述辐射束B通过所述投影***PS，所述投影***PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。借助于所述第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)，能够精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，能够将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位所述图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准所述图案形成装置(例如，掩模)MA和所述衬底W。

控制器500控制所述光刻设备的总体操作，且尤其是执行下文进一步描述的操作过程。控制器500能够被实施为合适地编程的通用目的计算机，所述通用目的计算机包括中央处理单元、易失性和非易失性储存装置、一个或更多个输入输出装置(诸如键盘和屏幕)、一个或更多个网络连接，以及至所述光刻设备100的各个部分的一个或更多个接口。应了解，控制计算机与光刻设备100之间的一对一关系不是必须的。在本公开的实施例中，一个计算机能够控制多个光刻设备100。在本公开的实施例中，多个网络计算机能够用于控制一个光刻设备100。所述控制器500也可以被配置成控制光刻单元(lithocell)或簇(cluster)中的一个或更多个相关联的加工装置和衬底处置装置，所述光刻设备100形成所述光刻单元或簇的一部分。所述控制器500也能够配置成附属于光刻单元或簇的监控***和/或工厂车间(fab)的总控制***。

图2更详细地示出所述光刻设备100，包括所述源收集器模块SO、所述照射***IL以及所述投影***PS。发射EUV辐射的等离子体210可以由等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸汽(例如，氙气、锂蒸汽或锡蒸汽)产生，其中产生了发射辐射的等离子体210以发射在电磁波谱的EUV范围内的辐射。在一个实施例中，被激发的锡(Sn)的等离子体被提供以产生EUV辐射。

由发射辐射的等离子体210所发射的辐射被从源腔室211传递到收集器腔室212中。所述收集器腔212可以包括辐射收集器CO。横穿过所述辐射收集器CO的辐射能够被聚焦在虚拟源点IF。所述虚拟源点IF通常称为中间焦点，并且所述源收集器模块SO布置成使得所述虚拟源点IF位于包围结构220的开口221处或附近。所述虚拟源点IF是发射辐射的等离子体210的像。随后所述横穿过所述照射***IL，所述照射***IL可以包括布置成在所述图案形成装置MA处提供未图案化束21的期望的角分布以及在所述图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性的琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24。在未图案化束21在由所述支撑结构MT保持的所述图案形成装置MA处反射时，图案化的束26被形成，并且图案化的束26由所述投影***PS经由反射元件28、30成像到由所述衬底台WT所保持的衬底W上。

在所述照射***IL和所述投影***PS中通常可以存在比示出的元件更多的元件。此外，可以存在比图中示出的反射镜更多的反射镜，例如在所述投影***PS中可以存在在图2中示出的元件以外的1-6个额外的反射元件。

替代地，所述源收集器模块SO可以是LPP辐射***的一部分。

0051如图1中所示，在一个实施例中，所述光刻设备100包括照射***IL和投影***PS。所述照射***IL被配置成发射辐射束B。所述投影***PS通过介入空间(interveningspace)与衬底台WT分离开。所述投影***PS被配置成将赋予所述辐射束B的图案投影到所述衬底W上。所述图案用于所述辐射束B的EUV辐射。

可以至少部分抽空介入于所述投影***PS与所述衬底台WT之间的空间。能够在所述投影***PS的位置处由固体表面限定所述介入空间，所运用的辐射被从所述固体表面朝向所述衬底台WT引导。

在一个实施例中，所述光刻设备100包括动态气锁。所述动态气锁包括膜组件80。在一个实施例中，所述动态气锁包括由位于所述介入空间中的膜组件80覆盖的中空部分。所述中空部分位于所述辐射的路径周围。在一个实施例中，所述光刻设备100包括鼓风机，所述鼓风机被配置成利用气流冲刷所述中空部分的内部。所述辐射行进通过所述膜组件，之后照射到所述衬底W上。

在一个实施例中，所述光刻设备100包括膜组件80。如上文所解释，在一个实施例中，所述膜组件80用于动态气锁。在这种情况下，所述膜组件80充当用于对DUV辐射进行滤光的滤光器。另外地或替代地，在一个实施例中，所述膜组件80是用于EUV光刻的所述图案形成装置MA的表膜。本公开的所述膜组件80能够用于动态气锁或用于表膜或用于另一目的，诸如光谱纯度滤光器(spectral purity filter)。在一个实施例中，所述膜组件80包括膜40，所述膜也可称作膜叠层。在一个实施例中，所述膜被配置成透射入射EUV辐射的至少80％。

在一个实施例中，所述膜组件80被配置成密封所述图案形成装置MA以保护所述图案形成装置MA免受空气悬浮颗粒和其他形式的污染物影响。所述图案形成装置MA的表面上的污染物可造成所述衬底W上的制造缺陷。例如，在一个实施例中，所述表膜被配置成减少颗粒可能迁移到所述光刻设备100中的所述图案形成装置MA的步进场中的可能性。

如果所述图案形成装置MA没有受到保护，则污染物可能要求清洁或舍弃所述图案形成装置MA。清洁所述图案形成装置MA会中断宝贵的制造时间，并且舍弃所述图案形成装置MA是成本高的。更换所述图案形成装置MA也会中断宝贵的制造时间。

图3以横截面示意性地图示根据本公开的实施例的膜组件80的部分。所述膜组件80用于EUV光刻。所述膜组件80包括膜40。所述膜40发射EUV辐射。当然，所述膜40可不具有100％的EUV辐射的发射率。然而，所述膜可具有例如至少50％的发射率。如图3中所示，在一个实施例中，所述膜40实质上是平面的。在一个实施例中，所述膜40的平面实质上平行于所述图案形成装置MA的平面。

例如，所述膜组件80具有诸如正方形、圆形或矩形的形状。所述膜组件80的形状不受具体限制。所述膜组件80的尺寸不受具体限制。例如，在一个实施例中，所述膜组件80具有在约100mm至约500mm的范围内(例如，约200mm)的直径。

如图3中所示，在一个实施例中，所述膜组件80包括边界81。所述边界81被配置成保持所述膜40。所述边界81对所述膜40提供机械稳定性。所述边界81被配置成减少所述膜40变形偏离其平面形状的可能性。在一个实施例中，在所述膜40的制造期间将预张力施加至所述膜40。所述边界81被配置成维持所述膜40中的张力使得所述膜40在所述光刻设备100的使用期间不具有起伏形状。在一个实施例中，所述边界81沿着所述膜40的周边/周界而延伸。所述膜40的外周缘被定位于所述边界81的顶部上(根据图3的视图)。所述边界81可至少部分地由从制造所述膜组件80的过程剩下的所述膜40的部分形成。因此，所述边界81可能并非是来自所述膜40的分离部件。

所述边界81的厚度并不受具体限制。例如，在一个实施例中，所述边界81的厚度是至少300μm，视情况至少400μm。在一个实施例中，所述边界81的厚度是至多1000μm，视情况至多800μm。在一个实施例中，所述边界81的宽度是至少1mm、视情况至少2mm、视情况至少4mm。在一个实施例中，所述边界81的宽度是至多10mm、视情况至多5mm、视情况至多4mm。

如图3中所示，在一个实施例中，所述膜组件80包括框架组件50。所述框架组件50被连接至所述边界81。在一个实施例中，所述框架组件50包括与所述边界81相接触的框架表面。在一个实施例中，所述框架组件50最初被制造为与所述边界81分离的部件并且随后连接至所述边界81。例如，可一起制造所述膜40与所述边界81的组合，而可分离地制造所述框架组件50。在后续制造步骤中，可将所述框架组件50附接至或固定至所述边界81。

在一个实施例中，所述框架组件50的宽度是至少2mm、视情况至少5mm、视情况至少8mm。在一个实施例中，所述框架组件50的宽度是至多20mm、视情况至多10mm、视情况至多8mm。

在一个实施例中，所述框架组件50包括框架51。所述框架51是所述框架组件50的与所述边界81相连接的部分。在一个实施例中，所述框架51由与所述边界81相同的材料制成。例如，在一个实施例中，所述边界81和所述框架51两者由包括硅的材料制成。在一个实施例中，所述边界81由硅制成。在一个实施例中，所述框架51由硅制成。在一个实施例中，所述边界81的热膨胀实质上匹配所述框架51的热膨胀。在一个实施例中，通过粘合剂将所述框架51附接至所述边界81。在一个实施例中，所述粘合剂的热膨胀实质上匹配所述框架51和/或边界81的热膨胀。

如图3中所示，所述框架组件50被配置成附接到所述图案形成装置MA。在一个实施例中，所述框架组件50包括被配置成与所述图案形成装置MA相接触的框架表面。所述框架组件50用于保持所述膜40相对于所述图案形成装置MA的位置。尽管参考所述图案形成装置MA来描述了实施例，但本公开同样适用于与除图案形成装置MA以外的不同部件相连接的膜组件80。

在一个实施例中，所述框架组件50沿着与所述膜40的平面垂直的方向而被连接至所述边界81。这在图3中示出。在图3中，所述膜40的平面从左至右延伸并且延伸至纸张中以及延伸出纸张。与所述膜40的平面垂直的所述方向对应于图3中的竖直(即，上下)方向。所述框架组件50被连接至所述边界81正下方。所述边界81和所述框架组件50在图3中沿竖直方向对准。在一个实施例中，介于所述边界81与所述框架组件50之间的界面实质上是与所述膜40的平面平行的平面。

在一个实施例中，所述膜组件80被配置成能够从所述图案形成装置MA移除。这种情况允许发生所述图案形成装置MA的中间检测。在一个实施例中，所述框架组件50被配置成重复地附接至所述图案形成装置MA并且从所述图案形成装置MA拆卸。

在使用中，所述框架组件50介于所述边界81与所述图案形成装置MA之间。这种布置不同于所述框架组件被从所述边界径向地向外定位的布置。预期到本公开的实施例实现用来将所述膜40相对于所述图案形成装置MA保持于适当位置所需的围绕所述膜40的空间减少。

0068根据对比的实例，膜组件具有从所述边界径向地向外的框架组件。需要使所述框架组件在径向方向上可触及以便将所述框架组件附接至所述图案形成装置/从所述图案形成装置拆卸所述框架组件。可需要约16mm的空间用于容纳所述边界、所述框架组件和用于触及/进入所述框架组件的空间。

与所述框架组件50位于所述边界81下方的实施例相比，由此减少用以容纳所述边界81和所述框架组件50所需的径向空间。例如，在一个实施例中，用以容纳所述边界81、所述框架组件50和用于触及/进入所述框架组件50的所述径向空间为约12mm。

本公开的实施例想要实现用于安装特征的所述图案形成装置MA的区域中所需空间的减少。安装特征是用以将所述膜组件80安装到所述图案形成装置MA上的特征。在一个实施例中，安装特征被设置于所述边界81与所述图案形成装置MA之间。这在图3中示出，并且将在下文进行进一步详细解释。

在一个实施例中，所述框架组件50包括至少一个孔52。在一个实施例中，所述孔52是所述框架组件50的所述框架51内的空腔或腔室或开口。所述孔52被配置成接纳突起部(例如，销柱60)。所述销柱60从所述图案形成装置MA突起。在替代实施例中，所述框架组件50被永久地附接到所述图案形成装置MA，并且所述销柱60从所述膜组件80的所述边界81突起。

0072图3示出固定到所述图案形成装置MA的销柱60。在一个实施例中，使用粘合剂将所述销柱60胶合至所述图案形成装置MA上。替代地，所述销柱60可与所述图案形成装置MA整体地形成。作为另一替代方案，最初可将销柱60制造为与所述图案形成装置MA分离的部件，并且随后使用不同于粘合剂的机构(例如，螺钉)将所述销柱固定至所述图案形成装置MA。

所述销柱60和所述孔52是安装特征。在一个实施例中，所述销柱60和所述孔52被设置于所述边界81与所述图案形成装置MA之间。这种布置不同于所述安装特征从所述边界81径向地向外定位的先前已知布置。

如图3中所示，在一个实施例中，当在与所述膜40的平面垂直的方向上观看时，所述孔52与所述边界81至少部分地重叠。这在图3中示出，其中当在竖直方向上观看时，所述孔52与所述边界81部分地重叠。查看图3，可绘制延伸通过所述边界81和所述孔52两者的竖直线。

在一个实施例中，所述框架组件50包括锁定机构55。所述锁定机构55被配置成将所述框架组件50锁定至销柱60。在一个实施例中，所述锁定机构55包括回弹性构件53。在一个实施例中，所述锁定机构55包括用于每个孔52的回弹性构件53。在一个实施例中，所述框架组件50包括多个孔52，例如，两个、三个、四个或更多个孔52。每个孔52对应地设置回弹性构件53。

如图3中所示，在一个实施例中，所述回弹性构件53包括弹簧。例如，弹簧可以是盘簧或片簧。在替代实施例中，所述回弹性构件53包括诸如橡胶的回弹性材料。在替代实施例中，所述回弹性构件53包括挠曲件。可使用例如放电机加工工艺来加工所述挠曲件。

图4至图6示意性地图示所述锁定机构55的使用阶段。图4至图6以平面图示出。图4图示初始状态，其中所述框架组件50被定位于所述销柱60上方使得所述销柱60被接纳于所述孔52中。所述回弹性构件53并未被压缩。如图4中所示，所述回弹性构件53延伸到孔52中。因此，当所述销柱60被容纳于所述孔52中时，所述销柱60能够与所示回弹性构件53相接触。所述回弹性构件53被配置成当接纳于所述孔52中的销柱60在所述膜40的平面内的方向上挤压抵靠所述回弹性构件53时是可变形的(例如可压缩的)。例如，在图4中，所述销柱60能够在所述图中向右的方向上挤压抵靠所述回弹性构件53。

如图3至图6中所示，在一个实施例中，所述锁定机构55包括用于每个孔52的锁定构件54。所述锁定构件54被配置成能够移动至锁定位置，在所述锁定位置中，所述锁定构件54延伸到孔52中。在锁定位置中，受压缩的回弹性构件53朝向所述锁定构件54施力于所述孔52中所接纳的所述销柱60上。这在从图4至图6的序列中示出。

如从图4至图5的过渡中所示，所述销柱60与所述框架组件50相对于彼此而移动使得所述销柱60挤压抵靠所述回弹性构件53。所述销柱60压缩所述回弹性构件53，如图5所示。

如从图5至图6的过渡中所示，锁定构件54移动至所示锁定位置，在所述锁定位置，所述锁定构件54延伸到孔52中。例如，如图4至图6所示，在一个实施例中，所述框架组件50包括至少一个锁定孔隙56。所述锁定构件54穿过所述锁定孔隙56。

图6示出处于所述锁定位置的所述锁定构件54。所述回弹性构件53沿所述锁定构件54的方向施力于所述销柱60上。在图5所示情形中，需要将外力施加于所述框架组件50上和/或所述销柱60上从而使得所述销柱60压缩所述回弹性构件53。一旦所述锁定构件54处于锁定位置(例如，如图6所示)，不再有必要施加外力。这是因为所述锁定构件54将所述销柱60和所述框架组件50相对于互相保持就位。如上文所解释，所述销柱60被定位于所述边界81下方，而不是从所述边界81径向地向外。这可能需要介于所述图案形成装置MA与所述膜40之间的距离(也被称为相距距离)增大。介于所述图案形成装置MA的表面与所述膜40之间的距离实质上对应于所述框架组件50与所述边界81的组合高度。在一个实施例中，所述框架组件50与所述边界81的30组合高度是至少1mm、至少2mm，和视情况至少5mm。在一个实施例中，所述框架组件50与所述边界81的组合高度是至多20mm、视情况至多10mm，和视情况至多5mm。

在一个实施例中，所述回弹性构件53包括由诸如不锈钢的材料制成的弹簧。在一个实施例中，所述回弹性构件53被连接至由与回弹性构件53不同的材料制成的接触垫57。例如，所述接触垫57可由与所述销柱60和/或所述锁定构件54相同的材料制成。在一个实施例中，接触垫57包括钛。在一个实施例中，所述锁定构件54包括钛。在一个实施例中，所述销柱60包括钛。已知钛提供延展性接触。然而，在替代实施例中，其它材料能够用于所述接触垫57、所述销柱60和所述锁定构件54。

如图4至图6所示，在一个实施例中，在平面图中所述孔52的横截面积大于所述销柱60的横截面积。所述孔52相对于销柱60而言是尺寸过大的。在一个实施例中，所述回弹性构件53被设置成抵住端部止动件(图中未示出)。当在平面图中观看时，所述回弹性构件53突伸至孔52中(如图4所示)。因此，所述回弹性构件53有效地减少在平面图中所述孔52的横截面积。所述孔52的剩余横截面尺寸大于所述销柱60的尺寸。因此，当所述框架组件50在所述销柱60上方竖直地移动时能够将所述销柱60接纳至所述孔52中。所述框架组件50被侧向地推动抵靠所述回弹性构件53，从而使得所述回弹性构件53向内偏转。将所述锁定构件54安置成防止所述框架组件50向后弯曲。在一个实施例中，所述锁定构件54是销钉。能够从侧面或从顶部将所述锁定构件54***。在已***所述锁定构件54之后，将所述框架组件50锁定至所述图案形成装置MA。

在一个实施例中，所述框架组件50包括围绕所述框架组件50均匀地分布的四个孔52。在一个实施例中，所述框架组件50具有与所述边界81类似的形状，该形状沿循所述膜40的周边。图3图示从所述孔52径向地向内的所述回弹性构件53。然而，情况未必一定如此。所述回弹性构件53可从所述孔52径向地向外，或相对于所述孔52既不径向地向内也不径向地向外。孔52被定位于所述回弹性构件53与所述锁定构件54之间。

在一个实施例中，回弹性构件53在所述膜组件80的一侧处从孔52径向地向内，而另一回弹性构件53在膜组件80的相对侧处从另一孔52径向地向外。在所述膜组件80相对于所述图案形成装置MA的一次移动的情况下，这允许位于所述图案形成装置MA的相对两侧处的销柱60压缩两个回弹性构件52。在一个实施例中，所述膜组件80被配置成使得在所述膜组件80相对于所述图案形成装置MA的一次移动的情况下，接纳于对应孔52中的所有销柱60压缩对应回弹性构件52。

如图4至图6中所示，在一个实施例中，所述锁定构件54被设置为松散零件。在一个替代实施例中，在如果所述锁定构件54能够滑动到所述锁定位置的情况下，所述锁定构件可被形成为与所述框架组件50的其余部分成为整体。

在一个实施例中，所述销柱60具有至少1mm、视情况至少2mm，和视情况至少3mm的直径(在平面图中)。在一个实施例中，所述销柱60具有至多10mm、视情况至多5mm，和视情况至多3mm的直径。

如上文所解释，在一个实施例中，当回弹性构件53未被压缩时，所述回弹性构件53延伸到所述孔52中。在一个实施例中，所述回弹性构件53延伸到所述孔52中的距离达至少0.1mm、视情况至少0.2mm和视情况至少0.5mm。在一个实施例中，所述回弹性构件53延伸到所述孔52中的距离达至多2mm、视情况至多1mm、和视情况至多0.5mm。

如上文所提及，所述孔52具有比所述销柱60的直径更大的直径。在一个实施例中，所述孔的直径比所述销柱60的直径大至少0.2mm、视情况比所述销柱60的直径大至少0.5mm，和视情况比所述销柱60的直径大至少1mm。在一个实施例中，所述孔52的直径比所述销柱60的直径大至多5mm、视情况比所述销柱60的直径大至多2mm，和视情况比所述销柱60的直径大至多1mm。在一个实施例中，所述锁定构件54具有至少1mm、视情况至少2mm，和视情况至少4mm的长度。

在一个实施例中，所述锁定构件54具有至多10mm、视情况至多5mm，和视情况至多4mm的长度。在一个实施例中，所述锁定构件54具有至少0.2mm、视情况至少0.5mm，和视情况至少1mm的宽度。在一个实施例中，所述锁定构件54具有至多5mm、视情况至多2mm，和视情况至多1mm的宽度。

预期到本公开的实施例实现用于将构件组件80附接至所述图案形成装置MA/从所述图案形成装置MA拆卸构件组件80所需的工具加工步骤的减少。

图7以横截面示意性地图示根据本公开的实施例的膜40。如图7中所示，所述膜40包括叠层。所述叠层包括多个层。

在一个实施例中，所述叠层包括至少一个硅层41。所述硅层41包括一种形式的硅。在一个实施例中，所述叠层包括至少一个硅化合物层43。所述硅化合物层43由硅和选自包括硼、磷、溴和硫的组中的另一元素的化合物制成。然而，也可使用其它元素。特别地，在一个实施例中，与硅组合以形成硅化合物层43的元素是能够用作用于掺杂所述硅层41的掺杂剂材料的任何元素。仅仅为便利起见，将描述其中硼作为与硅组合的元素的实施例。实施例并不限于元素是硼。

在一个实施例中，硅化合物层43包括硼化硅。硼化硅具有化学式SiBx，其中x可以是3、4、6、14、15、40等。硼化硅具有金属性质。特别地，硅化合物层43具有金属的性质使得其增加对于膜40的EUV辐射的发射率。仅由硅层41制成的膜将会具有低发射率，或许为大约3％。如果将金属或具有金属性质的化合物添加至所述膜40，则发射率显著地增大。

已知由于EUV吸收使得金属限制了所述膜的实际厚度。通过设置所述硅膜层43，预期到本公开的实施例实现具有足够发射率以供用于光刻设备100中的膜40的可能厚度增大。

如图7中所示，在一个实施例中，硅化合物层43被形成为介于所述硅层41与非金属层42之间的夹层，所述非金属层包括与硅相组合以形成所述硅化合物层43的元素。例如，在一个实施例中，所述非金属层42包括硼。在一个实施例中，以碳化硼的形式提供硼。然而，能够使用硼的替代形式。

在一个实施例中，所述硅层41初始地被设置成邻近于所述非金属层42。非金属层42中的硼局部地掺杂所述硅层41中的硅。硼与硅掺杂，达到产生硼化硅以形成所述硅化合物层43的程度。硼与硅掺杂，使得在掺杂硅中硼原子多于硅原子，即，形成硼化硅。

在一个实施例中，硅层41和非金属层42被设置为多层。局部地，硅化硼能够增强所述膜40(通过层合效应并且通过对于硅中的硼进行辐射硬化)，使得所述膜40能够耐受较高温度。

如图7中所示，在一个实施例中，所述叠层包括多个硅层41、多个非金属层42、以及介于每对硅层41与非金属层42之间的硅化合物层43。

如图7中所示，在一个实施例中，所述叠层包括按下列次序的层：非金属层42、硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43、非金属层42、硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43、非金属层42、硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43和非金属层42。这是多层叠层。在一个实施例中，所述叠层可包括非金属层42，以及接着的一组四层的重复循环，所述一组四层包括硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43和非金属层42。

在一个实施例中，每个非金属层42具有至少0.5nm、视情况至少1nm，和视情况至少2nm的厚度。在一个实施例中，每个非金属层42具有至多10nm、视情况至多5nm，和视情况至多2nm的厚度。

在一个实施例中，每个硅化合物层43具有至少0.5nm、视情况至少1nm，和视情况至少2nm的厚度。在一个实施例中，每个硅化合物层43具有至多10nm、视情况至多5nm，和视情况至多2nm的厚度。

在一个实施例中，每个硅层41具有至少2nm、视情况至少5nm，和视情况至少8nm的厚度。在一个实施例中，每个硅层41具有至多20nm、视情况至多10nm，和视情况至多8nm的厚度。

图7中所示的具有8nm厚度的硅层41、2nm厚度的非金属层42、和2nm厚度的硅化合物层43的实施例预期实现对EUV辐射的约90％的发射率。

图8图示了一个替代实施例，其中叠层包括按下列次序的层：非金属层42、硅化合物层43、硅层41、硅化合物层43和非金属层42。

如图8中所示，在一个实施例中，所述膜40包括仅一个硅层41。在这种实施例中，所述硅层41能够具有至少10nm、视情况至少20nm，和视情况至少38nm的厚度。在一个实施例中，单个硅层41能够具有至多100nm、视情况至多50nm，和视情况至多38nm的厚度。图8中所示且具有38nm厚度的硅层41、4nm厚度的非金属层42、和2nm厚度的硅化合物层43的实施例预期实现对EUV辐射的约90％的发射率。

在一个实施例中，所述叠层中的硅化合物层43的总组合厚度是至多约20nm。在如果组合厚度不太厚的情况下，金属和具有金属性质的化合物改善了所述膜40的发射率。对于过厚的金属或具有金属性质的化合物的层，所述发射率可被减少。

图9示意性地图示了膜40的替代实施例。如图9中所示，在一个实施例中，所述叠层包括至少一个硅层41、至少一个盖帽层46和至少一个抗迁移层47。在一个实施例中，所述盖帽层46包括钌。所述盖帽层46被设置于所述膜40的外表面处。所述抗迁移层47包括钼和钛中的至少一种。所述抗迁移层47邻近于每个盖帽层46。

包括钌的所述盖帽层46改善了所述膜40的发射率。所述盖帽层46减少了所述膜40氧化的可能性。所述盖帽层46被配置成保护所述膜40免受氢气影响。

在使用所述光刻设备100期间，所述膜40能够由于吸收辐射而变热。当所述盖帽层46变热时，所述盖帽层46的材料(例如，钌)能够迁移。所述迁移是由所述盖帽层46中的离子的逐渐移动造成的材料的输送。当材料开始迁移时，该材料能够在所述盖帽层46中形成岛状物。当所述材料开始迁移时，减少了盖帽层46在减少氧化、保护免受氢气影响和改善发射率方面的有效性。因此，在使用所述光刻设备100期间，所述膜40能够开始氧化且发射率能够降低。

通过设置所述抗迁移层47，减少了所述盖帽层46的迁移。钼和钛是具有相对高的熔融温度和对于UV辐射的良好发射率的金属。钛和钼在它们被加热时并不迁移得与钌同样多。钛和钼具有与钌的良好的金属间接触。通过邻近于所述盖帽层46设置所述抗迁移层47，减少了所述盖帽层46的迁移。结果，即使当在使用所述光刻设备100期间加热所述盖帽层46时，在较高温度下也保留所述盖帽层46的良好性质。

如图9中所示，在一个实施例中，所述叠层包括按以下次序的层：位于膜40的外表面处的包括钌的盖帽层46、包括钼和钛中的至少一种的抗迁移层47、硅层41、包括钼和钛中的至少一种的抗迁移层47，以及位于所述膜40的另一外表面处的包括钌的盖帽层46。在一个实施例中，包括钌的盖帽层46被设置于所述膜40的两个外表面处。

图10图示了膜的替代实施例，其中将抗迁移层47的使用与使用硅化合物层43的构思相组合。

如图10中所示，在一个实施例中，叠层包括按以下次序的层：位于所述膜40的外表面处的包括钌的盖帽层46、包括钼及钛中的至少一种的抗迁移层47、硅层41、硅化合物层43、和非金属层42。

在所述膜组件80的制造期间，碳化硼层能够以化学方式保护所述硅层41免受蚀刻工艺影响。在一个实施例中，所述膜40包括周期性结构。在一个实施例中，周期不被设定为等于6.6nm或6.7nm。如果所述周期处于或接近6.7nm，则所述膜可充当用于EUV辐射的反射镜。

硅能够在金刚石立方晶体结构中结晶。在一个实施例中，所述边界81包括硅的立方晶体。在一个实施例中，所述边界81具有<100>晶向。

在一个实施例中，所述硅层41由多晶硅或纳米晶硅形成。多晶硅或纳米晶硅具有脆性性质。因此，包括由多晶硅或纳米晶硅所形成的硅层41的膜40可在所述膜组件80断裂时粉碎成许多颗粒。预期到本公开的实施例实现所述膜组件80的机械性质的改善。

多晶硅和纳米晶硅各自具有对于EUV辐射的高透射率。多晶硅和纳米晶硅各自具有良好的机械强度。然而，使所述硅层41的所述膜由多晶硅或纳米晶硅形成并非是必需的。例如，在替代实施例中，所述硅层41由多晶格膜或氮化硅形成。

在另一替代实施例中，所述硅层41由单晶硅形成。在这种实施例中，单晶硅膜能够由绝缘体上硅(SOI)技术形成。用于这种产品的起始材料是所谓的SOI衬底。SOI衬底是包括硅载体衬底的衬底，其中在内埋式隔离SiO2层的顶部上具有薄的单晶硅层。在一个实施例中，单晶硅层的厚度可在约5nm至约5μm之间的范围内。在一个实施例中，在所述SOI衬底用于制造方法中之前，所述硅层41存在于所述SOI衬底上。

在一个实施例中，所述硅层41包括呈其同素异形体的形式之一的硅，诸如非晶硅、单晶硅、多晶硅或纳米晶硅。纳米晶硅意思是包含某非晶硅成分的多晶硅基质。在一个实施例中，多晶硅或纳米晶硅通过使所述硅层41中的非晶硅结晶而形成。例如，在一个实施例中，将硅层41作为非晶硅层添加至所述叠层。当超过某一温度时，所述非晶硅层结晶成多晶硅层或纳米晶硅层。例如，作为非晶硅层的所述硅层41变换成作为多晶硅层或纳米晶硅层的硅层41。

在一个实施例中，所述非晶硅层在其生长期间被原位掺杂。在一个实施例中，所述非晶硅层在其生长之后被掺杂。通过添加p型或n型掺杂剂，硅导电性增加，这由于所述EUV源的功率而对热力学行为具有积极影响。

在一个实施例中，所述膜40足够薄以使得其对于EUV辐射的透射率足够高，例如大于50％。在一个实施例中，所述膜40的厚度是至多约200nm，和视情况至多约150nm。150nm的Si膜将会透射约77％的入射EUV辐射。在一个实施例中，所述膜40的厚度是至多约100nm。100nm的Si膜将会透射约84％的入射EUV辐射。60nm的Si膜将会透射约90％的入射EUV辐射。

在一个实施例中，所述膜40足够厚，以使得当所述膜组件80被固定至所述光刻设备100的所述图案形成装置MA时且在使用所述光刻设备100期间所述膜40是机械地稳固的。在一个实施例中，所述膜40的厚度是至少约10nm，视情况至少约20nm，和视情况至少约35nm。在一个实施例中，所述膜40的厚度为约55nm。

在一个实施例中，所述膜组件80被应用为表膜或应用为动态气锁的部分。替代地，所述膜组件80能够应用于诸如识别的其它过滤领域中，或应用于分束器。

图11以横截面示意性地图示根据本公开的替代实施例的膜组件80。所述膜组件80用于EUV光刻。

所述膜组件80包括平面膜40。图11中仅示出所述膜40的部分。所述膜组件80包括框架组件50。图11示出位于所述膜40的一侧上的所述框架组件50的横截面图。所述框架组件50被配置成保持所述膜40。所述框架组件50被配置成附接至用于EUV光刻的图案形成装置MA。如图11中所示，在一个实施例中，所述框架组件50被配置成经由所述边界81来保持所述膜40。所述膜40和所述边界81的构造可与本文档中所描述的其它实施例中的任一种中相同。

图11至图14示意性地图示将所述框架组件50附接至所述图案形成装置MA的工艺的各种阶段。图13示意性地图示附接至所述图案形成装置MA的所述框架组件50。如图13中所示，在一个实施例中，所述框架组件50具有锁定状态。在锁定状态中，所述框架组件50被锁定至所述图案形成装置MA，从而使得所述膜40被保持与所述图案形成装置MA相距预定距离D1。图13中示出所述预定距离。在与所述膜40的平面和所述图案形成装置MA的平面垂直的方向上测量所述预定距离D1。所述框架组件50由回弹性构件53偏置成锁定状态。

如图14中所示，在一个实施例中，所述框架组件50具有解锁状态。在解锁状态中，所述膜组件50并未被锁定至图案形成装置MA。在解锁状态，所述膜40与图案形成装置MA相距小于预定距离DI。例如，如图14中所示，在解锁状态，所述膜40与所述图案形成装置MA相距解锁状态距离D2。所述解锁状态距离D2小于所述预定距离D1。如从图13与图14之间的比较所示，在解锁状态，所述回弹性构件53被压缩，其中框架组件50的膜保持器58受迫较接近所述图案形成装置MA。

所述膜40用于减轻所述图案形成装置MA的前侧中的任何缺陷。所述膜40减少污染物颗粒到达所述图案形成装置MA的可能性。在一个实施例中，所述膜组件80在装载设备70(图15至图17中所示)中被装载至所述光刻设备100中。如图15至图17中所示，在一个实施例中，所述装载设备70包括用于容纳所述膜40的切断部分。需要使装载设备70尽可能地薄。所述装载没备70的厚度在图15至图17中沿上下方向被示出。

实际上，所述膜40能够在其自有重量的作用下发生下垂。需要使所述膜40避免触及所述装载设备70的内部，以便避免对所述膜40的任何损害。需要使所述膜40是薄的，以便能够透射较高比例的EUV辐射。然而，较薄的膜40倾向于更多地下垂。因此，在所述膜40的薄的程度与所述装载设备70的薄的程度之间存在权衡取舍。

131期望在光刻设备100的使用中存在介于所述膜40与所述图案形成装置MA之间存在大的相隔距离。所述相隔距离是当所述光刻设备100在使用中时介于所述图案形成装置MA与所述膜40之间的距离。因此，仅通过减少介于所述膜40与所述图案形成装置MA之间的相隔距离来增加供膜40下垂的空间并不理想。

替代地，图11至图14中所示的实施例允许在所述膜40在所述装载设备70中被输送的同时将所述膜40暂时地朝向图案形成装置MA按压。例如，图15和图16示出所述膜40处于被朝向所述图案形成装置MA向上按压的暂时状态。这允许所述膜40在不触及所述装载设备70的内部的情况下较多地下垂。同时，图17示出离开所述装载设备70的所述膜组件80。所述膜40不再被朝向所述图案形成装置MA向上按压，从而使得所述膜40与所述图案形成装置MA相距预定距离D1。

因此，预期到本公开的实施例允许在不增加所述装载设备70的厚度的情况下根据较大设计自由度来制造所述膜40(这是因为允许较大程度的下垂)。

如图11中所示，在一个实施例中，所述框架组件50包括回弹性构件53。在一个实施例中，所述回弹性构件53包括预加载弹簧。例如，所述回弹性构件53可以是扭簧或片簧。如图11中所示，在一个实施例中，所述框架组件50包括膜保持器58。所述膜保持器58被配置成保持所述膜40。所述膜保持器58构成所述框架组件50的大部分。所述膜保持器58具有相对于膜40的固定位置。当所述膜保持器58移动时，所述膜40也与所述膜保持器58-起移动。

如图11中所示，在一个实施例中，所述膜保持器58包括端部止动件表面33。端部止动件表面33被配置成接触从图案形成装置MA突起的所述销柱52的锁定表面34。当所述框架组件50处于锁定状态中时，所述膜保持器58的端部止动件表面33与所述销柱52的所述锁定表面34邻接。在一个实施例中，端部止动件表面33处于所述销柱52的所述锁定表面34的顶部上。这不同于其中固定的端部止动件被定位于所述销柱下方的先前已知的机构。根据本公开，能够将所述膜保持器58抵靠所述回弹性构件53而向上按压。

如图11中所示，在一个实施例中，所述框架组件50包括夹持构件59。所述夹持构件59可相对于所述膜保持器58而移动。在一个实施例中，所述框架组件50包括回弹性构件53。所述回弹性构件53将所述膜保持器58连接至所述夹持构件59。所述膜保持器58能够通过回弹性构件53的压缩而相对于所述夹持构件59移动。所述膜保持器58可相对于所述夹持构件59在与所述膜40的平面垂直的方向上移动。

图11图示了所述框架组件50处于初始状态中的时间点。在初始状态中，所述回弹性构件53处于实质上未受压缩的状态。所述框架组件50不能适配于所述销柱52上方，这是因为在所述膜保持器58的所述端部止动件表面33与所述夹持构件59的邻接表面31之间存在不足空间。所述邻接表面31被配置成接触所述销柱52的接合表面32。所述销柱52的接合表面32背离所述图案形成装置MA。

图12示意性地图示了处于预备状态中的所述框架组件50。在预备状态，所述回弹性构件53被压缩使得介于所述膜保持器58的所述端部止动件表面33与所述夹持构件59的所述邻接表面31之间的距离增大。可使用特定工具来执行这种操作。特别地，所述工具可用以保持所述夹持构件59。在所述夹持构件59被保持于适当位置的情况下，所述工具用以施加在所述图案形成装置MA的方向上按压所述膜保持器58的力。因此，所述回弹性构件53受压缩且所述膜保持器58朝向图案形成装置MA受迫。接着将所述框架组件50与所述图案形成装置MA相对于彼此进行操纵，从而使得所述销柱52(或所述销柱52的部分)进入所述膜保持器58的所述端部止动件表面33与所述夹持构件59的所述邻接表面31之间。

图13图示处于锁定状态的所述框架组件50。在从图12所示的预备状态至图13所示的锁定状态的转变中，释放了所述膜保持器58上的力。结果，所述回弹性构件53扩展。所述夹持构件59的所述邻接表面31与所述销柱52的所述接合表面32接触。所述膜保持器58的所述端部止动件表面33与所述销柱52的所述锁定表面34接触。所述销柱52的所述锁定表面34朝向所述图案形成装置MA。

图14示意性地图示处于解锁状态的所述框架组件50。在解锁状态，所述夹持构件59的所述邻接表面31保持与所述销柱52的所述接合表面32相接触。所述膜保持器58被朝向图案形成装置MA受迫，以使得所述膜保持器58的所述端部止动件表面33移动远离所述销柱52的所述锁定表面34。因此，所述框架组件52不再被锁定至所述图案形成装置MA。相比于在图13中所示锁定状态中的情况，所述膜40更接近于所述图案形成装置MA。当压缩所述回弹性构件53时，所述膜保持器58朝向图案形成装置MA移动。

图15示意性地图示附接至所述图案形成装置MA且储存于所述装载设备70中的所述膜组件80。所述装载设备70可替代地被称为装载锁定件或内部隔舱。如图15所示，在一个实施例中，所述装载设备70包括至少一个突起部71。所述突起部71用于向上按压所述框架组件50的所述膜保持器58。所述突起部71从所述装载设备70的内表面(或底板)突起。如从图15可见，通过由突起部71按压所述回弹性构件53，能够将所述膜保持器58朝向所述图案形成装置MA按压。这增加了所述膜40朝向所述装载设备70内表面的空隙。

在一个实施例中，通过所述突起部71压缩所述回弹性构件53而使介于所述膜40与所述装载设备70的所述内表面之间的距离从约0.5mm增大至约1.5mm。在一个实施例中，所述膜40朝向所述图案形成装置MA的空隙暂时地从约2.5mm减少至约1.5mm。随后，当从所述装载设备70释放所述膜组件80时，将所述膜40朝向所述图案形成装置MA的空隙增大回到高达约2.5mm。

本公开的实施例预期减少介于所述装载设备70与所述膜40之间的静电放电的风险。这是由于介于所述膜40与所述装载设备70的所述内表面之间的空隙增大。

如图16所示，在一个实施例中，所述膜组件80包括密封框架72。所述密封框架72被设置用以控制介于所述膜40与所述图案形成装置MA之间的体积的开口。在一个实施例中，所述密封框架72定位于所述膜40周围。在一个实施例中，所述密封框架72包括多个密封开口73。当将膜保持器58朝向图案形成装置MA向上按压时，所述框架组件50中的框架开口74将与所述密封开口73对齐以允许高速压力均衡，如图16所示。所述框架开口74与所述密封开口73对齐使得气体(例如空气)能够穿过。

图17示意性地图示在所述装载设备70外部的所述组件80。所述密封开口73并不与框架开口74对齐，使得用于气体和颗粒的路径被阻挡。因此，所述密封框架72密封介于所述膜40与所述图案形成装置MA之间的空间。

图18示意性地图示介于所述膜组件80与所述图案形成装置MA之间的间隙G。在不设置所述销柱52的位置中，污染物颗粒能够潜在地穿过所述间隙G并且进入至介于所述图案形成装置MA与所述膜40之间的所述空间或区中。所述间隙G可具有例如是约300μm的厚度。

所述膜组件80易损坏，以允许比所述间隙G的尺寸更小的颗粒到达介于所述膜40与所述图案形成装置MA之间的空间。例如，起源于所述空间外部并且尺寸小于约200μm的污染物颗粒能够以直线形式穿过间隙G、或在所述图案形成装置MA与所述框架组件50之间具有一些跳动的情况下穿过间隙G。

图19以横截面示意性地图示了膜组件80的变型。图19所示的这种变型能够被应用于本文档中所描述的所述膜组件80的实施例中的任一个。

图19所示的膜组件80的变型用于减少颗粒从介于所述膜40与所述图案形成装置MA之间的区的外部进入所述区的可能性。另外，图19所示的所述膜组件80的变型用于减少起源于间隙G的颗粒离开介于所述膜40与所述图案形成装置MA之间的区的可能性。如图19所示，在一个实施例中，所述膜组件80包括框架组件50，所述框架组件被配置成保持所述膜40并且附接至所述图案形成装置MA。间隙G形成于所述图案形成装置MA与所述框架组件50的相对表面之间。

在一个实施例中，所述框架组件50包括伸长挡板75。所述伸长挡板75被配置成约束污染物颗粒进入所述间隙G。如图19所示，所述伸长挡板75延伸超出所述图案形成装置MA的相对表面。在一个实施例中，所述伸长挡板75在超出所述图案形成装置MA的平面范围的位置处延伸超出所述图案形成装置MA的相对表面。

所述膜组件80减少颗粒到达介于所述图案形成装置MA与所述膜40之间的所述空间的可能性。如图19所示，在一个实施例中，所述框架组件50包括至少一个另外的挡板76。每个另外的挡板76被配置成约束污染物颗粒进入所述间隙G。每个另外的挡板76朝向所述图案形成装置MA延伸。

在一个实施例中，所述框架组件50包括三个或四个凹槽(即，介于所述伸长挡板75与所述另外的挡板76中的每个之间的空间)。在一个实施例中，所述凹槽并不具有相等的宽度。换言之，所述伸长挡板75和所述另外的挡板76可能并非是相等地间隔开的。在介于所述膜40与所述图案形成装置MA之间的区内被释放(例如，从所述膜40的面向所述图案形成装置MA的侧部所释放的颗粒)且朝向所述框架组件50行进的颗粒较不可能被反射回所述图案形成装置MA。所述颗粒可被捕获于所述凹槽内。

在一个实施例中，所述伸长挡板75具有大于或等于约1mm的高度。在一个实施例中，介于所述伸长挡板75(和另外的挡板76)与所述图案形成装置MA之间的距离被选择为用以促进在所述光刻设备100的操作期间的压力均衡。在一个实施例中，介于所述伸长挡板75与最接近的另外的挡板76之间的距离是约300μm。在一个实施例中，介于最接近于所述伸长挡板75的另外的挡板76与下一个另外的挡板76之间的距离比介于所述伸长挡板75与最接近的另外的挡板76之间的距离高出约1.2倍至1.5倍。在一个实施例中，介于图19所示的三个另外的挡板中间的一个另外的挡板76与最远离所述伸长挡板75的较远的另外的挡板76之间的距离是介于图19所示的三个另外的挡板76的中心与右侧的两个另外的挡板76之间的距离的约1.2倍至1.5倍。在一个实施例中，每个另外的挡板76具有约600μm的高度。在一个实施例中，介于挡板之间的凹槽的宽度在从所述伸长挡板75的方向上增加约20％至50％。

在一个实施例中，所述伸长挡板75与另外的挡板76被定位于所述图案形成装置MA的中心与所述销柱52之间。因此，所示挡板结构能够约束由所述销柱52释放的例如钛合金的颗粒。因此，在一个实施例中，所示伸长挡板75在不超出所示图案形成装置MA的平面范围的位置处延伸超出所述图案形成装置MA的相对表面。

在一个实施例中，所述伸长挡板75和/或另外的挡板76由具有高的Hamaker常数的材料制成。在一个实施例中，所述框架组件50由具有高的Hamaker常数的材料制成。预期到本公开的实施例减少了具有大范围的尺寸、材料、行进速度和入射角的颗粒到达所述图案形成装置MA的可能性。

图20A至图20C以横截面示意性地图示位于图案形成装置的掩模版台区中的间隙颗粒捕集器90的各种实施例。图20A至20C中所示的间隙颗粒捕集器90能够应用于如本公开中所描述的所述光刻设备100的所述膜组件80和其它合适的部件的实施例中的任一种，或其它颗粒敏感设备，诸如量测***、管道、气流管道、或气体管道/管的盒。一般地，间隙颗粒捕集器90可位于任何颗粒敏感装置中以减少不需要的污染物颗粒的数目。

在一个示例中，图20A至图20C中所示的间隙颗粒捕集器90用于减少颗粒进入安装图案形成装置MA的掩模版台区RS中的可能性。如图20A至图20C所示，所述掩模版台区RS包括静止零件(例如，支撑结构MT)和可移动零件MRS。应注意，术语“静止”和“可移动”是能够互换的，且仅用来描述介于掩模版台区RS的不同零件之间的相对移动。支撑结构MT有可能是可移动的，且可移动零件MRS有可能是静止的，或两者有可能是根据需要而可移动的或静止的。图案形成装置MA被安装于可移动零件MRS上。可移动零件MRS可以是例如框架或台，框架或台可根据需要是固定的或可移动的。可移动零件MRS也可包括用于改变或阻挡图案形成装置MA的器件。用于移动和改变图案形成装置MA的示例性器件是旋转交换器件(RED)，且用于阻挡图案形成装置MA的示例性器件是可移动掩模版遮蔽(REMA)叶片。示例性的两种器件由荷兰Veldhoven的ASML制造，且分别在美国专利申请号9,268,241和美国专利申请号号7,359,037中描述，并且以全文引用的方式整体并入本公开中。

在掩模版台区RS的所述静止零件与所述可移动零件之间不允许存在实体阻挡部的实施例中，间隙G形成于支撑结构MT与可移动零件MRS的相对表面之间。介于支撑结构MT与可移动零件MRS之间的环境包含可以是污染物颗粒源的零件，例如电缆或电缆板盒(图20A至图20C中未示出)。可在颗粒敏感设备中实施各种设计或器件(诸如气流操纵)以减少颗粒污染。然而，这些方法并不足以防止所有污染物颗粒，因此，间隙颗粒捕集器位于间隙G中，以进一步减少可潜在地穿过间隙G且最终与图案形成装置MA相接触的颗粒的量。特别地，间隙颗粒捕集器与仅单独的平行表面相比可阻挡更多颗粒穿过间隙G。应注意，根据各种实施例，光刻设备的合适的表面可用以形成间隙颗粒捕集器90。例如，在掩模版台RS的制造期间，掩模版台RS的各种零件的表面可形成间隙颗粒捕集器90的机械结构，因此间隙颗粒捕集器90可以是掩模版台RS的集成零件。根据其它实施例，间隙颗粒捕集器90也可以是可附接零件，其能够按需安装于支撑结构MT或可移动零件MRS上。

如图20A所示，根据实施例，间隙颗粒捕集器90被安置于间隙G中且形成于可移动零件MRS的表面上。为了捕获具有各种速度、入射角或其它颗粒性质的污染物颗粒，根据各种实施例且分别在图20B和图20C中示出，间隙颗粒捕集器90也可形成于支撑结构MT的表面上，或形成于支撑结构MT和可移动零件MRS两者的表面上。为简单起见，图20A至图20C中没有示出间隙颗粒捕集器90的结构细节，但在图21A至图21D中示出。

图21A以横截面示意性地图示根据本公开的实施例的间隙颗粒捕集器90。间隙颗粒捕集器90包括挡板92。挡板92被配置成约束进入间隙G的污染物颗粒到达图案形成装置MA。如图21A所示，挡板92可具有矩形横截面，其中每个挡板92具有高度H和宽度W。挡板92也可具有任何合适的横截面形状，例如，近矩形、三角形、近三角形、菱形或近菱形。这些配置的其它实例在图21B至图21D中示出。挡板92的宽度W可等于或不同于高度H。在一个实施例中，间隙颗粒捕集器90包括多个凹槽(即，每个挡板92之间的空间)。在一个实施例中，所述凹槽并不具有相同宽度；换言之，挡板92可并非是相等地间隔开的。在另一实施例中，挡板92被相等地间隔开。例如，介于相邻挡板92的相对侧壁之间的距离为约500μm。在其它实施例中，挡板之间可能不存在凹槽。可基于目标污染物颗粒的性质来配置挡板92的高度H、宽度W和间距。例如，挡板92的配置可至少基于污染物颗粒的速度、入射角、尺寸、材料或重量而不同。预期到本公开的实施例减少了具有大范围的尺寸、材料、行进速度和入射角的颗粒到达所述图案形成装置MA的可能性。

参见图20A，在下文中解释了间隙颗粒捕集器90的示例性操作。污染物颗粒可从介于支撑结构MT与可移动零件MRS之间的污染物源进入间隙G，且最终朝向图案形成装置MA行进。这些污染物颗粒将与支撑结构MT及间隙颗粒捕集器90的表面发生碰撞。所述污染物颗粒很可能与间隙颗粒捕集器90的侧壁和/或凹槽表面多次发生碰撞。随着每次碰撞，颗粒损失动能，且在足够低的速度或动能的情况下，所述颗粒将由于范德华力相互作用而粘着至间隙颗粒捕集器的表面。在一个实施例中，挡板92由具有高的Hamaker常数的材料制成以增加在污染物颗粒与间隙颗粒捕集器90的表面之间的范德华力，为污染物颗粒提供粘着至捕集器表面的较高概率。颗粒与间隙颗粒捕集器的碰撞显著地减少污染物颗粒的动能，从而使得颗粒在凹槽中或在间隙颗粒捕集器90的表面上被捕获。即使颗粒具有足以离开凹槽且投影回至间隙内的剩余能量，其速度将被减少且因此所述颗粒更能够由净化气流控制。由于与间隙颗粒捕集器的碰撞，颗粒的速度也可反向或部分反向，且结果是颗粒可远离间隙G并且朝向优选的方向行进。

在一个实施例中，其中污染物颗粒行进通过间隙颗粒捕集器并且进入图案形成装置MA位于的环境中，表面颗粒捕集器可被形成于支撑结构MT或可移动零件MRS的合适的表面上以减少能够接触图案形成装置MA的颗粒的量。类似于上文所披露的间隙颗粒捕集器90，应注意，根据各种实施例，光刻设备的合适的表面可用于形成表面颗粒捕集器。例如，在掩模版台RS的制造阶段期间，掩模版台RS的各种零件的表面可形成表面颗粒捕集器的机械结构。根据其它实施例，表面颗粒捕集器也可以是可附接零件，其能够按需安装于支撑结构MT或可移动零件MRS上。

如图22A所示，根据一些实施例，表面颗粒捕集器94位于支撑结构MT的表面上。为捕获具有各种速度、入射角或其它颗粒性质的污染物颗粒，根据各种实施例且在图22B中示出，表面颗粒捕集器94也可被形成于支撑结构MT的表面上，或形成于支撑结构MT和可移动零件MRS两者的表面上。为简单起见，在图22A和图22B中没有示出表面颗粒捕集器94的结构细节，但在图23A至图23F中示出。如上文所提及，尽管图22A和图22B所示的表面颗粒捕集器94是可附接零件，但表面颗粒捕集器94也可以是掩模版台RS的集成零件且使用掩模版台RS的各种部件的表面而形成。

图23A至图23E以横截面示意性地示出表面颗粒捕集器94的各种实施例。表面颗粒捕集器94包括挡板96，所述挡板被配置成捕捉污染物颗粒并且防止它们到达图案形成装置MA。如图23A所示，根据实施例，挡板96可具有三角形横截面区域，其中每个挡板96具有高度H和宽度W。出于图示目的，每个挡板96具有峰P和谷T，它们分别是三角形横截面区域的最高点和最低点。挡板96也可具有如图23B所示的近三角形横截面区域，其可优选地用于为反射的颗粒提供所需的行进方向。应注意到，挡板96可具有多种横截面形状，例如，梯形形状的横截面。在一个实施例中，每个挡板之间不存在间距(即，所述挡板形成Z形图案)。出于图示的目的，角度θ₁和θ₂分别是在结构支撑MT的表面(或由相邻的谷形成的虚拟表面)与挡板96的每个侧部之间所测量的角，如从图23A中的表面颗粒捕集器94的横截面图所见。

在一个实施例中，角度θ₁和θ₂可被配置成使得基于污染物颗粒的入射角，污染物颗粒可能并不能够离开所述表面颗粒捕集器。例如，图23A示出角θ₁等于角θ₂。在另一示例中，在图23C中示出，挡板96的上表面垂直于或接近垂直于形成有所述表面颗粒捕集器的支撑结构MT的表面。因此，角θ₁将会等于或接近于90°。在图23D中，挡板96的下表面垂直于或接近垂直于形成有所述表面颗粒捕集器的支撑结构MT的表面。因此，角θ₂将会等于或接近于90°。图23E和图23F示出表面颗粒捕集器96的其它实例。在图23E中，角θ₁和θ₂针对每个挡板96被单独配置，使得用于第一挡板的角θ₁和θ₂可不同于用于相邻第二挡板的对应的角θ₁’和θ₂’。在图23F中，角θ₁和θ₂是不同的角，但挡板96中的每个挡板的情况相同。

图24A及图24B以平面图示意性地图示表面颗粒捕集器94的各种实施例。图24A可以是图23A中所描述的表面颗粒捕集器94的平面图。如图24A所示，挡板96的列互相平行，且相邻峰或谷之间具有相等间距。替代地，挡板96的每个列也可被布置成形成特定形状。如图24B所示，每个列被形成为V形且挡板96的列互相平行，同时相邻波峰或波谷之间的间距可不同。

本公开的实施例预期减少了具有大范围的尺寸、材料、行进速度和入射角的颗粒到达所述图案形成装置MA的可能性。表面颗粒捕集器94可被安装或形成于如本文档中所描述的光刻设备100的其它颗粒敏感环境中，或其它颗粒敏感设备中，诸如，量测***、导管、气流管道或气体管道/管的盒。一般地，表面颗粒捕集器94可位于任何颗粒敏感设备中以减少污染物颗粒的数目。

参见图22A，在下文中解释了表面颗粒捕集器94的示例性操作。在支撑结构MT与可移动零件MRS之间所产生的污染物颗粒可离开间隙G，且最终朝向图案形成装置MA行进。这些污染物颗粒很可能与表面颗粒捕集器94发生碰撞且与挡板96发生多次碰撞。通过每次碰撞，颗粒损失动能，且在足够低的速度或动能的情况下，所述颗粒将由于范德华力相互作用而粘着至表面颗粒捕集器。在一个实施例中，挡板96由具有高的Hamaker常数的材料制成以增大在污染物颗粒与表面颗粒捕集器94的表面之间的范德华力，为污染物颗粒提供粘着至捕集器表面的较高概率。表面颗粒捕集器中的碰撞显著地减少了污染物颗粒的动能，且所述颗粒在挡板之间被捕获。

尽管在上下文中可具体地参考光刻设备在IC制造中的使用，但应理解，本文中所描述的所述光刻设备可具有其它应用，诸如制造集成光学***、用于磁畴内存的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头等。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中。在适用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其他衬底处理工具。另外，所述衬底可以被处理一次以上，例如为产生多层IC，使得本文中所使用的术语“衬底”也可以指代已经包含多个已处理层的衬底。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该理解，本发明可以用与上述不同的方式来实现。例如，各种光阻层可由执行相同功能的非光阻层替代。

以上的描述旨在是说明性的，而非限制性的。因而，对于本领域的技术人员将显而易见的是，在不背离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的本公开进行修改。

Claims (17)

1.一种掩模版台，包括：

被构造成支撑图案形成装置的第一结构，其中所述第一结构具有第一表面；

第二结构，具有第二表面，其中所述第一表面与所述第二表面彼此相对，且所述第一结构和所述第二结构被构造为相对于彼此能够移动；和

捕集器，所述捕集器形成于所述第一表面上且与所述第二表面相对，所述捕集器包括多个挡板，

其中在相对的所述第一表面与所述第二表面之间形成间隙。

2.根据权利要求1所述的掩模版台，其中所述多个挡板包括具有高的Hamaker常数的材料。

3.根据权利要求1所述的掩模版台，其中所述捕集器由所述第一表面的至少一部分形成。

4.根据权利要求1所述的掩模版台，其中所述多个挡板包括从所述第一表面突起的侧壁。

5.根据权利要求1所述的掩模版台，其中所述捕集器被配置成约束污染物颗粒穿过所述间隙。

6.根据权利要求1所述的掩模版台，其中所述多个挡板中的每个包括互相平行的第一侧壁和第二侧壁。

7.根据权利要求1所述的掩模版台，其中所述多个挡板中的每个包括互相不平行的第一侧壁和第二侧壁。

8.根据权利要求1所述的掩模版台，还包括多个凹槽，其中所述多个凹槽中的每个位于所述多个挡板的相邻挡板之间并且具有与每个挡板的宽度不同的凹槽宽度。

9.根据权利要求1所述的掩模版台，还包括多个凹槽，其中所述多个凹槽中的每个位于所述多个挡板的相邻挡板之间并且具有与每个挡板的宽度相同的凹槽宽度。

10.根据权利要求1所述的掩模版台，其中所述捕集器的一部分形成于所述第二表面上。

11.一种包括掩模版台的设备，其中所述掩模版台包括：

被构造成支撑图案形成装置的第一结构，其中所述第一结构具有第一表面；

第二结构，具有第二表面，其中在所述第一表面与所述第二表面之间形成间隙，且所述第一结构和所述第二结构被构造为相对于彼此能够移动；和

第一捕集器，所述第一捕集器被附接至所述第一表面，所述第一捕集器包括从所述第一表面突起的多个挡板。

12.根据权利要求11所述的设备，还包括附接至所述第二表面的第二捕集器。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一捕集器和所述第二捕集器被配置成约束污染物颗粒穿过所述间隙。

14.根据权利要求11所述的设备，其中所述多个挡板中的每个包括相对的第一侧壁和第二侧壁，基于穿过所述间隙的污染物颗粒的性质配置所述第一侧壁和所述第二侧壁。

15.根据权利要求11所述的设备，其中所述多个挡板包括具有高的Hamaker常数的材料。

16.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁由所述第一表面的一部分形成。

17.根据权利要求11所述的设备，其中所述多个挡板的每个挡板之间的间距基于污染物颗粒的性质而配置。

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