CN109518149A - 沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法 - Google Patents

沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)制备Mo/SLG导电膜：(b)在步骤(a)的基础上制备沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG；(c)最后将上述制备的金属锑膜Sb/Mo/SLG放入真空度为1×10‑4‑9×10‑4Pa的石英管中并按Se/Sb物质的量比为1.5‑3加入硒，使得锑膜完全转换为Sb2Se3；随后将石英管转移至马弗炉中进行焙烧处理，得到沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜。采用本发明的方法制备的硒化锑薄膜沿<002>方向的载流子具有最高迁移率，从而可以极大提高光电化学产氢效率，在光电化学领域具有广泛的应用潜力。

Description

沿＜002＞方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法
技术领域
本发明属于光电材料制备领域，具体涉及一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法。
背景技术
硒化锑(Sb2Se3)是一种新型光电材料，它的禁带宽度为1.1-1.2eV，与硅(Si)类似，但是与硅相比，硒化锑具有很高的吸收系数(硒化锑为105cm-1，硅为～103cm-1)，因此适合作为薄膜光吸收材料。正交相硒化锑结构同时存在共价键与范德华键，是一种典型的二维层状材料。在硒化锑结构中，Sb4Se6基本结构单元(以下称ribbon单元)沿着c-轴以共价结合的形式无限延伸，而沿着a-轴和b-轴方向是由Sb4Se6以较弱的范德华键相互连接而成。因此，硒化锑是一种高度各项异性的晶体结构，因而电荷载流子的输运效率也是各向异性的。然而，沿着ribbon方向(c-轴，即<002>方向)的载流子具有最高迁移率，沿着另外两个轴的输运能力相对较弱，而沿ribbon方向(即<002>方向)的硒化锑薄膜能够极大的促进光电化学产氢性能。
因此，制备出一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜具有十分重要的意义。
发明内容
针对现有技术中存在的上述不足，本发明的目的在于提供一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，该方法通过利用Sb2Se3本身各向异性的生长速率，而Sb(003)有助于进一步抑制Sb2Se3薄膜在其它晶向的生长速率，同时在平衡的硒饱和蒸汽压下对Sb2Se3薄膜进行烧结处理，这三者的共同诱导作用制备出具有最高载流子迁移率的<002>方向择优的硒化锑薄膜，从而可以极大的提高光电化学产氢效率。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(a)制备Mo/SLG导电膜：
(a1)先后用丙酮、酒精和去离子水超声清洗钠钙玻璃基片，并浸泡在酒精中，使用时用吹风机吹干即可；
(a2)将金属钼靶置于磁控溅射室，所述金属钼靶的纯度为99.99％；
(a3)将步骤(a1)中洁净的钠钙玻璃基片装在衬底托盘上并转移到带金属钼靶的磁控溅射室，抽真空至1×10-4-9×10-4Pa，钼靶与钠钙玻璃基片的距离为3-10cm，衬底温度为250℃-500℃，溅射时衬底以5A/s的速度旋转以保证样品均匀；
(a4)在溅射功率为100-200W时，通过控制氩气的气压来制备双层钼薄膜结构，首先在氩气为2.0-3.5Pa下溅射5-15min获得厚度为350-450nm的第一钼层，然后在氩气为0.15-0.30Pa下溅射10-20min获得厚度为750-850nm的第二钼层；
(b)在步骤(a)的基础上制备沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG：
(b1)向溅射室通入N2至大气压，打开溅射室，将金属钼靶换成锑靶，所述锑靶纯度为99.99％；
(b2)重复上述步骤(a3)的操作；
(b3)在溅射功率为30-100W，氩气为0.25Pa时进行溅射，锑的溅射厚度约为300-1000nm；
(c)最后将步骤(b)中制备的沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG放入真空度为1×10-4Pa的石英管中并按Se/Sb物质的量比为1.5～3加入硒，使得锑膜可以完全转换为Sb2Se3；随后将石英管转移至马弗炉中进行焙烧处理，得到沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜。
进一步，步骤(a4)中第一钼层为400nm时，溅射功率为100W，氩气为3.0Pa，溅射10min，第二钼层为800nm时，溅射功率为100W，氩气为0.25Pa，溅射15min。
进一步，步骤(c)中Se/Sb物质的量比为2。
进一步，步骤(c)中焙烧温度为250℃-400℃，升温速率为5℃/min，烧结时间为2～8h。
进一步，步骤(c)中烧结温度为325℃。
以现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明利用Sb2Se3材料自身在<002>方向具有较高的生长趋势，借助Sb<003>有助于进一步抑制Sb2Se3薄膜在其它晶向的生长速率，以及在密封石英管中烧结也有利于Sb2Se3沿着<002>方向高度择优生长而制备出了一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜。这三者的共同诱导作用使得采用本发明的方法制备的硒化锑薄膜沿<002>方向的载流子具有最高迁移率，从而可以极大提高光电化学产氢效率，在光电化学领域具有广泛的应用潜力。
附图说明
图1为硒化锑薄膜生长方向与载流子输运关系图；
图2为Sb2Se3生长用的Sb<003>/Mo衬底的XRD谱图；
图3为硒化锑粉末与采用本发明的方法制备的硒化锑薄膜的XRD谱图；
图4为采用本发明的方法制备的硒化锑薄膜横截面的SEM图；
图5为Sb2Se3薄膜的宏观织构；
图6为采用本发明的方法制备的硒化锑薄膜表面沉积铂纳米粒子的SEM图；
图7为本发明制作好的光电极实物图(a)和光电极结构图(b)；
图8为采用本发明方法制备的硒化锑薄膜进行的光电化学产氢测试的线性伏安扫描图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明方法进行详细说明。本实验采用的磁控溅射仪器型号为大连齐维制造的脉冲激光沉积-磁控溅射复合***。靶材装置为科特莱思科M2AM10，磁控溅射直流电源为赛恩思SI-DC500C。
一、制备Sb2Se3(002)/Mo/SLG硒化锑薄膜
实施例1
一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(a)制备Mo/SLG导电膜：
(a1)先后用丙酮、酒精和去离子水超声清洗钠钙玻璃基片，取出浸泡在酒精中的清洁玻璃基片，使用时用吹风机吹干即可；
(a2)将金属钼靶置于磁控溅射室，所述金属钼靶的纯度为99.99％；
(a3)将步骤(a1)中洁净的钠钙玻璃基片装在衬底托盘上并转移到带金属钼靶的磁控溅射室，抽真空至1×10-4Pa，钼靶与钠钙玻璃基片的距离为10cm，衬底温度为250℃，溅射时衬底以5A/s的速度旋转以保证样品均匀；
(a4)在溅射功率为100W时，通过控制氩气的气压来制备双层钼薄膜结构，首先在氩气为3.5Pa下溅射5min获得厚度为350nm的第一钼层，然后在氩气为0.3Pa下溅射10min获得厚度为750nm的第二钼层；
(b)在步骤(a)的基础上制备沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG：
(b1)向溅射室通入N2至大气压，打开溅射室，将金属钼靶换成锑靶，所述锑靶纯度为99.99％；
(b2)重复上述步骤(a3)的操作；
(b3)在溅射功率为30W，氩气为0.25Pa时进行溅射，锑的溅射厚度为300nm；
(c)最后将步骤(b)中制备的沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG放入真空度为1×10-4Pa的石英管中并按Se/Sb物质的量比为1.5加入硒，使得锑膜可以完全转换为Sb2Se3；随后将石英管转移至马弗炉中进行焙烧处理，焙烧温度为250℃，升温速率为5℃/min，烧结时间为2h，得到沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜。
实施例2
一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(a)制备Mo/SLG导电膜：
(a1)先后用丙酮、酒精和去离子水超声清洗钠钙玻璃基片，取出浸泡在酒精中的清洁玻璃基片，使用时用吹风机吹干即可；
(a2)将金属钼靶置于磁控溅射室，所述金属钼靶的纯度为99.99％；
(a3)将步骤(a1)中洁净的钠钙玻璃基片装在衬底托盘上并转移到带金属钼靶的磁控溅射室，抽真空至4×10-4Pa，钼靶与钠钙玻璃基片的距离为4cm，衬底温度为250℃，溅射时衬底以5A/s的速度旋转以保证样品均匀；
(a4)在溅射功率为100W时，通过控制氩气的气压来制备双层钼薄膜结构，首先在氩气为3.0Pa下溅射10min获得厚度为400nm的第一钼层，然后在氩气为0.25Pa下溅射15min获得厚度为800nm的第二钼层；
(b)在步骤(a)的基础上制备沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG：
(b1)向溅射室通入N2至大气压，打开溅射室，将金属钼靶换成锑靶，所述锑靶纯度为99.99％；
(b2)重复上述步骤(a3)的操作；
(b3)在溅射功率为40W，氩气为0.25Pa时进行溅射，锑的溅射厚度为400nm；
(c)最后将步骤(b)中制备的沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG放入真空度为1×10-4Pa的石英管中并按Se/Sb物质的量比为2加入硒，使得锑膜完全转换为Sb2Se3；随后将石英管转移至马弗炉中进行焙烧处理，焙烧温度为325℃，升温速率为5℃/min，烧结时间为6h，得到沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜。
实施例3
一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(a)制备Mo/SLG导电膜：
(a1)先后用丙酮、酒精和去离子水超声清洗钠钙玻璃基片，取出浸泡在酒精中的清洁玻璃基片，使用时用吹风机吹干即可；
(a2)将金属钼靶置于磁控溅射室，所述金属钼靶的纯度为99.99％；
(a3)将步骤(a1)中洁净的钠钙玻璃基片装在衬底托盘上并转移到带金属钼靶的磁控溅射室，抽真空至9×10-4Pa，钼靶与钠钙玻璃基片的距离为3cm，衬底温度为500℃，溅射时衬底以5A/s的速度旋转以保证样品均匀；
(a4)在溅射功率为200W时，通过控制氩气的气压来制备双层钼薄膜结构，首先在氩气为2.0Pa下溅射15min获得厚度为450nm的第一钼层，然后在氩气为0.15Pa下溅射20min获得厚度为850nm的第二钼层；
(b)在步骤(a)的基础上制备沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG：
(b1)向溅射室通入N2至大气压，打开溅射室，将金属钼靶换成锑靶，所述锑靶纯度为99.99％；
(b2)重复上述步骤(a3)的操作；
(b3)在溅射功率为100W，氩气为0.25Pa时进行溅射，锑的溅射厚度为1000nm；
(c)最后将步骤(b)中制备的沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG放入真空度为1×10-4Pa的石英管中并按Se/Sb物质的量比为1.5加入硒，使得锑膜完全转换为Sb2Se3；随后将石英管转移至马弗炉中进行焙烧处理，焙烧温度为400℃，升温速率为5℃/min，烧结时间为8h，得到沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜。
二、Sb2Se3<002>/Mo/SLG硒化锑薄膜的性能测试
1、硒化锑薄膜的生长方向
硒化锑的生长方向与载流子的输运效率密切相关。如图1所示，如果薄膜是ribbon单元平行于衬底表面即生长方向为<hk0>，薄膜的输运效率最低，因为载流子需要在ribbon之间的范德瓦尔键中跳跃传输；如果薄膜沿着c-轴生长，也就是ribbon单元与衬底垂直，那么薄膜将具有最高的输运效率，因为载流子始终沿着共价键方向输运，会有更高的迁移率；如果生长方向是ribbon与衬底呈锐角，那么输运效率是夹角越大越高，且都高于平行向生长，但是低于c-轴生长。
2、X-射线衍射仪(XRD)测试
图2是Sb2Se3生长用的Sb<003>/Mo衬底的XRD谱图，从图可知，Sb<003>/Mo中的Sb膜在<003>方向有很强的择优取向生长，这有利于硒化中Sb2Se3沿着<002>方向生长。图3是粉末硒化锑与采用本发明的方法制备的硒化锑薄膜的XRD谱图，从图中可知，粉末Sb2Se3在<002>方向的峰强度明显弱于Sb2Se3薄膜在<002>方向的峰强度，这反映了薄膜生长方向是沿着<002>方向生长，并且有非常强的取向，因为<002>峰在无取向的粉末样品中是比较弱的，但是在择优取向的薄膜中却变成了最强的，这也刚好证明了本发明已成功合成出了高度沿<002>择优生长的硒化锑光电薄膜。
3、Sb2Se3薄膜的宏观织构测试
图4是Sb2Se3薄膜的织构测试，可以直观的反应择优取向的空间分布。从图中可以看到Sb2Se3薄膜的确在衬底法向沿着<002>向取向生长，且主要的生长分布于衬底法向的夹角在10°(角度定义见图1，对应θ>80°)以内。这说明了Sb2Se3薄膜是高度沿<002>择优取向生长的。
4、扫描电子显微镜(SEM)测试
图5为采用本发明的方法制备的硒化锑薄膜横截面的SEM图，从图中可以看出，钼为双层结构，双层结构的钼制备出的薄膜导电性更好，耐腐蚀性也更强；同时也可以看出最上层的Sb2Se3与下层沉积的双层钼接触良好，这有助于载流子向背电极传输。
三、沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜在光电化学产氢方面的应用
对所制备的c-轴择优生长的硒化锑薄膜进行了光电化学产氢性能测试，首先在硒化锑薄膜表面上沉积有助于水还原为氢气的铂纳米粒子，结果如图6所示，从SEM图中可以看出，在硒化锑薄膜的表面上具有清晰可见的铂纳米颗粒；再将沉积铂纳米颗粒的硒化锑薄膜制作成光电极材料，图7给出了制作好的光电极实物图(a)和光电极结构图(b)；最后在标准太阳光照射下(100mW/cm2)，1mol/L的硫酸电解液中进行了光电化学产氢性能测试，结果如图8所示，从图中可以看出，采用c-轴择优取向生长的硒化锑薄膜制作的光电极具有很高的产氢光电流为25.2mA/cm2，这主要是由于本发明制备的硒化锑薄膜具有高的c-轴择优取向生长，而沿<002>方向的载流子具有最高迁移率，从而促进了反应的进行，最终提高了产氢光电流。
反应机理：这主要是由于Sb2Se3材料自身在c-轴方向具有较高的生长趋势，而Sb<003>有助于进一步抑制Sb2Se3薄膜在其它晶向的生长速率，这是由于择优取向的Sb前驱体膜有利于在硒化过程中保持微观应力的方向不变，且Sb膜结构存在大的孔道结构有利于Se扩散进入Sb膜同时发生反应，最终使得Sb2Se3沿<002>方向高度择优生长；此外，在密封石英管中烧结也有利于Sb2Se3沿着<002>方向高度择优生长，这是由于在烧结过程中可以保持Se饱和蒸汽压恒定有利于择优生长，以及通过增加Se分压促进Se在较低反应温度下向Sb膜扩散并且反应生成硒化锑。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (5)

1.一种沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)制备Mo/SLG导电膜：
(a1)先后用丙酮、酒精和去离子水超声清洗钠钙玻璃基片，并浸泡在酒精中，使用时用吹风机吹干即可；
(a2)将金属钼靶置于磁控溅射室，所述金属钼靶的纯度为99.99％；
(a3)将步骤(a1)中洁净的钠钙玻璃基片装在衬底托盘上并转移到带金属钼靶的磁控溅射室，抽真空至1×10-4-9×10-4Pa，钼靶与钠钙玻璃基片的距离为3-10cm，衬底温度为250℃-500℃，溅射时衬底以5A/s的速度旋转以保证样品均匀；
(a4)在溅射功率为100-200W时，通过控制氩气的气压来制备双层钼薄膜结构，首先在氩气为2.0-3.5Pa下溅射5-15min获得厚度为350-450nm的第一钼层，然后在氩气为0.15-0.30Pa下溅射10-20min获得厚度为750-850nm的第二钼层；
(b)在步骤(a)的基础上制备沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG：
(b1)向溅射室通入N2至大气压，打开溅射室，将金属钼靶换成锑靶，所述锑靶纯度为99.99％；
(b2)重复上述步骤(a3)的操作；
(b3)在溅射功率为30-100W，氩气为0.25Pa时进行溅射，锑的溅射厚度约为300-1000nm；
(c)最后将步骤(b)中制备的沿<003>取向的金属锑膜Sb/Mo/SLG放入真空度为1×10- 4Pa的石英管中并按Se/Sb物质的量比为1.5～3加入硒，使得锑膜可以完全转换为Sb2Se3；随后将石英管转移至马弗炉中进行焙烧处理，得到沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜。
2.根据权利要求1所述的沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(a4)中第一钼层为400nm时，溅射功率为100W，氩气为3.0Pa，溅射10min，第二钼层为800nm时，溅射功率为100W，氩气为0.25Pa，溅射15min。
3.根据权利要求1所述的沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(c)中Se/Sb物质的量比为2。
4.根据权利要求1所述的沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(c)中焙烧温度为250℃-400℃，升温速率为5℃/min，烧结时间为2～8h。
5.根据权利要求4所述的沿<002>方向择优生长的硒化锑光电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(c)中烧结温度为325℃。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111020487A (zh) * 2019-11-21 2020-04-17 华中科技大学 一种取向可控的准一维结构材料的薄膜制备方法
CN112376113A (zh) * 2020-10-28 2021-02-19 河南大学 一种硒化锑晶体、其制备方法及应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160037A (ja) * 1984-01-31 1985-08-21 Sony Corp 情報記録媒体
CN106129143A (zh) * 2016-07-01 2016-11-16 武汉光电工业技术研究院有限公司 一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法
CN106917068A (zh) * 2017-03-29 2017-07-04 福建师范大学 基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb2Se3薄膜的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60160037A (ja) * 1984-01-31 1985-08-21 Sony Corp 情報記録媒体
CN106129143A (zh) * 2016-07-01 2016-11-16 武汉光电工业技术研究院有限公司 一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法
CN106917068A (zh) * 2017-03-29 2017-07-04 福建师范大学 基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb2Se3薄膜的方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. SHONGALOVA ET AL.: "Growth of Sb2Se3thin films by selenization of RF sputtered binary precursors", 《SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS》 *
ZHIQIANG LI ET AL.: "Sb2Se3 thin film solar cells in substrate configuration and the back contact selenization", 《SOLAR ENERGY MATERIALS & SOLAR CELLS》 *
袁晨辰: "Sb2Se3太阳能电池的制备与性能研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技2辑》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111020487A (zh) * 2019-11-21 2020-04-17 华中科技大学 一种取向可控的准一维结构材料的薄膜制备方法
CN112376113A (zh) * 2020-10-28 2021-02-19 河南大学 一种硒化锑晶体、其制备方法及应用
CN112376113B (zh) * 2020-10-28 2022-02-11 河南大学 一种硒化锑晶体、其制备方法及应用

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