CN109314034B - 真空处理室及制造真空处理的板形基底的方法 - Google Patents

Abstract

一种真空处理室(1)包括真空容器(3)和其中的隔板(13)。静止基底支承件(11)设在隔板(13)内。基底装卸开口(25)设在真空容器(3)的侧壁(5)内，且基底装卸切口设在隔板(13)中。可驱动地移动的隔板闸门(19)空出或覆盖隔板(13)中的基底装卸切口。因此，一旦在真空处理室(1)中处理基底，则尽管建立了总体关闭的隔板，也有可能将基底水平装载和卸载(L/UL)至静止基底支承件(11)。

Description

真空处理室及制造真空处理的板形基底的方法

技术领域

本发明涉及一种改进的真空处理室，以及一种制造真空处理的板形基底的方法。

背景技术

通常，真空处理过程导致处理在其中执行的真空容器的壁的内表面的材料污染。在蚀刻的情况下，蚀刻掉的材料可能沉积在所述壁上。另外，在真空过程中，层沉积材料可能沉积在真空容器壁的内表面上。因此，真空容器壁的污染可在CVD、PECVD、PVD处理过程中发生。在此情况下，已知提供一种隔板，其一方面通常包绕在处理的基底，且另一方面保护真空容器壁的内表面的至少主要部分免于由真空处理过程污染。由于这种隔板通常环绕基底保持器也相对于其居中的真空容器的中心轴线，因此在隔板外侧的基底支承件上且由该基底支承件执行板形基底的装载和卸载。基底支承件沿中心轴线的方向朝向且从隔板向上和向下移动。因此，隔板的固有提供的底部开口用作基底进给和基底移除端口。

另一方面，去和来自其它处理站的基底装卸通常沿平行于板形基底的二维延伸表面的方向执行。因此，实际上，整个输送然后沿XYZ的三个笛卡尔坐标轴线执行。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种改进的真空处理室。

当我们在整个说明书和权利要求说到"板形基底"时，我们将理解，基底具有两个二维延伸的表面，且具有的厚度范围远小于所述二维中的范围。因此，此板形基底可为平面的或弯曲的。

此外，我们也把"板形基底"理解为成批的板形基底，该批也是二维延伸的，并且包括两个或更多个基底，这些基底将在将提到的且根据本发明的真空处理室中同时处理。

根据本发明的真空处理室，尤其是用于板形基底的真空等离子处理室，包括：

·具有环绕中心轴线的侧壁的真空容器。真空容器包括泵送端口。

·环绕中心轴线且沿侧壁的至少部分延伸的真空容器内的隔板。

·暴露于隔板内侧的静止基底支承件。静止支承件适于沿垂直于中心轴线延伸的支承平面在其二维延伸的表面中的一个处支承板形基底。

·真空容器的侧壁中的至少一个基底装卸开口，该开口具有垂直于中心轴线且与中心轴线交叉的开口中心轴线，开口中心轴线因此相对于中心轴线沿径向定向。

·隔板中的至少一个基底装卸切口。

当我们说侧壁中的"至少一个"基底装卸开口和隔板中的"至少"一个基底装卸切口时，我们提出，根据本发明的真空处理室如随后更明确提到那样，可具有用于装载和用于卸载基底的单个通路，但还可设有侧壁中的至少两个开口和至少两个基底装卸切口，例如，如果相应地通过不同的开口和切口来执行将基底装载入处理室和从处理室卸载此基底。

当我们说到"切口"时，该用语包括由部件全部侧部界定的开口，其中也提供了一侧开口的开放空间，例如，U形开放空间。

侧壁中的基底装卸开口和隔板中的基底装卸切口相互对齐，且两者定制成允许板形基底朝向基底支承件和从基底支承件穿过其间装卸。基底的装卸利用垂直于真空容器的中心轴线且因此平行于提出的支承平面的其二维延伸的板表面执行。

·可驱动地移动的隔板闸门，即，可借助于驱动件移动，且以受控方式驱动地空出或覆盖基底装卸切口的隔板闸门。

因此，通过根据本发明的真空处理室，变得可能的是平行于板形基底的延伸表面且垂直于容器的中心轴线来将板形基底装载和卸载进入隔板中，即，实际上进入反应空间。

在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，隔板由金属制成。

通常且如提到那样，一方面，隔板实际上由金属制成，因为其例如是在真空处理室的维护期间更换的部分，例如，用于清洁目的，且应当价格相对较低。然而，一些真空处理可能需要处理空间的至少主要部分由一种材料包绕，该材料适于例如通过层沉积工艺将其沉积在板形基底上的材料。在此情况下，如果例如通过板形基底上的反应等离子过程沉积的材料是介电材料，则可能有利的是还提供介电材料的隔板。

如已经提到那样，在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，隔板是维护更换部分，这意味着，隔板可容易地移除和更换，而不进一步进行真空处理室的大量地拆卸。

在根据本发明的真空处理室的另一个实施例中，隔板具有至少一个导电表面，优选是金属的，且隔板闸门也具有导电表面，优选也是金属的。隔板闸门至少在切口由隔板闸门覆盖的该位置与隔板电接触。

然而隔板闸门可相对于切口沿任何期望的方向移动，以便相应地打开和关闭所述切口，但在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，隔板闸门在平行于中心轴线的方向上可驱动地移动。通常，中心轴线垂直地定向，这意味着隔板闸门一般可驱动地向上和向下移动。

在真空处理室的一个实施例中，通常称为基座的静止基底支承件包括用于板形基底的导电支承表面，该表面电连接至真空处理室的RF偏压源连接器。因此，在操作中，基底保持器以及位于其上的板形基底一起受到RF偏压。

在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，如刚刚提到的基底支承件包括至少三个销，其在支承平面上方突出，且可沿其轴线且相对于支承平面驱动地(即，借助于相应驱动件)可缩回且可提升。

销在其突出位置限定平行于所述一个支承平面的另一个支承平面，该另一个支承平面与隔板内的所述中心轴线交叉。

因此，板形基底的装载和卸载不一定沿板形基底在处理期间沿其定位的相同平面发生。在该实施例中，刚刚提到的装载和卸载板形基底相对于提出的另一个支承平面执行，而在销缩回时，执行基底处理，其中基底沿一个支承平面定位。侧壁中的隔板切口和开口与此另一个平面对齐，以允许装载和卸载板形基底，而与它们处理期间放置的位置和支承平面无关。

在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，一个支承平面在隔板内与中心轴线交叉，因此基底在处理期间位于隔板内。

销可在预定电位上操作，且在此情况下，它们是金属的。

备选地，销可在浮动电位上操作，且然后可为金属的或非导电材料的，例如，介电材料的。一旦板形基底放置在上升的销上，销缩回且基底放置来用于在导电支承件上且沿一个支承平面处理，在该处板形基底在操作中变为受RF偏压的。

主要取决于基底的板形，在中心轴线的方向上考虑的隔板的截面形状是圆形或多边形的，因此尤其是圆形、矩形或正方形的。

着眼于圆形的待处理基底，变得清楚的是，基底装卸开口以及隔板中的切口将必须垂直于装载/卸载方向，且平行于一个或另一个支承平面来确定大小，其中范围略大于基底直径。取决于矩形或正方形基底的定向，所述的侧壁中的基底处理开口和隔板中的切口将适于针对装载/卸载的基底的相应尺寸和装卸定向。

在根据本发明的真空处理室的另一个实施例中，隔板具有导电表面，因此例如是金属的，且该表面经由真空容器的金属侧壁电连接至室的***接地连接器。

尤其是如果在操作中，受处理的基底由偏压源电偏压，尤其是由RF偏压源来RF偏压，且处理借助于隔板内的等离子来执行，则因此形成从隔板经由金属的侧壁到固定***接地电位施加到其上的***接地连接器的RF电流返回路径。

在根据本发明的处理室的刚刚提到的实施例的一个实施例中，隔板是可维护更换的部分，其意味着其可容易地更换，例如，用于清洁目的，且隔板直接地或经由回弹性接触元件间接地电接触所述侧壁，回弹性接触元件全部沿隔板的外周分布，此外周认作是沿中心轴线的方向看到的。回弹性接触元件中的每个机械地安装至隔板或与侧壁电接触的金属部分，或直接地安装至侧壁。

回弹性接触元件因此定制成建立从隔板到容器的金属侧壁且因此至***接地连接器的固定低电阻电流路径。然而，它们使隔板与真空容器的金属侧壁热解耦。如果在基底处理期间在与金属侧壁的温度大不相同的温度下操作隔板，则这是可取的。

在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，隔板包括与基底支承件相对的盖板。盖板包括排入隔板的内侧空间的至少一条气体馈通管线。如果基底的处理利用隔板内的反应空间中的气体，例如，利用用于等离子生成的工作气体和/或利用用于反应等离子或热处理的反应气体，则经由所述板提供了用于相应的一种或多种气体的一个或一个以上气体馈通部分。

在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，其还包括底部护罩，其环绕中心轴线，且其相对于侧壁保护来补充隔板。底部护罩是金属的，且隔板是导电表面，因此优选也是金属的。在隔板处，尤其是沿隔板的底部边沿，即，更接近基底支承件的边沿，其导电表面一方面与底部护罩直接地或间接地电接触，且也与金属侧壁电接触。底部护罩与处理室的其它部分电隔离，其中进一步例外在于，其牢固地电连接至***接地连接器。

在一个实施例中，环绕中心轴线且相对于所述侧壁保护补充隔板的底部护罩沿中心轴线的方向且在隔板外覆盖隔板。

在一个实施例中，底部护罩沿围绕中心轴线的区域覆盖隔板，该区域包括隔板中的切口的至少部分。在此情况下，底部护罩包括也与隔板中的切口且与所述侧壁中的基底装卸开口对齐的基底装卸切口。

尤其是如果处理通过使用等离子执行且基底支承件在操作期间以RF偏压，则该实施例提供至***接地连接器的两个平行RF返回路径，即，经由等离子、具有导电表面的隔板，且一方面底部护罩，且另一方面金属侧壁，向下至***接地连接器。因此，RF电流返回路径阻抗显著降低。

在根据本发明的真空处理室的另一个实施例中，隔板是金属的，且与侧壁和/或与底部护罩热解耦(如果提供此护罩)，其中隔板悬置在容器内，且仅经由回弹性不同电接触元件来接触侧壁和/或底部护罩(如果提供其)，接触元件沿隔板的底部边沿的外周分布。

在容器顶部区域处将隔板悬置在容器内，这允许了沿其底部部分避免隔板支承。在那里，只有所提到的不同的电接触元件提供电接触，从而在隔板与容器的侧壁之间建立可忽略的热耦合，且如果提供的话，建立与如上文提出的底部护罩的可忽略的热耦合。

在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，隔板顶部安装(在一个实施例中悬置)到冷却或加热板，其包括用于冷却或加热介质的通道布置。在一个实施例中，此板用于在热解耦的情况下如刚刚提到那样悬置隔板，且通过此冷却或加热板来引导到达隔板内的气体馈线。

重新着眼于回弹性接触元件，可以看到，尤其是在冷却隔板的刚刚提到的情况下，避免从隔板到侧壁和/或底部护罩的导热可能是有利的，以便避免沿真空容器的内表面的冷凝。

在根据本发明的真空处理室的一个实施例中，真空处理室是蚀刻室，且包括感应线圈，其环绕中心轴线，以便在真空容器内生成感应耦合的等离子。感应线圈相对于中心轴线沿径向位于金属隔板外侧。因此，真空容器的侧壁包括介电材料的部分，其也环绕中心轴线，且沿径向位于隔板与线圈之间。介电材料的该部分基本上沿感应线圈的轴向范围延伸，且可形成环境大气与真空的分离。因此，金属隔板包括贯穿缝隙的样式，其沿金属隔板分布。此贯穿缝隙具有平行于中心轴线的范围方向的主要分量。提供了金属隔板中的贯穿缝隙的此样式，以避免感应线圈的感应引起金属隔板中的过大的涡流损失。

如提到的根据本发明的真空处理室的任何数量的实施例可组合(如果它们不是相互矛盾的)。

本发明还针对一种制造真空处理的板形基底的方法。该方法包括提供与真空处理室的内表面的部分分开且沿内表面的部分的隔板。此外，该方法包括提供静止基底保持器，其适于沿平面支承如上文提到的板形基底且暴露于隔板的内部空间。打开隔板中的基底进给切口，且板形基底经由打开的基底进给切口引入隔板中。板形基底放置在基底支承件上，且隔板中的基底进给切口关闭，且隔板中的基底移除切口也关闭(如果仍开启)。随后，真空处理基底支承件上的基底。随后，隔板中的基底移除切口打开，且处理过的板形基底从基底支承件且从隔板移除，并且还从真空处理室经由基底移除切口移除。

在根据本发明的方法的一个变型中，基底进给切口是基底移除切口。因此，隔板中的一个切口用作进给和移除切口。

在根据本发明的方法的其它变型中，其借助于根据本发明或根据其一个或一个以上的实施例的真空处理室来执行。

附图说明

现在将借助于实例且借助于附图来进一步阐释本发明。

附图示出了：

图1：以透视图，最示意性且简化地示出根据本发明的真空处理室的一个实施例的部分。

图2：仍示意性且简化地示出了穿过图1中的实施例的真空处理室的截面视图。

图3以类似于图1的图示出了根据本发明的真空处理室的另一个实施例。

图4以类似于图2的图示出了根据图3的实施例的截面视图。

图5仍示意性且简化地示出了截面图中的根据本发明的真空处理室的特定实施例，从而示出了还可应用于不同于图5中特别示出的本发明的其它类型的真空处理室的特征。

图6简化地且以透视图示出了可应用于根据图5的真空处理室的实施例的回弹性接触元件，且更一般而言可应用于根据本发明的其它类型的真空处理室。

具体实施方式

图1和2最示意性地且简化地示出了根据本发明的真空处理室的一个实施例的部分。

图1以局部断面透视图示出了处理室1，而图2示出了沿图1中由A/A所示的平面穿过图1的真空处理室1的截面。

真空处理室1包括真空容器3，其具有环绕中心轴线B的侧壁5。侧壁5具有相应的覆盖物和底部(图1中未示出)，其将环境大气与真空气氛分开。真空气氛在泵送端口7处在真空容器3中建立，真空泵布置9可安装至泵送端口7来用于操作。

在围绕中心轴线B居中的真空容器3内，提供了静止基底支承件11，其适于支承沿或平行于垂直于中心轴线B的平面E定位的一定数目(等于或大于一)的板形基底。如果我们提到"板形基底"，则这意味着具有成对的二维延伸的表面的基底，且在第三维度上具有的厚度范围远小于两个提到的维度上的范围。然而，板形基底可为平的或弯曲的。

如果我们提到"等于或大于一的数目"，则这提出单个板形基底或成批的一个以上的基底，由此该批次是二维延伸的，类似上文提到的单个板形基底。因此，如本说明书和权利要求各处提到的"基底"也提到了此类成批基底。

真空处理室1中还提供了隔板13，其环绕中心轴线B，且沿径向与中心轴线B间隔开，从而包绕基底支承件11。在一般途径中，隔板13可设置成与真空容器3的侧壁5的内表面接触且沿该内表面设置，或与其间隔开，由此设置在基底支承件11与侧壁5的内表面之间。此外，在一般考虑中，隔板13可为导电或不导电的材料。

沿中心轴线B的方向考虑，基底支承件11定位成使得至少一个板形基底在隔板13内装载至支承件和从支承件卸载。沿中心轴线B的方向考虑，板形基底的处理也可在隔板内执行，但也可在隔板外执行，例如，在隔板13的底部边沿附近。

一般而言，在基底支承件11上和由基底支承件1装载和卸载至少一个板形基底相对于且垂直于如图1中由双箭头L/UL示意性所示的中心轴线B沿径向方向执行。因此，装载/卸载轨迹路径平行于平面E，且穿过由隔板13限定的几何本体。

为了穿过隔板13执行该装卸，在隔板13中提供了基底装卸切口或开口17。平行于平面E考虑，该基底装卸切口17具有侧向范围，其允许相应延伸的板形基底或具有垂直于中心轴线B的二维延伸的表面的相应批次的装载和卸载。

隔板13覆盖且因此保护侧壁5的内表面的主要部分免受金属隔板13内的真空处理引起的材料影响。

提供了隔板闸门19，其可驱动地且受控地移动(如，由受控的驱动单元21)，以覆盖或空出隔板13中的基底装卸切口17。

如从图1中清楚，相应的基底装卸开口(图1中未示出)设在真空容器3的侧壁5中，其与切口17对齐，以允许基底或相应基底的批次的装载和卸载。

在图1的实施例中，隔板闸门19沿平行于中心轴线B的方向D驱动地移动，但在另一个实施例中，此隔板闸门19a(见图2)可为如方位方向上的虚线双箭头D'所示相对于中心轴线B可驱动地移动。

在图2的图示中，除了根据图1的图示之外，且以虚线示出了板形基底23，以及示出了在真空容器3的侧壁5中的基底装卸开口25。

图1和2示出了根据本发明用于处理圆形板形基底或用于处理板形圆形基底的批次的真空处理室1的实施例，而图3和4示出了用于真空处理的多边形(更确切地说是矩形或正方形)基底或相应形状基底的批次的实施例。

在根据图3和4的附图中，相同参考数字用于如图1和2中的相同部分，使得技术人员在图3和4中不需要对于这些的附加备注。

因此，真空处理室1尤其是真空等离子处理室，其用于PECVD或PVD层沉积或蚀刻。在所有情况下都应用隔板13，其中要保护真空容器3的内表面和设置在那里的设备免受由处理过程产生的材料影响。

借助于图5，根据本发明的真空处理室1的特定实施例将描述为具有一些特征，这些特征随后将简短地称为更普遍地适用于其它类型的真空处理室。图5示意性地且简化地示出了根据本发明的真空处理室，其为利用感应耦合等离子的等离子蚀刻室。

真空蚀刻室101包括真空容器103，其具有环绕中心轴线B₁₀₀的侧壁105。

作为金属且在该实施例中是圆柱形的隔板113悬置到冷却板102，冷却板102由气体馈通部分106安装至真空容器103的顶部盖板108。用于工作和/或反应气体的至少一条气体馈线110经由气体馈通部分106进给来分配到金属隔板113的内部中。

借助于冷却介质馈通部分112和通道布置，冷却板102供有冷却介质。

为了建立金属隔板113与冷却板102之间的良好热接触，金属隔板113在顶部由顶盖114封闭。金属隔板113借助于螺钉116来紧密地偏压至冷却板102。

金属隔板113包括贯穿缝隙118的样式，其具有平行于中心轴线B₁₀₀的方向的主要分量。

尽管金属隔板113悬置到冷却板102，但其经由全沿着金属隔板113的外周分布的导电回弹性元件120以导电方式偏压至真空容器103的侧壁105的部分。

如图6中示意性所示，作为实例，回弹性元件120由梳状弹簧舌片组122构成，且机械地安装至金属隔板113或如图6中在参考数字124处指出的真空容器103的侧壁105的部分。回弹性元件120沿金属隔板113的外周分布，例如，具有恒定间距。这些回弹性元件120提供金属隔板113与侧壁105之间的良好电接触，但提供冷却的金属隔板113与侧壁105之间仅很小的导热。

导电回弹性元件120可由很多种不同元件实现，例如，由管状中空或充满的材料的回弹性元件，其有圆形、三角形、椭圆形、多边形的截面形状。重要地，这些接触元件应当提供低电阻和低导热性。

与中心轴线B₁₀₀同轴的底部护罩126补充隔板113的保护动作。接近回弹性元件120，全部围绕金属隔板113的外周分布的另一组回弹性元件128建立侧壁105与底部护罩126之间的电接触。举例来说，回弹性元件128可类似于元件120实现，即，根据图6的实例，或在回弹性元件120的背景下所述的实例。因此，这些回弹性元件128也可由多种元件实现。与回弹性元件120相对，回弹性元件128的低导热性不太关键，因为在该实施例中，其与元件120热串联。

替代或补充底部护罩126与侧壁125之间的回弹性元件128，此回弹性元件可直接地设在金属隔板113与护罩126之间，和/或尤其是没有基底支承件的RF偏压的一些情况下，仅提供至侧壁105。

金属底部护罩126是类似于金属隔板113的维护替换部分。

底部护罩126和真空容器103的侧壁105可经由***接地连接器130牢固地连接至***接地GND。

除与***接地连接器130的电连接之外，底部护罩126与真空容器103的金属侧壁105电隔离。这在图5中的160处由加粗的线示意性示出。

底部护罩126在外部覆盖隔板113的底部区域达到一定程度，使得基底装卸切口或开口127也设在底部护罩126的覆盖部分中。

如最示意性所示，提供了从输入接片到金属基底支承件132的RF馈线RF_IN，其为静止的且与中心轴线B₁₀₀同轴安装。如由隔离器134示意性且简化地进一步所示，金属基底支承件或基座132与真空处理室的任何其余部分电隔离。在操作中，RF偏压源136施加至RF馈线RF_IN与***接地连接器130之间。参看对金属基底支承件132的RF偏压进给，底部护罩126用作作为核心的线RF_IN的护罩。

RF电流返回路径建立成从金属基底支承件132经由等离子到金属隔板113，且一方面从该处经由回弹性元件120和128至底部护罩126，且然后至***接地电流路径RF₁。

另一方面，平行于其建立了RF电流返回路径RF₂，其经由回弹性元件120、真空容器103的侧壁105，又至***接地GND。建立这两个平行的RF返回路径RF₁, RF₂显著地减小至***接地的所述电流的总体RF阻抗，从而改善了蚀刻过程的效率和稳定性。为了生成金属隔板113内(蚀刻反应空间)的等离子，提供了感应线圈138，其与中心轴线B₁₀₀同轴，且由介电壁140与金属隔板113分开，如真空密封件141示意性所示，介电壁140将真空气氛V与环境大气A分开。

泵送端口142将连接至真空泵，使得从真空处理室1内形成泵送气流P。

例如，根据图2的图示，基底装卸开口125和切口127沿侧向设在真空容器103的侧壁105和底部护罩126中。在金属隔板113中提供了与侧向基底装卸开口125沿径向对齐的基底装卸切口117，使得如由双箭头L/UL所示，垂直于中心轴线B₁₀₀定向的板形基底可经由基底装卸开口125，经由切口127和117装载和卸载到销144上。销144可沿其轴线B₁₄₄受控地移动，且因此可降低来将待处理的基底下降到金属板基底支承件132上，或将处理过的基底从一个位置上的基底支承件132升高，在该位置，其可由(未示出的)机械臂抓住，且经由基底装卸开口125和打开的切口117和切口127来从金属隔板113移除。

销144借助于受控的驱动单元146可向上和向下移动。

一旦基底装卸开口125和切口127且尤其是金属隔板113中的基底切口117对于朝向或从金属基底支承件132装载或卸载的基底空出，金属隔板113中的切口117可借助于隔板闸门119闭合，隔板闸门119由驱动单元150可受控地驱动地向上和向下移动。尤其是在蚀刻操作期间闭合基底切口117防止了真空处理室经由金属隔板113中的大切口117污染。

金属可移动隔板闸门119在与尤其是在操作关闭位置的金属隔板113相同的电位上操作。金属隔板闸门119与金属隔板113之间的良好电接触在金属隔板闸门119的闭合位置借助于导电回弹性元件152确定，作为实例，导电回弹性元件152可类似于回弹性接触元件120和/或128定制，且举例来说，如图6中所示。另外，这些回弹性接触元件152以分布式方式沿隔板闸门119的顶部边沿安装在隔板113侧部上或安装到隔板闸门119。举例来说，金属隔板闸门119以电隔离方式安装至其驱动件150。

在阐释真空处理室1(即，构想为具有感应耦合等离子的蚀刻室的这种室)的特定实施例之后，应当以更一般的观点来提出该室的一些方面。

在根据图5的真空等离子蚀刻室的背景下，我们提出了隔板113是金属的。对于其它处理应用，处理可为介电材料，且根据图5的119的隔板闸门也将是介电材料的。如果其中执行的基底处理在包绕处理空间的表面的至少主要部分是与将通过相应等离子沉积处理来沉积在基底上的材料相同的材料的情况下最佳地操作，则隔板113例如是介电材料。然而，还鉴于隔板113将是维护替换部分且因此相对低成本，故在大多数处理应用中，隔板113由金属制成。

在根据图5的实施例的情况下，如果基底在其处理期间在RF偏压上操作，则金属隔板113最显著地改善RF电流返回路径。

在此背景下和图5的背景下，我们提出了平行RF电流返回路径RF₁和RF₂的实现。这主要是通过在113的金属隔板和真空容器的金属侧壁之间建立回弹性电连接器，并且与其平行地建立到底部护罩并且通常向下到图5的130的接地连接器来实现。每当执行等离子处理且待处理的基底在RF偏压上操作时，该途径尤其适用。

在此背景下，图5的实施例教导了金属隔板闸门119在其关闭位置在与金属隔板113相同的电位上操作。当闸门148达到关闭位置时这由回弹性的导电元件152实现。在另一个实施例中，金属隔板闸门119可一直在真空容器103的侧壁105的电位上或在底部护罩126的电位上操作，例如，通过滑动回弹性触头，其保持与金属隔板闸门119的电接触，而与其即时位置无关。

此外，隔板113内的等离子生成可以任何已知方式实现，例如，作为微波等离子，作为电弧蒸发源的等离子，或磁控源的溅射源等。甚至可能有利的是提供如没有等离子生成的纯CVD处理技术中提出的具有基底装卸切口117的隔板113。

通过所述隔板中的切口，当在处理室外装卸基底时，变得有可能的是在同一个或至少平行的平面中执行向处理室的基底和从处理室的基底的装卸。

作为类似于隔板113的维护更换部分，隔板闸门119可容易地从其驱动件150移除。

总结本发明的方面：

A)真空处理室(1)，尤其是用于至少一个板形基底的真空等离子处理室，包括：

·具有环绕中心轴线(B;B₁₀₀)且包括泵送端口(7;142)的侧壁(5;105)的真空容器(3;103)；

·在环绕所述中心轴线(B;B₁₀₀)且沿所述侧壁(5;105)的部分的所述真空容器(3;103)内的隔板(13;113)；

·静止基底支承件(11;132)，其暴露于所述隔板(13;113)内侧，且适于在其二维延伸的表面中的一个处且沿垂直于所述中心轴线(B;B₁₀₀)的支承平面(E)支承板形基底，以及

·所述侧壁(5;105)中的至少一个基底装卸开口(25;125)，其中开口中心轴线垂直于所述中心轴线(B,B₁₀₀)且与所述中心轴线(B,B₁₀₀)交叉；

·所述隔板(13;113)中的至少一个基底装卸切口(17;117)，

所述基底装卸开口(25;125)和所述基底装卸切口(17;117)相互对齐，且定制成允许板形基底穿过开口和切口朝向和从所述基底支承件(11;132)装卸；

·驱动地空出和覆盖所述基底装卸切口(17;117)的可驱动地移动的隔板闸门(19;119)。

B)方面A中优选的真空处理室，其中所述隔板是金属的。

C)方面A或B中至少一者中优选的真空处理室，其中所述隔板是维护更换部分。

D)方面A至C中至少一者中优选的真空处理室，所述隔板具有导电表面，优选是金属的，且所述隔板闸门具有导电闸门表面，优选也是金属的，且至少在所述切口由所述隔板闸门覆盖时与所述隔板电接触。

E)方面A至D中至少一者中优选的真空处理室，其中所述隔板闸门沿平行于所述中心轴线的方向可驱动地移动。

F)方面A至E中至少一者中优选的真空处理室，其中所述静止基底支承件包括用于板形基底的导电支承表面，其电连接至所述室的RF偏压源连接器。

G)至少方面F中优选的真空处理室，所述基底支承件包括至少三个销，其在所述支承平面上方突出，且沿其轴线且相对于所述支承平面可驱动地缩回和提升。

H)至少方面G中优选的真空处理室，其中在其突出位置的所述销限定平行于所述一个支承平面的另一个支承平面，该另一个支承平面与隔板内的所述中心轴线交叉。

I)方面A至H中至少一者中优选的真空处理室，其中所述支承平面与所述隔板内的所述中心轴线交叉。

K)方面A至I中至少一者中优选的真空处理室，其中沿所述中心轴线的方向考虑，所述隔板的截面形状是圆形和多边形中的一者，因此尤其是圆形、矩形或正方形的。

L)方面A至K中至少一者中优选的真空处理室，其中所述隔板具有导电表面，优选是金属的，且经由所述侧壁电连接至所述室的***接地连接器。

M)至少方面L中优选的真空处理室，其中所述隔板是可维护更换的部分，且直接地或经由沿所述隔板的外周分布的回弹性接触元件间接地电接触所述侧壁，所述回弹性接触元件中的每个机械地安装至隔板或直接地或间接地与所述侧壁电接触的金属部分。

N)方面A至M中至少一者中优选的真空处理室，其中所述隔板包括与所述基底支承件相对的盖板，所述盖板包括排入所述隔板的内侧空间的至少一条气体馈通管线。

O)方面A至N中至少一者中优选的真空处理室，还包括环绕所述中心轴线且相对于所述侧壁补充所述隔板的底部护罩，所述底部护罩是金属的，所述隔板具有导电表面，且在其底部边沿处，与所述底部护罩且与所述侧壁电接触，所述底部护罩除牢固地电连接至所述***接地连接器外，与所述处理室的其它部分电隔离。

P)方面A至O中至少一者中优选的真空处理室，还包括环绕所述中心轴线且相对于所述侧壁补充所述隔板的底部护罩，所述底部护罩在所述中心轴线的方向上且在所述隔板外覆盖所述隔板。

Q)至少方面P中优选的真空处理室，所述底部护罩沿围绕所述中心轴线的区域覆盖所述隔板，所述区域包括所述切口的至少部分，所述底部护罩包括与所述隔板中的所述切口对齐和与所述侧壁中的所述基底装卸开口对齐的基底装卸切口。

R)方面A至Q中至少一者中优选的真空处理室，其中所述隔板是金属的，且与所述侧壁和/或与底部护罩(如果提供)热解耦，其中所述隔板悬置在所述容器中，且仅经由沿所述隔板的底部边沿的外周分布的回弹性不同电接触元件来接触所述侧壁和/或所述底部护罩(如果提供)。

S)方面A至R中至少一者中优选的真空处理室，其中所述隔板顶部安装至冷却或加热板，该板包括用于冷却或加热介质的通道布置。

T)方面A至S中至少一者中优选的真空处理室，所述真空处理室是蚀刻室，且包括环绕所述中心轴线且在金属的所述隔板外的感应线圈，所述侧壁包括环绕所述中心轴线的沿径向在所述隔板与所述线圈之间的介电材料，所述金属隔板包括沿所述金属隔板分布且具有平行于所述中心轴线的范围的方向的主要分量的贯穿缝隙的样式。

U)一种制造真空处理的板形基底的方法，包括

·提供与真空处理室的内表面的部分分开且沿内表面的部分的隔板；

·提供静止基底保持器，其适于沿平面支承板形基底，且暴露于所述隔板的内部空间；

·打开所述隔板中的基底进给切口；

·经由所述打开的基底进给切口在其二维延伸的表面中的一者平行于所述平面的情况下将板形基底引入所述隔板中；

·将所述板形基底放置在所述基底支承件上；

·关闭所述隔板中的所述隔板进给切口和所述隔板中的基底移除切口(如果还未关闭)；

·在所述支承件上且在所述隔板中真空处理所述基底；

·打开所述基底移除切口；

·从所述支承件且从所述隔板，且从所述真空处理室，经由所述基底移除切口移除所述处理过的板形基底。

V)根据至少方面U优选的制造真空处理的板形基底的方法，包括

真空处理所述支承件上和所述隔板中的所述基底，从而RF偏压所述基底。

W)根据方面U或V中的至少一者优选的制造真空处理的板形基底的方法，所述真空处理是蚀刻，

优选利用感应耦合等离子。

X)根据方面U或W中的至少一者优选的制造真空处理的板形基底的方法，还包括至少在所述处理期间建立至少两个不同的相互平行的电流路径，从所述隔板经由所述真空处理室的壁到***接地连接器的第一电流路径，从所述隔板经由所述真空处理室中的护罩至所述***接地连接器的第二电流路径。

Y)方面U至X中至少一者中优选的方法，其中所述基底进给切口是所述基底移除切口。

Z)方面U至Y中至少一者中优选的方法，借助于根据方面A至T中的至少一者的真空处理室执行。

Claims (23)

1.一种用于至少一个板形基底(23)的真空处理室(1;101)，包括：

·真空容器(3;103)，其具有侧壁(5;105)，所述侧壁(5;105)环绕中心轴线(B;B₁₀₀)且包括泵送端口(7;142)；

·所述真空容器(3;103)内的隔板(13;113)，所述隔板(13;113)环绕所述中心轴线(B;B₁₀₀)且通过空的中间空间与所述真空容器(3;103)的所述侧壁(5;105)间隔开，所述隔板(13;113)包括顶部区域和底部区域；

·静止的基底支承件(11;132)，其在所述底部区域处暴露于所述隔板(13;113)内部，且所述基底支承件(11;132)适于在板形基底(23)的二维延伸的表面中的一个处且沿垂直于所述中心轴线(B;B₁₀₀)的支承平面(E)支承所述板形基底(23)，

·所述侧壁(5;105)中的至少一个基底装卸开口(25;125)，其中开口中心轴线垂直于所述中心轴线(B,B₁₀₀)且与所述中心轴线(B,B₁₀₀)交叉；以及

·所述隔板(13;113)中的至少一个基底装卸切口(17;117)，

所述基底装卸开口(25;125)和所述基底装卸切口(17;117)相互对齐，且定制成允许朝向所述基底支承件(11;132)和从所述基底支承件(11;132)穿过所述基底装卸开口(25;125)和所述基底装卸切口(17;117)装卸板形基底(23)；

·能够驱动地移动的隔板闸门(19;119)，其驱动地空出和覆盖所述基底装卸切口(17;117)；

所述隔板(13;113)具有导电表面，所述隔板闸门(19;119)具有导电闸门表面，至少在所述基底装卸切口(17;117)由所述隔板闸门(19;119)覆盖时所述导电闸门表面与所述隔板(13;113)的所述导电表面电接触；

所述基底支承件(11;132)包括用于所述板形基底的导电支承表面，所述导电支承表面电连接至所述真空处理室(1;101)的RF偏压源连接器；

所述真空容器(3;103)的所述侧壁(5;105)连接到***接地连接器(130)；

并且还包括环绕所述中心轴线(B;B₁₀₀)且在所述隔板(13;113)的所述底部区域附近的底部护罩(126)，

所述底部护罩(126)是金属的并且连接到所述***接地连接器(130)；

所述隔板(13;113)在其底部区域，一方面经由所述底部护罩(126)与所述***接地连接器(130)成平行不同电接触，并且在另一方面经由所述侧壁(5;105)与所述***接地连接器(130)成平行不同电接触，所述底部护罩(126)另外与所述真空处理室(1;101)的其它部分电隔离。

2.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，所述隔板是金属的。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述隔板是维护更换部分。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述隔板闸门是金属的。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述隔板闸门沿平行于所述中心轴线的方向能够驱动地移动。

6.根据权利要求1或权利要求2中的一项所述的真空处理室，其特征在于，所述基底支承件包括至少三个销，所述销在所述支承平面上方突出，且所述销沿其轴线且相对于所述支承平面能够驱动地缩回和提升。

7.根据权利要求6所述的真空处理室，其特征在于，在其突出位置的所述销限定平行于所述支承平面的另一个支承平面，所述另一个支承平面与所述隔板内的所述中心轴线交叉。

8.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述支承平面与所述隔板内的所述中心轴线交叉。

9.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，沿所述中心轴线的方向考虑，所述隔板的截面形状是圆形和多边形中的一者。

10.根据权利要求9所述的真空处理室，其特征在于，沿所述中心轴线的方向考虑，所述隔板的截面形状是圆形、矩形或正方形。

11.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述隔板是能够维护更换的部分，且直接地或经由沿所述隔板的外周分布的回弹性接触元件间接地电接触所述侧壁，所述回弹性接触元件中的每个机械地安装至所述隔板或机械地安装至直接地或间接地与所述侧壁电接触的金属部分。

12.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述真空容器(3;103)包括与所述基底支承件相对的在所述顶部区域的盖板，所述盖板包括排入所述隔板的内部空间的至少一个气体馈通管线。

13.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述底部护罩沿所述中心轴线的方向且在所述隔板外覆盖所述隔板。

14.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述底部护罩沿围绕所述中心轴线的区域覆盖所述隔板，所述区域包括所述切口的至少部分，并且其中所述底部护罩包括与所述隔板中的所述切口对齐且与所述侧壁中的所述基底装卸开口对齐的基底装卸切口。

15.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述隔板是金属的，且与所述侧壁和/或与所述底部护罩热解耦，其中所述隔板悬置在所述容器中，且所述隔板仅经由沿所述隔板的底部边沿的外周分布的不同回弹性电接触元件来接触所述侧壁和/或所述底部护罩。

16.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述隔板顶部安装至冷却或加热板，所述冷却或加热板包括用于冷却或加热介质的通道布置。

17.根据权利要求1或权利要求2所述的真空处理室，其特征在于，所述真空处理室是蚀刻室，且包括环绕所述中心轴线且在金属的所述隔板外的感应线圈，所述侧壁包括环绕所述中心轴线的沿径向在所述隔板与所述线圈之间的介电材料的部分，所述隔板包括沿所述隔板分布且具有平行于所述中心轴线的范围的方向的主要分量的贯穿缝隙的样式。

18.根据权利要求1所述的真空处理室，其特征在于，所述真空处理室是真空等离子处理室。

19.一种制造真空处理的板形基底的方法，包括：

·提供与真空处理室的内表面的部分分开且沿所述真空处理室的内表面的部分的隔板；

·提供静止的基底支承件，其适于沿平面支承板形基底，且暴露于所述隔板的内部空间；

·打开所述隔板中的基底进给切口；

·经由打开的所述基底进给切口在板形基底的二维延伸的表面中的一者平行于所述平面的情况下将所述板形基底引入所述隔板中；

·将所述板形基底放置在所述基底支承件上；

·如果还未关闭，则关闭所述隔板中的所述隔板进给切口和所述隔板中的基底移除切口；

·在所述基底支承件上且在所述隔板中真空处理所述板形基底，从而RF偏压所述板形基底；

·至少在所述真空处理期间至少建立不同且相互平行的第一电流路径和第二电流路径，所述第一电流路径从所述隔板经由所述真空处理室的壁至***接地连接器，而所述第二电流路径从所述隔板经由不同护罩至***接地连接器；

·打开所述基底移除切口；

·从所述基底支承件且从所述隔板，且从所述真空处理室，穿过所述基底移除切口移除处理过的所述板形基底。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述真空处理包括蚀刻。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述真空处理利用感应耦合等离子。

22.根据权利要求19至权利要求21中的任一项所述的方法，其特征在于，所述基底进给切口是所述基底移除切口。

23.根据权利要求19至权利要求21中的任一项所述的方法，其特征在于，所述方法借助于根据权利要求1至权利要求18中的任一项所述的真空处理室执行。

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