CN109085405A - 一种电路模块的工作电流检测方法及电路 - Google Patents

Abstract

一种电路模块的工作电流检测方法及电路，所述工作电流检测电路包括：电容，直接或者间接地耦接所述电路模块的电源端，所述电容两端的电压用于为所述电路模块供电；电压检测模块，适于对所述电容两端的电压进行检测，以根据单位时间内所述电容两端的电压变化量和所述电容的容值确定所述电路模块的工作电流。采用本发明技术方案可以实现对电路模块，尤其是对低功耗电路模块的工作电流的高精度检测。

Description

一种电路模块的工作电流检测方法及电路

技术领域

本发明涉及低功耗设备检测领域，特别涉及一种电路模块的工作电流检测方法及电路。

背景技术

随着基于互联网技术的物联网技术和可穿戴电子技术的不断演进，产品的低功耗特性显得越来越重要。以可穿戴式设备为例，其内部的电路模块功耗极低。在评估低功耗设备的功耗时，由于其内部的电路模块的工作电流微乎其微，使得测量十分困难，对设备的要求必然苛刻。

在现有技术中，一般采用精密电源对电路模块的工作电流进行检测。精密电源对电路模块供电，也即精密电源的输出电压等于所述电路模块的额定电压，精密电源的电流档将显示电路模块的工作电流。

然而，一般来说，精密电源对小电流的测量精度约为1μA，而低功耗设备中的电路模块的工作电流一般仅有几百nA，采用精密电源对所述工作电流的检测非常不准确，误差较大，精度较低。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何实现对电路模块，尤其是对低功耗电路模块的工作电流的高精度检测。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种电路模块的工作电流检测方法，所述工作电流检测方法包括：采用电容两端的电压直接或者间接地为所述电路模块供电；获取单位时间内所述电容两端的电压变化量；获取所述电容的容值；根据单位时间内所述电容两端的电压变化量和所述电容的容值确定所述电路模块的工作电流。

可选地，所述采用电容两端的电压直接或者间接地为所述电路模块供电之前，还包括：在对所述电路模块的工作电流开始检测前，采用第一电源电压对所述电容进行充电，在对所述电路模块的工作电流开始检测时，控制所述第一电源电压停止对所述电容进行充电。

可选地，所述采用电容两端的电压直接或者间接地为所述电路模块供电还包括：将所述电路模块的电源端的电压维持在等于参考电压，所述参考电压等于所述电路模块的标称供电电压。

可选地，采用电压维持模块将所述电路模块的电源端的电压维持在等于所述参考电压；所述电压维持模块包括：所述运算放大器，其第一输入端接入所述参考电压，其第二输入端耦接所述电路模块的电源端；第一MOS晶体管，其控制端耦接所述运算放大器的输出端，其第一端耦接所述电容的第一端，其第二端耦接所述电路模块的电源端。

可选地，所述采用电容两端的电压直接或者间接地为所述电路模块供电还包括：在对所述电路模块的工作电流开始检测前，控制所述第一MOS晶体管关断，在对所述电路模块的工作电流开始检测时，控制所述第一MOS晶体管导通。

为解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种电路模块的工作电流检测电路，所述工作电流检测电路包括：电容，直接或者间接地耦接所述电路模块的电源端，所述电容两端的电压用于为所述电路模块供电；电压检测模块，适于对所述电容两端的电压进行检测，以根据单位时间内所述电容两端的电压变化量和所述电容的容值确定所述电路模块的工作电流。

可选地，所述工作电流检测电路还包括：第一开关器件，其第一端接入第一电源电压，其第二端耦接所述电容的第一端，所述电容的第二端接参考端，所述第一开关器件适于在对所述电路模块的工作电流开始检测前受控导通，在对所述电路模块的工作电流开始检测时受控关断，其中，所述第一开关器件受控导通时，所述第一电源电压对所述电容充电。

可选地，所述工作电流检测电路还包括：电压维持模块，接入参考电压，所述电容的第一端经由所述电压维持模块耦接至所述电路模块的电源端，所述电压维持模块适于维持所述电路模块的电源端的电压等于参考电压，所述参考电压等于所述电路模块的标称供电电压。

可选地，所述电压维持模块包括：运算放大器，其第一输入端接入所述参考电压，其第二输入端耦接所述电路模块的电源端；第一MOS晶体管，其控制端耦接所述运算放大器的输出端，其第一端耦接所述电容的第一端，其第二端耦接所述电路模块的电源端。

可选地，所述工作电流检测电路还包括：第二开关器件，其第一端接入第一控制电压，其第二端耦接所述第一MOS晶体管的控制端，所述第二开关器件适于在对所述电路模块的工作电流开始检测前受控导通，以使得所述第一控制电压传输至所述第一MOS晶体管的控制端并控制所述第一MOS晶体管关断，所述第二开关器件还适于在对所述电路模块的工作电流开始检测时受控关断。

可选地，所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管，所述运算放大器的第一输入端为其负输入端，所述运算放大器的第二输入端为其正输入端，所述电容两端的电压大于所述参考电压。

可选地，所述运算放大器在第二电源电压和第三电源电压的供电下工作，所述第二电源电压大于所述第三电源电压，所述第一控制电压等于所述第二电源电压，所述第二电源电压大于所述电容两端的电压与所述第一MOS晶体管的阈值电压之和。

可选地，所述工作电流检测电路还包括：参考电压发生器，适于提供所述参考电压。

可选地，所述工作电流检测电路与所述电路模块集成于同一芯片中，或者外置于所述电路模块所处的芯片。

可选地，所述电路模块设置于物联网设备或可穿戴设备中。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明实施例的电路模块的工作电流检测电路可以包括：电容和电压检测模块，其中，所述电容直接或者间接地耦接所述电路模块的电源端，所述电容两端的电压用于为所述电路模块供电，所述电压检测模块适于对所述电容两端的电压进行检测。由于采用了所述电容对所述电路模块进行供电，所述电容对所述电路模块放电时其两端的电压将会降低，可以根据单位时间内所述电容两端的电压变化量和所述电容的容值确定所述电路模块的工作电流，而且在现有技术中，对电压的检测精度相对较高，因此，本发明实施例方案可以实现对电路模块，尤其是对低功耗电路模块的工作电流的高精度检测。

进一步而言，本发明实施例中的工作电流检测电路还可以包括电压维持模块，该电压维持模块接入参考电压，所述电容的第一端经由所述电压维持模块耦接至所述电路模块的电源端，所述电压维持模块适于维持所述电路模块的电源端的电压等于参考电压，所述参考电压等于所述电路模块的标称供电电压，可以使得所述电路模块的电源端的电压始终维持在其标称供电电压，使得所述电路模块始终工作于额定状态，所述工作电流稳定，有利于保证对其工作电流检测的可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例的一种电路模块的工作电流检测电路的结构示意图。

图2是本发明实施例的另一种电路模块的工作电流检测电路的结构示意图。

图3是本发明实施例的又一种电路模块的工作电流检测电路的结构示意图。

图4是本发明实施例的再一种电路模块的工作电流检测电路的结构示意图。

图5是图4所示的工作电流检测电路的工作波形仿真图。

具体实施方式

如背景技术部分所述，现有技术中一般采用精密电源对待测的电路模块供电并同时检测其工作电流，然而其对小电流的测量精度约为1μA，而低功耗设备中的电路模块的工作电流一般仅有几百nA，因此，采用精密电源对所述工作电流的检测非常不准确，误差较大，精度较低。

针对以上技术问题，本发明实施例提供一种电路模块的工作电流检测电路，采用电容为所述电路模块供电，并对所述电容两端的电压进行检测，根据单位时间内所述电容两端的电压变化量和所述电容的容值(又称为电容值)确定所述工作电流，可以实现对电路模块，尤其是对低功耗电路模块的工作电流的高精度检测。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

如图1所示，本发明实施例提供一种电路模块10的工作电流检测电路100，所述工作电流检测电路100可以包括电容C1和电压检测模块101。

进一步而言，所述电容C1直接或者间接地耦接所述电路模块10的电源端(图中未标示)，所述电容C1两端的电压用于为所述电路模块10供电。一般来说，在对所述电路模块10的工作电流开始进行检测之前的准备阶段，设置所述电容C1两端的电压大于等于所述电路模块10的标称供电电压。

所述电压检测模块101适于对所述电容C1两端的电压进行检测，以根据单位时间内所述电容C1两端的电压变化量和所述电容C1的容值确定所述电路模块10的工作电流。在具体实施中，所述电压检测模块101可以是任意适当的电压检测仪器或部件，只要能够实现电压检测即可。例如，所述电压检测模块101可以是万用表、示波器等设备，还可以是包括数据采集器件及处理器的电路模块。

在发明本实施例中，由于采用了所述电容C1对所述电路模块10进行供电，所述电容C1对所述电路模块10放电时其两端的电压将会降低，可以根据公式ΔQ＝ΔV×C和ΔQ＝I×Δt得到I＝ΔV×C/Δt(其中，Q为电量，V为电压，C为电容C1的容值，I为电流，t为时间，Δt为时间变化量，ΔQ为Δt内的电量变化量，ΔV为Δt内的电压变化量)，也即可以根据单位时间内所述电容C1两端的电压变化量和所述电容C1的容值确定所述电路模块10的工作电流，而且在现有技术中，对电压的检测精度相对较高，因此，本发明实施例方案可以实现对电路模块，尤其是对低功耗电路模块的工作电流的高精度检测。

如图2所示，本发明实施例提供了一种电路模块10的工作电流检测电路200，所述工作电流检测电路200可以包括电容C1、电压检测模块101和第一开关器件S1。其中，关于所述电容C1和电压检测模块101的更多信息请参见对图1的相关描述，此处不再一一赘述。

进一步而言，所述第一开关器件S1的第一端接入第一电源电压VDD1，其第二端耦接所述电容C1的第一端，所述电容C1的第二端接参考端，所述参考端可以为地(也即电位值为0V的端口)，也可以电位值不等于0V的其他电压参考端，本实施例不进行特殊限制。所述第一开关器件S1适于在对所述电路模块10的工作电流开始检测前受控导通，在对所述电路模块10的工作电流开始检测时受控关断，其中，所述第一开关器件S1受控导通时，所述第一电源电压VDD1对所述电容C1充电，以使得所述电容C1两端的电压大于等于所述电路模块10的标称供电电压。

在具体实施中，所述第一开关器件S1可以为MOS晶体管或三极管等半导体开关器件，还可以是常规的开关元件或封装于芯片的集成开关，本实施例不进行特殊限制。

以所述第一开关器件S1为NMOS晶体管(图未示)为例，所述NMOS晶体管的漏极可以接入所述第一电源电压VDD1，其漏极可以耦接所述电容C1的第一端，在对所述电路模块10的工作电流开始检测前，对所述NMOS晶体管的栅极施加逻辑高电平，在对所述电路模块10的工作电流开始检测时，对所述NMOS晶体管的栅极施加逻辑低电平。

然而，由于仅采用所述电容C1为所述电路模块10供电时，所述电容C1两端的电压将会产生变化，也即下降，会使得所述电路模块10无法持续地工作于额定状态，使得其工作电流不稳定。

为了解决该问题，如图3所示，本发明实施例提供了一种电路模块10的工作电流检测电路300，所述工作电流检测电路300可以包括电容C1、电压检测模块101、第一开关器件S1和电压维持模块102。其中，关于所述电容C1、电压检测模块101和第一开关器件S1的更多信息请参见对图1和图2的相关描述，此处不再一一赘述。

进一步而言，所述电压维持模块102接入参考电压Vref，所述电容C1的第一端经由所述电压维持模块102耦接至所述电路模块10的电源端，所述电压维持模块102适于维持所述电路模块10的电源端的电压等于参考电压Vref，所述参考电压Vref等于所述电路模块10的标称供电电压，可以使得所述电路模块10的电源端的电压始终维持在其标称供电电压，以保证所述电路模块10始终工作于额定状态，所述工作电流稳定，有利于保证对其工作电流检测的可靠性。

在具体实施中，所述电压维持模块102可以包括运算放大器U1和第一MOS晶体管P1。

其中，所述运算放大器U1的第一输入端接入所述参考电压Vref，其第二输入端耦接所述电路模块10的电源端；所述第一MOS晶体管P1的控制端耦接所述运算放大器U1的输出端，其第一端耦接所述电容C1的第一端，其第二端耦接所述电路模块10的电源端。

本领域技术人员理解的是，MOS晶体管具有控制端、第一端和第二端，其中，所述控制端即为MOS晶体管的栅极，其第一端和第二端可以各自是其漏极和源极，在实际实施时，其漏极和源极可以互换，具体依赖于MOS晶体管的***电路配置，也即本实施例中的第一MOS晶体管P1可以为PMOS晶体管或NMOS晶体管。

优选地，所述第一MOS晶体管P1为PMOS晶体管，所述运算放大器U1的第一输入端为其负输入端，所述运算放大器U1的第二输入端为其正输入端；为了保证PMOS晶体管的导通条件，所述电容C1两端的电压大于所述参考电压Vref。在具体实施中，可以适当地增大所述电容C1的容值。

所述运算放大器U1和第一MOS晶体管P1采用了反馈调节的工作机制。所述运算放大器U1可以工作于放大状态。当所述运算放大器U1处于闭环状态时，若其正输入端的电压大于其负输入端的电压，其输出端的电压升高，则流经所述第一MOS晶体管P1的漏极电流降低，则反馈至所述运算放大器U1的正输入端的电压降低；若其正输入端的电压小于其负输入端的电压，其输出端的电压降低，则流经所述第一MOS晶体管P1的漏极电流升高，则反馈至所述运算放大器U1的正输入端的电压升高，直到所述运算放大器U1的正、负输入端的电压相等，使得所述电路模块10的电源端的电压始终稳定在参考电压Vref附近。

在一变化例中，所述第一MOS晶体管P1为NMOS晶体管，所述运算放大器U1的第一输入端为其正输入端，所述运算放大器U1的第二输入端为其负输入端。为了简化，本文中仅以所述第一MOS晶体管P1为PMOS晶体管，所述运算放大器U1的第一输入端为其负输入端，所述运算放大器U1的第二输入端为其正输入端为例进行说明。

在具体实施中，需要合理地配置所述第一MOS晶体管P1的宽长比，以使得所述第一MOS晶体管P1不限制所述电容C1对所述电路模块10提供放电电流，为所述电路模块10供电；此外，还需要尽量地降低所述第一MOS晶体管P1本身消耗的漏电流。

如图4所示，本发明实施例提供了一种电路模块10的工作电流检测电路400，所述工作电流检测电路400可以包括电容C1、电压检测模块101、第一开关器件S1、电压维持模块102和第二开关器件S2。其中，关于所述电容C1、电压检测模块101、第一开关器件S1和电压维持模块102的更多信息请参见对图1至3的相关描述，此处不再一一赘述。

进一步而言，所述第二开关器件S2的第一端接入第一控制电压(图未示)，其第二端耦接所述第一MOS晶体管P1的控制端，所述第二开关器件S2适于在对所述电路模块10的工作电流开始检测前受控导通，以使得所述第一控制电压传输至所述第一MOS晶体管P1的控制端并控制所述第一MOS晶体管P1关断，可以保证在所述第一电源电压VDD1对所述电容C1充电时，不对所述电路模块10进行供电，所述第二开关器件S2还适于在对所述电路模块10的工作电流开始检测时受控关断，以使得所述第一控制电压无法传输至所述第一MOS晶体管P1的控制端。

在具体实施中，所述运算放大器U1可以在第二电源电压VDD2和第三电源电压VDD3的供电下工作，所述第二电源电压VDD2大于所述第三电源电压VDD3。其中，所述第二电源电压VDD2可以等于所述第一电源电压VDD1。所述第三电源电压VDD3可以为0V，也可以小于0V。

当所述第一MOS晶体管P1为PMOS晶体管时，优选地，所述第一控制电压可以等于所述第二电源电压VDD2，所述第二电源电压VDD2大于所述电容C1两端的电压与所述第一MOS晶体管P1的阈值电压之和，以保证所述第一MOS晶体管P1关断。

在具体实施中，所述第二开关器件S2可以为MOS晶体管或三极管等半导体开关器件，还可以是常规的开关元件或封装于芯片的集成开关，本实施例不进行特殊限制。

以所述第二开关器件S2为NMOS晶体管(图未示)为例，所述NMOS晶体管的漏极可以接入所述第二电源电压，其漏极可以耦接所述第一MOS晶体管P1的控制端，在对所述电路模块10的工作电流开始检测前，对所述NMOS晶体管的栅极施加逻辑高电平，在对所述电路模块10的工作电流开始检测时，对所述NMOS晶体管的栅极施加逻辑低电平。

进一步地，所述工作电流检测电路400还可以包括参考电压发生器103，所述参考电压发生器103适于提供所述参考电压Vref。例如，所述参考电压发生器103可以是带隙基准源(bandgap)或者信号发生器。

在本发明实施例中，所述工作电流检测电路与所述电路模块10集成于同一芯片中，或者外置于所述电路模块10所处的芯片，本实施例不进行特殊限制。

在本发明实施例中，所述电路模块10可以设置于物联网设备(例如智能家居设备)或可穿戴设备中，也即所述电路模块10为低功耗电路模块，但不限于此，本发明实施例的工作电流检测电路同样可以适用于中、高功耗的电路模块中。

需要说明的是，本文中的“逻辑高电平”和“逻辑低电平”是相对的逻辑电平。其中，“逻辑高电平”指的是可被识别为数字信号“1”的电平范围，“逻辑低电平”指的是可被识别为数字信号“0”的电平范围，其具体电平范围并不做具体限制。

图5是图4所示的工作电流检测电路400的工作波形仿真图。

一并参见图4和图5，图5分别示出了所述电路模块10的电源端的电压(设为VP)、所述电容C1两端的电压(设为VC)以及所述电路模块10的工作电流的理论值(设为I0)。在该场景中，所述电路模块10的标称供电电压约为1.5V，I0＝100nA，所述电容C1的容值选取为50pF。

一般来说，在对所述工作电流进行检测的初始阶段，由于所述电路模块10中的器件具有寄生电容，因此，所述电容C1两端的电压下降较快，使得所述电路模块10的工作电流过大，本实施例在选取用于计算所述工作电流的时间段应避开上述阶段。具体地，可以选取所述电容C1两端随着时间线性地降低的阶段。

在图5中，本实施例方案采用了80μs和90μs两个时间间隔，并分别检测到在这两个时刻，所述电容C1两端的电压分别为3.18042V和3.16045V。根据公式I＝ΔV×C/Δt，可以计算得出I＝(3.18042V-3.16045V)×50pF/10μs＝99.85nA，与所述电路模块10的工作电流的理论值100nA基本一致。

继续参见图1，本发明实施例还公开了一种电路模块10的工作电流检测方法。所述工作电流检测方法可以包括不限定执行顺序的以下步骤：

采用电容C1两端的电压直接或者间接地为所述电路模块10供电；

获取单位时间内所述电容C1两端的电压变化量；

获取所述电容C1的容值；

根据单位时间内所述电容C1两端的电压变化量和所述电容C1的容值确定所述电路模块10的工作电流。

在发明本实施例中，由于采用了所述电容C1对所述电路模块10进行供电，所述电容C1对所述电路模块10放电时其两端的电压将会降低，可以根据公式ΔQ＝ΔV×C和ΔQ＝I×Δt得到I＝ΔV×C/Δt(其中，Q为电量，V为电压，C为电容C1的容值，I为电流，t为时间，Δt为时间变化量，ΔQ为Δt内的电量变化量，ΔV为Δt内的电压变化量)，也即可以根据单位时间内所述电容C1两端的电压变化量和所述电容C1的容值确定所述电路模块10的工作电流，而且在现有技术中，对电压的检测精度相对较高，因此，本发明实施例方案可以实现对电路模块，尤其是对低功耗电路模块的工作电流的高精度检测。

继续参见图2，优选地，所述采用电容C1两端的电压直接或者间接地为所述电路模块10供电之前，还可以包括以下步骤：在对所述电路模块10的工作电流开始检测前，采用第一电源电压VDD1对所述电容C1进行充电，在对所述电路模块10的工作电流开始检测时，控制所述第一电源电压VDD1停止对所述电容C1进行充电。

继续参见图3，优选地，所述采用电容C1两端的电压直接或者间接地为所述电路模块10供电还可以包括以下步骤：将所述电路模块10的电源端的电压维持在等于参考电压Vref，所述参考电压Vref等于所述电路模块10的标称供电电压，可以使得所述电路模块10的电源端的电压始终维持在其标称供电电压，使得所述电路模块10始终工作于额定状态，所述工作电流稳定，有利于保证对其工作电流检测的可靠性。

在具体实施中，可以采用电压维持模块102将所述电路模块10的电源端的电压维持在等于参考电压Vref。其中，所述电压维持模块102可以包括运算放大器U1和第一MOS晶体管P1。其中，所述运算放大器U1的第一输入端接入所述参考电压Vref，其第二输入端耦接所述电路模块10的电源端；所述第一MOS晶体管P1的控制端耦接所述运算放大器U1的输出端，其第一端耦接所述电容C1的第一端，其第二端耦接所述电路模块10的电源端。

优选地，所述采用电容C1两端的电压直接或者间接地为所述电路模块10供电还可以包括以下步骤：在对所述电路模块10的工作电流开始检测前，控制所述第一MOS晶体管P1关断，在对所述电路模块10的工作电流开始检测时，控制所述第一MOS晶体管P1导通。

关于本发明实施例中所述电路模块10的工作电流检测方法的详细信息请参见前文对图1至图5的相关描述，此处不再赘述。虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种电路模块的工作电流检测方法，其特征在于，包括：

采用电容两端的电压直接或者间接地为所述电路模块供电；

获取单位时间内所述电容两端的电压变化量；

获取所述电容的容值；

根据单位时间内所述电容两端的电压变化量和所述电容的容值确定所述电路模块的工作电流。

2.根据权利要求1所述的电路模块的工作电流检测方法，其特征在于，所述采用电容两端的电压直接或者间接地为所述电路模块供电之前，还包括：

在对所述电路模块的工作电流开始检测前，采用第一电源电压对所述电容进行充电，在对所述电路模块的工作电流开始检测时，控制所述第一电源电压停止对所述电容进行充电。

3.根据权利要求2所述的电路模块的工作电流检测方法，其特征在于，所述采用电容两端的电压直接或者间接地为所述电路模块供电还包括：

将所述电路模块的电源端的电压维持在等于参考电压，所述参考电压等于所述电路模块的标称供电电压。

4.根据权利要求3所述的电路模块的工作电流检测方法，其特征在于，采用电压维持模块将所述电路模块的电源端的电压维持在等于所述参考电压；所述电压维持模块包括：

所述运算放大器，其第一输入端接入所述参考电压，其第二输入端耦接所述电路模块的电源端；

第一MOS晶体管，其控制端耦接所述运算放大器的输出端，其第一端耦接所述电容的第一端，其第二端耦接所述电路模块的电源端。

5.根据权利要求4所述的电路模块的工作电流检测方法，其特征在于，所述采用电容两端的电压直接或者间接地为所述电路模块供电还包括：

在对所述电路模块的工作电流开始检测前，控制所述第一MOS晶体管关断，在对所述电路模块的工作电流开始检测时，控制所述第一MOS晶体管导通。

6.一种电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，包括：

电容，直接或者间接地耦接所述电路模块的电源端，所述电容两端的电压用于为所述电路模块供电；

电压检测模块，适于对所述电容两端的电压进行检测，以根据单位时间内所述电容两端的电压变化量和所述电容的容值确定所述电路模块的工作电流。

7.根据权利要求6所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，还包括：

第一开关器件，其第一端接入第一电源电压，其第二端耦接所述电容的第一端，所述电容的第二端接参考端，所述第一开关器件适于在对所述电路模块的工作电流开始检测前受控导通，在对所述电路模块的工作电流开始检测时受控关断，其中，所述第一开关器件受控导通时，所述第一电源电压对所述电容充电。

8.根据权利要求7所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，还包括：

电压维持模块，接入参考电压，所述电容的第一端经由所述电压维持模块耦接至所述电路模块的电源端，所述电压维持模块适于维持所述电路模块的电源端的电压等于参考电压，所述参考电压等于所述电路模块的标称供电电压。

9.根据权利要求8所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，所述电压维持模块包括：

运算放大器，其第一输入端接入所述参考电压，其第二输入端耦接所述电路模块的电源端；

第一MOS晶体管，其控制端耦接所述运算放大器的输出端，其第一端耦接所述电容的第一端，其第二端耦接所述电路模块的电源端。

10.根据权利要求9所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，还包括：

第二开关器件，其第一端接入第一控制电压，其第二端耦接所述第一MOS晶体管的控制端，所述第二开关器件适于在对所述电路模块的工作电流开始检测前受控导通，以使得所述第一控制电压传输至所述第一MOS晶体管的控制端并控制所述第一MOS晶体管关断，所述第二开关器件还适于在对所述电路模块的工作电流开始检测时受控关断。

11.根据权利要求10所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管，所述运算放大器的第一输入端为其负输入端，所述运算放大器的第二输入端为其正输入端，所述电容两端的电压大于所述参考电压。

12.根据权利要求11所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，所述运算放大器在第二电源电压和第三电源电压的供电下工作，所述第二电源电压大于所述第三电源电压，所述第一控制电压等于所述第二电源电压，所述第二电源电压大于所述电容两端的电压与所述第一MOS晶体管的阈值电压之和。

13.根据权利要求8所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，还包括：参考电压发生器，适于提供所述参考电压。

14.根据权利要求6至13中任一项所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，所述工作电流检测电路与所述电路模块集成于同一芯片中，或者外置于所述电路模块所处的芯片。

15.根据权利要求6至13中任一项所述的电路模块的工作电流检测电路，其特征在于，所述电路模块设置于物联网设备或可穿戴设备中。