CN109478489B - 用于多区域电极阵列中的rf功率分配的方法 - Google Patents

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Abstract

描述了用于多区域电极阵列中的RF功率分配的***和方法的实施方式。***可以包括等离子体源，该等离子体源被配置成生成等离子体场。此外，该***可以包括RF电源，该RF电源耦合至等离子体源并且被配置成向等离子体源提供RF功率。该***还可以包括源控制器，该源控制器耦合至RF电源并且被配置成控制对提供给等离子体源的RF功率的调制，以提高由等离子体源生成的等离子体场的均匀性。

Description

用于多区域电极阵列中的RF功率分配的方法
相关申请的交叉引用
本申请与2016年7月14日提交的美国临时申请第62/362248号有关并且要求其优先权，该美国临时申请的全部内容通过引用合并在本文中。
技术领域
本发明涉及用于基板处理的***和方法，以及更特别地，涉及用于多区域电极阵列中的射频(RF)功率分配的方法和***。
背景技术
等离子体源被用在各种半导体器件制造过程例如干法等离子体蚀刻过程中。等离子体蚀刻过程用于沿着细线或在半导体基板上图案化的通孔或接触孔内移除或蚀刻材料。等离子体蚀刻过程通常包括将具有交叠的图案化的保护层(例如光致抗蚀剂层)的半导体基板定位到处理室中。
一旦基板被定位在室内，就通过以预先指定的流量将可电离的游离气体混合物引入到室中并且同时调节真空泵以实现处理压力来对该基板进行蚀刻。然后，当气体种类中的一部分通过与高能电子碰撞而被电离时，形成等离子体。加热的电子使气体混合物中的一些气体种类成游离的，以产生适合于暴露表面-蚀刻化学过程的反应物种类。一旦形成等离子体，基板的任何暴露表面被等离子体以一定速率蚀刻，该速率随等离子体密度、平均电子能量和其他因素而变化。
传统上，已经实现了各种技术以用于在上述半导体器件制造期间将气体激发成等离子体以用于基板的处理。特别地，“平行板”电容耦合等离子体(CCP)处理***或电感耦合等离子体(ICP)处理***通常被用于等离子体激发。
脉冲RF等离子体通常用于一系列处理应用。通常，CCP等离子体工具具有两个以不同RF频率供电的电极。高频源控制等离子体源的离子通量(ion flux)，以及低频源控制离子能量。
随着对目标特征尺寸的设计要求降低——特别是越过10nm技术节点，蚀刻过程一致性要求显著增加。由于等离子体密度——包括离子能量和离子通量——的变化，现有CCP处理***可能无法满足这样的一致性要求。
发明内容
描述了用于多区域电极阵列中的RF功率分配的***和方法的实施方式。***可以包括等离子体源，该等离子体源被配置成生成等离子体场。此外，该***可以包括RF电源，该RF电源耦合至等离子体源并且被配置成向等离子体源提供RF功率。该***还可以包括源控制器，该源控制器耦合至RF电源并且被配置成控制对提供给等离子体源的RF功率的调制，以提高由等离子体源生成的等离子体场的均匀性。
在实施方式中，方法包括提供等离子体源，该等离子体源被配置成生成等离子体场，该等离子体源具有第一电极组件和第二电极组件，该第一电极组件具有多个源电极，该第二电极组件具有多个环形源电极。该方法还可以包括使用射频(RF)电源向第一电极组件提供高频(HF)RF功率以及向第二电极组件提供低频(LF)RF功率。另外，该方法可以包括使用耦合至第一电极组件的第一复用器来可选择地将RF功率独立地施加至第一电极组件中的多个源电极中的每个源电极。此外，该方法可以包括使用耦合至第二电极组件的第二复用器来可选择地将RF功率独立地施加至第二电极组件中的多个源电极中的每个源电极。该方法还可以包括使用耦合至第一复用器和第二复用器的源控制器来控制对提供给等离子体源的RF功率的调制，以提高由等离子体源生成的等离子体场的均匀性。
附图说明
包含在本说明书中并且构成本发明书的一部分的附图示出了本发明的实施方式，并且附图与以上给出的本发明的一般描述以及以下给出的详细描述一起用于描述本发明。
图1是示出用于等离子体处理的***的一个实施方式的示意性框图。
图2是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的***的一个实施方式的示意图。
图3是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的装置的一个实施方式的示意性框图。
图4是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的装置的一个实施方式的示意性框图。
图5是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的过程的一个实施方式的示意图。
图6是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的方法的一个实施方式的流程图。
具体实施方式
提出了用于多区域电极阵列中的RF功率分配的方法和***。然而，相关领域的技术人员将认识到，可以在没有特定细节中的一个或更多个特定细节的情况下或者使用其他替换和/或附加方法、材料或组件来实践各个实施方式。在其他情况下，未详细描述或示出公知的结构、材料或操作，以避免使本发明的各个实施方式的各方面不清楚。
类似地，出于说明的目的，阐述了特定的数字、材料和配置，以便提供对本发明的透彻理解。然而，可以在没有特定细节的情况下实践本发明。此外，应该理解的是，附图中所示的各个实施方式是说明性表示，并且不一定按比例绘制。在参照附图时，相同的附图标记始终指代相同的部件。
整个说明书中对“一个实施方式”或“实施方式”或其变形的引用是指结合该实施方式描述的特定特征、结构、材料或特性被包括在本发明的至少一个实施方式中，但是并不表示它们存在于每个实施方式中。因此，在整个说明书中各处出现的诸如“在一个实施方式中”或“在实施方式中”的短语不一定指的是本发明的同一实施方式。此外，在一个或更多个实施方式中可以以任何合适的方式组合特定特征、结构、材料或特性。在其他实施方式中可以包括各种附加层和/或结构以及/或者可以省略所描述的特征。
另外，应该理解的是，除非另有明确说明，否则“一”或“一个”可能是指“一个或更多个”。
各种操作将被以最有助于理解本发明的方式依次描述为多个离散操作。然而，描述的顺序不应该被解释为暗示这些操作必须依赖于顺序。特别地，不需要按呈现的顺序执行这些操作。可以按与所描述的实施方式不同的顺序执行所描述的操作。在另外的实施方式中，可以执行各种附加操作和/或可以省略所描述的操作。
如本文所使用的，术语“基板”意指并且包括上面形成有材料的基础材料或构造。应该理解的是，基板可以包括单一材料、不同材料的多个层、其中具有不同材料或不同结构的区域的一层或更多层等。这些材料可以包括半导体、绝缘体、导体或其组合。例如，基板可以是半导体基板、支承结构上的基础半导体层、其上形成有一个或更多个层、结构或区域的半导体基板或金属电极。基板可以是传统的硅基板或包括半导体材料层的其他块状基板。如本文所使用的，术语“块状基板”不仅意指并且包括硅晶片，还包括绝缘体上硅(“SOI”)基板——例如蓝宝石上硅(“SOS”)基板和玻璃上硅(“SOG”)基板——基础半导体基部上的硅外延层以及其他半导体或光电材料，例如硅锗、锗、砷化镓、氮化镓和磷化铟。基板可以是掺杂的或未掺杂的基板。
现在参照附图，其中在若干视图中相同的附图标记表示同一部分或对应的部分。
图1是用于执行蚀刻和后热处理的***100的实施方式。在另外的实施方式中，如参照图2所述，***100还可以被配置用于多区域电极阵列中的RF功率分配。在图1中示出被配置成执行以上标识的过程情况的蚀刻和后热处理***100，其包括处理室110、基板保持器120——待处理的基板125固定在基板保持器120上——以及真空抽吸***150。基板125可以是半导体基板、晶片、平板显示器或液晶显示器。处理室110可以被配置成有助于在基板125的表面附近蚀刻处理区域145。经由气体分配***140引入过程气体的混合物或可电离气体。对于给定的过程气体流，使用真空抽吸***150调节过程压力。
基板125可以经由夹紧***(未示出)例如机械夹紧***或电夹紧***(例如静电夹紧***)来固定到基板保持器120。此外，基板保持器120可以包括被配置成调节和/或控制基板保持器120和基板125的温度的加热***(未示出)或冷却***(未示出)。加热***或冷却***可以包括传热流体的再循环流，在冷却时传热流体从基板保持器120接收热量并且将热量传递到热交换器***(未示出)，或者在加热时将热量从热交换器***传递到基板保持器120。在其他实施方式中，可以在基板保持器120以及处理室110的室壁和处理***100内的任何其他部件中包括加热/冷却元件，例如电阻加热元件或热电加热器/冷却器。
另外，可以经由后侧气体供应***126将传热气体输送到基板125的后侧，以便提高基板125与基板保持器120之间的气隙热导率。当在升高的或降低的温度下需要控制基板的温度时可以利用这样的***。例如，后侧气体供应***可包括双区域气体分配***，其中，可以在基板125的中心与边缘之间独立地改变氦气气隙压力。
在图1所示的实施方式中，基板保持器120可以包括电极122，RF功率通过电极122耦合至处理区域145。例如，基板保持器120可以经由通过可选阻抗匹配网络132从RF发生器130到基板保持器120的RF功率传输以RF电压被电偏置。RF电偏置可以用于加热电子以形成和保持等离子体。在该配置中，***100可以操作为反应离子蚀刻(RIE)反应器，其中，室和上方气体注入电极用作地表面。
此外，可以使用脉冲偏置信号控制器131来使以RF电压对电极122的电偏置脉冲化。例如，可以使从RF发生器130输出的RF功率在关闭状态与开启状态之间脉冲化。替选地，将RF功率以多个频率施加到基板保持器电极。此外，阻抗匹配网络132可以通过降低反射功率来改善RF功率向等离子体处理室110中的等离子体的转移。匹配网络拓扑(例如L型、π型、T型等)和自动控制方法是本领域技术人员公知的。
气体分配***140可以包括喷头设计，该喷头设计用于引入过程气体的混合物。替选地，气体分配***140可以包括多区域喷头设计，该多区域喷头设计用于引入过程气体的混合物——其中x是大于0的数字——以及用于调节基板125上方的过程气体的混合物的分配。例如，多区域喷头设计可以被配置成相对于到基板125上方的大致中心区域的过程气体流或成分的量来将过程气体流或成分调节到基板125上方的大致周边区域。在这样的实施方式中，可以以合适的组合分配气体以在室110内形成高度均匀的等离子体。
真空抽吸***150可以包括涡轮分子真空泵(TMP)和闸阀，涡轮分子真空泵能够达到每秒约8000升(或更高)的抽吸速度，闸阀用于调节室压力。在用于干法等离子体蚀刻的常规等离子体处理设备中，可以采用每秒800至3000升的TMP。TMP对于低压处理(通常小于约50毫托)是有用的。对于高压处理(即，大于约80毫托)，可以使用机械增压泵和干式低真空泵。此外，可以将用于监测室压力的设备(未示出)耦合至等离子体处理室110。
在实施方式中，源控制器155可以包括微处理器、存储器和数字I/O端口，其能够生成足以传送和激活至处理***100的输入的控制电压以及监测来自等离子体处理***100的输出。此外，源控制器155可以耦合至以下装置并且可以与以下装置交换信息：RF发生器130、脉冲偏置信号控制器131、阻抗匹配网络132、气体分配***140、气体供应装置190、真空抽吸***150以及基板加热/冷却***(未示出)、后侧气体供应***126和/或静电夹紧***128。例如，可以根据过程配方利用存储在存储器中的程序来激活至处理***100的上述部件的输入，以便在基板125上执行等离子体辅助过程，例如等离子体蚀刻过程或后加热处理过程。
另外，处理***100还可以包括上电极170，RF功率可以通过可选的阻抗匹配网络174从RF源172耦合至上电极170。在一个实施方式中，向上电极施加RF功率的频率的范围可以从约0.1MHz至约200MHz。替选地，本实施方式可以与电感耦合等离子体(ICP)源、电容耦合等离子体(CCP)源、被配置成在GHz频率范围内操作的表面波等离子体源、被配置成在sub-GHz到GHz范围内操作的电子回旋共振(ECR)源和其他源一起使用。另外，向下电极施加功率的频率的范围可以从约0.1MHz至约80MHz。此外，源控制器155耦合至RF源172和阻抗匹配网络174，以便对向上电极170施加RF功率进行控制。上电极的设计和实现方式是本领域技术人员公知的。如图所示，可以将上电极170和气体分配***140设计在同一室组件内。替选地，上电极170可以包括用于调节RF功率分配的与基板125上方的等离子体耦合的多区域电极设计。例如，可以将上电极170划分为中心电极和边缘电极。
根据应用，可以将诸如传感器或计量设备的附加设备耦合至处理室110和源控制器155，以收集实时数据并且使用这样的实时数据来同时控制两个或更多个步骤中的两个或更多个所选择的集成操作变量，其中，所述两个或更多个步骤涉及集成方案的沉积过程、RIE过程、拉拔过程、轮廓改造过程、加热处理过程和/或图案转移过程。此外，使用相同的数据以确保集成目标，其中，集成目标包括完成后热处理、图案均匀性(均匀性)、结构下拉(下拉(pulldown))、结构减薄(减薄(slimming))、结构纵横比(纵横比)、线宽粗糙度、基板吞吐量、拥有的成本以及实现的类似集成目标。
通过调制所施加的功率，通常通过改变脉冲频率和占空比，可以获得与连续波(CW)中产生的等离子体的特性明显不同的等离子体特性。因此，电极的RF功率调制可以提供对时间平均离子通量和离子能量的控制。
图2是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的***200的一个实施方式的示意图。在实施方式中，***200包括源控制器155、高频RF源172和低频RF源135。在实施方式中，低频RF源135可以提供频率在1MHz与50MHz之间的RF功率，以及高频RF源172可以提供频率在1MHz与200MHz之间的RF功率。另外，***200可以包括耦合至高频RF源172的第一复用器202和耦合至低频RF源135的第二复用器204。在实施方式中，高频RF源172和低频RF源135可以包括被配置成分别向第一电极组件210和第二电极组件212提供混合频率多个RF电源单元。其他实施方式可以包括双频或多频RF发生器。
另外，第一电极组件210可以耦合至第一复用器202，以及第二电极组件212可以耦合至第二复用器204。可以包括第一电极组件210的各种替选实施方式，例如电感耦合等离子体(ICP)源等。普通技术人员将认识到，以上提到的频率范围可以根据实现方式而变化。
在实施方式中，第一电极组件210和第二电极组件212中的每一个可以包括等离子体源216，如本文所定义的，等离子体源216指的是包括第一电极216a、第二电极216b和第三电极216c的多区域电极阵列。在实施方式中，每个电极的表面面积基本相同，并且被设计成当RF功率连接至接触垫(未示出)中的任何接触垫时保持相同的等离子体阻抗。普通技术人员将认识到，可以在等离子体源216中包括任何数量的电极。实际上，电极的尺寸和数量可以根据等离子体源216是用在第一电极组件210中还是用在第二电极组件212中而改变。在一些实施方式中，无论在何处，可以存在1到100个电极。在所示实施方式中，电极216a、216b和216c被同心地布置。普通技术人员将认识到各种替选的电极计数和布置，包括贴片电极、带状电极等的阵列。
在实施方式中，第一复用器202可以包括多个RF开关206a、206b和206c，每个开关用于每个电极216a、216b和216c。替选地，可以使用单个多端口RF开关。普通技术人员将认识到根据本实施方式可以使用的各种RF开关，包括例如单刀双掷开关、多端口或单刀多掷开关、转接开关或双刀双掷开关等。
在实施方式中，源控制器155可以根据用于提高等离子场218的均匀性的过程向第一复用器202和第二复用器204提供控制信号以用于操作开关206a、206b、206c、208a、208b和208c中至少之一。特别地，源控制器155可以根据关于图5所描述的过程进行操作。在这样的实施方式中，源控制器155可以根据工作周期来操作RF开关，其中，工作周期被配置成提高等离子体场218的各个区域中的离子密度ne1、ne2、ne3或离子能量Ei1、Ei2、Ei3。
在一个实施方式中，开关206a、206b、206c、208a、208b和208c中的每一个可以被连续地操作，使得第一电极组件210中的电极216a、216b和216c以及第二电极组件212中的电极216a、216b和216c连续地接收RF充电(RF charge)。在另一实施方式中，开关206a、206b、206c、208a、208b和208c中的两个或更多个可以被并行操作，使得第二电极组件212中的电极216a、216b和216c中的两个或更多个电极并行接收RF充电。实际上，普通技术人员将认识到可以采用的各种模式。例如，第一电极组件210中的电极216a和216c可以与第二电极组件212中的电极216b并行地***作，等等。可以根据要在基板125上或基板125中形成的特征，使用各种模式以实现改进的一致性或达到各种处理目标。
图3是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的装置的一个实施方式的示意性框图。在实施方式中，该装置包括源控制器155。源控制器155可以包括处理器302。处理器302的其他合适的实施方式可以包括可编程逻辑控制器(PLC)、微处理器、可编程门阵列等。在该实施方式中，处理器302可以耦合至用于在处理器302与存储器设备304之间输送数据和程序指令318的总线306。存储器设备304可以在数据存储部320中存储数据，并且还可以存储用于执行操作的程序指令318，其中，所述操作包括生成用于控制第一复用器202和第二复用器204的信号。
另外，总线306可以耦合至用于从远程网络设备(未示出)接收更新的程序指令或数据的网络接口308。此外，总线306可以耦合至用于与第一复用器202、第二复用器204以及如图1所示的RF电源或RF源172和130进行接口的I/O控制器310。
在另一实施方式中，如图4所示，源控制器155可以包括一个或更多个软件定义模块或单元。例如，源控制器155可以包括伪CW单元402、脉冲单元404、复用器接口406、频率控制单元408和工作周期控制单元410。普通技术人员将认识到可以被包括在源控制器155中的各种替选或附加模块，例如相位控制单元等。
在实施方式中，伪CW单元402将CW RF功率在一个周期中的特定时间段期间施加到每个电极。在这样的实施方式中，施加到电极N的时间平均功率PN是：
PN＝(tN/T)P0 (1)
其中P0是设定(转送)RF功率，并且tN是每周期时间T的RF“开启”(“on”)时间。另外，在这样的实施方式中，特定电极216a、216b或216c附近的局部等离子体密度是时间平均功率的函数：
nN＝F(PN)＝F(P0tN/T) (2)
在这样的实施方式中，在给定能量Ei下离子轰击的局部占空比(duty)是为tN/T。
在实施方式中，脉冲单元404将脉冲RF在一个周期中的特定时间段期间施加到每个电极216a、216b和216c。在实施方式中，用于每个电极的脉冲占空比和频率可以是独特的和独立的。在这样的实施方式中，施加到电极N的时间平均功率是：
PN＝(tN/T)P0DN (3)
其中DN是tN时间上的RF功率占空比。在这样的实施方式中，特定电极216a、216b或216c附近的局部等离子体密度是时间平均功率的函数：
nN＝F(PNDN)＝F(P0DNtN/T) (4)
在这样的实施方式中，在给定能量Ei下离子轰击的局部占空比是DNtN/T。
在实施方式中，复用器接口406可以被配置成根据由伪CW单元402、脉冲单元404或两者生成的指令生成开关控制信号。
在实施方式中，频率控制单元408可以与高频RF源172或低频RF源135中至少之一进行接口以调制施加到电极216a、216b和216c中至少之一的频率。在各种实施方式中，可以将任何频率施加到电极216a、216b和216c中至少之一，其中，所述任何频率包括1Hz到10000Hz范围内的频率。
在实施方式中，工作周期控制单元410可以控制施加到电极216a、216b和216c中至少之一的RF功率的工作周期。例如，可以由工作周期控制单元410定义和执行图5中所示的工作周期或者类似实施方式。
在另一实施方式中，RF源172和RF发生器130可以被配置成生成各种频率的RF功率。另外，RF源172和RF发生器130可以被配置成生成各种幅度的RF功率。在又一实施方式中，可以产生不同频率的多个信号并且将其组合在混合频率信号中。另外，可以产生各种信号波形。可以产生的波形可能随时间在幅度和/或周期上变化。周期变化可以包括相位方差或频率方差。在实施方式中，波形可以包括锯齿波形，其中信号幅度随时间可变。在又一实施方式中，可以将信号类型进行组合。例如，可以将第一频率的锯齿信号与第二频率的正弦信号组合。普通技术人员可以认识到可以由RF源172和/或RF发生器130产生的各种另外的信号实施方式。
图5是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的过程的一个实施方式的示意图。在图5的讨论中引用的元件将包括先前讨论的图中所示的元件。在实施方式中，在第一时间502处，可以将第一开关206a接合以向第一电极组件210中的电源216的第一电极216a提供高频(HF)功率。施加的功率的定时和持续时间可以由源控制器155的工作周期控制单元410确定。
在第二时间段504处，可以在第二持续时间期间向第二电极216b施加功率。在第三时间段506处，可以在第三持续时间期间向第三电极216c施加功率。在第四时间段508处，可以在第n持续时间期间向第n电极(未示出)施加功率。因此，可以在一个功率周期(powercycle)(T)510内对每个电极施加功率，并且功率周期可以在操作期间连续循环。在实施方式中，工作周期在0.1ms至10s的范围内。
图6是示出用于多区域电极阵列中的RF功率分配的方法600的一个实施方式的流程图。在实施方式中，方法600包括提供等离子体源，该等离子体源被配置成生成等离子体场，该等离子体源具有第一电极组件和第二电极组件，第一电极组件具有同心布置的多个环形源电极，第二电极组件具有同心布置的多个环形源电极，如框602处所示。如上所述，也可以使用源电极的布置的其他配置。在框604处，方法600包括使用射频(RF)电源向第一电极组件提供高频(HF)RF功率和向第二电极组件提供低频(LF)RF功率。在框606处，方法600包括使用耦合至第一电极组件的第一复用器来可选择地将RF功率独立施加至第一电极组件中的多个源电极中的每个源电极。方法600还可以包括使用耦合至第二电极组件的第二复用器来可选择地将RF功率独立施加至第二电极组件中的多个源电极中的每个源电极，如框608处所示。在框610处，方法600包括使用耦合至第一复用器和第二复用器的源控制器来控制对提供给等离子体源的RF功率的调制，以提高由等离子体源生成的等离子体场的均匀性。
有利地，本实施方式可以通过提供RF脉冲频率和模式的多种组合来提高过程灵活性。例如，可以改变时间脉冲模式以提供更大或更小的时间平均离子轰击分布。实际上，本文描述的各种实施方式提供对晶片的时间平均离子轰击分布控制。另外，可以实现特殊的等离子体密度分布控制。例如，多区域电极阵列可以提供提高的特殊等离子体密度分布控制。这些实施方式还可以补偿高频处的驻波效应。另一益处在于，本实施方式可以实现这些益处，并且仍然仅需要每个电极组件单个RF源172，RF源已经被包括在大多数标准过程工具中。
普通技术人员将理解，所描述的实施方式可以通过提供伪CW和RF脉冲能力的多种组合来提高过程灵活性。另外，所描述的实施方式可以增强空间等离子体密度分布控制。还可以增强对基板的时间平均离子轰击分布控制。这样的实施方式可以潜在地补偿高频处的驻波效应。另外，这样的实施方式仍然仅需要每个电极组件单个RF发生器，如在大多数标准过程工具中实现的那样。因此，硬件修改或添加要求会是有限的。
另外的优点和修改对本领域技术人员将是容易显现的。因此，本发明在其更广泛的方面不限于具体细节、代表性装置和方法，以及所示和所述的说明性示例。因此，在不脱离一般发明构思的范围的情况下，可以偏离于这些细节。

Claims (16)

1.一种用于等离子体处理的***，包括：
等离子体源，其包括第一电极组件和第二电极组件，所述第一电极组件具有第一多个源电极，所述第二电极组件具有第二多个源电极，所述第一电极组件和所述第二电极组件呈面对布置，所述面对布置在所述第一电极组件与所述第二电极组件之间限定处理区域，所述等离子体源被配置成在所述处理区域中生成等离子体场；
第一复用器，其用于可选择地将射频RF功率独立地施加至所述第一电极组件中的所述第一多个源电极；
第二复用器，其用于可选择地将所述RF功率独立地施加至所述第二电极组件中的所述第二多个源电极；
RF电源，其通过所述第一复用器和所述第二复用器中的至少一个耦合至所述等离子体源，并且被配置成向所述等离子体源提供所述RF功率；以及
源控制器，其耦合至所述RF电源、所述第一复用器和所述第二复用器，并且被配置成通过可选择地将所述RF功率连续地施加至所述第一电极组件和所述第二电极组件中的至少一个的多个源电极中的每一个，来控制对提供给所述等离子体源的RF功率的调制，以提高由所述等离子体源生成的所述等离子体场的均匀性。
2.根据权利要求1所述的***，其中，所述第一电极组件中的源电极的数量在1到100的范围内。
3.根据权利要求1所述的***，其中，所述第一复用器包括开关，所述开关用于可选择地将RF功率独立地施加至所述第一电极组件中的所述多个源电极中的每个源电极。
4.根据权利要求1所述的***，其中，所述第二电极组件中的源电极的数量在1到100的范围内。
5.根据权利要求1所述的***，其中，所述第二复用器包括开关，所述开关用于可选择地将RF功率独立地施加至所述第二电极组件中的所述多个源电极中的每个源电极。
6.根据权利要求1所述的***，其中，所述RF电源被配置成将高频HF功率施加至所述等离子体源。
7.根据权利要求1所述的***，其中，所述RF电源被配置成将低频LF功率施加至所述等离子体源。
8.根据权利要求1所述的***，其中，所述RF电源被配置成将混合频率功率施加至所述等离子体源。
9.根据权利要求1所述的***，其中，所述RF电源被配置成将非正弦功率施加至所述等离子体源，其中，所述功率的大小和周期中的至少之一能够随时间变化。
10.根据权利要求1所述的***，其中，所述源控制器被配置成在指定时间段内调制提供给所述电源的RF功率的频率，并且其中，提供的所述RF功率的频率在从1赫兹到200兆赫的范围内。
11.根据权利要求1所述的***，其中，所述源控制器被配置成调制提供给所述电源的功率的工作周期，并且其中，所述调制的工作周期的周期时间在从0.1毫秒到10秒的范围内。
12.根据权利要求1所述的***，其中，所述源控制器被配置成使所述RF电源向所述等离子体源提供伪连续波CW功率。
13.根据权利要求1所述的***，其中，所述源控制器被配置成使所述RF电源向所述等离子体源提供RF功率脉冲。
14.根据权利要求1所述的***，其中，所述源控制器被配置成使所述RF电源向所述等离子体源提供伪连续波CW功率和RF功率脉冲的组合。
15.根据权利要求1所述的***，其中，所述等离子体源包括同心布置的多个环形源电极或者贴片电极阵列或者带状电极阵列。
16.一种用于等离子体处理的方法，包括：
提供等离子体源，所述等离子体源包括第一电极组件和第二电极组件，所述第一电极组件具有第一多个源电极，所述第二电极组件具有第二多个环形源电极，所述第一电极组件和所述第二电极组件呈面对布置，所述面对布置在所述第一电极组件与所述第二电极组件之间限定处理区域，所述等离子体源被配置成在所述处理区域中生成等离子体场；
使用射频RF电源向所述第一电极组件提供高频HF RF功率，以及向所述第二电极组件提供低频LF RF功率；
使用耦合至所述第一电极组件的第一复用器来可选择地将RF功率独立地施加至所述第一电极组件中的所述第一多个源电极中的每个源电极；
使用耦合至所述第二电极组件的第二复用器来可选择地将RF功率独立地施加至所述第二电极组件中的所述第二多个源电极中的每个源电极；以及
使用耦合至所述RF电源、所述第一复用器和所述第二复用器的源控制器控制，通过可选择地将所述RF功率连续地施加至所述第一电极组件和所述第二电极组件中的至少一个的多个源电极中的每一个，来控制对提供给所述等离子体源的所述RF功率的调制，以提高由所述等离子体源生成的等离子体场的均匀性。
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