CN109467045A - Mems器件的封装方法及微执行器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MEMS器件的封装方法,包括在第一衬底的第一表面上刻蚀形成盲孔;在所述盲孔内制作形成导电柱;在所述第一表面上制作形成第一布线层,所述第一布线层与所述导电柱接触;对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行刻蚀,直至使所述盲孔成为通孔且使所述导电柱暴露;在所述第一布线层上制作形成第一键合环;在第二衬底上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线;在所述第二衬底上制作形成第二键合环,所述第二键合环与所述器件导出线连接;键合所述第一键合环和所述第二键合环。该封装方法加工效率高,封装成本低,连线的长度较短,大大缩短了信号的传输路径,减小了器件与外界电路之间的电阻。
Description
技术领域
本发明涉及微机电***(MEMS)器件领域,尤其涉及一种MEMS器件的封装方法及微执行器的制备方法。
背景技术
微机电***(MEMS)包括多个功能单元,涉及学科和应用领域十分广泛,对其做一个***的分类是比较困难的。根据组成单元的功能不同,MEMS大体可以分为微传感器、微执行器、微结构以及包括多个单元的集成***。根据加工的材料分类,MEMS加工技术主要包括硅基和非硅基两种加工技术。现在微机电***已经远远超越了“机”和“电”的概念,将处理热、光、磁、化学、生物等结构和器件通过微纳加工工艺制造在芯片上,并通过与电路的集成甚至相互间的集成来构筑复杂微型***,根据应用领域不同,将MEMS应用于通信、光学、生物医学、能源等领域,就分别产生了RF MEMS,Optical MEMS,BIOMEMS和Power MEMS等。其中流体是MEMS领域重要的基础科学和应用方向,包括气体传感器、生物芯片、流体传感器等。
封装是芯片从测试到产品的最后一个作业流程,有效的封装能实现芯片与环境的交互和隔离,提高芯片的可靠性。MEMS器件的封装形式是把基于MEMS的***方案推向市场的关键因素,也是MEMS设计与制造中的一个关键因素。很多MEMS芯片由于没有解决封装问题,而导致其不能成为产品投入市场进行实际应用。最佳的封装能使MEMS产品发挥其应有的功能,MEMS封装应满足以下要求:
(1)封装应至少提供一个器件与外界环境交互作用的通道,并保护器件敏感结构不因外界作用而损坏,使器件性能保持稳定;
(2)考虑到对应力特别敏感的微传感器和MEMS器件中使用的精度高但十分脆弱的微米或纳米尺度的零部件,MEMS封装带来的应力应尽可能的小;
(3)封装结构应满足高真空、高气密度、高隔离度等不同要求以保证器件免遭环境不利影响,能长期稳定地工作;
(4)对于工作在气体或液体等特殊环境的MEMS器件,封装必须提供稳定的工作环境和与外界的通路。
目前常采用圆片级封装工艺,其中涉及到键合技术,常见的键合技术包括阳极键合、硅-硅直接键和、玻璃浆料键合、金属共晶键合和金属热压键合等,但是上述几个技术具有如下几个缺点:1、加工环境要求高,键合时需要较高的外界温度,操作比较困难;2、工艺控制难,随着工艺步骤的增加,工艺难度会随之增大,对于器件的成品率、性能等都会造成影响;3、成本较高,中间环节较多,生产周期较长。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种方便加工、步骤较少且成本较低的MEMS器件的封装方法。
为了实现上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种MEMS器件的封装方法,包括:
在第一衬底的第一表面上刻蚀形成盲孔;
在所述盲孔内制作形成导电柱;
在所述第一表面上制作形成第一布线层,所述第一布线层与所述导电柱接触;
对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行刻蚀,直至使所述盲孔成为通孔且使所述导电柱暴露;
在所述第一布线层上制作形成第一键合环;
在第二衬底上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线;
在所述第二衬底上制作形成第二键合环,所述第二键合环与所述器件导出线连接;
键合所述第一键合环和所述第二键合环。
优选地,在所述通孔内制作形成导电柱之前,所述MEMS器件的封装方法还包括:分别在所述第一表面上、所述盲孔内壁制作形成导电柱种子层。
优选地,在所述第一表面上、所述盲孔内壁制作形成所述导电柱种子层之前,所述MEMS器件的封装方法还包括:分别在所述第一表面上、所述盲孔内壁制作形成绝缘层。
优选地,在所述盲孔内制作形成导电柱的方法具体包括:
在所述第一表面上形成导电材料层,所述导电材料层填充满所述盲孔;
将所述第一表面上的导电材料层以及导电柱种子层去除。
优选地,在将所述第一表面上的导电材料层以及导电柱种子层去除之后,所述MEMS器件的封装方法还包括:对所述第一表面上的所述绝缘层进行表面平坦化处理。
优选地,在键合所述第一键合环和所述第二键合环之后,所述MEMS器件的封装方法还包括:在所述第二表面上制作形成第二布线层,所述第二布线层与所述导电柱接触。
优选地,在所述第二表面上制作形成第二布线层之后,所述MEMS器件的封装方法还包括:在所述第二布线层上制作形成焊锡球。
本发明还提供了一种微执行器的制备方法,包括任一种上述的MEMS器件的封装方法,在所述第一表面上制作形成第一布线层同时,所述微执行器制备方法还包括:在所述第一表面上制作形成第一电极层;
在所述第二衬底上制作形成所述器件导出线之后,或者在所述第二衬底上制作形成所述第二键合环之后,所述微执行器的制备方法还包括:在所述第二衬底上制作形成第二电极层。
本发明提供的MEMS器件封装方法,实现了封装结构与器件在垂直方向进行通孔互连,连线的长度可以缩短到与衬底厚度相等,大大缩短了信号的传输路径,减小电阻以及信号传输过程中的寄生效应和延迟时间,从而降低芯片发热量,提高芯片的高频性能,同时封装后不影响的频率特性,且封装加工效率高,封装成本低。
附图说明
图1A至图1L为本发明的实施例一的MEMS器件封装方法的工艺流程图;
图2为本发明的实施例二的微执行器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例一
图1A至图1K示出了本实施例一的MEMS器件的封装方法的工艺流程。本实施例一的MEMS器件的封装方法包括:
步骤一:参照图1A,提供第一衬底20,在第一衬底20的第一表面20a刻蚀形成盲孔21;
具体地,第一衬底20采用普通的半导体裸硅片,具有相对设置的第一表面20a和第二表面20b,其中本实例的第一衬底20厚度范围为400um至500um,盲孔21的直径范围为30um至100um,盲孔21的深度大于第一衬底20厚度的二分之一,但必须小于第一衬底20的厚度,盲孔21的数量根据需要可开设多个。上述的盲孔21深度的设置,一方面保证后续步骤中在第一衬底20上生长材料时,衬底不容易碎片,另一方面,降低了后续步骤中对第一衬底20进行减薄的难度。
步骤二:参照图1B,在盲孔21内和第一衬底20的第一表面20a上制作形成绝缘层70,绝缘层70用于隔离外界导电介质,防止后续步骤中制作的导电柱30与导电介质接触。当然在其他方式中,可省略该步骤。
步骤三:参照图1C,在盲孔21内的绝缘层70上和第一表面20a上的绝缘层70上制作形成导电柱种子层60。本实施例中优选采用电镀工艺,导电柱种子层60的设置有利于导电柱材料的电镀。当然在其他实施方式中,本步骤可省略。
步骤四:参照图1D,在盲孔21内制作形成导电柱30,在盲孔21内和第一衬底20的第一表面20a上生长导电材料层,使其覆盖导电柱种子层60,其中导电柱种子层60和导电材料层的材料一样,均为铜,其中,本实施例的导电柱种子层60厚度优选为100nm。
步骤五:参照图1E,将第一表面20a上有多余的导电材料层和多余的导电柱种子层60去除,使得导电柱30的一端露出于第一衬底20外。去除多余的导电材料层和导电柱种子层60后,绝缘层70的表面和导电柱30的端面会凹凸不平,需对其进行表面平坦化处理,保证绝缘层70外表面平坦。
步骤六:参照图1F,在第一衬底20的第一表面20a上制作形成第一布线层40,且第一布线层40连接导电柱30的端面,使得各导电柱30导通。
步骤七:参照图1G,对第一衬底20的与第一表面20a相对的第二表面20b进行刻蚀,直至使所述盲孔21成为通孔且使导电柱30暴露。
步骤八:参照图1H,在第一布线层40上制作形成第一键合环50;
具体地,第一键合环50为设置于第一表面20a四周的一圈环形结构,第一键合环50与第一布线层40连接。其中第一键合环50的材料为金或铟。
步骤九:参照图1I,在第二衬底10上制作形成MEMS器件,接着在第二衬底10上生长导电材料形成器件导出线12,器件导出线12用于导通MEMS器件与外界电路。
步骤十:参照图1J,在第二衬底10上制作形成第二键合环12,第二键合环12与器件导出线11连接。具体地,第二键合环12为设置于第二衬底10四周的一圈环形结构,第二键合环12与器件导出线12电连接。为了更好地确定第二键合环12生长位置,可将第一衬底20与第二衬底10对准,在第二衬底10背面设置标记,该标记对准第一键合环50,这样在第二衬底10正面生长第二键合环12即可。
步骤十一:参照图1K,键合第一键合环50和第二键合环12。
具体地,将第二衬底10和第一衬底20对准,并夹持固定,将第二衬底10和第一衬底20送入键合机进行键合,使得第二键合环12与第一键合环50,这样完成了对MEMS器件10的安装。在本实施例中,第一键合环50的材料优选为金,第二键合环12的材料优选为铟,在键合机中,第二键合环12融化,实现与第一键合环50的键合。在其他实施方式中,第一键合环50的材料优选为铜,第二键合环12的材料优选为锡。
步骤十二:参照图1L,为了方便MEMS器件与外界电路接通,在第一衬底20与第一表面20a相对的表面上制作形成第二布线层80,且第二布线层80与导电柱30连接。
进一步地,在第一衬底20与第一表面20a相对的表面上制作形成焊锡球90,焊球与第二布线层80电连接,当MEMS器件切割形成独立芯片后,方便进行表面贴装工艺,简化后续流程。当然在其他实施方式中,本步骤可省略。
本实施例一中的MEMS器件的封装方法,实现了封装结构与器件在纵向方向进行通孔互连,连线的长度可以缩短到与衬底厚度相等,大大缩短了信号的传输路径,减小电阻以及信号传输过程中的寄生效应和延迟时间,从而降低芯片发热量,提高芯片的高频性能,同时封装后不影响的频率特性,且封装加工效率高,封装成本低。
实施例二
图2示出了本实施例二的微执行器的结构示意图,该微执行器制备方法包括实施例一的封装方法,两者的不同之处在于:在步骤六中,在第一表面20a上制作形成第一布线层40的同时,在第一表面20a上制作形成第一电极层41;在步骤九中,在第二衬底10上制作形成器件导出线12的同时,在第二衬底10上制作形成第二电极层13,或者在步骤十中,在第二衬底10上制作形成第二键合环12的同时,在第二衬底10上制作形成第二电极层13,第一电极层41与第二电极层13所带电荷的电性相反,这样第二衬底10与第一衬底20封装后,第一电极层41与第二电极层13之间产生静电吸附,通过控制第一电极层41与第二电极层13的电荷量,可驱动MEMS器件振动,从而实现微执行器的功能。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (8)
1.一种MEMS器件的封装方法,其特征在于,包括:
在第一衬底(20)的第一表面(20a)上刻蚀形成盲孔(21);
在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30);
在所述第一表面(20a)上制作形成第一布线层(40),所述第一布线层(40)与所述导电柱(30)接触;
对所述第一衬底(20)的与所述第一表面(20a)相对的第二表面(20b)进行刻蚀,直至使所述盲孔(21)成为通孔且使所述导电柱(30)暴露;
在所述第一布线层(40)上制作形成第一键合环(50);
在第二衬底(10)上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线(11);
在所述第二衬底(10)上制作形成第二键合环(12),所述第二键合环(12)与所述器件导出线(11)连接;
键合所述第一键合环(50)和所述第二键合环(12)。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)之前,所述MEMS器件的封装方法还包括:在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上制作形成导电柱种子层(60)。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上制作形成导电柱种子层(60)之前,所述MEMS器件的封装方法还包括:在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上形成绝缘层(70)。
4.根据权利要求3所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)的方法具体包括:
在所述第一表面(20a)上形成导电材料层,所述导电材料层填充满所述盲孔(21);
将所述第一表面(20a)上的导电材料层以及导电柱种子层(60)去除。
5.根据权利要求4所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,在将所述第一表面(20a)上的导电材料层以及导电柱种子层(60)去除之后,所述MEMS器件的封装方法还包括:对所述第一表面(20a)上的所述绝缘层(70)进行表面平坦化处理。
6.根据权利要求1所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,在键合所述第一键合环(50)和所述第二键合环(12)之后,所述MEMS器件的封装方法还包括:在所述第二表面(20b)上制作形成第二布线层(80),所述第二布线层(80)与所述导电柱(30)接触。
7.根据权利要求6所述的MEMS器件的封装方法,其特征在于,在所述第二表面(20b)上制作形成第二布线层(80)之后,所述MEMS器件的封装方法还包括:在所述第二布线层(80)上制作形成焊锡球(90)。
8.一种微执行器的制备方法,其特征在于,包括权利要求1至7任一项所述的MEMS器件的封装方法;
其中,在所述第一表面(20a)上制作形成第一布线层(40)的同时,所述微执行器制备方法还包括:在所述第一表面(20a)上制作形成第一电极层(41);
在所述第二衬底(11)上制作形成所述器件导出线(12)的同时,或者在所述第二衬底(11)上制作形成所述第二键合环(12)的同时,所述微执行器的制备方法还包括:在所述第二衬底(11)上制作形成第二电极层(13);所述第一电极层(41)与所述第二电极层(13)所带电荷电性相反。
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