CN109256409B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109256409B
CN109256409B CN201810756615.5A CN201810756615A CN109256409B CN 109256409 B CN109256409 B CN 109256409B CN 201810756615 A CN201810756615 A CN 201810756615A CN 109256409 B CN109256409 B CN 109256409B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
light emitter
disposed
load matching
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810756615.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109256409A (zh
Inventor
金正训
边敏雨
全炳鞠
权镐均
李根洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN109256409A publication Critical patent/CN109256409A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109256409B publication Critical patent/CN109256409B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0296Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种通过减少由于静电导致的缺陷而具有改善的显示质量的显示装置。所述显示装置包括:基底,包括显示区和围绕显示区的***区,显示区包括主区以及从主区延伸并且在第一方向上朝着***区突出的第一突出区和第二突出区,第二突出区在与第一方向相交的第二方向上与第一突出区分隔开,凹槽部设置在第一突出区与第二突出区之间;显示单元,包括第一光发射器和第二光发射器;第一负载匹配部,电连接到第一光发射器;以及第二负载匹配部,电连接到第二光发射器。

Description

显示装置
本申请要求于2017年7月13日提交的第10-2017-0088914号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此,如同在这里被阐述一样。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示装置。更具体地,示例性实施例涉及一种通过减少由于静电导致的缺陷而具有改善的显示质量的显示装置。
背景技术
在显示装置中,有机发光显示装置由于它们的宽视角、高对比度和快响应时间已经作为下一代显示装置而备受关注。
通常,有机发光显示装置包括形成在基底上的薄膜晶体管(TFT)和有机发光器件,有机发光器件通过它们自身来发光。这样的有机发光显示装置通常应用于诸如移动电话的小产品或诸如电视机的大产品。
这样的有机发光显示装置包括具有有机发光器件的显示单元。显示单元包括有机发光器件并且当有机发光器件通过它自身发光时显示图像。不同的应用需要显示单元根据适合具体应用具有不同的形状,而不只是传统的矩形形状。
包括具有非矩形形状的显示单元的显示装置存在的问题是显示单元的部分由于平坦边缘与非平坦边缘之间的结构差异而易受静电的损害。静电会损坏像素而导致显示器不能显示高质量图像。
在该背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对发明构思的背景的理解,因此,它可包含不形成对于本领域普通技术人员来说在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供了一种通过减少由于静电导致的缺陷而具有改善的显示质量的显示装置。
附加的方面将在随后的详细描述中阐述,并且部分地通过公开将是明显的,或者可通过发明构思的实践来得知。
根据一个或更多个示例性实施例,一种显示装置包括:基底,包括显示区和围绕显示区的***区,显示区包括安置在基底的中心处的主区、从主区延伸并且在第一方向上朝着***区突出的第一突出区、从主区延伸并且在第一方向上朝着***区突出的第二突出区以及设置在第一突出区与第二突出区之间的凹槽部,第二突出区在与第一方向相交的第二方向上与第一突出区分隔开;显示单元,包括设置在第一突出区上的第一光发射器和设置在第二突出区上的第二光发射器;第一负载匹配部,设置在***区的与第一光发射器相邻的部分上并且电连接到第一光发射器;以及第二负载匹配部,设置在***区的与第二光发射器相邻的部分上并且电连接到第二光发射器。
根据一个或更多个示例性实施例,一种显示装置包括:基底,包括显示区和围绕显示区的***区,显示区包括安置在基底的中心处的主区、从主区延伸并且在第一方向上朝着***区突出的第一突出区、从主区延伸并且在第一方向上朝着***区突出的第二突出区以及设置在第一突出区与第二突出区之间的凹槽部;显示单元,包括设置在第一突出区的第一部分上的第一光发射器、设置在第二突出区的第一部分上的第二光发射器、设置在第一突出区的第二部分上的第三光发射器以及设置在第二突出区的第二部分上的第四光发射器;第一负载匹配部,设置在***区的与第一光发射器相邻的部分上并且电连接到第一光发射器;第二负载匹配部,设置在***区的与第二光发射器相邻的部分上并且电连接到第二光发射器;以及第三负载匹配部,设置在***区的位于第三光发射器与第四光发射器之间的部分上并且电连接到第三光发射器和第四光发射器。
前述概括性描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的并且意图提供对要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出发明构思的示例性实施例并且与描述一起用于解释发明构思的原理,附图被包括以提供对发明构思的进一步理解并包含在该说明书中且构成该说明书的一部分。
图1是根据实施例的显示装置的平面图。
图2是示出图1的显示装置的部分A的放大平面图。
图3是示出图1的显示装置的一部分的平面图。
图4是沿图3的显示装置的线A1-A1截取的剖视图。
图5是示出图1的显示装置的一部分的剖视图。
图6是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图7是沿图6的显示装置的线A2-A2截取的剖视图。
图8是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图9是沿图8的显示装置的线A3-A3截取的剖视图。
图10是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图11是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图。
具体实施方式
在下面的描述中,出于解释的目的,阐述许多具体细节以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而,明显的是,可在无需这些具体细节或者在一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它情况下,为了避免不必要地使各种示例性实施例不清楚,以框图的形式示出了公知的结构和装置。
在附图中,可为了清楚起见和描述的目的而夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外,同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可存在中间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或层。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(种、者)”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个(种、者)”可解释为仅X、仅Y、仅Z,或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合,诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何和所有的组合。
尽管这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分,但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可称为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
为了描述的目的,这里可使用诸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……上面”和“上”等的空间相对术语并由此来描述如附图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。除了在附图中描绘的方位之外,空间相对术语意图包括装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上面”。因此,示例性术语“在……下面”可包括上面和下面两种方位。此外,装置可被另外定位(例如,旋转90度或在其它方位),并如此相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的,而不意图是限制性的。除非上下文另外清楚地表示,否则如这里所使用的,单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。此外,当在该说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。如此,由于例如制造技术和/或公差而造成的示图的形状的变化是被预期的。因此,在这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状,而是包括例如由制造造成的在形状方面的偏差。例如,示出为矩形的注入区将典型地具有圆形或弯曲的特征和/或在其边缘处的注入浓度的梯度,而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地,由注入形成的埋区可导致在埋区与注入通过其发生的表面之间的区域中的一些注入。因此,在附图中示出的区域实际上是示意性的,它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状并且不意图是限制性的。
除非另有定义,否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确这样定义,否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的背景中的它们的意思一致的意思,并且将不以理想或过度正式的意义来解释。
图1是根据实施例的显示装置的平面图。图2是示出图1的显示装置的部分A的放大平面图。
参照图1,根据本实施例的显示装置包括基底100,基底100包括显示区DA和安置在显示区DA外部的***区PA。***区PA可围绕显示区DA,并且可以是如下所述的未安置有显示单元200的非发射区。
显示区DA可包括安置在基底100的中心处的主区DA3以及从主区DA3延伸的第一突出区DA1和第二突出区DA2。在示例性实施例中,主区DA3可具有但不限于四边形形状。第一突出区DA1和第二突出区DA2可在第一方向(例如,+y方向)上从显示区DA朝着***区PA突出。即,第一突出区DA1和第二突出区DA2可在相同的方向上突出,并且可以是当主区DA3的一侧的部分延伸时获得的区域。如图2中所示,第一突出区DA1和第二突出区DA2可在与第一方向(例如,+y方向)相交的第二方向(例如,+x方向)上彼此分隔开。
凹槽部100a可形成在基底100的一部分中。凹槽部100a可安置在显示区DA的第一突出区DA1与第二突出区DA2之间。虽然未示出,但根据本实施例的显示装置还可包括安置在凹槽部100a中的相机模块和/或扬声器模块。
参照图2,根据实施例的显示装置可包括安置在显示区DA上的显示单元200以及安置在基底100的***区PA上的第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2。
显示单元200可安置在显示区DA上,并且可包括安置在显示区DA的第一突出区DA1上的第一光发射器210、安置在显示区DA的第二突出区DA2上的第二光发射器220以及安置在显示区DA的主区DA3上的第三光发射器230。在这种情况下,为了便于解释,第一光发射器210、第二光发射器220和第三光发射器230根据位置而被概念上区分,并且可以是实际上集成的而不是单独的光发射器。在本实施例中,第一光发射器210和第二光发射器220可安置在具有四边形形状并且安置在主区DA3上的第三光发射器230的一侧处。
第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2可安置在基底100的***区PA上。第一负载匹配部LM1可安置在***区PA的与第一光发射器210相邻的部分上,第二负载匹配部LM2可安置在***区PA的与第二光发射器220相邻的部分上。即,第一负载匹配部LM1可安置在***区PA的与第一光发射器210相邻的部分上,并且可通过第一布线C1电连接到第一光发射器210。另外,第二负载匹配部LM2可安置在***区PA的与第二光发射器220相邻的部分上,并且可通过第二布线C2电连接到第二光发射器220。
在包括具有简单的矩形形状的显示单元200的传统的显示装置中,每条线的像素的数量可以是相同的并且施加到每条线的负载是相同的。然而,在根据示例性实施例的显示装置中,与在传统的显示装置中一样,安置在主区DA3上的第三光发射器230可具有矩形形状,并因此施加到每条线的负载是相同的,反之,光发射器未安置在第一突出区DA1与第二突出区DA2之间,因此,施加到第一光发射器210和第二光发射器220的负载可以不是相同的。
因此,在根据示例性实施例的显示装置中,第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2可安置在***区PA的与第一光发射器210和第二光发射器220相邻的部分上,以电连接到第一光发射器210和第二光发射器220,并且可与施加到线的负载匹配。
在示例性实施例中,第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2可彼此电连接。第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2可通过导电膜D彼此电连接。例如,在示例性实施例中,用于连接第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2的导电膜D可包括但不限于与如下所述的第三导电层515的材料相同的材料。如此,由于第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2可电连接,因此当引入静电时可增大等电势区,由此防止由于静电导致的对显示区DA的损坏。
图3是示出图1的显示装置的一部分的平面图。图4是沿图3的显示装置的线A1-A1截取的剖视图。图3和图4是示出图2的第一负载匹配部LM1的结构的放大图。图2的第二负载匹配部LM2的结构与第一负载匹配部LM1的结构相同,因此将不给出重复的解释。
参照图3和图4,第一负载匹配部500可包括第一导电层511、安置在第一导电层511上的第二导电层513以及安置在第二导电层513上的第三导电层515。在本实施例中,第三导电层515可通过在第一方向(例如,+y方向)或与第一方向(例如,+y方向)相交的第二方向(例如,+x方向)上被图案化而延伸。参照图3,第一导电层511可在第一方向(例如,+y方向)上延伸,第二导电层513可在与第一方向(例如,+y方向)相交的第二方向(例如,+x方向)上延伸。即,第一导电层511和第二导电层513可以以格子形式布置成彼此垂直。
第三导电层515可安置在第二导电层513上。如图3中所示,与第一导电层511一样,第三导电层515可在第一方向(例如,+y方向)上延伸以与第一导电层511叠置。在本实施例中,与第一导电层511一样,第三导电层515可在一个方向上被图案化。虽然在图3中第三导电层515与第一导电层511一样在第一方向(例如,+y方向)上被图案化,但是本公开不限于此,在其它实施例中,与第二导电层513一样,第三导电层515可在第二方向(例如,+x方向)上被图案化。
参照图2,如上所述,第一负载匹配部LM1可安置在***区PA的与第一光发射器210相邻的部分上,并且可通过第一布线C1电连接到第一光发射器210,第二负载匹配部LM2可安置在***区PA的与第二光发射器220相邻的部分上,并且可通过第二布线C2电连接到第二光发射器220。在示例性实施例中,第一布线C1和第二布线C2可包括但不限于与第二导电层513的材料相同的材料。
另外,如上所述,第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2可通过导电膜D彼此电连接。在实施例中,导电膜D可包括但不限于与第三导电层515的材料相同的材料。
参照图4,第一导电层511可安置在基底100上,第二导电层513可安置在第一导电层511上。虽然在图4中第一导电层511可直接安置在基底100上,但是绝缘层或缓冲层还可安置在基底100与第一导电层511之间。第一绝缘膜120可安置在第一导电层511与第二导电层513之间。第一绝缘膜120可以是如下所述的栅极绝缘膜。第三导电层515可安置在第二导电层513上。第二绝缘膜130可安置在第二导电层513与第三导电层515之间。第二绝缘膜130可以是如下所述的层间绝缘膜。虽然未示出,但是第一导电层511和第三导电层515可通过接触孔彼此电连接。
当第三导电层515未通过图案化而被划分时,即,当第三导电层515形成为共电极时,电荷量可随着第三导电层515的面积增大而成比例地增多。在这种情况下,当静电被引入第三导电层515中,然后被引入显示单元200的电连接到第三导电层515的第一光发射器210中时,静电会导致对第一光发射器210的像素的损坏以及显示区DA的缺陷。
然而,在根据实施例的显示装置中,由于通过使用第三导电层515的图案化结构来减小第三导电层515的电荷面积,因此,可减少电荷量并且可实现能够减少静电的结构。
图5是示出图1的显示装置的一部分的剖视图。
参照图5,根据示例性实施例的显示装置的基底100包括显示区DA和安置在显示区DA外部的***区PA。基底100可包括各种柔性或可弯曲材料中的任何一种,例如,诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。
如图5中所示,显示器件300和电连接到显示器件300的薄膜晶体管(TFT)可安置在基底100的显示区DA上。在图5中,有机发光器件作为显示器件300被安置在显示区DA上。当有机发光器件电连接到TFT时,它可意味着像素电极310电连接到TFT。如果必要的话,TFT(未示出)也可安置在基底100的显示区DA外部的***区PA上。安置在***区PA上的TFT可以是例如电路单元的用于控制施加到显示区DA的电信号的一部分。
TFT可包括均包含非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的有源图案211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。为了确保有源图案211与栅电极213之间的绝缘,包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第一绝缘膜120(以下,被称为栅极绝缘膜)可安置在有源图案211与栅电极213之间。另外,包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的第二绝缘膜130(以下,被称为层间绝缘膜)可安置在栅电极213上,源电极215a和漏电极215b可安置在层间绝缘膜130上。这样的包括无机材料的绝缘膜可通过使用化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来形成,这可应用于下面的实施例及其修改。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层110可安置在TFT与基底100之间。缓冲层110可改善基底100的顶表面的平坦度,或者可防止或最小化杂质渗透到TFT的有源图案211中。
平坦化层140可安置在TFT上。例如,当有机发光器件如图5中所示安置在TFT上时,平坦化层140可使覆盖TFT的保护膜平坦化。平坦化层140可由诸如苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料形成。虽然在图5中平坦化层140具有单层结构,但是可作出各种修改,例如,平坦化层140可具有多层结构。
包括像素电极310、对电极330以及安置在像素电极310与对电极330之间的包括发射层的中间层320的有机发光器件可在基底100的显示区DA内安置在平坦化层140上。如图5中所示,像素电极310可通过穿过形成在平坦化层140等中的开口而接触源电极215a和漏电极215b中的任何一个来电连接到TFT。
像素限定膜150可安置在平坦化层140上。像素限定膜150通过具有与每个子像素对应的开口(即,像素电极310的至少中心部通过其被暴露的开口)来限定像素。另外,在图5中,像素限定膜150通过增大像素电极310的边缘与安置在像素电极310上的对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘处发生电弧等。像素限定膜150可由诸如聚酰亚胺或HMDSO的有机材料形成。
有机发光器件的中间层320可包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层320包括低分子量材料时,中间层320可具有单层结构或堆叠有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的多层结构,并且可包括包含铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料中的任何一种。上述层可通过使用真空沉积来形成。
当中间层320包括高分子量材料时,中间层320可具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下,HTL可包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT),EML可包括诸如聚-苯撑乙烯撑(PPV)类材料或聚芴类材料的聚合物材料。中间层320可通过使用丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)来形成。
然而,中间层320不限于此,并且可具有各种其它结构中的任何一种。中间层320可包括在多个像素电极310上方的一层,或可包括被图案化成与多个像素电极310对应的多个层。
如图5中所示,对电极330可安置在显示区DA上,以覆盖显示区DA。即,对电极330可与多个有机发光器件一体地形成,并且可与多个像素电极310对应。
由于有机发光器件会容易被外部湿气或氧损坏,因此封装层400可覆盖和保护有机发光器件。封装层400可覆盖显示区DA并且可延伸超出显示区DA。如图5中所示,封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
第一无机封装层410可覆盖对电极330,并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果必要的话,诸如盖层的其它层可安置在第一无机封装层410与对电极330之间。由于第一无机封装层410可沿下面的结构形成,因此第一无机封装层410的顶表面可以不是平坦的,如图5中所示。与第一无机封装层410不同,有机封装层420可覆盖第一无机封装层410,并且可具有基本上平坦的顶表面。详细地,有机封装层420的位于显示区DA上的部分的顶表面可以是基本上平坦的。有机封装层420可包括从由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、和六甲基二硅氧烷组成的组中选择的至少一种材料。第二无机封装层430可覆盖有机封装层420,并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层430可通过在显示区DA外部的边缘处接触第一无机封装层410来防止有机封装层420被暴露到外部。
由于封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430,因此即使当通过这样的多层结构在封装层400中发生裂纹时,裂纹也不会在第一无机封装层410与有机封装层420之间或者有机封装层420与第二无机封装层430之间连接。因此,可防止或最小化形成外部湿气或氧通过其渗透到显示区DA中的路径的可能性。
虽然未示出,但是偏振板(未示出)可通过使用光学透明粘合剂(OCA)安置在封装层400上。偏振板可减少外部光的反射。例如,当穿过偏振板的外部光被对电极330的顶表面反射,然后再次穿过偏振板时,外部光的相位可因为外部光两次穿过偏振板而改变。结果,反射光的相位可与引入偏振板中的外部光的相位不同以产生相消干涉,由此减少外部光的反射并且改善可视性。如图5中所示,OCA和偏振板可覆盖平坦化层140的开口。然而,根据示例性实施例的显示装置可不包括偏振板,可省略偏振板同时可使用其它元件。例如,可通过省略偏振板并且使用黑色矩阵和滤色器来减少外部光的反射。
当显示区DA是第一突出区DA1时,安置在显示区DA上的显示单元200可以是第一光发射器210。在这种情况下,第一负载匹配部LM1(见图2)可安置在***区PA的与第一光发射器210相邻的部分上。在另一示例性实施例中,当显示区DA是第二突出区DA2时,安置在显示区DA上的显示单元200可以是第二光发射器220。在这种情况下,第二负载匹配部LM2(见图2)可安置在***区PA的与第二光发射器220相邻的部分上。
安置在***区PA上的第一负载匹配部500可包括如上所述的第一导电层511、第二导电层513和第三导电层515。在本实施例中,第一导电层511可安置在缓冲层110上,并且可包括与TFT的有源图案211的材料相同的材料。第二导电层513可安置在第一导电层511上,并且可包括与TFT的栅电极213的材料相同的材料。栅极绝缘膜120可延伸以安置在第一导电层511与第二导电层513之间。第三导电层515可安置在第二导电层513上,并且可包括与TFT的源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料。层间绝缘膜130可延伸以安置在第二导电层153与第三导电层515之间。绝缘层可安置在第三导电层515上。平坦化层140和像素限定膜150可延伸以安置在第三导电层515上。
参照图2,如上所述,第一负载匹配部500可安置在***区PA的与第一光发射器210相邻的部分上,并且可通过第一布线C1电连接到第一光发射器210,第二负载匹配部LM2可安置在***区PA的与第二光发射器220相邻的部分上,并且可通过第二布线C2电连接到第二光发射器220。在示例性实施例中,第一布线C1和第二布线C2可包括但不限于与栅电极213的材料相同的材料。
另外,如上所述,第一负载匹配部500和第二负载匹配部LM2可通过导电膜彼此电连接。在示例性实施例中,导电膜可包括但不限于与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料。
图6是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图。图7是沿图6的显示装置的线A2-A2截取的剖视图。图6和图7的显示装置关于第一负载匹配部500'的第三导电层515的图案而与图3和图4的显示装置不同。其它元件是相同的,并因此将不给出重复的解释。
参照图6和图7,第一负载匹配部500'可包括第一导电层511、安置在第一导电层511上的第二导电层513以及安置在第二导电层513上的第三导电层515。在本实施例中,第一导电层511可在第一方向(例如,+y方向)上延伸,第二导电层513可在与第一方向(例如,+y方向)相交的第二方向(例如,+x方向)上延伸。即,与在上述实施例中一样,第一导电层511和第二导电层513可以以格子形式布置成彼此垂直。
第三导电层515可安置在第二导电层513上。如图6中所示,与第二导电层513一样,第三导电层515可在第二方向(例如,+x方向)上延伸。在这种情况下,第三导电层515可与第二导电层513叠置。
参照图7,第一导电层511可安置在基底100上,第二导电层513可安置在第一导电层511上。虽然在图7中第一导电层511可直接安置在基底100上,但是绝缘层或缓冲层还可安置在基底100与第一导电层511之间。栅极绝缘膜120可安置在第一导电层511与第二导电层513之间。第三导电层515可安置在第二导电层513上。层间绝缘膜130可安置在第二导电层513与第三导电层515之间。虽然未示出,但是第一导电层511和第三导电层515可通过接触孔彼此电连接。
当第三导电层515未通过图案化被划分时,即,当第三导电层515形成为共电极时,电荷量随着第三导电层515的面积增大而成比例地增多。在这种情况下,当静电被引入第三导电层515中然后被引入显示单元200的电连接到第三导电层515的第一光发射器210中时,静电会导致对第一光发射器210的像素的损坏以及显示区DA的缺陷。
然而,在根据示例性实施例的显示装置中,由于可通过使用第三导电层515的图案化结构来减小第三导电层515的电荷面积,因此可减少电荷量并且可实现强的抗静电的结构。
图8是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图。图9是沿图8的显示装置的线A3-A3截取的剖视图。图8和图9的显示装置与上述实施例中的显示装置的不同在于第一负载匹配部500”的形状,而其它元件是相同的,因此将不给出重复的解释。
参照图8和图9,与在上述实施例中一样,第一负载匹配部500”可包括第一导电层511、第二导电层513和第三导电层515。在根据本实施例的显示装置中,第三导电层515可被图案化成岛形状,而不是线形状。第三导电层515可布置在第一方向(例如,+y方向)上,以彼此分隔开预定间距d。即使在这种情况下,为了形成盖,第三导电层515也可与第一导电层511与第二导电层513之间的叠置部分叠置。
在本实施例中,第三导电层515的面积可小于在上述实施例中的第三导电层515的面积。由于可通过减小电荷面积来减少电荷量,因此可防止由于通过负载匹配部引入的静电而导致的对显示单元200的损坏。
另外,虽然在本示例性实施例中第三导电层515在第一导电层511与第二导电层513之间的叠置部分上被图案化成岛形状,但是本公开不限于此,第三导电层515的图案形状可以是各种其它形状中的任何一种。根据本公开,由于可通过由图案化并且划分具有大面积的第三导电层515而减小电荷面积来减少静电,因此第三导电层515的图案形状可不局限于特定的形状。
图10是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图。图11是示出根据另一实施例的显示装置的一部分的平面图。
根据本实施例的显示装置可与上述实施例中的任何一个中的显示装置相似,并且还可包括第三负载匹配部LM3。因此,第一负载匹配部LM1、第二负载匹配部LM2和第三负载匹配部LM3的结构可与上述实施例中的那些相同。即,每个负载匹配部可包括第一导电层511、第二导电层513以及被图案化的第三导电层515。将不给出每个负载匹配部的详细的结构的重复的解释,并且下面将集中于包括第三负载匹配部LM3的差异。
参照图10,根据示例性实施例的显示装置包括基底100,基底100包括显示区DA以及安置在显示区DA外部的***区PA。***区PA可围绕显示区DA,并且可以是未安置有显示单元200的非发射区。在本实施例中,显示区DA可与上述实施例中的显示区DA相同。即,显示区DA可包括安置在基底100的中心处的主区DA3以及从主区DA3延伸的第一突出区DA1和第二突出区DA2。如图10中所示,第一突出区DA1和第二突出区DA2可布置在与第一方向(例如,+y方向)相交的第二方向(例如,+x方向)上,并且彼此分隔开预定间距。
凹槽部100a可形成在基底100的一部分中。凹槽部100a可安置在显示区DA的第一突出区DA1与第二突出区DA2之间。虽然未示出,但是根据示例性实施例的显示装置还可包括安置在凹槽部100a中的相机和/或扬声器。
参照图10,根据示例性实施例的显示装置可包括安置在基底100的显示区DA上的显示单元200以及安置在***区PA上的第一负载匹配部LM1、第二负载匹配部LM2和第三负载匹配部LM3。
显示单元200可安置在显示区DA上,并且可包括安置在显示区DA的第一突出区DA1上的第一光发射器210和第三光发射器230、安置在显示区DA的第二突出区DA2上的第二光发射器220和第四光发射器240以及安置在显示区DA的主区DA3上的第五光发射器250。在这种情况下,为了便于解释,第一光发射器210至第五光发射器250根据位置而被概念上区分,但是实际上是集成的光发射器而不是单独的光发射器。即,第一光发射器210可安置在第一突出区DA1的第一部分上,第三光发射器230可安置在第一突出区DA1的第二部分上。另外,第二光发射器220可安置在第二突出区DA2的第一部分上,第四光发射器240可安置在第二突出区DA2的第二部分上。
本实施例与上述实施例之间存在的差异在于第一突出区DA1或第二突出区DA2中的发射区可被划分并且连接到单独的负载匹配部。即,第一突出区DA1中的一个光发射器可电连接到第一负载匹配部LM1,第一突出区DA1中的另一光发射器可电连接到第三负载匹配部LM3。
第一负载匹配部LM1和第二负载匹配部LM2可安置在基底100的***区PA上。第一负载匹配部LM1可安置在***区PA的与第一光发射器210相邻的部分上,第二负载匹配部LM2可安置在***区PA的与第二光发射器220相邻的部分上,第三负载匹配部LM3可安置在***区PA的与第三光发射器230和第四光发射器240相邻的部分上。虽然在图10中第三负载匹配部LM3可安置在第一突出区DA1与第二突出区DA2之间,即,在第三光发射器230与第四光发射器240之间,但本公开不限于此。
详细地,第一负载匹配部LM1可安置在***区PA的与第一光发射器210相邻的部分上,并且可通过第一布线C1电连接到第一光发射器210。第二负载匹配部LM2可安置在***区PA的与第二光发射器220相邻的部分上,并且可通过第二布线C2电连接到第二光发射器220。第三负载匹配部LM3可安置在***区PA的与第三光发射器230和第四光发射器240相邻的部分上,并且可通过第三布线C3电连接到第三光发射器230和第四光发射器240。第一布线C1至第三布线C3可包括但不限于与负载匹配部LM1、LM2和LM3中的每个的第二导电层513的材料相同的材料。
在示例性实施例的显示装置中,第一负载匹配部LM1至第三负载匹配部LM3可彼此电连接。第一负载匹配部LM1至第三负载匹配部LM3可通过导电膜D1和D2彼此电连接。例如,在本实施例中,用于连接第一负载匹配部LM1和第三负载匹配部LM3的第一导电膜D1以及用于连接第二负载匹配部LM2和第三负载匹配部LM3的第二导电膜D2可包括与第三导电层515的材料相同的材料。如此,因为第一负载匹配部LM1至第三负载匹配部LM3彼此电连接,等电势区可在引入静电时增大,由此防止由于静电导致的对显示区DA的损坏。
在包括具有简单矩形形状的显示单元200的传统的显示装置中,每条线的像素的数量是相同的,并且施加到每条线的负载是相同的。在根据示例性实施例的显示装置中,与在传统的显示装置中一样,安置在主区DA3上的第五光发射器250具有矩形形状并因此施加到每条线的负载是相同的,然而,像素未安置在第一突出区DA1与第二突出区DA2之间,因此施加到第一光发射器210至第四光发射器240的负载不是相同的。
因此,在根据示例性实施例的显示装置中,第一负载匹配部LM1、第二负载匹配部LM2和第三负载匹配部LM3可安置在***区PA的与第一光发射器210至第四光发射器240相邻的部分上,以电连接到第一光发射器210至第四光发射器240,并且可与施加到线的负载匹配。
除了用于连接第一负载匹配部LM1至第三负载匹配部LM3的第一导电膜和第二导电膜的布置以外,图11的显示装置与图10的显示装置相同。即,在图10中,第一负载匹配部LM1和第三负载匹配部LM3通过第一导电膜电连接,第二负载匹配部LM2和第三负载匹配部LM3通过第二导电膜电连接。在本示例性实施例中,第一负载匹配部LM1至第二负载匹配部LM2通过第一导电膜电连接,第二导电膜可电连接第一导电膜和第三负载匹配部LM3。其它元件和构造与上述实施例中的其它元件和构造相同,将不给出它们的重复的解释。
如上所述,根据实施例,具有改善的显示质量的显示装置可通过减少由于静电导致的缺陷来提供。本公开的范围不受这样的效果限制。
虽然在这里已经描述了特定示例性实施例和实施方式,但是其它实施例和修改通过该描述将是明显的。因此,发明构思不限于这样的实施例,而是限于提出的权利要求和各种明显的修改和等同布置的更宽的范围。

Claims (18)

1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区和围绕所述显示区的***区,所述显示区包括:主区,安置在所述基底的中心处;第一突出区,从所述主区延伸并且在第一方向上朝着所述***区突出;第二突出区,从所述主区延伸并且在所述第一方向上朝着所述***区突出,所述第二突出区在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一突出区分隔开;以及凹槽部,设置在所述第一突出区与所述第二突出区之间;
显示单元,包括设置在所述第一突出区上的第一光发射器和设置在所述第二突出区上的第二光发射器;
第一负载匹配部,设置在所述***区的与所述第一光发射器相邻的部分上,并且电连接到所述第一光发射器;以及
第二负载匹配部,设置在所述***区的与所述第二光发射器相邻的部分上,并且电连接到所述第二光发射器,
其中,所述第一负载匹配部和所述第二负载匹配部中的每个包括设置在所述基底上的第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层以及设置在所述第二导电层上的第三导电层,
所述第三导电层在所述第一方向或所述第二方向上被图案化。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三导电层被图案化,使得所述第三导电层的至少一部分与所述第二导电层叠置。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一导电层在所述第一方向上延伸,
所述第二导电层在所述第二方向上延伸。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电层和所述第三导电层通过接触孔彼此电连接。
5.如权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述显示区上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
有源图案;
栅电极,设置在所述有源图案上并且包括与所述有源图案叠置的至少一部分;以及
源电极和漏电极,设置在所述栅电极上并且电连接到所述有源图案,
其中,所述第一导电层包括与所述有源图案的材料相同的材料,所述第二导电层包括与所述栅电极的材料相同的材料,所述第三导电层包括与所述源电极或所述漏电极的材料相同的材料。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一光发射器和所述第一负载匹配部通过第一布线彼此电连接,
所述第二光发射器和所述第二负载匹配部通过第二布线彼此电连接,
所述第一布线和所述第二布线包括与所述第二导电层的材料相同的材料。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一负载匹配部和所述第二负载匹配部彼此电连接。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一负载匹配部和所述第二负载匹配部通过包括与所述第三导电层的材料相同的材料的导电膜彼此电连接。
9.如权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述主区上的第三光发射器,
其中,所述第一光发射器、所述第二光发射器和所述第三光发射器彼此集成。
10.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区和围绕所述显示区的***区,所述显示区包括:主区,安置在所述基底的中心处;第一突出区,从所述主区延伸并且在第一方向上朝着所述***区突出;第二突出区,从所述主区延伸并且在所述第一方向上朝着所述***区突出;以及凹槽部,设置在所述第一突出区与所述第二突出区之间;
显示单元,包括设置在所述第一突出区的第一部分上的第一光发射器、设置在所述第二突出区的第一部分上的第二光发射器、设置在所述第一突出区的第二部分上的第三光发射器以及设置在所述第二突出区的第二部分上的第四光发射器;
第一负载匹配部,设置在所述***区的与所述第一光发射器相邻的部分上,并且电连接到所述第一光发射器;
第二负载匹配部,设置在所述***区的与所述第二光发射器相邻的部分上,并且电连接到所述第二光发射器;以及
第三负载匹配部,设置在所述***区的位于所述第三光发射器与所述第四光发射器之间的部分上,并且电连接到所述第三光发射器和所述第四光发射器,
其中,所述第一负载匹配部、所述第二负载匹配部和所述第三负载匹配部中的每个包括设置在所述基底上的第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层以及设置在所述第二导电层上的第三导电层,所述第三导电层在所述第一方向或与所述第一方向相交的第二方向上被图案化。
11.如权利要求10所述的显示装置,其中,所述第三导电层被图案化,使得所述第三导电层的至少一部分与所述第二导电层叠置。
12.如权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一导电层在所述第一方向上延伸,所述第二导电层在所述第二方向上延伸。
13.如权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一导电层和所述第三导电层通过接触孔彼此电连接。
14.如权利要求10所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述显示区上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
有源图案;
栅电极,设置在所述有源图案上并且包括与所述有源图案叠置的至少一部分;以及
源电极和漏电极,设置在所述栅电极上并且电连接到所述有源图案,
其中,所述第一导电层包括与所述有源图案的材料相同的材料,所述第二导电层包括与所述栅电极的材料相同的材料,所述第三导电层包括与所述源电极或所述漏电极的材料相同的材料。
15.如权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一光发射器和所述第一负载匹配部通过第一布线彼此电连接,所述第二光发射器和所述第二负载匹配部通过第二布线彼此电连接,所述第三光发射器与所述第四光发射器和所述第三负载匹配部通过第三布线彼此电连接,
其中,所述第一布线、所述第二布线和所述第三布线包括与所述第二导电层的材料相同的材料。
16.如权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一负载匹配部、所述第二负载匹配部和所述第三负载匹配部彼此电连接。
17.如权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一负载匹配部、所述第二负载匹配部和所述第三负载匹配部通过包括与所述第三导电层的材料相同的材料的导电膜彼此电连接。
18.如权利要求10所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述主区上的第五光发射器,
其中,所述第一光发射器、所述第二光发射器、所述第三光发射器、所述第四光发射器和所述第五光发射器彼此集成。
CN201810756615.5A 2017-07-13 2018-07-11 显示装置 Active CN109256409B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0088914 2017-07-13
KR1020170088914A KR102357393B1 (ko) 2017-07-13 2017-07-13 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109256409A CN109256409A (zh) 2019-01-22
CN109256409B true CN109256409B (zh) 2023-09-29

Family

ID=61911364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810756615.5A Active CN109256409B (zh) 2017-07-13 2018-07-11 显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10461070B2 (zh)
EP (1) EP3428968B1 (zh)
JP (1) JP7301505B2 (zh)
KR (1) KR102357393B1 (zh)
CN (1) CN109256409B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102357393B1 (ko) * 2017-07-13 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2019187151A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス
US10783825B2 (en) * 2018-05-14 2020-09-22 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Driving substrates and display panels
CN108511503B (zh) * 2018-05-28 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR102649144B1 (ko) 2018-06-25 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200098742A (ko) 2019-02-11 2020-08-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110164869B (zh) * 2019-04-12 2021-07-30 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
KR20200138566A (ko) * 2019-05-31 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR20210014263A (ko) 2019-07-29 2021-02-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11393890B2 (en) * 2020-01-09 2022-07-19 Wuhan China Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Active matrix organic light-emitting diode display panel with compensation capacitor
US20230041278A1 (en) * 2020-01-20 2023-02-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR20220140093A (ko) * 2021-04-08 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105278748A (zh) * 2015-10-19 2016-01-27 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板、显示装置、可穿戴设备、驱动方法以及补偿电路
CN106843389A (zh) * 2017-01-09 2017-06-13 广东欧珀移动通信有限公司 电子装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6532053B2 (en) * 1996-12-18 2003-03-11 Hitachi, Ltd. Transverse electric field system liquid crystal display device suitable for improving aperture ratio
JP4889228B2 (ja) 2005-03-28 2012-03-07 株式会社アルバック 電界放出型表示装置
TWI318698B (en) * 2005-10-06 2009-12-21 Au Optronics Corp Display panels
JP5027441B2 (ja) * 2006-05-11 2012-09-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP5299730B2 (ja) 2006-10-13 2013-09-25 Nltテクノロジー株式会社 表示装置
KR101718819B1 (ko) 2008-08-19 2017-03-23 삼성디스플레이 주식회사 모패널 및 이를 이용한 표시패널의 제조방법
JP6106486B2 (ja) 2013-03-26 2017-03-29 株式会社カネカ 有機elモジュール
CN103399434B (zh) * 2013-08-01 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其扇出线结构
KR102230298B1 (ko) * 2014-02-20 2021-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6536187B2 (ja) * 2015-06-05 2019-07-03 三菱電機株式会社 アレイ基板及び当該アレイ基板を備えた液晶表示装置
CN106293444B (zh) 2015-06-25 2020-07-03 小米科技有限责任公司 移动终端、显示控制方法及装置
KR102481377B1 (ko) 2015-08-13 2022-12-27 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판
TWI567450B (zh) * 2015-10-16 2017-01-21 群創光電股份有限公司 顯示裝置
JP2017103408A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102473224B1 (ko) * 2015-12-31 2022-12-01 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
SG11201807505SA (en) * 2016-03-28 2018-09-27 Apple Inc Light-emitting diode displays
KR102582642B1 (ko) * 2016-05-19 2023-09-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102611958B1 (ko) 2016-09-23 2023-12-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102357393B1 (ko) * 2017-07-13 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN107611142B (zh) * 2017-09-11 2020-06-09 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105278748A (zh) * 2015-10-19 2016-01-27 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板、显示装置、可穿戴设备、驱动方法以及补偿电路
CN106843389A (zh) * 2017-01-09 2017-06-13 广东欧珀移动通信有限公司 电子装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
吴克文.线阵LED图文显示装置.《软件工程师》.2013,第53-54页. *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019020726A (ja) 2019-02-07
US10910360B2 (en) 2021-02-02
US10461070B2 (en) 2019-10-29
JP7301505B2 (ja) 2023-07-03
KR102357393B1 (ko) 2022-02-03
EP3428968B1 (en) 2021-12-01
CN109256409A (zh) 2019-01-22
KR20190008459A (ko) 2019-01-24
EP3428968A1 (en) 2019-01-16
US20190019789A1 (en) 2019-01-17
US20200020680A1 (en) 2020-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109256409B (zh) 显示装置
US11437444B2 (en) Display device
US10256284B2 (en) Display device
CN107342296B (zh) 半导体装置和包括该半导体装置的显示装置
CN109216326B (zh) 显示装置及其制造方法
CN107799536B (zh) 显示装置
CN107768403B (zh) 显示设备
US10608193B2 (en) Display device having reduced stress of conductive layers in bending area
KR20190027408A (ko) 박막트랜지스터를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
US11392255B2 (en) Display device with single wire and double wire stacked structure in the non-display area
CN109411508B (zh) 显示装置
US10580840B2 (en) Organic light-emitting display device having an organic emitting layer
KR20180049469A (ko) 디스플레이 장치
US11678534B2 (en) Display device
US11120738B2 (en) Display apparatus
KR20240026963A (ko) 디스플레이 장치
US10134779B2 (en) Display device having short circuit prevention pattern
KR102486879B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN115132788A (zh) 显示设备
CN116456765A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant