CN109273577A - 一种led光的封装基板及制作方法 - Google Patents

一种led光的封装基板及制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109273577A
CN109273577A CN201811141690.7A CN201811141690A CN109273577A CN 109273577 A CN109273577 A CN 109273577A CN 201811141690 A CN201811141690 A CN 201811141690A CN 109273577 A CN109273577 A CN 109273577A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metallic reflector
base bottom
aluminium base
led chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811141690.7A
Other languages
English (en)
Inventor
游虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Dingyexin Electronic Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Dingyexin Electronic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Dingyexin Electronic Co Ltd filed Critical Shenzhen Dingyexin Electronic Co Ltd
Priority to CN201811141690.7A priority Critical patent/CN109273577A/zh
Publication of CN109273577A publication Critical patent/CN109273577A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种LED光的封装基板,包括:铝基底层、高导热绝缘层、导电线路层以及金属反射层;高导热绝缘层设置于铝基底层的上方,高导热绝缘层与铝基底层呈中空结构;导电线路层设置于封装基板的中央;金属反射层设置于导电线路层与高导热绝缘层和铝基板层之间,金属反射层的一侧与所电线路层的一侧互相连接,金属反射层的另一侧与高导热绝缘层和铝基底层的一侧互相连接;其中,导电线路层包括至少一焊盘,焊盘用于连接LED芯片,金属反射层的角度根据LED芯片的排列方式调整。本发明通过金属反射层将LED芯片的光线反射出封装基板,有效提高光反射率,铝基底层及高导热绝缘层用于提高散热性。

Description

一种LED光的封装基板及制作方法
技术领域
本发明涉及封装基板技术领域,尤其是涉及一种LED光的封装基板及制作方法。
背景技术
在全球禁止白炽灯生产销售以及政府节能减排的推动下,LED灯丝灯被研发制造而推出市场,LED灯丝灯是360度全角度发光立体光源,具有高显色性,高光效,耗能少、适用性强、稳定性高、对环境无污染,多色发光等优点,且非常符合人们对光源外观的习惯,被认为是替代传统白炽灯最好的产品。
一般来说,LED灯丝光源使用玻璃基板封装,原材料贵,玻璃基板易碎导致制程良率低,组装时人工花费太大,组装后整灯良率不高,这些都是使得LED灯丝灯的成本居高不下,不易推广的原因。且使用玻璃基板封装的LED灯丝灯最大的缺陷是散热问题,受限于LED灯丝本身形状问题,导致散热比较困难,这不仅加速LED灯丝的光衰,而且减少了LED灯丝的寿命。另外,因为LED灯丝有散热问题,很多厂商都将LED灯丝的功率降低,以便减少LED灯丝点亮时产生的热量,但也造成相对亮度被降低,整灯组装无法将整体瓦数提高。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的上述问题,提供了一种LED光的封装基板及制作方法用于解决现有技术的不足。
具体地,本发明实施例提供了一种LED光的封装基板,包括:铝基底层、高导热绝缘层、导电线路层以及金属反射层;
所述高导热绝缘层设置于所述铝基底层的上方,所述高导热绝缘层与所述铝基底层呈中空结构;
所述导电线路层设置于所述封装基板的中央;
所述金属反射层设置于所述导电线路层与高导热绝缘层和铝基板层之间,所述金属反射层的一侧与所述导电线路层的一侧互相连接,所述金属反射层的另一侧与所述高导热绝缘层和所述铝基底层的一侧互相连接;
其中,所述导电线路层包括至少一焊盘,所述焊盘用于连接LED芯片,所述金属反射层的角度根据所述LED芯片的排列方式调整。
作为上述技术方案的进一步改进,所述金属反射层的材质为铝。
作为上述技术方案的进一步改进,所述金属反射层为弧形,所述金属反射层的弧形角度根据所述LED芯片的排列方式调整。
作为上述技术方案的进一步改进,所述封装基板还包括散热片,所述散热片设置于所述铝基底层的下方,所述散热片连接所述导电线路层,所述散热片用于排放所述LED芯片产生的热能。
作为上述技术方案的进一步改进,所述散热片通过导热条连接所述导电线路层,所述导热条用于传送所述LED芯片产生的热能至所述散热片。
本发明实施例还提供了一种LED光的基板制作方法,所述基板制作方法应用于制作封装基板,所述封装基板包括铝基底层、高导热绝缘层、导电线路层以及金属反射层,所述基板制作方法包括:
设置所述高导热绝缘层于所述铝基底层的上方,所述高导热绝缘层与所述铝基底层呈中空结构;
设置所述导电线路层于所述封装基板的中央;
设置所述金属反射层于所述导电线路层与高导热绝缘层和铝基板层之间,所述金属反射层的一侧与所述导电线路层的一侧互相连接,所述金属反射层的另一侧与所述高导热绝缘层和所述铝基底层的一侧互相连接;
其中,所述导电线路层包括至少一焊盘,所述焊盘用于连接LED芯片,所述金属反射层的角度根据所述LED芯片的排列方式调整。
作为上述技术方案的进一步改进,所述金属反射层的材质为铝。
作为上述技术方案的进一步改进,所述金属反射层为弧形,所述金属反射层的弧形角度根据所述LED芯片的排列方式调整。
作为上述技术方案的进一步改进,设置所述散热片于所述铝基底层的下方,所述散热片连接所述导电线路层,所述散热片用于排放所述LED芯片产生的热能。
作为上述技术方案的进一步改进,设置所述散热片通过导热条连接所述导电线路层,所述导热条用于传送所述LED芯片产生的热能至所述散热片。
本发明提供一种LED光的封装基板,通过金属反射层将LED芯片的光线反射出封装基板,有效提高光反射率,铝基底层及高导热绝缘层用于提高散热性。金属反射层的弧形角度根据LED芯片的排列方式调整,有效增加出光率。导热条将LED芯片产生的热能传到散热片并发送,增加导热散热性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明的实施例1提供的LED光的封装基板的侧面示意图。
图2为本发明的实施例2提供的LED光的封装基板的侧面示意图。
图3为本发明的实施例3提供的铝基底层的层状结构示意图。
图4为本发明的实施例4提供的基板制作方法的方法流程图。
主要元件符号说明:
100、200-封装基板;
110-铝基底层;
120-高导热绝缘层;
130-导热线路层;
131-焊盘;
132-LED芯片;
140-金属反射层;
250-散热片;
251-导热条;
101-第一电路层;
102-第一绝缘层;
103-金属导热层;
104-第二绝缘层;
105-第二电路层;
106-第三绝缘层。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例1
如图1所示,图1为本发明的实施例1提供的LED光的封装基板(以下简称“封装基板”)的侧面示意图。
在图1中,封装基板100包括铝基底层110、高导热绝缘层120、导电线路层130以及金属反射层140。高导热绝缘层120设置于铝基底层110的上方。高导热绝缘层120与铝基底层110呈中空结构。例如,可以通过蚀刻的方式将高导热绝缘层120与铝基底层110设置为中空结构,此中空结构可用于布置电子元件(如电阻、电容、电感、二极管、三极管、LED芯片等等)。导电线路层130设置于封装基板100的中央。例如,在高热及高压的环境下,导电线路层130通过特殊涂料黏贴于封装基板100的中央。例如,导电线路层130可以为两层电路板、四层电路板或八层电路板,依照电路的复杂程度而增加电路板的层数,将电子元件设置于导电线路层130。另外,导电线路层130可以通过螺丝结构或卡扣结构紧密连接封装基板100的中央。
金属反射层140设置于导电线路层130与高导热绝缘层120和铝基板层110之间。换言之,金属反射层140设置于导电线路层130和高导热绝缘层120之间,并且金属反射层140设置于导电线路层130和铝基板层110之间。金属反射层140的一侧与导电线路层130的一侧互相连接,即金属反射层140的上侧与导电线路层130的下侧互相连接。金属反射层140的另一侧与高导热绝缘层120和铝基底层110的一侧互相连接,即金属反射层140的下侧与高导热绝缘层120的内侧互相连接,并且金属反射层140的下侧与120和铝基底层110的内侧互相连接。
导电线路层130包括至少一焊盘131,焊盘131用于连接LED芯片132,金属反射层140的角度根据LED芯片132的排列方式调整。例如,封装基板100可以包括成对的焊盘131,各焊盘131连接一个或多个LED芯片132,例如,在封装基板100制造前,可以依据预设的焊盘131的LED芯片132的排列方式来调整金属反射层140的角度,以增加LED芯片132的出光率。
优选的,金属反射层140的材质为铝。
优选的,金属反射层140为弧形,金属反射层140的弧形角度根据LED芯片132的排列方式调整。例如,金属反射层140也可以为向上开口的多角形,其中,多角形的各边长可以根据LED芯片132的排列方式而相对调整,以增加亮度。
实施例2
如图2所示,图2为本发明的实施例2提供的LED光的封装基板(以下简称“封装基板”)的侧面示意图。
在图2中,封装基板200包括铝基底层110、高导热绝缘层120、导电线路层130、金属反射层140、散热片250以及导热条251。
散热片250设置于铝基底层110的下方。散热片250连接导电线路层130,散热片250用于排放LED芯片132产生的热能。例如,LED芯片132接收电能并发出光线时,其发出的热能会向各方向散射,其中,部分的热能可以通过散热片250来排除封装基板200。散热片250通过导热条250连接导电线路层130,导热条250用于传送LED芯片132产生的热能至散热片250。例如,导热条250的材质可以为铝或铜。
实施例3
如图3所示,图为本发明的实施例3提供的铝基底层的层状结构示意图。
铝基底层110包括依次设置的第一铜箔层101、第一绝缘层102、金属导热层103、第二绝缘层104、第二铜箔层105以及第三绝缘层106。
第一绝缘层102用于隔绝第一铜箔层101与金属导热层103,第二绝缘层104用于隔绝第二铜箔层105与金属导热层103,第三绝缘层106用于对第二铜箔层105进行隔离。金属导热层103优选为铝板,其厚度大于第一铜箔层101及第二铜箔层105。铝板具有材质比较轻的特点,制作出来的电源基板的重量更轻,同时金属铝的导热系数相比铁等金属要高。在兼顾散热性、便携性以及成本的情况下,金属导热层103优选铝。
实施例4
如图4所示,图4为本发明的实施例4提供的基板制作方法的方法流程图。基板制作方法应用于制作封装基板。封装基板包括铝基底层、高导热绝缘层、导电线路层以及金属反射层。基板制作方法包括:
S401、设置高导热绝缘层于铝基底层的上方,高导热绝缘层与铝基底层呈中空结构;
S403、设置导电线路层于封装基板的中央;
S405、设置金属反射层于电线路层与高导热绝缘层和铝基板层之间,金属反射层的一侧与导电线路层的一侧互相连接,金属反射层的另一侧与高导热绝缘层和铝基底层的一侧互相连接;
其中,导电线路层包括至少一焊盘,焊盘用于连接LED芯片,金属反射层的角度根据LED芯片的排列方式调整。
优选的,金属反射层的材质为铝。
优选的,金属反射层为弧形,金属反射层的弧形角度根据LED芯片的排列方式调整。
优选的,设置散热片于铝基底层的下方,散热片连接导电线路层,散热片用于排放LED芯片产生的热能。
优选的,设置散热片通过导热条连接导电线路层,导热条用于传送LED芯片产生的热能至散热片。
本发明提供一种LED光的封装基板,包括铝基底层、高导热绝缘层、导电线路层以及金属反射层;高导热绝缘层设置于铝基底层的上方,高导热绝缘层与铝基底层呈中空结构;导电线路层设置于封装基板的中央;金属反射层设置于导电线路层与高导热绝缘层和铝基板层之间,金属反射层的一侧与电线路层的一侧互相连接,金属反射层的另一侧与高导热绝缘层和铝基底层的一侧互相连接;其中,导电线路层包括至少一焊盘,焊盘用于连接LED芯片,金属反射层的角度根据LED芯片的排列方式调整。本发明通过金属反射层将LED芯片的光线反射出封装基板,有效提高光反射率,铝基底层及高导热绝缘层用于提高散热性。金属反射层的弧形角度根据LED芯片的排列方式调整,有效增加出光率。导热条将LED芯片产生的热能传到散热片并发送,增加导热散热性,并且增加产品寿命。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种LED光的封装基板,其特征在于,包括:铝基底层、高导热绝缘层、导电线路层以及金属反射层;
所述高导热绝缘层设置于所述铝基底层的上方,所述高导热绝缘层与所述铝基底层呈中空结构;
所述导电线路层设置于所述封装基板的中央;
所述金属反射层设置于所述导电线路层与高导热绝缘层和铝基板层之间,所述金属反射层的一侧与所述导电线路层的一侧互相连接,所述金属反射层的另一侧与所述高导热绝缘层和所述铝基底层的一侧互相连接;
其中,所述导电线路层包括至少一焊盘,所述焊盘用于连接LED芯片,所述金属反射层的角度根据所述LED芯片的排列方式调整。
2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述金属反射层的材质为铝。
3.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述金属反射层为弧形,所述金属反射层的弧形角度根据所述LED芯片的排列方式调整。
4.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板还包括散热片,所述散热片设置于所述铝基底层的下方,所述散热片连接所述导电线路层,所述散热片用于排放所述LED芯片产生的热能。
5.根据权利要求4所述的封装基板,其特征在于,所述散热片通过导热条连接所述导电线路层,所述导热条用于传送所述LED芯片产生的热能至所述散热片。
6.一种LED光的基板制作方法,其特征在于,所述基板制作方法应用于制作封装基板,所述封装基板包括铝基底层、高导热绝缘层、导电线路层以及金属反射层,所述基板制作方法包括:
设置所述高导热绝缘层于所述铝基底层的上方,所述高导热绝缘层与所述铝基底层呈中空结构;
设置所述导电线路层于所述封装基板的中央;
设置所述金属反射层于所述导电线路层与高导热绝缘层和铝基板层之间,所述金属反射层的一侧与所述导电线路层的一侧互相连接,所述金属反射层的另一侧与所述高导热绝缘层和所述铝基底层的一侧互相连接;
其中,所述导电线路层包括至少一焊盘,所述焊盘用于连接LED芯片,所述金属反射层的角度根据所述LED芯片的排列方式调整。
7.根据权利要求1所述的基板制作方法,其特征在于,所述金属反射层的材质为铝。
8.根据权利要求1所述的基板制作方法,其特征在于,所述金属反射层为弧形,所述金属反射层的弧形角度根据所述LED芯片的排列方式调整。
9.根据权利要求1所述的基板制作方法,其特征在于,设置所述散热片于所述铝基底层的下方,所述散热片连接所述导电线路层,所述散热片用于排放所述LED芯片产生的热能。
10.根据权利要求9所述的基板制作方法,其特征在于,设置所述散热片通过导热条连接所述导电线路层,所述导热条用于传送所述LED芯片产生的热能至所述散热片。
CN201811141690.7A 2018-09-28 2018-09-28 一种led光的封装基板及制作方法 Pending CN109273577A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811141690.7A CN109273577A (zh) 2018-09-28 2018-09-28 一种led光的封装基板及制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811141690.7A CN109273577A (zh) 2018-09-28 2018-09-28 一种led光的封装基板及制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109273577A true CN109273577A (zh) 2019-01-25

Family

ID=65198778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811141690.7A Pending CN109273577A (zh) 2018-09-28 2018-09-28 一种led光的封装基板及制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109273577A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2717026Y (zh) * 2004-06-11 2005-08-10 佛山市国星光电科技有限公司 多芯片封装结构发光二极管
CN101079458A (zh) * 2006-05-23 2007-11-28 台达电子工业股份有限公司 发光装置
CN202268386U (zh) * 2011-09-27 2012-06-06 深圳市极佳光电科技有限公司 一种led封装结构
CN103155184A (zh) * 2010-09-30 2013-06-12 首尔Opto仪器股份有限公司 晶片级发光二极管封装件及其制造方法
CN205194742U (zh) * 2015-11-11 2016-04-27 共青城超群科技股份有限公司 高光效铜柱型led基板
CN107680960A (zh) * 2017-09-26 2018-02-09 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2717026Y (zh) * 2004-06-11 2005-08-10 佛山市国星光电科技有限公司 多芯片封装结构发光二极管
CN101079458A (zh) * 2006-05-23 2007-11-28 台达电子工业股份有限公司 发光装置
CN103155184A (zh) * 2010-09-30 2013-06-12 首尔Opto仪器股份有限公司 晶片级发光二极管封装件及其制造方法
CN202268386U (zh) * 2011-09-27 2012-06-06 深圳市极佳光电科技有限公司 一种led封装结构
CN205194742U (zh) * 2015-11-11 2016-04-27 共青城超群科技股份有限公司 高光效铜柱型led基板
CN107680960A (zh) * 2017-09-26 2018-02-09 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6050782B2 (ja) 低電力白熱ランプのledランプ交換
CN103797301B (zh) Led灯
CN103748405A (zh) 发光模块以及使用该发光模块的照明用光源和照明装置
CN104421682B (zh) Led光源模块和包含该模块的led球泡灯
CN103759145A (zh) 一种荧光灯罩的led灯
US20100301359A1 (en) Light Emitting Diode Package Structure
CN104180202A (zh) Led灯芯和包含其的led球泡灯
CN105805579A (zh) 大角度发光led灯丝灯
CN102434803A (zh) 一种新型普通照明led灯
CN102593317B (zh) 一种高功率高亮度led光源封装结构及其封装方法
US9752764B2 (en) Wide-angle emitting LED driven by built-in power and assembly method thereof
CN109273577A (zh) 一种led光的封装基板及制作方法
CN102192411B (zh) 强化散热的led灯
CN206864500U (zh) 一种基于导热板及热沉的散热led封装光源结构
CN205896749U (zh) 一种全角度发光的led球泡灯
WO2020244490A1 (zh) 一种光源线路板及低发热led灯泡
CN209675331U (zh) 一种用于探照灯的led灯珠
CN207893481U (zh) Led灯条及其照明产品
CN101566328A (zh) 发光二极管照明模块及照明装置
CN208240726U (zh) 一种具有透明胶层的led发光光源
CN208170019U (zh) 一种led散热结构和一种led灯具
JP5743641B2 (ja) Ledパッケージ
CN209196807U (zh) 照明器具
CN207800639U (zh) 一种自散热片式高一致性led封装光源
CN217740530U (zh) 一种led散热基板结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190125

RJ01 Rejection of invention patent application after publication