CN109192886B - 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明通过在衬底上通过构图工艺形成阳极，形成覆盖阳极的无机绝缘层，在无机绝缘层上通过构图工艺形成像素界定层，像素界定层的开口区域在阳极上的正投影位于阳极所在的区域内，去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层。通过在形成阳极后，形成无机绝缘层，在无机绝缘层上形成像素界定层，利用像素界定层作为掩膜，去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层，在去除无机绝缘层的同时，使得像素界定层形成过程中在无机绝缘层上产生的颗粒物，随着无机绝缘层一起被去除掉，减少阳极上的颗粒物数量，从而提高显示基板的良率。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光器件)具有主动发光、高亮度、高对比度、超薄、低功耗、可柔性化以及工作温度范围宽等诸多优点，已成为极具竞争力和发展前景的下一代显示技术。
在制作完成OLED显示面板后，通常需要对OLED显示面板进行测试及信赖性评价，但是在测试及信赖性评价的过程中，发现OLED显示面板中会有大量的黑点产生，且随着测试时间的增长，黑点有明显扩大的迹象。
通过SEM(Scanning Electron Microscope，扫描电子显微镜)和FIB(Focused IonBeam，聚焦离子束)等测试分析得知，其原因主要是在阳极上制作完成PDL(PixelDefinition Layer，像素界定层)后，会在阳极上存在较多数量的particle(颗粒物)，水汽会从颗粒物所在位置处进入发光层，使得OLED器件失效，即产生黑点，且随着时间的延长，入侵的水汽数量增加，黑点的数量也会持续增加，导致良率降低。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置，以解决现有的阳极上存在的颗粒物数量较多，导致良率降低的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底上通过构图工艺形成阳极；
形成无机绝缘层，所述无机绝缘层覆盖所述阳极；
在所述无机绝缘层上通过构图工艺形成像素界定层，所述像素界定层的开口区域在所述阳极上的正投影位于所述阳极所在的区域内；
去除位于所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上的无机绝缘层。
优选地，采用湿法刻蚀工艺去除位于所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上的无机绝缘层。
优选地，所述无机绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
优选地，所述制作方法还包括：
在所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上依次形成发光层和阴极。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示基板，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的阳极；
形成在所述阳极上的无机绝缘层；
形成在所述无机绝缘层上的像素界定层；
其中，所述像素界定层的开口区域在所述阳极上的正投影位于所述阳极所在的区域内，且所述像素界定层的开口区域在所述阳极上的正投影与所述无机绝缘层在所述阳极上的正投影不交叠。
优选地，所述无机绝缘层的材料为氧化铝、氮化硅或氧化硅。
优选地，所述无机绝缘层的厚度为
Figure BDA0001789943180000021
至
Figure BDA0001789943180000022
优选地，所述显示基板还包括：
形成在所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上的发光层和阴极；其中，所述发光层靠近所述阳极。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板，包括上述的显示基板。
为了解决上述问题，本发明另外公开了一种显示装置，包括上述的显示面板。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
通过在衬底上通过构图工艺形成阳极，形成覆盖阳极的无机绝缘层，在无机绝缘层上通过构图工艺形成像素界定层，像素界定层的开口区域在阳极上的正投影位于阳极所在的区域内，去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层。通过在形成阳极后，形成无机绝缘层，在无机绝缘层上形成像素界定层，利用像素界定层作为掩膜，去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层，在去除无机绝缘层的同时，使得像素界定层形成过程中在无机绝缘层上产生的颗粒物，随着无机绝缘层一起被去除掉，减少阳极上的颗粒物数量，从而提高显示基板的良率。
附图说明
图1示出了本发明实施例的一种显示基板的制作方法的流程图；
图2示出了本发明实施例中在衬底上形成阳极后的结构示意图；
图3示出了本发明实施例中形成无机绝缘层后的结构示意图；
图4示出了本发明实施例中在无机绝缘层上形成像素界定层后的结构示意图；
图5示出了本发明实施例中去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层后的结构示意图；
图6示出了本发明实施例中在形成像素界定层后，无机绝缘层上产生的颗粒物的结构示意图；
图7示出了本发明实施例中在去除阳极上的无机绝缘层后，无机绝缘层上产生的颗粒物也被去除的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图1，示出了本发明实施例的一种显示基板的制作方法的流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤101，在衬底上通过构图工艺形成阳极。
在本发明实施例中，如图2所示，在衬底21上通过构图工艺形成阳极22，具体的，在衬底21上先沉积阳极薄膜，对阳极薄膜进行图形化处理得到阳极22。
其中，阳极22可以为单层结构，其材料为ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等，阳极22还可以为堆栈结构，其材料为ITO/Ag/ITO等。
需要说明的是，在衬底21与阳极22之间还形成有薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极、漏极、钝化层和平坦层，首先在衬底21上采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)方法或其它沉积方法沉积缓冲层，在缓冲层上通过构图工艺形成有源层，在有源层上通过构图工艺依次形成栅绝缘层和栅极，接着通过构图工艺形成层间介质层，在层间介质层上通过构图工艺形成源极和漏极，然后，采用PECVD或其他沉积方法沉积钝化层，在钝化层上形成平坦层，最后，在平坦层上通过构图工艺形成阳极22。
其中，有源层的材料可以为IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)、ZnON(锌氮氧化物)、IZTO(Indium Zinc Tin Oxide，铟锌锡氧化物)、a-Si(AmorphousSilicon，非晶硅)、p-Si(Poly Silicon，多晶硅)、六噻吩、聚噻吩等；缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层和钝化层的材料可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlOx)、氧化铪(HfOx)、氧化钽(TaOx)等；栅极、源极、漏极的材料可以为金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、MoNb/Cu/MoNb等，也可以金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)、钼铌合金(MoNb)等，还可以是金属和透明导电氧化物形成的堆栈结构对应的材料，如ITO/Ag/ITO；平坦层的材料可以为聚硅氧烷系材料、亚克力系材料，或聚酰亚胺系材料等具有平坦化效果的材料。
需要说明的是，本发明实施例中的构图工艺一般包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀等工艺。
步骤102，形成无机绝缘层，所述无机绝缘层覆盖所述阳极。
在本发明实施例中，如图3所示，在形成阳极22后，沉积无机绝缘层23，该无机绝缘层23覆盖阳极22。
其中，无机绝缘层23采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成，无机绝缘层23的材料为氧化铝、氮化硅或氧化硅，无机绝缘层23的厚度为
Figure BDA0001789943180000041
Figure BDA0001789943180000042
至
Figure BDA0001789943180000043
步骤103，在所述无机绝缘层上通过构图工艺形成像素界定层，所述像素界定层的开口区域在所述阳极上的正投影位于所述阳极所在的区域内。
在本发明实施例中，如图4所示，在无机绝缘层23上通过构图工艺形成像素界定层24，像素界定层的开口区域M在阳极22上的正投影位于阳极22所在的区域内。
具体的，在无机绝缘层23上涂覆像素界定层24材料，以形成像素界定层薄膜，并采用mask(掩膜)对像素界定层薄膜进行曝光，然后进行显影，使得开口区域M内的像素界定层薄膜被去除掉，得到像素界定层24。
步骤104，去除位于所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上的无机绝缘层。
在本发明实施例中，如图5所示，利用像素界定层24作为掩膜，去除位于像素界定层24的开口区域M内的阳极22上的无机绝缘层23。
参照图6，示出了本发明实施例中在形成像素界定层后，无机绝缘层上产生的颗粒物的结构示意图，图7示出了本发明实施例中在去除阳极上的无机绝缘层后，无机绝缘层上产生的颗粒物也被去除的结构示意图。
如图6所示，在无机绝缘层23上通过构图工艺形成像素界定层24的过程中，在无机绝缘层23上会产生颗粒物P，如图7所示，在利用像素界定层24作为掩膜，去除位于像素界定层24的开口区域M内的阳极22上的无机绝缘层23的同时，无机绝缘层23上产生的颗粒物P，会随着无机绝缘层23一起被去除掉，减少了阳极22上的颗粒物数量；当阳极22上的颗粒物数量减少时，水汽则不容易进入发光层，黑点产生的几率也大幅度减小，从而提高显示基板的良率。
优选地，采用湿法刻蚀工艺去除位于像素界定层24的开口区域M内的阳极22上的无机绝缘层23。
假如采用干法刻蚀工艺对位于像素界定层24的开口区域M内的阳极22上的无机绝缘层23进行去除时，干法刻蚀工艺采用的等离子体会将无机绝缘层23上的颗粒物P轰击至其他位置，依旧会对良率造成影响，因此，本发明实施例优选采用湿法刻蚀工艺，将位于像素界定层24的开口区域M内的阳极22上的无机绝缘层23刻蚀掉，在刻蚀时通过适量增加过刻蚀量，使得无机绝缘层23上的颗粒物P也被去除。
需要说明的是，可以通过增加刻蚀时间，或者提高刻蚀液的浓度来增加过刻蚀量，本发明实施例的刻蚀时间和刻蚀液的浓度，与无机绝缘层23的厚度以及阳极22所采用的材料相关。
当无机绝缘层23的厚度越大时，刻蚀时间越长，刻蚀液的浓度越高，当无机绝缘层23的厚度越小时，刻蚀时间越短，刻蚀液的浓度越低；阳极22所采用的材料可能会与刻蚀液发生反应，在刻蚀无机绝缘层23时，会对阳极22造成影响，阳极22所采用的材料也可能不与刻蚀液发生反应，在刻蚀无机绝缘层23时，不会对阳极22造成影响，因此，当刻蚀液对阳极22的影响越大时，刻蚀时间越短，刻蚀液的浓度越低，当刻蚀液对阳极22的影响越小时，刻蚀时间越长，刻蚀液的浓度越高。
在步骤104之后，还包括：在所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上依次形成发光层和阴极。
在本发明实施例中，在去除位于像素界定层24的开口区域M内的阳极22上的无机绝缘层23之后，在像素界定层24的开口区域M内的阳极22上先形成发光层，可采用蒸镀或打印的方法形成发光层，最后在发光层上形成阴极，阴极的材料可以为银、铝等金属材料。
在像素界定层24与阳极22之间增加无机绝缘层23，可降低阳极22与阴极之间的漏电，改善显示基板的漏电情况。
在本发明实施例中，通过在衬底上通过构图工艺形成阳极，形成覆盖阳极的无机绝缘层，在无机绝缘层上通过构图工艺形成像素界定层，像素界定层的开口区域在阳极上的正投影位于阳极所在的区域内，去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层。通过在形成阳极后，形成无机绝缘层，在无机绝缘层上形成像素界定层，利用像素界定层作为掩膜，去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层，在去除无机绝缘层的同时，使得像素界定层形成过程中在无机绝缘层上产生的颗粒物，随着无机绝缘层一起被去除掉，减少阳极上的颗粒物数量，从而提高显示基板的良率。
实施例二
本发明实施例提供了一种显示基板，包括：衬底21，形成在衬底21上的阳极22，形成在阳极22上的无机绝缘层23，形成在无机绝缘层23上的像素界定层24。
其中，像素界定层24的开口区域M在阳极22上的正投影位于阳极22所在的区域内，且像素界定层24的开口区域M在阳极22上的正投影与无机绝缘层23在阳极22上的正投影不交叠。
也就是说，在像素界定层24的开口区域M内，阳极22上未设置有无机绝缘层23，可采用湿法刻蚀工艺去除位于像素界定层24的开口区域M内的阳极22上的无机绝缘层23。
其中，无机绝缘层23的材料为氧化铝、氮化硅或氧化硅；无机绝缘层23的厚度为
Figure BDA0001789943180000071
至
Figure BDA0001789943180000072
在本发明实施例中，显示基板还包括：形成在像素界定层24的开口区域M内的阳极22上的发光层和阴极；其中，发光层靠近阳极22。
在本发明实施例中，显示基板包括衬底，形成在衬底上的阳极，形成在阳极上的无机绝缘层，形成在无机绝缘层上的像素界定层，像素界定层的开口区域在阳极上的正投影位于阳极所在的区域内，且像素界定层的开口区域在阳极上的正投影与无机绝缘层在阳极上的正投影不交叠。通过去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层，在去除无机绝缘层的同时，使得像素界定层形成过程中在无机绝缘层上产生的颗粒物，随着无机绝缘层一起被去除掉，减少阳极上的颗粒物数量，从而提高显示基板的良率。
实施例三
本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的显示基板。
当然，显示面板还包括对合基板，该对合基板可以是封装盖板或彩膜基板等。
关于显示基板的具体描述可以参照实施例一和实施例二的描述，本发明实施例对此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板，该显示面板可以为顶发射型OLED显示面板或底发射型OLED显示面板。
当显示面板为顶发射型OLED显示面板，上述阳极22为反射阳极，阴极采用透明金属材料，反射阳极将发光层发出的光线反射至阴极，光线从阴极出射；当显示面板为底发射型OLED显示面板，阳极采用透明金属材料，发光层发出的光线从阳极出射。
在实际应用中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例中，显示面板包括显示基板，显示基板包括衬底，形成在衬底上的阳极，形成在阳极上的无机绝缘层，形成在无机绝缘层上的像素界定层，像素界定层的开口区域在阳极上的正投影位于阳极所在的区域内，且像素界定层的开口区域在阳极上的正投影与无机绝缘层在阳极上的正投影不交叠。通过去除位于像素界定层的开口区域内的阳极上的无机绝缘层，在去除无机绝缘层的同时，使得像素界定层形成过程中在无机绝缘层上产生的颗粒物，随着无机绝缘层一起被去除掉，减少阳极上的颗粒物数量，从而提高显示面板的良率。
对于前述的方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (7)

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上通过构图工艺形成阳极；
形成无机绝缘层，所述无机绝缘层覆盖所述阳极；
在所述无机绝缘层上通过构图工艺形成像素界定层，所述像素界定层的开口区域在所述阳极上的正投影位于所述阳极所在的区域内；
去除位于所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上的无机绝缘层；
在所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上依次形成发光层和阴极；
采用湿法刻蚀工艺去除位于所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上的无机绝缘层；
其中，所述湿法刻蚀工艺对应的刻蚀量，大于所述无机绝缘层上不存在颗粒物时所述无机绝缘层对应的刻蚀量。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述无机绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
3.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的阳极；
形成在所述阳极上的无机绝缘层；
形成在所述无机绝缘层上的像素界定层；
其中，所述像素界定层的开口区域在所述阳极上的正投影位于所述阳极所在的区域内，且所述像素界定层的开口区域在所述阳极上的正投影与所述无机绝缘层在所述阳极上的正投影不交叠；
形成在所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上的发光层和阴极；其中，所述发光层靠近所述阳极；
其中，位于所述像素界定层的开口区域内的所述阳极上的无机绝缘层是采用湿法刻蚀工艺去除的；所述湿法刻蚀工艺对应的刻蚀量，大于所述无机绝缘层上不存在颗粒物时所述无机绝缘层对应的刻蚀量。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述无机绝缘层的材料为氧化铝、氮化硅或氧化硅。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述无机绝缘层的厚度为
Figure FDA0002663791300000021
至
Figure FDA0002663791300000022
6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求3-5中任一项所述的显示基板。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示面板。
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