JP5960384B2 - 静電チャック用基板及び静電チャック - Google Patents
静電チャック用基板及び静電チャック Download PDFInfo
- Publication number
- JP5960384B2 JP5960384B2 JP2010207515A JP2010207515A JP5960384B2 JP 5960384 B2 JP5960384 B2 JP 5960384B2 JP 2010207515 A JP2010207515 A JP 2010207515A JP 2010207515 A JP2010207515 A JP 2010207515A JP 5960384 B2 JP5960384 B2 JP 5960384B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- substrate
- electrostatic chuck
- electrode
- electrode layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
ドライエッチング技術は、プラズマエッチング、反応性スパッタエッチング装置等を用いてシリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物や、アルミニウム、タングステン、モリブデン、チタン等の金属、レジスト等のポリマーの被エッチング物をエッチングする技術として知られている。かかる技術には、反応性イオンエッチング(RIE)、電子サイクロトロン共鳴エッチング(ECR)、ダウンフローエッチングなど種々のものがある。このうちでも、量産性と微細パターン形成を可能にする異方性エッチング特性を兼ね備えたものとして、RIEやRFバイアスECR等が、半導体装置や液晶パネル等の製造に広く用いられている。
図2は第1の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、(a)はその縦断面構造、(b)は(a)において複数のRF電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
上述した第1の実施形態に係る静電チャック30(図2)においては、各RF電極層12,13は同一平面上に分割されて配置されているので、各RF電極層12,13間には必然的に隙間部分(基板10の絶縁層部分)が存在する。このため、吸着面10Sに吸着保持されているウエハW上の、その隙間部分(基板10の絶縁層部分)に対応する部分と各RF電極層12,13に対応する部分とで、エッチング等の加工処理状態にばらつきが生じることも考えられる。以下に記述する実施形態は、これを改善したものである。
図5は第3の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、(a)はその縦断面構造、(b)は(a)において複数のRF電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
図6は第4の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、(a)はその縦断面構造、(b)は(a)において複数のRF電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
図7は第5の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、(a)はその縦断面構造、(b)は(a)において複数のRF電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
図8は第6の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、(a)はその縦断面構造、(b)は(a)において複数のRF電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
図9は第7の実施形態に係る静電チャックの構成を示したもので、図中、(a)はその縦断面構造、(b)は(a)において複数のRF電極層を吸着面側から平面的に見たときの配置関係を示している。
10S,70S…吸着面、
11,71…静電吸着用の電極層、
12〜18,72〜78,72a,73a…プラズマ制御用のRF電極層、
20,80…ベースプレート(金属製の基盤/ベース部材)、
25,85…接着剤層、
30,30a,30b,90,90a,90b,90c…静電チャック、
40…チャンバ、
41…対向電極、
52,56,58…RF電源(プラズマ発生用、プラズマ制御用)、
54…DC電源、
60…RIE装置、
W,G…被加工物(ウエハ、液晶パネル用のガラス基板)。
Claims (8)
- 金属製のベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤を用いて接合される絶縁性を有した基板と、
前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第1の電極層と、
前記第1の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、3つに分割されて、それぞれ同一平面上にはない異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第2の電極層とを有し、
前記3つの第2の電極層は、平面視したときに中心部に配置される電極層と、該電極層の周囲にリング状に配置される2つの電極層とを含み、
吸着用の直流電圧が前記第1の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が3つの前記第2の電極層にそれぞれ給電されることを特徴とする静電チャック用基板。 - 前記3つの第2の電極層を構成する各電極層は、平面視したときに部分的に重なり合うように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック用基板。
- 前記3つの第2の電極層を構成する各電極層は、平面視したときにそれぞれ四角形の形状であることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック用基板。
- 金属製のベース部材と、
前記ベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤層を介して接合された絶縁性を有した基板と、
前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第1の電極層と、
前記第1の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、3つに分割されて、それぞれ同一平面上にはない異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第2の電極層とを有し、
3つの前記第2の電極層は、平面視したときに中心部に配置される電極層と、該電極層の周囲にリング状に配置される2つの電極層とを含み、
吸着用の直流電圧が前記第1の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が3つの前記第2の電極層にそれぞれ給電されることを特徴とする静電チャック。 - 前記3つの第2の電極層を構成する各電極層は、平面視したときに部分的に重なり合うように配置されていることを特徴とする請求項4に記載の静電チャック。
- 前記3つの第2の電極層を構成する各電極層は、平面視したときにそれぞれ四角形の形状であることを特徴とする請求項4に記載の静電チャック。
- 金属製のベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤を用いて接合される絶縁性を有した基板と、
前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第1の電極層と、
前記第1の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、3つに分割されて、それぞれ異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第2の電極層とを有し、
吸着用の直流電圧が前記第1の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が3つの前記第2の電極層にそれぞれ給電され、
前記基板は前記吸着面に搭載される被加工物の大きさより小さく、かつ、前記第1の電極層及び前記第2の電極層は、それぞれ全体が前記吸着面に搭載された前記被加工物の内側に存在するように、配置されていることを特徴とする静電チャック用基板。 - 金属製のベース部材と、
前記ベース部材上に吸着面と反対側の面が接着剤層を介して接合された絶縁性を有した基板と、
前記吸着面の下の前記基板内に埋め込まれ、一つの連続する第1の電極層と、
前記第1の電極層の前記吸着面と反対側の前記基板内に埋め込まれ、3つに分割され、それぞれ異なる層に配置され、相互に電気的に絶縁された第2の電極層とを有し、
吸着用の直流電圧が前記第1の電極層に印加され、プラズマ制御用の周波数の異なる高周波が3つの前記第2の電極層にそれぞれ給電され、
前記基板は前記吸着面に搭載される被加工物の大きさより小さく、かつ、前記第1の電極層及び前記第2の電極層は、それぞれ全体が前記吸着面に搭載された前記被加工物の内側に存在するように、配置されていることを特徴とする静電チャック。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010207515A JP5960384B2 (ja) | 2009-10-26 | 2010-09-16 | 静電チャック用基板及び静電チャック |
KR1020100103213A KR101731017B1 (ko) | 2009-10-26 | 2010-10-22 | 정전 척용 기판 및 정전 척 |
US12/910,493 US8441772B2 (en) | 2009-10-26 | 2010-10-22 | Substrate for electrostatic chuck and electrostatic chuck |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009245268 | 2009-10-26 | ||
JP2009245268 | 2009-10-26 | ||
JP2010207515A JP5960384B2 (ja) | 2009-10-26 | 2010-09-16 | 静電チャック用基板及び静電チャック |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011119654A JP2011119654A (ja) | 2011-06-16 |
JP2011119654A5 JP2011119654A5 (ja) | 2013-07-18 |
JP5960384B2 true JP5960384B2 (ja) | 2016-08-02 |
Family
ID=43898254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010207515A Active JP5960384B2 (ja) | 2009-10-26 | 2010-09-16 | 静電チャック用基板及び静電チャック |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8441772B2 (ja) |
JP (1) | JP5960384B2 (ja) |
KR (1) | KR101731017B1 (ja) |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5896595B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2016-03-30 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 2層rf構造のウエハ保持体 |
JP5583877B1 (ja) * | 2012-11-06 | 2014-09-03 | 日本碍子株式会社 | サセプタ |
US9293926B2 (en) * | 2012-11-21 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Plasma processing systems having multi-layer segmented electrodes and methods therefor |
JP5890795B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2016-03-22 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
JP6094813B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5938716B2 (ja) | 2013-11-01 | 2016-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP6356516B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2018-07-11 | 東芝メモリ株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US10002782B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-06-19 | Lam Research Corporation | ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough |
US10177024B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-01-08 | Lam Research Corporation | High temperature substrate pedestal module and components thereof |
US9738975B2 (en) | 2015-05-12 | 2017-08-22 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making |
US9673025B2 (en) * | 2015-07-27 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including embedded faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control |
US10550469B2 (en) * | 2015-09-04 | 2020-02-04 | Lam Research Corporation | Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ALD) reactors |
US10083853B2 (en) * | 2015-10-19 | 2018-09-25 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck design for cooling-gas light-up prevention |
JP2019504481A (ja) * | 2015-12-07 | 2019-02-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 静電チャックを使用した基板の固定と開放のための方法及び装置 |
CN106898574A (zh) * | 2015-12-17 | 2017-06-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 静电卡盘机构以及半导体加工设备 |
US11532497B2 (en) | 2016-06-07 | 2022-12-20 | Applied Materials, Inc. | High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling |
KR102162949B1 (ko) * | 2016-07-14 | 2020-10-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 다중 구역 전극 어레이에서의 rf 전력 분배 방법 |
JP2018046179A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 株式会社東芝 | 静電チャック及び半導体製造装置 |
KR102644272B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2024-03-06 | 삼성전자주식회사 | 정전척 어셈블리 |
KR102225236B1 (ko) * | 2017-03-06 | 2021-03-10 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 웨이퍼 지지대 |
US11289355B2 (en) | 2017-06-02 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck for use in semiconductor processing |
US10811296B2 (en) * | 2017-09-20 | 2020-10-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with dual embedded electrodes |
US10510575B2 (en) * | 2017-09-20 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multiple embedded electrodes |
JP7052735B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-04-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
CN111670491A (zh) | 2018-01-31 | 2020-09-15 | 朗姆研究公司 | 静电卡盘(esc)基座电压隔离 |
US11848177B2 (en) * | 2018-02-23 | 2023-12-19 | Lam Research Corporation | Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates |
SG11202007851PA (en) * | 2018-02-28 | 2020-09-29 | Applied Materials Inc | Electrostatic chuck with multiple radio frequency meshes to control plasma uniformity |
US11086233B2 (en) | 2018-03-20 | 2021-08-10 | Lam Research Corporation | Protective coating for electrostatic chucks |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
JP6773917B2 (ja) * | 2018-07-04 | 2020-10-21 | 日本碍子株式会社 | ウエハ支持台 |
TWI830751B (zh) * | 2018-07-19 | 2024-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 低溫高品質的介電膜及其形成方法 |
US11328906B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-05-10 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
JP7373111B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2023-11-02 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US11410867B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-08-09 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
TWI735364B (zh) * | 2018-07-30 | 2021-08-01 | 日商Toto股份有限公司 | 靜電吸盤 |
CN110783162B (zh) | 2018-07-30 | 2024-02-13 | Toto株式会社 | 静电吸盘 |
JP7232404B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2023-03-03 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP6641608B1 (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-05 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP6587223B1 (ja) * | 2018-07-30 | 2019-10-09 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
CN111385917B (zh) * | 2018-12-29 | 2022-07-15 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种用于组装esc的多平面多路可调节温度的加热器 |
CN113169026B (zh) | 2019-01-22 | 2024-04-26 | 应用材料公司 | 用于控制脉冲电压波形的反馈回路 |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
KR20210117338A (ko) | 2019-02-12 | 2021-09-28 | 램 리써치 코포레이션 | 세라믹 모놀리식 바디를 갖는 정전 척 |
JP6705551B1 (ja) | 2019-03-22 | 2020-06-03 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP7271330B2 (ja) * | 2019-06-18 | 2023-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
KR102318925B1 (ko) * | 2019-07-22 | 2021-10-27 | 김종명 | 기판 흡착용 정전척 |
CN110379701A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-10-25 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 具有可调射频组件的晶圆支撑座 |
JP7408958B2 (ja) | 2019-09-05 | 2024-01-09 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP7371401B2 (ja) | 2019-09-05 | 2023-10-31 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP7362030B2 (ja) | 2019-09-05 | 2023-10-17 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP7400276B2 (ja) | 2019-09-05 | 2023-12-19 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP7474651B2 (ja) | 2019-09-09 | 2024-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20210159107A1 (en) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | Applied Materials, Inc. | Edge uniformity tunability on bipolar electrostatic chuck |
US20230223244A1 (en) * | 2020-06-29 | 2023-07-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Wafer support device |
US11848176B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power |
KR102259949B1 (ko) * | 2020-09-09 | 2021-06-02 | 주식회사 미코세라믹스 | 서셉터 및 그 제조 방법 |
WO2022072370A1 (en) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Lam Research Corporation | High temperature pedestal with extended electrostatic chuck electrode |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
CN112490173B (zh) * | 2020-11-26 | 2024-01-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电卡盘***和半导体加工设备 |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
CN114975053A (zh) | 2021-05-28 | 2022-08-30 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 | 用于等离子体处理设备的静电吸盘组件 |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0280074B1 (en) * | 1987-02-24 | 1995-12-20 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor |
JP2651597B2 (ja) | 1988-06-27 | 1997-09-10 | 富士通株式会社 | ドライエッチング方法及び装置 |
JP3949186B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2007-07-25 | 富士通株式会社 | 基板載置台、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US6088213A (en) * | 1997-07-11 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Bipolar electrostatic chuck and method of making same |
US6219219B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system |
US6273958B2 (en) * | 1999-06-09 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma processing |
JP4436575B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2010-03-24 | 京セラ株式会社 | ウエハ支持部材及びその製造方法 |
JP2002313781A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板処理装置 |
US6853953B2 (en) * | 2001-08-07 | 2005-02-08 | Tokyo Electron Limited | Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck |
JP3966376B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2007-08-29 | 住友電気工業株式会社 | 被処理物保持体、処理装置および半導体製造装置用セラミックスサセプタ |
JP4098975B2 (ja) | 2001-10-29 | 2008-06-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ支援ウェハー処理装置の二重電極ウェハーホルダ |
JP3854145B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2006-12-06 | 京セラ株式会社 | ウエハ支持部材 |
JP3935850B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2007-06-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2004259721A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料処理装置 |
US8980049B2 (en) * | 2007-04-02 | 2015-03-17 | Charm Engineering Co., Ltd. | Apparatus for supporting substrate and plasma etching apparatus having the same |
JP2009021497A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Nikon Corp | 保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP5133750B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のフィードバック制御方法 |
-
2010
- 2010-09-16 JP JP2010207515A patent/JP5960384B2/ja active Active
- 2010-10-22 KR KR1020100103213A patent/KR101731017B1/ko active IP Right Grant
- 2010-10-22 US US12/910,493 patent/US8441772B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011119654A (ja) | 2011-06-16 |
US8441772B2 (en) | 2013-05-14 |
US20110096461A1 (en) | 2011-04-28 |
KR101731017B1 (ko) | 2017-04-27 |
KR20110046301A (ko) | 2011-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5960384B2 (ja) | 静電チャック用基板及び静電チャック | |
JP7393501B2 (ja) | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ | |
JP6144263B2 (ja) | 半導体処理のための平面熱ゾーンを伴う熱板 | |
JP5270310B2 (ja) | 静電チャック及び基板処理装置 | |
JP6154390B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4935143B2 (ja) | 載置台及び真空処理装置 | |
US20160035610A1 (en) | Electrostatic chuck assemblies having recessed support surfaces, semiconductor fabricating apparatuses having the same, and plasma treatment methods using the same | |
JP6345030B2 (ja) | プラズマ処理装置及びフォーカスリング | |
TWI407530B (zh) | 靜電卡盤及用於處理包含靜電卡盤之基板之裝置 | |
US20080041312A1 (en) | Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus | |
TW201230890A (en) | Plasma processing apparatus and plasma control method | |
US20080073032A1 (en) | Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus | |
JP2007067037A (ja) | 真空処理装置 | |
KR20140023350A (ko) | 기판 플라즈마 프로세싱을 위한 멀티-주파수 중공 캐소드 시스템 | |
TW201838089A (zh) | 靜電吸盤 | |
TWI779052B (zh) | 供電構件及基板處理裝置 | |
US20160027621A1 (en) | Plasma processing apparatus and sample stage fabricating method | |
JP5654083B2 (ja) | 静電チャック及び基板処理装置 | |
US20070044914A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
JPH027520A (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
JP2004158751A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI824512B (zh) | 用於邊緣非均勻調諧的低阻抗電流路徑 | |
TWI840328B (zh) | 基板固定裝置 | |
JP2024018988A (ja) | 基板支持器及びプラズマ処理装置 | |
TW202303675A (zh) | 上部電極組件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130603 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140624 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140825 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150526 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150603 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150807 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5960384 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |