CN109390481A - 一种纳米电极、其制备方法和应用 - Google Patents

一种纳米电极、其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种纳米电极，包括CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯，且所述功能化氧化石墨烯为含有活性官能团的氧化石墨烯。所述纳米电极中含有功能化氧化石墨烯，所述功能化氧化石墨烯含有活性官能团，因此，可以有效提高电极材料的附着性和电极层的平整性，提高产品性能，并减少漏电，增加发光效率，有利于CNTs、AgNWs作为电极材料应用。

Description

一种纳米电极、其制备方法和应用
技术领域
本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种纳米电极、其制备方法和应用。
背景技术
半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质，被广泛应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记领域。经过二十多年的发展，量子点合成技术取得了显著的成绩，可以合成得到各种高质量的量子点纳米材料，其光致发光效率可以达到85％以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，以量子点为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100％的极限。然而，作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED，目前不论是在电光转换效率、还是在使用寿命上，都远低于红绿QLED，从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。
传统透明导电电极ITO中，含有微量元素In，In在地球上的含量极少，所以面临资源紧张问题，故取代ITO而成为透明导电电极的研究越来越受到研究者的青睐，比如：碳纳米管(CNTs)或银纳米线(AgNWs)。由于具有很好的导电特性和透光性，CNTs或AgNWs有很大的潜力应用于透明导电电极。但是，由于CNTs或AgNWs在玻璃基板上的附着力较差，大大影响了其导电性和平整性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种纳米电极及其制备方法，旨在解决现有技术采用CNTs或AgNWs作为电极材料时附着力差，导致电极导电性和平整性不好的问题。
本发明的另一目的在于提供一种含有上述纳米电极的QLED器件。
本发明是这样实现的，一种纳米电极，包括CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯，且所述功能化氧化石墨烯为含有活性官能团的氧化石墨烯。
相应的，一种纳米电极的制备方法，包括以下步骤：
提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；
将所述功能化氧化石墨烯与CNTs、AgNWs中的至少一种混合处理，得到纳米电极复合材料；
将所述纳米电极复合材料沉积在基板上，制备得到纳米电极。
一种纳米电极的制备方法，包括以下步骤：
提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；
提供基板，在所述基板上沉积功能化氧化石墨烯，制备功能化氧化石墨烯层；
在所述功能化氧化石墨烯层上沉积纳米电极材料层，其中，所述纳米电极材料层为CNTs层、AgNWs层、CNTs和AgNWs制成的混合材料层中的一种。
以及，一种QLED器件，包括依次结合的阳极、量子点发光层和阴极，所述阳极和/或所述阴极为上述的纳米电极。
本发明提供的纳米电极，采用CNTs、AgNWs中的至少一种作为电极材料，具有较好的导电特性和透光性。所述纳米电极中含有功能化氧化石墨烯，所述氧化石墨烯具有大量带负电官能团，能够和CNTs、AgNWs通过库仑力结合在一起；同时，所述功能化氧化石墨烯含有活性官能团，因此，可以有效提高电极材料的附着性和电极层的平整性，提高产品性能，并减少漏电，增加发光效率，有利于CNTs、AgNWs作为电极材料应用。
本发明提供的两种纳米电极的制备方法，方法简单，条件温和，可以实现产业化生产。
本发明提供的QLED器件，采用CNTs、AgNWs中的至少一种作为阳极和/或阴极材料，同时，纳米电极中含有功能化氧化石墨烯。由于所述功能化氧化石墨烯中含有活性官能团，因此，能与基板上的羟基结合，提高阳极和/或阴极的附着性和电极层的平整性，提高产品性能，并减少漏电，增加QLED器件的发光效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的正型QLED器件的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的反型QLED器件的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的优选QLED器件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种纳米电极，包括CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯(FGO)，且所述功能化氧化石墨烯为含有活性官能团的氧化石墨烯。
本发明实施例提供的纳米电极，采用CNTs、AgNWs中的至少一种作为电极材料，具有较好的导电特性和透光性。所述纳米电极中含有功能化氧化石墨烯，所述氧化石墨烯具有大量带负电官能团，能够和CNTs、AgNWs通过库仑力结合在一起；同时，所述功能化氧化石墨烯含有活性官能团，因此，可以有效提高电极材料的附着性和电极层的平整性，提高产品性能，并减少漏电，增加发光效率，有利于CNTs、AgNWs作为电极材料应用。
具体的，所述活性官能团可以通过与基板或其他功能层上的羟基以键合或静电方式的形式结合，从而将纳米电极材料粘附在基板或其他层结构上。优选的，所述活性官能团为-OH、-COOH、-NH2、-NH-、-NHCONH-、-SH、-CN、-SO3H、-SOOH、-NO2、-CONH2、-CONH-、-COCl、-CO-、-O-、-COS-、-CH＝N-、O＝P(R)2-、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种。优选的官能团，与羟基具有较好的反应性，能够锚定在基板或其他功能层上，辅助所述作为电极材料的CNTs、AgNWs中的至少一种成膜，并提高电极材料的附着性和电极层的平整性，提高产品性能。
作为具体优选实施例，所述功能化氧化石墨烯为多巴胺功能化氧化石墨烯、苯乙烯磺酸功能化氧化石墨烯、溴化十六烷三甲基胺功能化氧化石墨烯、巯基乙胺功能化氧化石墨烯、乙酰氯功能化氧化石墨烯、丁酮功能化氧化石墨烯、乙醛功能化氧化石墨烯、乙酸乙酯功能化氧化石墨烯中的至少一种。优选的功能化氧化石墨烯，不仅含有反应性好的活性官能团，而且透光性较好，可用于制作出光侧电极。具体的，以所述多巴胺功能化氧化石墨烯为例，一方面，多巴胺功能化氧化石墨烯上的邻苯二酚基团与基板(如玻璃基板)上的羟基基团可以脱水键合，另一方面，功能化氧化石墨烯表面的氨基基团-NH3+与羟基基团-OH静电作用连接，可以使其很好的黏附在基板上。
本发明实施例中，优选的，所述CNTs、所述AgNWs的总质量与所述功能化石墨烯的质量比为3：1～6：1。若所述功能化石墨烯的含量过多，得到的纳米电极透光性较差；若，所述功能化石墨烯的含量过少，则对CNTs、AgNWs粘附性能的改善有限，甚至不能起到黏附作用。
本发明实施例提供的纳米电极中，功能化氧化石墨烯和CNTs、AgNWs中的至少一种的结合有两种形式。
作为一种实施情形，所述纳米电极为复合电极层，包括用于固定在基板表面的功能化氧化石墨烯层，和层叠结合在所述功能化氧化石墨烯层表面的纳米电极材料层，其中，所述纳米电极材料层为CNTs层、AgNWs层、CNTs和AgNWs制成的混合材料层中的一种。应当理解的是，本发明实施例所指的基板，既可以是作为衬底的基板，也可以是含有功能层的基板。本发明实施例中，通过在基板和电极材料之间设置一层功能化氧化石墨烯层，可以增加CNTs层、AgNWs层、或CNTs和AgNWs制成的混合材料层与基片的附着力，从而提高CNTs层、AgNWs层、或CNTs和AgNWs制成的混合材料层的平整性，减少漏电，增加效率。
作为另一种实施情形，所述纳米电极由CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯组成的混合材料制成。本发明实施例中，所述氧化石墨烯具有大量带负电官能团，能够与CNTs、AgNWs通过库仑力结合在一起。而与所述CNTs、AgNWs中的至少一种共混的功能化氧化石墨烯，与基板上的羟基结合，从而可以增加复合材料层的平整性，减少漏电，增加效率。
本发明实施例提供的纳米电极，可以通过下述方法制备获得。
相应的，本发明实施例提供了一种纳米电极的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；
S02.将所述功能化氧化石墨烯与CNTs、AgNWs中的至少一种混合处理，得到纳米电极复合材料；
S03.将所述纳米电极复合材料沉积在基板上，制备得到纳米电极。
具体的，上述步骤S01中，本发明实施例通过表面修饰处理在所述氧化石墨烯表面引入活性官能团。优选的，所述修饰剂材料和氧化石墨烯的质量比为1：2～1：4。若所述修饰剂材料过少，则引入的活性官能团的数量不足以将阳极电极固定在基板上；所述修饰剂材料过多时，氧化石墨烯可以被充分功能化而带上，提高粘附力，同时会降低最终得到的纳米电极的透光性。
将聚多巴胺功能化的氧化石墨烯和AgNWs混合，震荡混合12-36h，使其充分均匀混合。具体可为24h，但不限于此。
所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯置于酸性环境中，酸性环境可以促进反应的进行。优选的，酸性环境中的氢离子浓度为1-5mol/L(pH约在3-6之间)。若所述氢离子浓度浓度很低，则反应进行不完全，或者很慢；若所述氢离子浓度浓度很大，可能存在安全隐患，且也不利于反应的进行。具体可选择稀盐酸或稀硫酸溶液。通过加热混合反应，所述氧化石墨烯被功能化，形成功能化石墨烯。优选的，加热处理的温度为80-200℃。若加热处理的温度过低，反应效率较低，甚至不能正常反应；若加热处理的温度过高，反应过程释放大量的热量，则会有一定的危险性，有可能发生***。优选的，所述混合反应可以通过超声后搅拌震荡实现，但不限于此。作为一个具体实施例，所述混合反应为：超声处理30-60min后，搅拌震荡24h，得到功能化氧化石墨烯。
上述步骤S02中，将所述功能化氧化石墨烯与CNTs、AgNWs中的至少一种混合处理，其混合比例如前文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。所述混合处理优选采用震荡混合方式，但不限于此。
上述步骤S03中，将所述纳米电极复合材料沉积在基板上，优选通过溶液加工法实现，从而可以更好地满足LED薄膜器件的产业化生产要求。
本发明实施例还提供了一种纳米电极的制备方法，包括以下步骤：
E01.提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；
E02.提供基板，在所述基板上沉积功能化氧化石墨烯，制备功能化氧化石墨烯层；
E03.在所述功能化氧化石墨烯层上沉积纳米电极材料层，其中，所述纳米电极材料层为CNTs层、AgNWs层、CNTs和AgNWs制成的混合材料层中的一种。
具体的，上述步骤E01中，制备功能化氧化石墨烯的方法如上文步骤S01所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
上述步骤E02中，所述基板可以为衬底，也可以为沉积有功能层的基板。在所述基板上沉积功能化氧化石墨烯优选通过溶液加工法实现，从而可以更好地满足LED薄膜器件的产业化生产要求。沉积的功能化氧化石墨烯通过活性官能团与所述基板结合，牢固固定在基板表面。
上述步骤E03中，在所述功能化氧化石墨烯层上沉积纳米电极材料层优选通过溶液加工法实现，从而可以更好地满足LED薄膜器件的产业化生产要求。
本发明实施例提供的两种纳米电极的制备方法，方法简单，条件温和，可以实现产业化生产。
以及，本发明实施例提供了一种QLED器件，包括依次结合的阳极、量子点发光层和阴极，所述阳极和/或阴极为上述的纳米电极。
本发明实施例所述QLED器件可以为正型QLED器件，也可以为反型QLED器件。当所述QLED器件为正型QLED器件时，所述阳极沉积在基板上。具体的，如图1所示，所述QLED器件包括依次结合的衬底1、阳极2、量子点发光层5和阴极7。当所述QLED器件为反型QLED器件时，所述阳极沉积在空穴注入层上。具体的，如图2所示，所述QLED器件包括依次结合的衬底1、阴极7、量子点发光层5和阳极2。
优选的，所述QLED器件还包括空穴功能层、电子功能层中的至少一层，其中，所述空穴功能层包括但不限于空穴注入层、空穴传输层中的至少一种，所述电子功能层包括但不限于电子注入层、电子传输层中的至少一种。具体优选的，如图3所示，所述QLED器件包括依次结合的阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、量子点发光层5、电子传输层6和阴极7。
具体的，所述阳极可为常规阳极电极，更优选为纳米电极，包括CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯，且所述功能化氧化石墨烯为含有活性官能团的氧化石墨烯。本发明实施例采用的阳极，可以牢固结合在基板上，提高纳米电极材料(CNTs、AgNWs中的至少一种)的成膜性(材料附着性和膜层平整性)，从而提高器件性能。所述纳米电极的优选情形如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
优选的，所述阳极的厚度为50-200nm。若所述阳极太薄，导电性较差，空穴注入量少，导致器件效率降低；若所述阳极太厚，透光性较差，电子空穴复合发出的光不能透过电极而被探测器接收，导致测试器件效率低。
优选的，所述空穴功能层如空穴注入层由P型偶极子材料制成，所述偶极子材料含有富电子官能团。偶极子材料由于含有富电子官能团和阳离子基团，具有富电子的基团和拉电子能力较弱的基团，在材料内部形成一部分带正电，一部分带负电的具有有效传输电子或空穴的偶极子。
优选的，所述富电子官能团包括苯基、-O-、-COO-、-CO-、-S-、-N-、-P-、-NH-、-SO3 -、-CN中的至少一种。优选的P型偶极子材料具有低的LUMO能级，与阳极的费米能级接近，且LUMO能级的电子亲和能力很强，相邻的空穴传输材料的HOMO能级的电子很容易通过偶极子材料的LUMO能级而取出到阳极，从而促进了空穴的注入，有利于提高发光效率。具体的，所述P型偶极子材料包括但不限于HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)、邻氯硝基苯、2-硝基氯苯、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、(S)-Boc-4-氰基-β-苯丙氨酸。优选的，所述偶极子材料为HAT-CN。优选的，P型偶极子材料制成的所述空穴功能层的厚度为5-20nm，从而赋予所述空穴功能层优异的空穴注入、传输性能和导电性能。
本发明实施例中，所述空穴注入层还可以选择常规的空穴注入材料。所述空穴传输层也可以选择常规的空穴传输材料，包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯。所述空穴传输层的厚度为0-100nm。当所述空穴传输层的厚度过薄时，空穴注入速度快，使得电子空穴不平衡影响发光效率和发光纯度；若所述空穴传输层的厚度过厚，又容易影响导电性。因此，优选的，所述空穴传输层的厚度为40-50nm。
所述量子点发光层可以采用常规的量子点发光材料，如II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。所述量子点发光层的厚度为10-100nm。
所述电子功能层如电子注入层由N型偶极子材料制成，所述偶极子材料含有富电子官能团。偶极子材料由于含有富电子官能团和阳离子基团，具有富电子的基团和拉电子能力较弱的基团，在材料内部形成一部分带正电，一部分带负电的具有有效传输电子或空穴的偶极子。
优选的，所述富电子官能团包括苯基、-O-、-COO-、-CO-、-S-、-N-、-P-、-NH-、-SO3 -、-CN中的至少一种。优选的N型偶极子材料的能级与阴极的费米能级接近，电子亲和能力很强，有利于电子的注入传输，有利于提高发光效率。具体的，所述N型偶极子材料包括但不限于Liq、Alq3、NDN1(乙二胺四乙酸隔二钠盐水合物)、CsF、LiF。优选的，所述偶极子材料为NDN1。
所述电子传输层的材料可以选择低功函数的Ca、Ba等金属，也可以选择CsF、LiF、CsCO3等化合物，还可以选择其它电解质型电子传输层材料。优选的，所述电子传输层为具有高电子传输性能的n型氧化锌，其较佳的厚度为30-60nm。
所述阴极可以采用常规的阴极材料，如金属铝、银等。
本发明实施例提供的QLED器件，采用CNTs、AgNWs中的至少一种作为阳极和/或阴极材料，同时，纳米电极中含有功能化氧化石墨烯。由于所述功能化氧化石墨烯中含有活性官能团，因此，能与基板上的羟基结合，提高阳极和/或阴极的附着性和电极层的平整性，提高产品性能，并减少漏电，增加QLED器件的发光效率。
相应的，本发明实施例根据QLED器件的类型，提供了QLED器件的制备方法。作为一种实施例情形，QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
Q01.提供基板，在所述基板上沉积纳米电极，得到阳极，所述阳极为上述纳米阳极；
Q02.在所述阳极表面依次制备量子点发光层和阴极。
具体的，上述步骤Q01中，在沉积纳米电极前，包括对所述基板进行清洁处理，具体的，所述清洁处理包括：将基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声10-20分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。
在所述基板上沉积纳米电极的方法可以为：提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；将所述功能化氧化石墨烯与CNTs、AgNWs中的至少一种混合处理，得到纳米电极复合材料，在100-200℃条件下加热10-20min；将所述纳米电极复合材料沉积在基板上，制备得到纳米电极。
在所述基板上沉积纳米电极的方法也可以为：提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；提供基板，在所述基板上沉积功能化氧化石墨烯，制备功能化氧化石墨烯层；在所述功能化氧化石墨烯层上沉积纳米电极材料层，在100-200℃条件下加热10-20min，其中，所述纳米电极材料层为CNTs层、AgNWs层、CNTs和AgNWs制成的混合材料层中的一种。
上述步骤Q02中，在所述阳极表面依次制备量子点发光层和阴极可以通过常规方法制备。优选的，还包括制备空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的至少一层。具体的，在所述阳极上沉积空穴注入层，100-200℃退火10-30min，然后在空穴注入层上沉积空穴传输层，层厚为50-100nm，100-200℃退火10-30min。待片子冷却后，在其上沉积量子点发光层，厚度为20-40nm，不需加热。在所述量子点发光层上沉积电子传输层，厚度为10-100nm。沉积完成后将片子放置在60-100℃的加热台上加热20-40min，除去残留的溶剂。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层50-150nm的金属银或者铝作为阴极。进一步的，可进行封装处理。
作为另一种实施例情形，QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
W01.提供基板，在所述基板上依次沉积阴极、量子点发光层；
W02.在所述空穴注入层上制备阳极，所述阳极为上述纳米阳极。
具体的，上述步骤W01中，在沉积阴极前，包括对所述基板进行清洁处理，具体的，所述清洁处理包括：将基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声10-20分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。
优选的，还包括制备空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的至少一层。沉积阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和空穴注入层，可以通过常规方法实现，具体见上文所述，此处不再赘述。
上述步骤W02中，在所述空穴注入层上制备阳极的方法可以为：提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；将所述功能化氧化石墨烯与CNTs、AgNWs中的至少一种混合处理，得到纳米电极复合材料，在100-200℃条件下加热10-20min；将所述纳米电极复合材料沉积在空穴注入层上，制备得到纳米电极。
在所述空穴注入层上制备阳极的方法也可以为：提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；在所述空穴注入层上沉积功能化氧化石墨烯，制备功能化氧化石墨烯层；在所述功能化氧化石墨烯层上沉积纳米电极材料层，在100-200℃条件下加热10-20min，其中，所述纳米电极材料层为CNTs层、AgNWs层、CNTs和AgNWs制成的混合材料层中的一种。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种正型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度为80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min，得到阳极。
待上述基片冷却后，在阳极上沉积QD，此层的厚度为20-40nm，不需加热。之后，将片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银或者铝作为阴极。
实施例2
一种正型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度为80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min，得到阳极。
待上述基片冷却后，在阳极上沉积一层偶极子材料HAT-CN，厚度为20nm，100℃加热30min。待上述基片冷却后，在偶极子材料层上沉积一层空穴传输层TFB，并将此置于150℃的加热台上加热15min。待上部片子冷却后，在空穴传输层上沉积QD，此层的厚度为20-40nm，不需加热。之后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为10-100nm之间。沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热30min，除去残留的溶剂。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银或者铝作为阴极。
实施例3
一种正型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度在80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min，得到阳极。
待上述基片冷却后，在其上沉积一层空穴传输材料TFB，厚度为40nm，150℃加热15min。待上部片子冷却后，在空穴传输材料层上沉积QD，此层的厚度为40nm，不需加热。之后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为50nm，80℃加热30min，除去残留的溶剂。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银或者铝作为阴极。
实施例4
一种正型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度在80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min，得到阳极。
待上述基片冷却后，在其上沉积一层P型偶极子材料HAT-CN，厚度为10nm，在80℃下退火30min。冷却后，在其上沉积一层空穴传输层TFB，并于150℃加热15min。待上部片子冷却后，在其上沉积QD，此层的厚度为40nm，不需加热。之后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为50nm，在80℃加热30min，除去残留的溶剂。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层N型电子注入材料Liq，10nm，不用加热处理。随后，蒸镀100nm的金属银或者铝作为阴极。
实施例5
一种正型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15min。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度在80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min，得到阳极。
冷却后，在其上沉积一层空穴传输层TFB，150℃加热15min。待上部片子冷却后，在其上沉积QD，此层的厚度为40nm，不需加热。之后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为50nm，80℃加热30min，除去残留的溶剂。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层N型电子注入材料Liq，10nm，不用加热处理。随后，蒸镀100nm的金属银或者铝作为阴极。
实施例6
一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度在80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min，得到阴极。
冷却后，沉积QD，此层的厚度为40nm，不需加热。之后，将片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银作为阳极。
实施例7
一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度在80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min，得到阴极。
冷却后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为50nm，80℃加热30min，除去残留的溶剂。待上部片子冷却后，在其上沉积QD，此层的厚度为40nm，不需加热。之后，在其上沉积一层空穴传输层TFB，并于150℃加热15min。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银作为阳极。
实施例8
一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度在80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min。
将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层N型电子注入材料Liq，10nm，不用加热处理。之后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为50nm，80℃加热30min，除去残留的溶剂。待上部片子冷却后，在其上沉积QD，此层的厚度为40nm，不需加热。之后，沉积一层空穴传输层TFB，并于150℃加热15min。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银作为阳极。
实施例9
一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度在80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min。
将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层N型电子注入材料Liq，10nm，不用加热处理。之后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为50nm，在80℃加热30min，除去残留的溶剂。待上部片子冷却后,在其上沉积QD，此层的厚度为40nm，不需加热。之后，沉积一层空穴传输层TFB，并将此置于150℃加热15min。待上述基片冷却后，在其上沉积一层P型偶极子材料HAT-CN,10nm，在80℃下退火30min。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银作为阳极。
实施例10
一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基板，将玻璃基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，每次超声15分钟。待超声完成后将基板放置于洁净烘箱内烘干备用。待基片干燥后，在其上沉积一层FGO-AgNWs混合液，此层厚度在80nm，并将此置于80℃的加热台上加热15min。
之后，沉积电子传输层ZnO，其厚度为50nm，在80℃加热30min，除去残留的溶剂。待上部片子冷却后,在其上沉积QD，此层的厚度为40nm，不需加热。之后，沉积一层空穴传输层TFB，并于150℃加热15min。待上述基片冷却后，在其上沉积一层P型偶极子材料HAT-CN，10nm，在80℃下退火30min。最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的金属银作为阳极。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种纳米电极，其特征在于，包括CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯，且所述功能化氧化石墨烯为含有活性官能团的氧化石墨烯。
2.如权利要求1所述的纳米电极，其特征在于，所述活性官能团为-OH、-COOH、-NH2、-NH-、-NHCONH-、-SH、-CN、-SO3H、-SOOH、-NO2、-CONH2、-CONH-、-COCl、-CO-、-O-、-COS-、-CH＝N-、O＝P(R)2-、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种。
3.如权利要求1所述的纳米电极，其特征在于，所述CNTs、所述AgNWs的总质量与所述功能化石墨烯的质量比为3：1～6：1。
4.如权利要求1-3任一项所述的纳米电极，其特征在于，所述功能化氧化石墨烯为多巴胺功能化氧化石墨烯、苯乙烯磺酸功能化氧化石墨烯、溴化十六烷三甲基胺功能化氧化石墨烯、巯基乙胺功能化氧化石墨烯、乙酰氯功能化氧化石墨烯、丁酮功能化氧化石墨烯、乙醛功能化氧化石墨烯、乙酸乙酯功能化氧化石墨烯中的至少一种。
5.如权利要求1-3任一项所述的纳米电极，其特征在于，所述纳米电极为复合电极层，包括用于固定在基板表面的功能化氧化石墨烯层，和层叠结合在所述功能化氧化石墨烯层表面的纳米电极材料层，其中，所述纳米电极材料层为CNTs层、AgNWs层、CNTs和AgNWs制成的混合材料层中的一种。
6.如权利要求1-3任一项所述的纳米电极，其特征在于，所述纳米电极由CNTs、AgNWs中的至少一种和功能化氧化石墨烯组成的混合材料制成。
7.一种如权利要求1-4、6任一项纳米电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；
将所述功能化氧化石墨烯与CNTs、AgNWs中的至少一种混合处理，得到纳米电极复合材料；
将所述纳米电极复合材料沉积在基板上，制备得到纳米电极。
8.一种如权利要求1-5任一项纳米电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供修饰剂材料和氧化石墨烯，将所述修饰剂材料和所述氧化石墨烯在酸性环境中加热混合反应，制备功能化氧化石墨烯；
提供基板，在所述基板上沉积功能化氧化石墨烯，制备功能化氧化石墨烯层；
在所述功能化氧化石墨烯层上沉积纳米电极材料层，其中，所述纳米电极材料层为CNTs层、AgNWs层、CNTs和AgNWs制成的混合材料层中的一种。
9.一种QLED器件，包括依次结合的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，所述阳极和/或所述阴极为权利要求1-6任一项所述的纳米电极。
10.如权利要求9所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件还包括空穴功能层、电子功能层中的至少一层。
11.如权利要求10所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴功能层由P型偶极子材料制成，所述偶极子材料含有富电子官能团；和/或
所述电子功能层由N型偶极子材料制成，所述偶极子材料含有富电子官能团。
12.如权利要求11所述的QLED器件，其特征在于，所述富电子官能团包括苯基、-O-、-COO-、-CO-、-S-、-N-、-P-、-NH-、-SO3 -、-CN中的至少一种。
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