CN109390354B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基底，包括布置有多个像素以显示图像的显示区域和在显示区域周围的非显示区域；对电极，针对所述多个像素共同地设置；驱动电压供应线，在第一方向上延伸以在非显示区域中与显示区域的一侧对应，并且被构造为向所述多个像素供应驱动电压；以及共电压供应线，包括弯曲成在非显示区域中与驱动电压供应线的一个角对应的弯曲部分，并且被构造为通过被连接到对电极来供应共电压。

Description

显示设备
本申请要求于2017年8月2日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0098069号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用而全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备是一种可视地显示数据的设备。这种显示设备包括分成显示区域和非显示区域的基底。在显示区域中，栅极线和数据线彼此绝缘，并且由于栅极线和数据线彼此交叉，所以在显示区域中限定多个像素区域。此外，薄膜晶体管(TFT)和电连接到TFT的像素电极在显示区域中对应于每个像素区域而设置。此外，共同设置在像素区域中的对电极设置在显示区域中。栅极驱动器、数据驱动器、控制器以及将电信号传输到显示区域的各种布线可以设置在非显示区域中。
显示设备的使用正在多样化。此外，由于显示设备薄且轻，所以显示设备的使用范围正在扩大。根据显示设备的多样化使用，在设计显示设备时，对于扩展提供图像的显示区域而相对地减小不提供图像的非显示区域的技术的需求正在增加。
在本背景技术部分中讨论的以上信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解，因此，它可能包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
一个或更多个实施例涉及一种可以减小非显示区域的面积的显示设备。
一个或更多个实施例包括一种在减小非显示区域的面积的同时保持性能的显示设备。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且，部分地通过描述将是明显的，或者可以通过所提出的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括布置有多个像素以显示图像的显示区域和在显示区域周围的非显示区域；对电极，针对所述多个像素共同地设置；驱动电压供应线，在第一方向上延伸以在非显示区域中与显示区域的一侧对应，并被构造为向所述多个像素供应驱动电压；共电压供应线，包括弯曲成在非显示区域中与驱动电压供应线的一个角对应的弯曲部分，并且被构造为通过被连接到对电极来供应共电压，其中，弯曲部分的内侧具有阶梯形状或具有相对于第一方向的倾斜边，并且对电极与显示区域、驱动电压供应线和共电压供应线的至少部分叠置，并且具有穿过阶梯形状或倾斜边而在第一方向上延伸的一边。
根据一些示例实施例，驱动电压供应线的端部具有阶梯形状或倾斜边以与弯曲部分的形状对应。
根据一些示例实施例，共电压供应线的至少一部分与驱动电压供应线间隔开并且在第一方向上延伸，并且对电极的所述一边至少位于驱动电压供应线与在第一方向上延伸的共电压供应线之间。
根据一些示例实施例，共电压供应线围绕显示区域的至少一部分，并且对电极在与显示区域的所述部分对应的非显示区域处与共电压供应线的至少一部分叠置。
根据一些示例实施例，显示设备还包括：数据分配电路单元，位于显示区域与驱动电压供应线之间，并且包括至少一个薄膜晶体管(TFT)以分配向所述多个像素供应的数据信号；以及连接导电层，与所述数据分配电路单元叠置并使绝缘层处于中间，并且将所述驱动电压供应线和所述显示区域电连接。
根据一些示例实施例，显示区域包括薄膜晶体管(TFT)和连接到TFT的像素电极，TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，连接导电层由与像素电极的材料相同的材料形成。
根据一些示例实施例，显示设备还包括在非显示区域中被构造为向显示区域施加电信号的端子单元，其中，驱动电压供应线还包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的驱动连接器，其中，驱动连接器连接到端子单元。
根据一些示例实施例，显示设备还包括围绕显示区域的密封构件，其中，密封构件与对电极间隔开。
根据一些示例实施例，显示区域包括薄膜晶体管(TFT)，TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，驱动电压供应线与共电压供应线包括与源电极的材料相同的材料。
根据一些示例实施例，显示区域还包括：第一平坦化层，覆盖TFT；导电层，位于第一平坦化层上方；以及第二平坦化层，覆盖导电层，其中，驱动电压供应线和共电压供应线中的每个包括彼此堆叠的第一层和第二层，其中，第一层由与源电极的材料相同的材料形成，第二层由与导电层的材料相同的材料形成。
根据一些实施例，一种显示设备包括：基底，包括布置有多个像素以显示图像的显示区域和在显示区域周围的非显示区域；对电极，针对所述多个像素共同地设置；驱动电压供应线，在第一方向上延伸以在非显示区域中与显示区域的任一侧对应，并且被构造为向所述多个像素供应驱动电压；以及共电压供应线，连接到对电极以供应共电压，其中，共电压供应线的局部区域具有阶梯形状或相对于第一方向的倾斜边，并且对电极的一边穿过阶梯形状或倾斜边而在第一方向上延伸。
根据一些示例实施例，共电压供应线的具有阶梯形状或倾斜边的局部区域面对驱动电压供应线，并且驱动电压供应线对应于共电压供应线的形状而具有阶梯形状或倾斜边。
根据一些示例实施例，对电极的在第一方向上延伸的一边的至少一部分与在第一方向上延伸的共电压供应线平行地间隔开。
根据一些示例实施例，显示设备还包括：数据分配电路单元，位于显示区域与驱动电压供应线之间，并且包括至少一个薄膜晶体管(TFT)，TFT被构造为分配向所述多个像素供应的数据信号；以及连接导电层，与数据分配电路单元叠置并使绝缘层置于中间，并且将驱动电压供应线和显示区域电连接。
根据一些示例实施例，显示区域包括TFT和连接到TFT的像素电极，TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，连接导电层由与像素电极的材料相同的材料形成。
根据一些示例实施例，显示区域还包括TFT、覆盖TFT的第一平坦化层、设置在第一平坦化层上方的导电层以及覆盖导电层的第二平坦化层，并且连接导电层由与导电层的材料相同的材料形成。
根据一些示例实施例，显示设备还包括在非显示区域中被构造为向显示区域施加电信号的端子单元，其中，数据分配电路单元连接到端子单元。
根据一些示例实施例，共电压供应线围绕显示区域的至少一部分，对电极具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向上延伸的第一边和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二边，对电极的第二边与共电压供应线叠置。
根据一些示例实施例，显示区域包括TFT，TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，驱动电压供应线和共电压供应线由与源电极的材料相同的材料形成。
根据一些示例实施例，显示区域还包括：第一平坦化层，覆盖TFT；导电层，位于第一平坦化层上方；以及第二平坦化层，覆盖导电层，其中，驱动电压供应线和共电压供应线中的每个包括彼此堆叠的第一层和第二层，其中，第一层由与源电极的材料相同的材料形成，第二层由与导电层的材料相同的材料形成。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是根据本发明的一些示例实施例的显示设备的一部分的平面图；
图2是图1的显示设备通过密封基底而被密封的结构的剖视图；
图3是图1的显示设备通过薄的封装层而被密封的结构的剖视图；
图4是根据本发明的一些示例实施例的可以被包括在显示区域中的一部分的剖视图；
图5是根据本发明的一些示例实施例的可以被包括在显示区域中的一部分的剖视图；
图6是图1的区域I的放大平面图；
图7是沿图6的b-b'线截取的剖视图；
图8是沿图6的c-c'线截取的剖视图；
图9是根据本发明的一些示例实施例的可以被包括在显示区域中的一部分的剖视图；
图10是根据本发明的一些示例实施例的非显示区域的一部分的剖视图；
图11是根据本发明的一些示例实施例的显示设备的一部分的平面图；以及
图12是根据本发明的一些示例实施例的显示设备的一部分的平面图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例在附图中示出。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里所阐述的描述。因此，下面通过参照图仅对一些示例实施例进行描述，以解释本说明书的各方面。
在附图中，同样的附图标记始终表示同样的元件，并且将不重复重叠的描述。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于将一个组件与另一个组件区分开。
如这里所使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一(个、种、者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或“含有”说明存在所述特征或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间的层、区域或组件。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。诸如“……中的至少一个”的表达在一列要素(或元件)之后时，修饰整列要素(或元件)而不是修饰该列的单个要素(或元件)。
显示设备是显示图像的设备，并且可以是液晶显示器(LCD)、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器或阴极射线显示器。
在下文中，有机发光显示器被描述为根据实施例的显示设备，但显示设备不限于此，而是可以使用各种类型的显示设备。
图1是根据实施例的显示设备的一部分的平面图，图2是图1的显示设备通过密封基底200而被密封的结构的剖视图，图3是图1的显示设备通过薄的封装层400而被密封的结构的剖视图。
参照图1，根据实施例的显示设备包括基底100，基底100包括布置有多个像素P以显示图像的显示区域DA和在显示区域DA周围的非显示区域NDA。
基底100可以由玻璃、金属或包括氧化硅(SiO2)作为主要成分的有机材料形成。根据实施例，基底100可以由柔性材料形成。例如，基底100可以由诸如聚酰亚胺的柔性塑料材料形成，但不限于此。作为另一实施例，塑料材料的示例包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酰纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)、环烯烃聚合物和环烯烃共聚物。
多个像素P可以设置在显示区域DA中以显示图像，其中，多个像素P连接到在第一方向上延伸的栅极线GL和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线DL。每个像素P发射例如红光、绿光、蓝光或白光，并且可以包括例如有机发光器件(OLED)。此外，每个像素P还可以包括诸如薄膜晶体管(TFT)和电容器的器件、驱动电源线以及共电源线。
像素P根据TFT(TFT连接到栅极线GL、数据线DL、驱动电源线和共电源线)、电容器和OLED的电组合而形成，因此可以显示图像。对应于根据供应到像素P的驱动电源和共电源的数据信号，像素P可以具有与流过OLED的驱动电流对应的亮度。显示区域DA可以经由从多个像素P发射的光来提供特定图像。在本说明书中，非显示区域NDA是其中未布置像素P的区域，因此是其中未提供图像的区域。
端子单元20、驱动电压供应线30、共电压供应线40、数据分配电路单元50、第一栅极驱动器60和第二栅极驱动器70以及密封构件80可以设置在非显示区域NDA中。
端子单元20设置在基底100的端部，并且包括多个端子21至23。端子单元20未被绝缘层覆盖而是被暴露，并且可以电连接到诸如柔性印刷电路板(PCB)或驱动驱动器集成芯片(IC)的控制器(未示出)。控制器将从外部源传输的多个图像信号改变为多个图像数据信号，并通过端子21将多个图像数据信号传输到数据分配电路单元50。此外，控制器可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号以产生用于控制第一栅极驱动器60和第二栅极驱动器70的驱动的控制信号，并且可以通过相应的端子(未示出)向第一栅极驱动器60和第二栅极驱动器70中的每个传输控制信号。控制器通过端子22和23分别向驱动电压供应线30和共电压供应线40传输驱动电压和共电压。
驱动电压供应线30设置在非显示区域NDA上方。例如，驱动电压供应线30可以在第一方向上延伸以在非显示区域NDA上方与显示区域DA的一侧对应。驱动电压供应线30可以包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的驱动连接器31。驱动连接器31可以连接到端子单元20，以从设置在端子单元20中的控制器接收驱动电压。驱动电压供应线30向像素P提供驱动电压。
共电压供应线40设置在非显示区域NDA上方，并且向针对多个像素P共同地设置的对电极330提供共电压。例如，共电压供应线40可以以具有一个开口侧的环形形状沿着基底100的除了端子单元20之外的边缘延伸。共电压供应线40可以包括在第二方向延伸的共连接器41。共连接器41可以与驱动连接器31平行地间隔开。
共电压供应线40的局部区域可以具有阶梯形状。阶梯形状可以设置在面对驱动电压供应线30的区域中。在这种情况下，驱动电压供应线30也可以具有阶梯形状以与共电压供应线40的形状对应。
共电压供应线40可以围绕显示区域DA的一部分和驱动电压供应线30的一部分。在这种情况下，如图1的区域I中所示，共电压供应线40可以包括被弯曲成与驱动电压供应线30的一个角对应的弯曲部分40C，并且弯曲部分40C的内侧可以具有阶梯形状。驱动电压供应线30的端部可以具有与阶梯形状对应的形状。在下面提供其详细的描述。
数据分配电路单元50可以设置在显示区域DA与驱动电压供应线30之间。数据分配电路单元50可以连接到端子单元20，并且可以在从连接到端子单元20的控制器(未示出)接收到数据信号时向多个像素P分配数据信号。数据分配电路单元50可以包括至少一个TFT。通过单独地包括数据分配电路单元50，可以减小控制器的尺寸。控制器安装在非显示区域NDA的端子单元20上，因此控制器的尺寸的减小可以引起非显示区域NDA的面积的减小。
第一栅极驱动器60和第二栅极驱动器70设置在基底100的非显示区域NDA上方，并且产生栅极信号并通过栅极线GL向每个像素P提供栅极信号。例如，第一栅极驱动器60可以设置在显示区域DA的左侧，第二栅极驱动器70可以设置在显示区域DA的右侧。
密封构件80可以围绕显示区域DA的周边。密封构件80可以是设置为使显示区域DA相对于外部空气密封的构件。
例如，参照图2，显示区域DA可以通过密封基底200而被密封，在这种情况下，显示设备包括结合到密封基底200的密封构件81，并且密封基底200面对基底100。密封基底200可以由诸如玻璃材料、塑料材料和金属材料的各种材料中的任何一种形成。密封构件81将基底100结合到密封基底200，以阻挡显示区域DA受到外部湿气和外部空气的影响。密封构件81可以由环氧树脂、密封剂、玻璃或玻璃料形成。通过使用诸如电阻热或激光束的热源使密封构件81硬化，可以将基底100和密封基底200结合在一起。
作为另一示例，参照图3，显示区域DA可以通过薄的封装层400而被密封。薄的封装层400可以在覆盖显示区域DA的同时向上延伸到显示区域DA的外部。薄的封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410覆盖对电极330，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物和/或金属氮氧化物，例如，可以包括氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
有机封装层420可以包括从丙烯酰材料、甲基丙烯酰材料、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、聚酰亚胺、PES、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中选择的至少一种材料。
第二无机封装层430覆盖有机封装层420，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物和/或金属氮氧化物，例如，可以包括In2O3、SnO2、ITO、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
这里，密封构件82可以是坝状构件，该坝状构件用于在形成有机封装层420的同时，通过防止有机材料沿基底100的边缘流动(或减少有机材料沿基底100的边缘流动的情形)来防止有机封装层420的边缘尾部的形成(或减少有机封装层420的边缘尾部的形成的情形)。因此，有机封装层420可以位于密封构件82的内侧。
如此，当显示设备包括密封构件80、81或82时，可以考虑密封构件80、81或82来设定对电极330的尺寸。
返回参照图1，对电极330针对多个像素P共同地设置，与显示区域DA、驱动电压供应线30和数据分配电路单元50叠置，并且与共电压供应线40部分地叠置。对电极330通过绝缘层与驱动电压供应线30和数据分配电路单元50电绝缘，而与共电压供应线40直接接触以接收从共电压供应线40供应的共电压。
对电极330可以通过使用开口掩模的沉积工艺来形成，并且可以与密封构件80、81或82间隔开。因此，在密封工艺期间可以减小对对电极330的损坏。为了减小非显示区域NDA的面积，对电极330可以不覆盖共电压供应线40的全部，而是可以仅覆盖共电压供应线40的一部分。
连接导电层340可以电连接到设置在显示区域DA中的驱动电压线(未示出)以及驱动电压供应线30。连接导电层340可以与数据分配电路单元50叠置并且可以通过绝缘层而与数据分配电路单元50电绝缘。
图4和图5是根据实施例的可以被包括在显示区域DA中的一部分的剖视图。
参照图4，第一TFT T1、第二TFT T2、存储电容器Cst和有机发光器件OLED可以设置在显示区域DA中。为了便于描述，按堆叠的顺序来描述组件。
缓冲层101设置在基底100上，以减少或防止杂质、湿气或外部空气从基底100的底部渗透并且在基底100上提供平坦的表面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料，或者可以包括有机材料或者无机材料与有机材料的混合物。缓冲层101可以具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
第一TFT T1包括半导体层A1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1，第二TFT T2包括半导体层A2、栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。
半导体层A1和A2可以包括非晶硅或多晶硅。作为另一实施例，半导体层A1和A2可以包括来自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种材料的氧化物。半导体层A1和A2可以均包括沟道区以及掺杂了杂质的源区和漏区。
栅电极G1和G2设置在半导体层A1和A2上方，并使栅极绝缘层103置于中间。栅电极G1和G2可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或Ti，并且可以包括单层或多层。例如，栅电极G1和G2可以是Mo的单层。
栅极绝缘层103可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2设置在层间绝缘层107上方。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括含有Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以具有包括所述导电材料的单层或多层。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
层间绝缘层107可以包括SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
存储电容器Cst的第一电极CE1可以与第一TFT T1叠置。例如，第一TFT T1的栅电极G1还可以用作存储电容器Cst的第一电极CE1。
存储电容器Cst的第二电极CE2与第一电极CE1叠置并使介电层105置于中间。第二电极CE2可以包括含有Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以包括含有所述导电材料的多层或单层。例如，第二电极CE2可以是Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层。
介电层105可以包括含有氧化物或氮化物的无机材料。例如，介电层105可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
平坦化层109设置在源电极S1和S2以及漏电极D1和D2上，并且有机发光器件OLED可以位于平坦化层109上方。平坦化层109可以包括由有机材料形成的膜的单层或多层。有机材料的示例包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的共混物。此外，平坦化层109可以具有无机绝缘膜和有机绝缘膜的复杂堆叠结构。
有机发光器件OLED包括像素电极310、发射层320和对电极330。
像素电极310可以是反射电极。例如，像素电极310可以包括反射膜和形成在反射膜上的透明或半透明电极层，所述反射膜由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物形成。透明或半透明电极层可以包括从ITO、氧化铟锌(IZO)、ZnO、In2O3、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中选择的至少一种材料。
由绝缘材料形成的像素限定层112设置在像素电极310上。像素限定层112可以通过使用从聚酰亚胺、聚酰胺、亚克力树脂、苯并环丁烯和酚树脂之中选择的至少一种有机绝缘材料通过旋涂方法等形成。像素限定层112使像素电极310的某一区域暴露，并且发射层320设置在像素电极310的暴露区域上。
发射层320可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。发射层320可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料，并且诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层还可以选择性地设置在发射层320的下方和上方。
对电极330可以是透光电极(translucent electrode)。例如，对电极330可以是透明或半透明电极，并且可以由薄金属膜形成，所述薄金属膜具有低逸出功并且包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物。此外，还可以在薄金属膜上设置由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的透明导电氧化物(TCO)膜。
参照图5，存储电容器Cst可以被设置为不与第一TFT T1叠置。将仅给出与参照图4描述的组件不同的组件的描述。
存储电容器Cst的第一电极CE1可以由与栅电极G1和G2的材料相同的材料形成并且可以与栅电极G1和G2形成在同一层上，第二电极CE2可以由与漏电极D1和D2的材料相同的材料形成并且与漏电极D1和D2形成在同一层上，并且，层间绝缘层107也可以用作介电材料。
在图4和图5中，第一TFT T1和第二TFT T2是其中第一TFT T1的栅电极G1和第二TFT T2的栅电极G2分别设置在半导体层A1和半导体层A2上并使栅极绝缘层103置于中间的顶栅型，但实施例不限于此。根据另一实施例，第一TFT T1和第二TFT T2可以是底栅型。
在图4和图5中，第一TFT T1和像素电极310通过平坦化层109的通孔而彼此连接，但实施例不限于此。
在图4和图5中，仅示出了两个TFT和一个存储电容器，但实施例不限于此。例如，一个像素P可以包括七个TFT和一个存储电容器。
图6是图1的区域I的放大平面图。在下文中，将描述形成在共电压供应线40的一部分处的阶梯形状以及共电压供应线40与对电极330之间的布置关系。
参照图6，共电压供应线40的所述一部分具有阶梯形状。阶梯形状是其中共电压供应线40的宽度在平面上沿一个方向阶梯式地增大或减小的形状。在图6中，共电压供应线40的宽度朝向显示区域DA的在第一方向上的中心阶梯式地减小。
此外，共电压供应线40可以具有弯曲成与驱动电压供应线30的角对应的弯曲部分40C，并且弯曲部分40C的内侧可以具有阶梯形状。弯曲部分40C的内侧可以是共电压供应线40的与驱动电压供应线30邻近的区域。
对电极330与共电压供应线40的一部分叠置，并且在接触区域CR中与共电压供应线40接触以与其电连接。对电极330可以是近似矩形的，并且可以包括在第一方向上延伸的第一边330a和在第二方向上延伸的第二边330b。
根据当前实施例，对电极330的第一边330a可以穿过共电压供应线40的阶梯形状而在第一方向上延伸。此外，第一边330a的至少一部分可以与共电压供应线40平行地间隔开以在第一方向上延伸。根据一些实施例，第一边330a的至少一部分可以在共电压供应线40与驱动电压供应线30之间在第一方向上延伸。
在当前实施例中，对电极330的第二边330b与共电压供应线40连续地接触，并且只有对电极330的第一边330a与共电压供应线40的阶梯形状接触。
此外，驱动电压供应线30与共电压供应线40间隔开，并且驱动电压供应线30的端部可以具有与共电压供应线40的形状一样的阶梯形状。因此，驱动电压供应线30在b-b'线附近在第二方向上具有宽度W1，并且在c-c'线附近在第二方向上具有宽度W2，其中W2>W1。
如果对电极330的第一边330a不与共电压供应线40接触，则会产生相对于共电压的电压降现象。然而，为了使对电极330的第一边330a与共电压供应线40的在第一方向上延伸的所有区域接触，需要确保第二方向上的接触区域，从而增大了非显示区域NDA的面积。
在这方面，在当前实施例中，共电压供应线40的一部分具有阶梯形状以减小非显示区域NDA的面积，对电极330的第一边330a的至少一部分与共电压供应线40接触，使得共电压的电压降的产生减少。此外，确保驱动电压供应线30的宽度以减少驱动电压的电压降的产生。
图7是沿图6的b-b'线截取的剖视图，图8是沿图6的c-c'线截取的剖视图。在图4、图7和图8中，同样的附图标记表示同样的元件，并且不再提供其描述。
数据分配电路单元50设置在非显示区域NDA中，并包括至少一个TFTT。TFT T包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。
半导体层A可以包括非晶硅或多晶硅。根据另一实施例，半导体层A可以包括从In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和Zn中选择的至少一种材料的氧化物。半导体层A可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
栅电极G设置在半导体层A上方并使栅极绝缘层103置于中间。栅电极G可以包括Mo、Al、Cu或Ti，并且可以具有单层或多层。例如，栅电极G可以是Mo的单层
源电极S和漏电极D设置在层间绝缘层107上。源电极S和漏电极D可以包括含有Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以包括含有该导电材料多层或单层。例如，源电极S和漏电极D可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
驱动电压供应线30和共电压供应线40可以由相同的材料形成。驱动电压供应线30和共电压供应线40可以包括与源电极S和漏电极D的材料相同的材料。换句话说，驱动电压供应线30和共电压供应线40可以包括含有Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以包括含有该导电材料的多层或单层。例如，驱动电压供应线30和共电压供应线40可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
连接导电层340设置在数据分配电路单元50的TFT T上方，并且TFT T和连接导电层340可以通过平坦化层109而绝缘。
连接导电层340的端部可以直接连接到驱动电压供应线30，以向显示区域DA传输驱动电压供应线30的驱动电压。
连接导电层340可以由与像素电极310的材料相同的材料形成。例如，连接导电层340可以包括反射膜和形成在反射膜上的透明或半透明导电层，所述反射膜由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物形成。透明或半透明导电层可以包括从ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO之中选择的至少一种材料。
像素限定层112和对电极330堆叠在连接导电层340的上方。在图7中，对电极330的端部在接触区域CR中直接连接到共电压供应线40。在图8中，尽管对电极330设置在共电压供应线40和驱动电压供应线30的上方，但对电极330的端部不与共电压供应线40接触，其中，图8的驱动电压供应线30的宽度W2大于图7的驱动电压供应线30的宽度W1，因此可以防止(或减小)驱动电压的电压降。
图9是根据另一实施例的可以被包括在显示区域DA中的一部分的剖视图。
参照图9，第一平坦化层110和第二平坦化层111可以设置在数据线DL的上方，并且导电层PL还可以设置在第一平坦化层110上。在图4和图9中同样的附图标记表示的同样的元件，因此，其描述与参照图4给出的描述相同，现在将仅描述其不同之处。
第一平坦化层110和第二平坦化层111均为绝缘层，并且可以包括有机材料。有机材料的示例包括酰亚胺类聚合物、诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的共混物。此外，第一平坦化层110和第二平坦化层111可以均包括诸如SiO2、SiNx和/或SiON的无机材料。此外，第一平坦化层110可以由无机材料形成，并且第二平坦化层111可以由有机材料形成。第一平坦化层110和第二平坦化层111可以均具有单层结构或多层结构。
设置在第一平坦化层110上的导电层PL可以作为传输驱动电压的驱动电压线或传输数据信号的数据线来操作。导电层PL可以通过由第一平坦化层110限定的接触孔而连接到设置在层间绝缘层107上的数据线DL。导电层PL可以包括Mo、Al、Cu或Ti，并且可以包括多层或单层。
如此，当第一平坦化层110、导电层PL和第二平坦化层111设置在显示区域DA中时，图7的连接导电层340可以由与导电层PL的材料相同的材料形成。换言之，图7的连接导电层340可以包括Mo、Al、Cu或Ti，并且可以包括多层或单层。
图10是根据实施例的沿图6的b-b'线截取的非显示区域NDA的剖视图。在图7、图8和图10中，同样的附图标记表示的同样元件，因此，其描述与参照图7和图8给出的描述相同。
参照图10，驱动电压供应线30和共电压供应线40可以均包括多个层。驱动电压供应线30可以包括彼此堆叠的第一层32和第二层33，其中，第一层32由与源电极S的材料相同的材料形成，第二层33由与图9的导电层PL的材料相同的材料形成。共电压供应线40可以包括彼此堆叠的第一层42和第二层43，其中，第一层42由与源电极S的材料相同的材料形成，第二层43由与图9的导电层PL的材料相同的材料形成。
在这种情况下，第一平坦化层110和第二平坦化层111可以堆叠在TFT T与连接导电层340之间。
如此，当驱动电压供应线30和共电压供应线40均包括多个层时，驱动电压供应线30和共电压供应线40可以是厚的，因此可以防止(或减少)电压降现象的产生。
图11和图12是根据其它实施例的显示设备的一部分的平面图。
参照图11，共电压供应线40的一部分具有阶梯形状。在本说明书中，阶梯形状是其中共电压供应线40的宽度在平面上朝向一个方向阶梯式地增大或减小的形状。在图11中，共电压供应线40的宽度朝向显示区域DA的在第一方向上的中心阶梯式地减小。
此外，共电压供应线40具有弯曲成与驱动电压供应线30的一个角对应的弯曲部分40C，并且弯曲部分40C的内侧具有阶梯形状。
对电极330与共电压供应线40的一部分叠置，并且在接触区域CR中与共电压供应线40接触以与其电连接。对电极330可以是近似矩形的，并且可以包括在第一方向上延伸的第一边330a和在第二方向上延伸的第二边330b。
根据当前实施例，对电极330的第一边330a可以穿过共电压供应线40的阶梯形状而在第一方向上延伸。此外，第一边330a的至少一部分可以与共电压供应线40平行地间隔开以在第一方向上延伸。根据一些实施例，第一边330a的至少一部分可以在共电压供应线40与驱动电压供应线30之间在第一方向上延伸。
在图6中，弯曲部分40C的内侧的阶梯形状具有一个台阶，但在图11中，弯曲部分40C的内侧的阶梯形状具有两个台阶。根据实施例，台阶的数量不受限制。因此，可以增大对电极330与共电压供应线40之间的接触区域CR的面积。
此外，驱动电压供应线30可以与共电压供应线40间隔开，并且驱动电压供应线30的端部可以具有与共电压供应线40的形状同样的阶梯形状。因此，驱动电压供应线30在其端部处具有在第二方向上的宽度W1，并且在其中心处具有在第二方向上的宽度W2，其中W2>W1。
这里，可以考虑电压降(IR-DROP)来确定驱动电压供应线30在第二方向上的宽度，并且当驱动电压供应线30的宽度大时不产生电压降现象。
在当前实施例中，共电压供应线40的弯曲部分40C具有阶梯形状以减小非显示区域NDA的面积，对电极330的第一边330a的至少一部分与共电压供应线40接触，使得共电压的电压降的产生减少。此外，可以确保驱动电压供应线30的宽度，从而减少驱动电压的电压降的产生。
参照图12，共电压供应线40在共电压供应线40的一部分处具有相对于第一方向的倾斜边，并且对电极330的第一边330a穿过倾斜边在第一方向上延伸。
此外，共电压供应线40可以具有弯曲成与驱动电压供应线30的一个角对应的弯曲部分40C，并且弯曲部分40C的内侧可以包括相对于第一方向的倾斜边。在本说明书中，第一方向上的倾斜边表示在平面上具有沿第一方向逐渐增大或减小的高度的边。共电压供应线40具有相对于第一方向的倾斜边，因此共电压供应线40在第二方向上的宽度沿第一方向逐渐增大或减小。在图11中，共电压供应线40在第二方向上的宽度朝向显示区域DA的中心逐渐减小。
对电极330与共电压供应线40的一部分叠置，并且通过在接触区域CR处与共电压供应线40接触而电连接到共电压供应线40。
在本实施例中，对电极330的第一边330a可以穿过共电压供应线40的倾斜边而在第一方向上延伸。第一边330a的至少一部分可以与共电压供应线40平行地间隔开并在第一方向上延伸。根据一些实施例，第一边330a的至少一部分可以在共电压供应线40与驱动电压供应线30之间沿第一方向延伸。
在本实施例中，对电极330的第二边330b与共电压供应线40连续地接触，但对电极330的第一边330a仅在倾斜边附近与共电压供应线40接触。
此外，驱动电压供应线30与共电压供应线40间隔开，并且驱动电压供应线30的端部可以根据共电压供应线40的形状而具有倾斜边。因此，驱动电压供应线30在其端部处具有在第二方向上的宽度W1，并且在其中心附近具有在第二方向上的宽度W2，其中W2>W1。
如果对电极330的第一边330a不与共电压供应线40接触，则会产生相对于共电压的电压降现象。然而，为了使对电极330的第一边330a与共电压供应线40的在第一方向上延伸的所有区域接触，需要确保第二方向上的接触区域，从而增大了非显示区域NDA的面积。
在当前实施例中，共电压供应线40的一部分具有倾斜边以减小非显示区域NDA的面积，对电极330的第一边330a的至少一部分与共电压供应线40接触，使得共电压的电压降的产生减少。此外，确保驱动电压供应线30的宽度以减少驱动电压的电压降的产生。
如上所述，根据实施例，可以在减少电压降现象的产生的同时实现具有小的非显示区域的显示设备。
应理解的是，这里描述的实施例应该仅被认为是描述性的含义，而不是为了限制的目的。通常应当认为每个实施例中的特征或方面的描述可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
虽然已参照图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括布置有多个像素以显示图像的显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域；
对电极，针对所述多个像素共同地设置；
驱动电压供应线，在第一方向上延伸以在所述非显示区域中与所述显示区域的一侧对应，并且被构造为向所述多个像素供应驱动电压；以及
共电压供应线，包括弯曲成在所述非显示区域中与所述驱动电压供应线的一个角对应的弯曲部分，并且被构造为通过被连接到所述对电极来供应共电压，
其中，所述弯曲部分的内侧具有阶梯形状或者具有相对于所述第一方向的倾斜边，
所述对电极与所述显示区域的至少部分、所述驱动电压供应线的至少部分和所述共电压供应线的至少部分叠置，并且具有穿过所述阶梯形状或所述倾斜边而在所述第一方向上延伸的第一边和在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二边，并且
所述对电极的所述第二边与所述共电压供应线连续地接触，并且所述对电极的所述第一边和所述第二边中的仅所述第一边与所述共电压供应线的所述阶梯形状或所述倾斜边接触。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述驱动电压供应线的端部具有阶梯形状或倾斜边以与所述弯曲部分的形状对应。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述共电压供应线的至少一部分与所述驱动电压供应线间隔开并且在所述第一方向上延伸，并且
所述对电极的所述第一边至少位于所述驱动电压供应线与在所述第一方向上延伸的所述共电压供应线之间。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述共电压供应线围绕所述显示区域的至少一部分，并且所述对电极在与所述显示区域的所述至少一部分对应的非显示区域处与所述共电压供应线的至少一部分叠置。
5.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
数据分配电路单元，位于所述显示区域与所述驱动电压供应线之间，并且包括至少一个薄膜晶体管以分配向所述多个像素供应的数据信号；以及
连接导电层，与所述数据分配电路单元叠置并使绝缘层处于所述连接导电层和所述数据分配电路单元之间，并且将所述驱动电压供应线和所述显示区域电连接。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述显示区域包括薄膜晶体管和连接到所述薄膜晶体管的像素电极，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，并且
所述连接导电层由与所述像素电极的材料相同的材料形成。
7.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：位于所述非显示区域中的端子单元，被构造为向所述显示区域施加电信号，
其中，所述驱动电压供应线还包括在与所述第一方向交叉的所述第二方向上延伸的驱动连接器，
其中，所述驱动连接器连接到所述端子单元。
8.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括围绕所述显示区域的密封构件，
其中，所述密封构件与所述对电极间隔开。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示区域包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，并且
所述驱动电压供应线与所述共电压供应线包括与所述源电极的材料相同的材料。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述显示区域还包括：
第一平坦化层，覆盖所述薄膜晶体管；
导电层，位于所述第一平坦化层上方；以及
第二平坦化层，覆盖所述导电层，
其中，所述驱动电压供应线和所述共电压供应线中的每者包括彼此堆叠的第一层和第二层，其中，所述第一层由与所述源电极的材料相同的材料形成，并且所述第二层由与所述导电层的材料相同的材料形成。
11.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括布置有多个像素以显示图像的显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域；
对电极，针对所述多个像素共同地设置；
驱动电压供应线，在第一方向上延伸以在所述非显示区域中与所述显示区域的任一侧对应，并且被构造为向所述多个像素供应驱动电压；以及
共电压供应线，连接到所述对电极以供应共电压，
其中，所述共电压供应线的局部区域具有阶梯形状或相对于所述第一方向的倾斜边，并且所述对电极的第一边穿过所述阶梯形状或所述倾斜边而在所述第一方向上延伸，所述对电极的第二边在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且
所述对电极的所述第二边与所述共电压供应线连续地接触，并且所述对电极的所述第一边和所述第二边中的仅所述第一边与所述共电压供应线的所述阶梯形状或所述倾斜边接触。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述共电压供应线的具有所述阶梯形状或所述倾斜边的所述局部区域面对所述驱动电压供应线，并且
所述驱动电压供应线对应于所述共电压供应线的形状而具有阶梯形状或倾斜边。
13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述对电极的在所述第一方向上延伸的所述一边的至少一部分与在所述第一方向上延伸的所述共电压供应线平行地间隔开。
14.根据权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括：
数据分配电路单元，位于所述显示区域与所述驱动电压供应线之间，并且包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被构造为分配向所述多个像素供应的数据信号；以及
连接导电层，与所述数据分配电路单元叠置并使绝缘层处于所述连接导电层与所述数据分配电路单元之间，并且将所述驱动电压供应线和所述显示区域电连接。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述显示区域包括薄膜晶体管和连接到所述薄膜晶体管的像素电极，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，并且
所述连接导电层由与所述像素电极的材料相同的材料形成。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述显示区域还包括薄膜晶体管、覆盖所述薄膜晶体管的第一平坦化层、设置在所述第一平坦化层上方的导电层以及覆盖所述导电层的第二平坦化层，并且
所述连接导电层由与所述导电层的材料相同的材料形成。
17.根据权利要求14所述的显示设备，所述显示设备还包括：位于所述非显示区域中的端子单元，被构造为向所述显示区域施加电信号，
其中，所述数据分配电路单元连接到所述端子单元。
18.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述共电压供应线围绕所述显示区域的至少一部分，
所述对电极具有矩形形状，所述矩形形状具有所述第一边和所述第二边，并且
所述对电极的所述第二边与所述共电压供应线叠置。
19.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述显示区域包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，并且
所述驱动电压供应线和所述共电压供应线由与所述源电极的材料相同的材料形成。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述显示区域还包括：
第一平坦化层，覆盖所述薄膜晶体管；
导电层，位于所述第一平坦化层上方；以及
第二平坦化层，覆盖所述导电层，
其中，所述驱动电压供应线和所述共电压供应线中的每者包括彼此堆叠的第一层和第二层，其中，所述第一层由与所述源电极的材料相同的材料形成，并且所述第二层由与所述导电层的材料相同的材料形成。
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