CN109563636A - 包衣线材 - Google Patents

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卓志伟
M·萨兰加帕尼
J·沙夫
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Abstract

一种线材，其包含具有表面的线材芯，所述线材芯具有叠置于其表面上的涂层，其中所述线材芯本身由以下组成：(a)由以下组成的纯银：(a1)99.99到100wt.％范围内的量的银，和(a2)总量为0到100wt.‑ppm的其它组分，或(b)由以下组成的掺杂银：(b1)>99.49到99.997wt.％范围内的量的银，(b2)总量为30到<5000wt.‑ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(b3)总量为0到100wt.‑ppm的其它组分，或(c)由以下组成的银合金：(d)89.99到99.5wt.％范围内的量的银，(c2)总量在0.5到10wt.％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(c3)总量为0到100wt.‑ppm的其它组分，或(d)由以下组成的掺杂的银合金：(d1)>89.49到99.497wt.％范围内的量的银，(d2)总量为30到<5000wt.‑ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，(d3)总量在0.5到10wt.‑％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(d4)总量为0到100wt.‑ppm的其它组分，其中所述至少一种掺杂元素(d2)不同于所述至少一种合金元素(d3)，其中任何其它组分的所述个别量小于30wt.‑ppm，其中任何掺杂元素的所述个别量是至少30wt.‑ppm，其中以wt.％和wt.‑ppm计的全部量是按所述芯的总重量计，和其中所述涂层是包含1到1000nm的金内层和0.5到100nm厚的相邻钯外层的双层，或包含0.5到100nm厚的钯内层和>200到1000nm厚的相邻金外层的双层。

Description

包衣线材
本发明涉及一种包衣线材，其包含银或基于银的芯和在所述芯的表面上叠置的涂层。本发明进一步涉及制造这类包衣线材的方法。
接线在电子和微电子应用中的用途在现有技术水平中众所周知。尽管初期时接线是由金制成，但如今使用更便宜的材料，如铜、铜合金、银和银合金。这类线材可以具有金属涂层。
关于线材几何形状，最常见的是具有圆形横截面和接合带的接线，其具有近乎矩形的横截面。两种类型的线材几何结构都具有使其适于特定应用的优势。
本发明的目的是提供适合用于线接合应用中的包衣银或银合金，所述线材在FAB(无空气焊球)形成、耐腐蚀性和结合性能方面出色，但也展现整体充分平衡的特性谱，其与线接合应用相关，包括例如极佳可靠性性能、满足超精细节距要求的改进型球形状、改进型第二结合窗等。
所述目的的解决方案的贡献由独立权利要求(category-forming claims)的主题提供。独立权利要求的附属子权利要求代表本发明的优选实施例，其主题也对解决上述目的作出贡献。
在第一方面，本发明涉及一种线材，其包含具有表面的线材芯(下文中也简称为“芯”)，线材芯的表面上有叠置的涂层，其中所述线材芯本身由以下组成：
(a)由以下组成的纯银：(a1)99.99到100wt.％的量的银，和(a2)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银以外的组分)，
或
(b)由以下组成的掺杂银：(b1)>99.49到99.997wt.％范围内的量的银，(b2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(b3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银、钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌以外的组分)，
或
(c)由以下组成的银合金：(c1)89.99到99.5wt.％范围内的量的银，(c2)总量在0.5到10wt.％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(c3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌以外的组分)，
或
(d)由以下组成的掺杂的银合金：(d1)>89.49到99.497wt.％范围内的量的银，(d2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，(d3)总量在0.5到10wt.-％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(d4)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银、钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌以外的组分)，
其中所述至少一种掺杂元素(d2)不同于所述至少一种合金元素(d3)，
其中任何其它组分的所述个别量小于30wt.-ppm，
其中任何掺杂元素的所述个别量是至少30wt.-ppm，
其中以wt.％和wt.-ppm计的全部量是按所述芯的总重量计，和
其中所述涂层是包含1到1000nm的金内层(基层)和0.5到100nm厚的相邻钯外层(顶部层)的双层，或包含0.5到100nm厚的钯内层和>200到1000nm厚的相邻金外层的双层。
本发明的线材优选的是用于微电子中的结合的接线。优选的是单件式物件。许多形状已知并且看起来适用于本发明的线材。优选形状的横截面视图是圆形、椭圆形和矩形形状。对于本发明，术语“接线”包含全部横截面形状和全部常见线材直径，但具有圆形横截面和细直径的接线是优选的。平均横截面在例如50到5024μm2或优选的110到2400μm2范围内；因此在优选圆形横截面的情况中，平均直径在例如8到80μm或优选地12到55μm的范围内。
线材或线材芯的平均直径或仅称为直径可以通过“测尺寸法”获得。根据这种方法，测得规定长度的线材的物理重量。基于这一重量，线材或线材芯的直径使用线材材料的密度计算。直径根据五段特定线材的五个测量结果的算术平均值计算。
根据上述，线材芯由(a)纯银、(b)掺杂银、(c)银合金或(d)掺杂银合金组成，在各情况下都具有上文公开的组成。本发明的线材芯可以包含总量在0到100wt.-ppm，例如10到100wt.-ppm范围内的所谓的其它组分。在本发明的情形中，通常还称为“不可避免的杂质”的其它组分是次要量的化学元素和/或化合物，其来源于所用原料中存在的杂质或来自线材制造工艺。0到100wt.-ppm的低总量的其它组分确保线材特性的良好再现性。通常不分别添加芯中存在的其它组分。按线材芯的总重量计，每种单独的其它组分由小于30wt.-ppm的量包含在内。
线材芯是主体材料的均质区域。因为任何主体材料都始终具有可能在一定程度上展现不同特性的表面区，所以线材芯的特性理解为主体材料的均质区域的特性。主体材料区的表面的形态、组成(例如硫、氯和/或氧含量)和其它特征可以不同。表面是线材芯和线材芯上叠置的涂层之间的界面区域。通常，涂层在线材芯的表面上完全叠置。在线材芯和上面叠置的涂层之间的线材区域中，可以存在芯和涂层的材料组合。
线材表面上叠置的涂层是包含1到1000nm金内层和相邻0.5到100nm厚的钯外层的双层或包含0.5到100nm厚的钯内层和相邻>200到1000nm厚的金外层的双层。在这种情形中，术语“厚”或“涂层厚度”意思是与芯的纵轴垂直的方向中的涂层尺寸。
在一个实施例中，线材具有处于10到25μm范围内的线材芯直径并且所述双层形式的涂层包含25到300nm金内层和相邻0.5到25nm厚的钯外层。
关于所述双层的组成，按内涂层的总重量计，其内层的钯或金含量是例如至少50wt.％，优选地至少95wt.％。尤其优选的，内涂层分别由纯钯或纯金组成。按外部涂层的总重量计，相邻外部金或钯层的金或钯含量是例如至少50wt.％，优选地至少95wt.％。尤其优选的，外涂层分别由纯金或纯钯组成。按内部或外部涂层的总重量计，纯金或纯钯通常具有小于1wt.％的其它组分(分别除金或钯以外的组分)。
在另一方面，本发明还涉及一种用于制造上文公开的任何实施例中的本发明的包衣线材的方法。所述方法至少包含步骤(1)到(5)：
(1)提供由以下组成的前体物件
(a)由以下组成的纯银：(a1)99.99到100wt.％范围内的量的银，和(a2)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(b)由以下组成的掺杂银：(b1)>99.49到99.997wt.％范围内的量的银，(b2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(b3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(c)由以下组成的银合金：(c1)89.99到99.5wt.％范围内的量的银，(c2)总量在0.5到10wt.％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(c3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(d)由以下组成的掺杂的银合金：(d1)>89.49到99.497wt.％范围内的量的银，(d2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，(d3)总量在0.5到10wt.-％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(d4)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
其中所述至少一种掺杂元素(d2)不同于所述至少一种合金元素(d3)，
其中任何其它组分的所述个别量小于30wt.-ppm，
其中任何掺杂元素的所述个别量是至少30wt.-ppm，
其中以wt.％和wt.-ppm计的全部量是按所述前体物件的总重量计，
(2)拉长所述前体物件形成拉长的前体物件，直到获得在706到31400μm2范围内的中间横截面或在30到200μm范围内的中间直径，
(3)在完成方法步骤(2)之后获得的所述拉长的前体物件的表面上沉积钯内层和相邻金外层或金内层和相邻钯外层的双层涂层，
(4)进一步拉长在完成方法步骤(3)之后获得的所述经涂布的前体物件，直到获得所需最终横截面或直径，和
(5)在150到600℃范围内的烘箱设定温度下对完成方法步骤(4)之后获得的所述经涂布的前体进行最终连续退火(strand annealing)持续0.4到0.8秒范围内的暴露时间，形成所述包衣线材，
其中步骤(2)可以包括在400到800℃的烘箱设定温度下对所述前体物件进行中间分批退火持续50到150分钟范围内的暴露时间的一或多个子步骤。
本文中使用术语“连续退火”。这是一种允许快速制造具有高再现性的线材的连续工艺。在本发明的情况中，连续退火意思是在打算退火的包衣前体牵拉或移动通过传统退火烘箱并且在离开退火烘箱之后缠绕到卷轴上的同时动态进行退火。此处，退火烘箱通常是给定长度的圆柱管的形式。在可以在例如10到60米/分钟范围内选择的给定退火速度下的规定温度分布的情况下，可以规定和设定退火时间/烘箱温度参数。
本文中使用术语“烘箱设定温度”。意谓退火烘箱的温度控制器中固定的温度。退火烘箱可以是箱式炉型烘箱(在分批退火的情况中)或管式退火烘箱(在连续退火的情况中)。
本公开把前体物件、拉长的前体物件、包衣前体物件、包衣前体和包衣线材区别开来。术语“前体物件”用于没有达到线材芯的所需最终横截面或最终直径的那些线材预制阶段，而术语“前体”用于所需最终横截面或所需最终直径的线材预制阶段。方法步骤(5)完成之后，即在包衣前体在所需最终横截面或所需最终直径时的最终连续退火之后，获得本发明意义上的包衣线材。
在第一替代方案中，方法步骤(1)中提供的前体物件由(a)上文公开的组成的纯银组成。通常，这类前体物件是直径为例如2到25mm并且长度为例如2到100m的杆的形式。这类银杆可以通过使用适当模具连续流延银，随后冷却和固化来制造。
在第二到第四替代方案中，如方法步骤(1)中提供的前体物件由(b)掺杂银或(c)银合金或(d)掺杂银合金组成，在各情况下都具有上文公开的组成。这类前体物品可以通过将银与所需量的需要组分合金化、掺杂或合金化以及掺杂来获得。掺杂银或银合金或掺杂银合金可以通过金属合金领域的技术人员已知的传统方法，例如通过将组分以所需相称比率熔融在一起来制备。在这样做时，有可能借助一或多种传统主合金。熔融方法可以例如利用诱导锅炉进行并且有利的是在真空或惰性气体气氛下操作。所用材料可以具有例如99.99wt.-％以及更高的纯度级别。因此制造的熔融物可以冷却形成基于银的前体物件的均质块片。通常，这类前体物件是直径为例如2到25mm并且长度为例如2到100m的杆的形式。这类杆可以通过使用适当模具连续流延所述掺杂银或(掺杂)银合金熔融物，随后冷却和固化来制造。
在方法步骤(2)中，拉长前体物件形成拉长的前体物件，直到获得处于706到31400μm2范围内的中间横截面或处于30到200μm范围内的中间直径。拉长前体物件的技术是已知的并且看起来适用于本发明的情形中。优选技术是滚动、型锻、拉延模等，其中拉延模尤其优选。在后一种情况下，前体物件在几个方法步骤中拉延，直到达到所需中间横截面或所需中间直径。这类线材拉延模方法是所属领域的技术人员众所周知的。可以采用传统碳化钨和金刚石拉延模并且可以采用传统拉延润滑剂来支持拉延。
本发明的方法的步骤(2)可以包括使拉长的前体物件在400到800℃范围内的烘箱设定温度下中间分批退火持续50到150分钟范围内的暴露时间的一或多个子步骤。所述任选的中间分批退火可以例如使用杆拉延到2mm的直径并且卷绕在圆筒上来进行。
在方法步骤(3)中，在方法步骤(2)完成之后获得的拉长的前体物件的表面上沉积包含钯内层和相邻的金外层或金内层和相邻的钯外层的双层涂层，从而在所述表面上叠置涂层。
所属领域的技术人员知道如何计算拉长的前体物件上这类涂层的厚度，以最终获得针对线材实施例公开的层厚度的涂层(即在最终拉长包衣前体物件之后)。所属领域的技术人员知道用于在银或银合金表面上形成根据实施例的材料涂层的许多技术。优选的技术是镀敷，如电镀和无电极电镀、使材料从气相沉积，如溅镀、离子电镀、真空蒸发和物理气相沉积，以及从熔融物沉积材料。在本发明的情形中，电镀是优选的技术。
在方法步骤(4)中，在完成方法步骤(3)之后获得的包衣前体物件进一步拉长，直到获得所需最终横截面或直径的线材。拉长包衣前体物件的技术是与上文在方法步骤(2)的公开内容中提到的拉长技术相同的拉长技术。
在方法步骤(5)中，在方法步骤(4)完成之后获得的包衣前体在150到600℃，优选的是200到400℃范围内的烘箱设定温度下最终连续退火持续0.4到0.8秒范围内的暴露时间，形成包衣线材。
在一个优选实施例中，将最终连续退火的包衣前体，即仍然热的包衣线材在水中淬火，在一个实施例中，水可以含有一或多种添加剂，例如0.01到0.2体积％添加剂。在水中淬火意味着立即或快速地，即在0.2到0.6秒内使最终连续退火的包衣前体例如通过浸渍或滴落从其在方法步骤(5)中经历的温度冷却到室温。
方法步骤(2)的任选的中间分批退火可以在惰性或还原气氛下进行。许多类型的惰性气氛以及还原气氛在所属领域中已知并且用于吹扫净化退火烘箱。已知惰性气氛中，氮气或氩气是优选的。已知还原气氛中，氢气是优选的。另一优选的还原气氛是氢气和氮气的混合物。氢气和氮气的优选混合物是90到98体积％氮气，以及因此2到10体积％氢气，其中所述体积％总计100体积％。氮气/氢气的优选混合物等于93/7、95/5和97/3体积％/体积％，其各自按混合物的总体积计。
方法步骤(5)和可选的淬火完成之后，本发明的包衣线材完成。为了完全受益于其特性，有利的是将其立即用于线接合应用，即不延迟，例如在方法步骤(5)完成之后不超过28天内。或者，为了保持线材的宽线接合工艺窗口特性和为了防止其氧化或其它化学侵蚀，成品线材通常在方法步骤(5)完成之后立即缠绕并且真空密封，即不延迟，例如在方法步骤(5)完成之后<1到5小时内，并且接着储存以供进一步用作接合线。在真空密封条件中储存不应超过12个月。打开真空密封之后，线材应在不超过28天内用于线接合。
优选的是全部方法步骤(1)到(5)以及缠绕和真空密封在洁净室条件(US FEDSTD209E洁净室标准，1k标准)下进行。
本发明的第三方面是可以通过上文公开的方法根据其任何实施例获得的包衣线材。已发现本发明的包衣线材非常适于用作线接合应用中的接合线。线接合技术是所属领域的技术人员众所周知的。在线接合过程中，通常形成球形接合(第1接合)和针脚式接合(第2接合，楔形接合)。在接合形成期间，施加特定力(通常以克度量)，通过施加超声波能量(通常以mA度量)支持。线接合方法中施加力的上限和下限之间的差与施加的超声波能量的上限和下限之间的差的数学乘积定义线接合工艺窗口：
(施加力的上限-施加力的下限)·(施加超声波能量的上限-施加超声波能量的下限)＝线接合工艺窗口。
线接合工艺窗口界定力/超声波能量组合的区域，其允许形成符合规范的线接合，即其通过传统测试，如传统牵拉测试、球形剪切测试和球形牵拉测定，仅举几个例子。
实例
制备FAB：
将其根据FAB的KNS方法用户指南(KNS Process User Guide for FAB)(美国宾夕法尼亚州华盛顿堡的库力索法有限公司(Kulicke&Soffa Industries Inc,FortWashington,PA,USA),2002,2009年5月31日)中所述的程序在周围大气中处理。通过使用标准烧制(单个步骤，17.5μm线材，50mA的EFO电流，EFO时间125μs)执行传统电火炬(EFO)烧制来制备FAB。
测试方法A.到C.
全部测试和测量在T＝20℃和相对湿度RH＝50％下进行。
A.接合球的盐溶液浸泡测试：
线材球形接合到Al-0.5wt.-％Cu接合垫。具有如此接合的线材的测试装置在25℃下在盐溶液中浸泡10分钟，用去离子(DI)水并且随后用丙酮洗涤。盐溶液含有去离子水中20wt.-ppm NaCl。在低倍显微镜(Nikon MM-40)下以100倍放大倍数检验上升球的数目。观测到较大数目的上升球指示严重界面电化腐蚀。
B.FAB形态
形成的FAB通过扫描电子显微镜(SEM)以1000倍放大倍数检验。
评估：
++，非常好(圆形球)
+，好(圆形球)；
0，可接受(不完美圆形，但FAB表面上没有明显平台)；
-，桃形球(在FAB尖端具有独特半球的两个平台)
--，严重桃形球(在FAB尖端具有独特半球的两个平台)
C.偏心球(OCB)外观
形成的FAB从预定义的高度(尖端为203.2μm)和速度(接触速度为6.4μm/sec)下降到Al-0.5wt.-％Cu接合垫。在触碰到接合垫时，一组规定的接合参数(接合力100g，超声波能量95mA和接合时间15ms)起作用以使FAB变形并且形成接合的球。形成球之后，毛细管升到预定高度(弯折高度152.4μm和环管高度254μm)形成环管。形成环管之后，毛细管下降导致形成针脚。形成针脚之后，毛细管升高并且线夹关闭以将线材切割，形成预定尾部长度(尾部长度拉长为254μm)。对于每个样品，五个接合的线材使用1000倍放大倍数的显微镜进行光学检测。
评估：
++，完美居中
+，居中；
0，可接受的偏离中心；
-，偏离中心；
--，非常偏离中心。
线材实例1到18
在各情况下，将一定量的银(Ag)和任选的至少99.99％纯度(“4N”)的钯(Pd)在坩埚中熔融。在一些情况下，向熔融物添加少量的银-镍或银-铂主合金并且通过搅拌确认添加的组分均匀分布。使用以下主合金：
对于表1的线材芯合金，添加相应的主合金组合。
接着，连续流延8mm棒形式的线材芯前体物件形成熔融物。棒接着在几个拉延步骤中拉延形成具有直径为134μm的圆形横截面的线材芯前体。线材芯前体在500℃的烘箱设定温度下中间分批退火持续60分钟的暴露时间，并且其后进一步拉延成最终直径17.5μm，随后在220℃的烘箱设定温度下最终连续退火持续0.6秒的暴露时间，随后立即在含有0.07体积％表面活性剂的水中淬火所获得的包衣线材。
在参考线材4到6的情况中，线材芯前体用由至少99％纯度的金组成的涂层电镀，并且其后进一步拉延成最终直径17.5μm和最终金涂层厚度250nm，随后在220℃的烘箱设定温度下最终连续退火持续0.6秒的暴露时间，随后立即在含有0.07体积％表面活性剂的水中淬火所获得的包衣线材。
对于本发明的线材1到12，电镀包含金和钯的双层代替如上文所述的金单层(最终钯层厚度＝5nm，最终金层厚度＝250nm)。在一些实施例中，首先镀覆钯层，随后金外层，在其它实施例中，首先镀覆金层，随后钯外层。
借助于这些程序，制造双层包衣的银或基于银的线材以及未包衣和单层金包衣的参考银线材(Ref)的几种不同样品1到12。表1显示线材的组成。
下表2显示特定测试结果。全部测试都使用17.5μm直径的线材进行。

Claims (9)

1.一种线材，其包含具有表面的线材芯，所述线材芯具有叠置于其表面上的涂层，其中所述线材芯本身由以下组成：
(a)由以下组成的纯银：(a1)99.99到100wt.％范围内的量的银，和(a2)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(b)由以下组成的掺杂银：(b1)>99.49到99.997wt.％范围内的量的银，(b2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(b3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(c)由以下组成的银合金：(c1)89.99到99.5wt.％范围内的量的银，(c2)总量在0.5到10wt.％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(c3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(d)由以下组成的掺杂的银合金：(d1)>89.49到99.497wt.％范围内的量的银，(d2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，(d3)总量在0.5到10wt.-％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(d4)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
其中所述至少一种掺杂元素(d2)不同于所述至少一种合金元素(d3)，
其中任何其它组分的所述个别量小于30wt.-ppm，
其中任何掺杂元素的所述个别量是至少30wt.-ppm，
其中以wt.％和wt.-ppm计的全部量是按所述芯的总重量计，和
其中所述涂层是包含1到1000nm的金内层和0.5到100nm厚的相邻钯外层双层，或包含0.5到100nm厚的钯内层和>200到1000nm厚的相邻金外层的双层。
2.根据权利要求1所述的线材，其平均横截面在50到5024μm2范围内。
3.根据权利要求1或2所述的线材，其圆形横截面的平均直径在8到80μm范围内。
4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的线材，其线材芯直径在10到25μm范围内，其中所述涂层是包含25到300nm金内层和0.5到25nm厚的相邻钯外层的双层。
5.一种用于制造根据前述权利要求中任一权利要求所述的包衣线材的方法，其中所述方法至少包含步骤(1)到(5)：
(1)提供由以下组成的前体物件
(a)由以下组成的纯银：(a1)99.99到100wt.％范围内的量的银，和(a2)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(b)由以下组成的掺杂银：(b1)>99.49到99.997wt.％范围内的量的银，(b2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(b3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(c)由以下组成的银合金：(c1)89.99到99.5wt.％范围内的量的银，(c2)总量在0.5到10wt.％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(c3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
或
(d)由以下组成的掺杂的银合金：(d1)>89.49到99.497wt.％范围内的量的银，(d2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由以下组成的群组的至少一种掺杂元素：钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，(d3)总量在0.5到10wt.-％范围内的选自由以下组成的群组的至少一种合金元素：镍、铂、钯、金、铜、铑和钌，和(d4)总量为0到100wt.-ppm的其它组分，
其中所述至少一种掺杂元素(d2)不同于所述至少一种合金元素(d3)，
其中任何其它组分的所述个别量小于30wt.-ppm，
其中任何掺杂元素的所述个别量是至少30wt.-ppm，
其中以wt.％和wt.-ppm计的全部量是按所述前体物件的总重量计，
(2)拉长所述前体物件形成拉长的前体物件，直到获得在706到31400μm2范围内的中间横截面或在30到200μm范围内的中间直径，
(3)在完成方法步骤(2)之后获得的所述拉长的前体物件的表面上沉积钯内层和相邻金外层或金内层和相邻钯外层的双层涂层，
(4)进一步拉长在完成方法步骤(3)之后获得的所述经涂布的前体物件，直到获得所需最终横截面或直径，和
(5)在150到600℃范围内的烘箱设定温度下对完成方法步骤(4)之后获得的所述经涂布的前体进行最终连续退火持续0.4到0.8秒范围内的暴露时间，形成所述包衣线材，
其中步骤(2)可以包括在400到800℃的烘箱设定温度下对所述前体物件进行中间分批退火持续50到150分钟范围内的暴露时间的一或多个子步骤。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述最终连续退火在200到400℃范围内的烘箱设定温度下进行。
7.根据权利要求5到6中任一权利要求所述的方法，其中所述最终连续退火的经涂布的前体在水中淬火，所述水可以含有一或多种添加剂。
8.根据权利要求5到7中任一权利要求所述的方法，其中方法步骤(2)的所述可选中间分批退火在惰性或还原气氛下进行。
9.一种包衣线材，其可以通过根据权利要求5到8中任一权利要求所述的方法获得。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113518687A (zh) * 2019-04-26 2021-10-19 贺利氏材料新加坡有限公司 经涂覆线材
CN116075392A (zh) * 2020-10-15 2023-05-05 新加坡贺利氏材料私人有限公司 经涂覆的线材

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002023618A (ja) * 2000-06-30 2002-01-23 Pioneer Goods Kk 点 筆
JPWO2002023618A1 (ja) * 2000-09-18 2004-01-22 新日本製鐵株式会社 半導体用ボンディングワイヤおよびその製造方法
JP2012151350A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd ボールボンディング用ワイヤ
CN103184362A (zh) * 2012-01-02 2013-07-03 乐金股份有限公司 合金线材及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01162343A (ja) 1987-12-18 1989-06-26 Kobe Steel Ltd ボンディングワイヤ
JPH0714962A (ja) * 1993-04-28 1995-01-17 Mitsubishi Shindoh Co Ltd リードフレーム材およびリードフレーム
KR20060090700A (ko) * 2003-10-20 2006-08-14 스미토모덴키고교가부시키가이샤 본딩와이어 및 그것을 사용한 집적회로 디바이스
JP2005167020A (ja) 2003-12-03 2005-06-23 Sumitomo Electric Ind Ltd ボンディングワイヤーおよびそれを使用した集積回路デバイス
JP2007210418A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Toyota Motor Corp 車両の制御装置
JP4283880B2 (ja) 2007-07-20 2009-06-24 パナソニック株式会社 電気化学測定用電極板、およびこの電極板を有する電気化学測定装置、ならびにこの電極板を用いて目的物質を定量する方法
JP2013033811A (ja) 2011-08-01 2013-02-14 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd ボールボンディングワイヤ
WO2013076548A1 (en) * 2011-11-26 2013-05-30 Microbonds Inc. Bonding wire and process for manufacturing a bonding wire
JP6254841B2 (ja) * 2013-12-17 2017-12-27 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
TWI555155B (zh) * 2014-04-17 2016-10-21 光洋應用材料科技股份有限公司 銀合金線材
JP2016029691A (ja) 2014-07-25 2016-03-03 田中電子工業株式会社 表面改質銀パラジウム合金ワイヤの構造
EP3118353A1 (de) * 2015-07-13 2017-01-18 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zur herstellung eines drahtes aus einem ersten metall mit einer mantelschicht aus einem zweiten metall
TWI567842B (zh) * 2015-10-07 2017-01-21 樂金股份有限公司 石墨烯包覆的銀合金線及其製造方法
SG10201509634UA (en) * 2015-11-23 2017-06-29 Heraeus Oriental Hitec Co Ltd Coated wire
EP3228354B1 (en) * 2016-04-07 2020-08-05 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Method of directly connecting a wire to a feedthrough comprising a cermet conductor and an associated feedthrough
JP6807426B2 (ja) * 2019-04-12 2021-01-06 田中電子工業株式会社 金被覆銀ボンディングワイヤとその製造方法、及び半導体装置とその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002023618A (ja) * 2000-06-30 2002-01-23 Pioneer Goods Kk 点 筆
JPWO2002023618A1 (ja) * 2000-09-18 2004-01-22 新日本製鐵株式会社 半導体用ボンディングワイヤおよびその製造方法
US20040014266A1 (en) * 2000-09-18 2004-01-22 Tomohiro Uno Bonding wire for semiconductor and method of manufacturing the bonding wire
JP2012151350A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd ボールボンディング用ワイヤ
CN103184362A (zh) * 2012-01-02 2013-07-03 乐金股份有限公司 合金线材及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113518687A (zh) * 2019-04-26 2021-10-19 贺利氏材料新加坡有限公司 经涂覆线材
CN113518687B (zh) * 2019-04-26 2023-03-10 贺利氏材料新加坡有限公司 经涂覆线材
CN116075392A (zh) * 2020-10-15 2023-05-05 新加坡贺利氏材料私人有限公司 经涂覆的线材

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