CN109273410A - 一种显示面板的加工方法以及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的加工方法以及显示面板。显示面板的加工方法，包括准备清洗干净的基板，并在基板上溅射并形成第一金属层，将第一金属层加工形成栅极金属层，在栅极金属层的侧部滴涂并形成附着于基板上的遮光层。本发明滴涂形成的遮光层，能够有效降低第一金属层的寄生电容，避免过高的寄生电容所引起的像素电压的误写入。同时还可以减小阈值电压在偏置电压作用下的漂移，降低图像残留的发生几率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的加工方法以及显示面板。
背景技术
目前，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)薄膜液晶显示器主要采用每一个像素由一个TFT(Thin Film Transistor)开关控制，TFT开关的栅极连在一起组成栅线，源极层连在一起组成信号线。当在TFT的栅极层G(Gate)上施加电压时，可使TFT进入导通状态，同时显示数据通过信号线、导通的TFT到达TFT的漏极层D(Drain)上，在像素上形成电场并对液晶充电实现显示效果。
理想TFT-LCD显示器的TFT的开态电流越大越好，关态电流越小越好。为了防止背光照射引起漏电流增大，目前TFT-LCD都采用底栅结构以防止背光直接照射到沟道引起漏电流增大。但是底栅遮光结构的栅极与源漏极层电容较大，过大的寄生电容不仅会导致像素电压的误写入，而且还会加重阈值电压Vth(Threshold voltage)的漂移，严重的Vth漂移又会导致残影的出现。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板的加工方法，旨在解决如何降低栅极层两侧的寄生电容的问题。
本发明是这样实现的，一种显示面板的加工方法，包括下列步骤：
准备清洗干净的基板；
制作第一金属层，在所述基板上溅射并形成第一金属层，将所述第一金属层加工形成所述第一金属层；
制作遮光层，在所述第一金属层的侧部滴涂并形成附着于所述基板上的所述遮光层；
制作绝缘层，在所述第一金属层、所述遮光层和所述基板上形成所述绝缘层，所述第一金属层和所述遮光层均位于所述绝缘层和所述基板之间；
制作半导体层，在所述绝缘层上加工形成所述半导体层；
制作第二金属层，在所述半导体层上形成所述第二金属层，所述半导体层位于所述绝缘层与所述第二金属层之间；
制作沟道，对所述第二金属层和所述半导体层进行加工，以形成沟道，所述沟道将所述第二金属层分隔成源极层和漏极层且延伸至所述半导体层；
制作保护层，在所述源极层、所述漏极层以及所述沟道的内壁上形成所述保护层；
开设接触孔并制作导电层，在所述保护层表面加工形成所述接触孔，所述接触孔连通所述源极层，在所述源极层上形成导电层且所述导电层通过所述接触孔连接所述源极层。
进一步地，采用Inkjet技术在所述第一金属层的侧部滴涂形成所述遮光层。
进一步地，所述遮光层包括滴涂且形成于所述第一金属层一侧的第一遮光层以及滴涂且形成于所述第一金属层另一侧的第二遮光层。
进一步地，所述第一遮光层的厚度小于所述第一金属层的厚度，所述第二遮光层的厚度小于所述第一金属层的厚度。
进一步地，所述第一金属层和所述第二金属层的材料为铝和钼中的一种或多种。
进一步地，所述绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅中的一种或多种。
进一步地，采用化学气相沉积成膜技术形成所述保护层，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅中的一种或多种。
进一步地，所述半导体层包括：形成于所述绝缘层上的有源层以及形成于所述有源层上且被所述沟道隔断的欧姆接触层，所述有源层位于所述绝缘层与所述欧姆接触层之间。
进一步地，所述有源层的材料为非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体。
进一步地，还提供了一种显示面板。
本发明相对于现有技术的技术效果是：本发明在第一金属层两侧涂布遮光层。遮光层不仅能够有效遮光，而且由于其具有绝缘属性，因而能够降低第一金属层的寄生电容，避免过高的寄生电容所引起的像素电压的误写入。同时可以减小Vth在偏置电压作用下的漂移，降低Image sticking出现的几率。
附图说明
图1是本发明实施例所提供的显示面板的加工方法的流程图；
图2A是图1中的步骤S1至步骤S3的工艺图；
图2B是图1中的步骤S4至步骤S5的工艺图；
图2C是图1中的步骤S6的工艺图；
图2D是图1中的步骤S7的工艺图；
图2E是图1中的步骤S8的工艺图；
图2F是图1中的步骤S9的工艺图。
附图中标号与名称对应的关系如下所示：
10、基板；20、第一金属层；30、遮光层；31、第一遮光层；32、第二遮光层；40、绝缘层；50、半导体层；60、第二金属层；61、漏极层；62、源极层；65、沟道；66、接触孔；70、保护层；80、导电层；51、有源层；52、欧姆接触层；
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
请参阅图1，本发明实施例所提供的一种显示面板的制作方法以及使用显示面板的制作方法所生产的显示面板(图未画)。
请参阅图1、图2A-图2F，显示面板的加工方法，包括下列步骤：
S1：准备清洗干净的基板10，基板10一般为玻璃基板10，玻璃基板10的厚度范围一般为0.58～0.52毫米。
S2：制作第一金属层20，在基板10上溅射并形成第一金属层，并将第一金属层加工形成所述栅极金属层；具体地，采用曝光、显影等工序将第一金属层20加工形成栅极金属层。
S3：制作遮光层30，在第一金属层20的侧部滴涂并形成附着于基板10上的遮光层30；可以理解的是，遮光层30也即黑矩阵，黑矩阵的材料为含铬的金属组合物或者树脂组合物，在其它实施例中，遮光层为绝缘遮光层。
S4：制作绝缘层40，在第一金属层20、遮光层30和基板10上形成绝缘层40，可选地，绝缘层40位于栅极金属层上，从而形成栅极绝缘层。第一金属层20和遮光层30均位于绝缘层40和基板10之间；绝缘层40完全覆盖遮光层30和第一金属层20且绝缘层40的两侧均至少有部分与玻璃基板10接触。
S5：制作半导体层50，在绝缘层40上溅镀形成半导体层50；
S6：制作第二金属层60，在半导体层50上溅射形成第二金属层60，半导体层50位于绝缘层40与第二金属层60之间；
S7：制作沟道65，对第二金属层60和半导体层50进行加工处理，以形成沟道65，沟道65将第二金属层60分隔成源极层62和漏极层61且延伸至半导体层50；加工处理过程包括曝光、显影以及两步湿式氧化(two wet Oxidation)工艺和两步干式氧化(two dryOxidation)工艺。利用涂布于第一金属层20两侧的遮光层30，可以降低光进入沟道65的几率，从而减小漏电流。
遮光层30能有效阻挡光线通过，从而避免了漏电流的增加。遮光层30还可以替代部分第一金属层20的遮光作用，防止源极层62和漏极层61和栅极金属层之间产生短路，提高了显示面板的合格率。
S8：制作保护层70，在源极层62、漏极层61以及沟道65的内壁上形成保护层70；保护层70即钝化层，钝化层的材料为氧化硅或氮化硅，保护层70具有绝缘保护作用。
S9：开设接触孔66并制作导电层80，在保护层70表面加工形成接触孔66，接触孔66连通源极层62；接触孔66是采用曝光和显影技术所形成。
请参阅图2E至图2F，在源极层62上形成导电层80且导电层80通过接触孔66连接源极层62。导电层80是利用PVD技术在保护层70上溅射形成，并通过接触孔66连接源极层62。导电层80的材料优选为氧化烟锡(ITO)。
本发明在第一金属层20两侧涂布遮光层30。遮光层30不仅能够有效遮光，而且由于其具有绝缘属性，因而能够降低第一金属层20的寄生电容，避免过高的寄生电容所引起的像素电压的误写入。同时可以减小Vth在偏置电压作用下的漂移，降低Image sticking出现的几率。
请参阅图2A，采用Inkjet(喷墨)技术在第一金属层20的侧部滴涂形成遮光层30。具体地，Inkjet技术为喷墨印刷显示生产技术，其不同于传统的蒸镀法，Inkjet技术具备优良的特性，例如：降低因粒子污染造成的面板缺陷、高材料利用率，材料利用率>90％以及无需金属掩膜板，很适合用于生产大尺寸的显示面板，且能大幅降低显示面板的生产成本。
遮光层30包括滴涂且形成于第一金属层20一侧的第一遮光层31以及滴涂且形成于第一金属层20另一侧的第二遮光层32。第一遮光层31的厚度小于第一金属层20的厚度，第二遮光层32的厚度小于第一金属层20的厚度，以使第一金属层20可以与绝缘层40接触，从而使绝缘层稳固覆盖在第一金属层和遮光层上并不易发生相对移动。第一金属层20位于第一遮光层31和第二遮光层32之间。
请参阅图2B至图2D，第一金属层和第二金属层60的材料为铝和钼中的一种或多种。铝重量轻以及耐腐蚀，以其轻、良好的导电和导热性能、高反射性以及耐氧化而被广泛应用，而且资源丰富，从而成本低。钼或钼合金能实现良好的附着性，能与玻璃基板10在热膨胀方面保持良好的一致性，选材方便，制作技术成熟。第一金属层和第二金属层60的材料为铝时，其厚度范围均为3240～3960埃米。第一金属层和第二金属层60的材料为钼时，其厚度范围均为450～550埃米。
绝缘层40的材料包括氧化硅、氮化硅中的一种或多种。
半导体层50包括：形成于绝缘层40上的有源层51以及形成于有源层51上且被沟道65隔断的欧姆接触层52。具体地，有源层51是I-a-Si薄膜层，欧姆接触层52是N+a-Si薄膜层。欧姆接触层52被沟道65分割成两部分，其中，一部分位于有源层51与漏极层61之间，另一部分位于源极层62与有源层51之间。有源层51的材料为非晶硅或多晶硅。
采用化学气相沉积成膜技术形成保护层70，保护层70的材料包括氧化硅、氮化硅中的一种或多种。化学气相沉积成膜技术即化学气相淀积，使用该技术可以在所加工的表面进行涂层，以形成薄膜层。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板的加工方法，其特征在于，包括下列步骤：
准备清洗干净的基板；
制作第一金属层，在所述基板上溅射并形成第一金属层；
制作遮光层，在所述第一金属层的侧部滴涂并形成附着于所述基板上的所述遮光层；
制作绝缘层，在所述第一金属层、所述遮光层和所述基板上形成所述绝缘层，所述第一金属层和所述遮光层均位于所述绝缘层和所述基板之间；
制作半导体层，在所述绝缘层上溅镀形成所述半导体层；
制作第二金属层，在所述半导体层上形成所述第二金属层，所述半导体层位于所述绝缘层与所述第二金属层之间；
制作沟道，对所述第二金属层和所述半导体层进行加工，以形成沟道，所述沟道将所述第二金属层分隔成源极层和漏极层且延伸至所述半导体层；
制作保护层，在所述源极层、所述漏极层以及所述沟道的内壁上形成所述保护层；
开设接触孔并制作导电层，在所述保护层表面加工形成所述接触孔，所述接触孔连通所述源极层，在所述源极层上形成导电层且所述导电层通过所述接触孔连接所述源极层。
2.如权利要求1所述的显示面板的加工方法，其特征在于：采用喷墨技术在所述第一金属层的侧部滴涂形成所述遮光层。
3.如权利要求1所述的显示面板的加工方法，其特征在于：所述遮光层包括滴涂且形成于所述第一金属层一侧的第一遮光层以及滴涂且形成于所述第一金属层另一侧的第二遮光层。
4.如权利要求3所述的显示面板的加工方法，其特征在于：所述第一遮光层的厚度小于所述第一金属层的厚度，所述第二遮光层的厚度小于所述第一金属层的厚度。
5.如权利要求1所述的显示面板的加工方法，其特征在于：将所述第一金属层加工形成所述栅极金属层；所述第一金属层和所述第二金属层的材料为铝和钼中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的显示面板的加工方法，其特征在于：所述绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的显示面板的加工方法，其特征在于：采用化学气相沉积成膜技术形成所述保护层，所述保护层的材料包括氧化硅、氮化硅中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的显示面板的加工方法，其特征在于：所述半导体层包括：形成于所述绝缘层上的有源层以及形成于所述有源层上且被所述沟道隔断的欧姆接触层，所述有源层位于所述绝缘层与所述欧姆接触层之间。
9.如权利要求8所述的显示面板的加工方法，其特征在于：所述有源层的材料为非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体。
10.一种显示面板，其特征在于，包括由如权利要求1-9任意一项所述的显示面板的加工方法制作而成。
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