CN109073558B - 可激活的表面增强拉曼光谱传感器平台 - Google Patents
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Abstract
可激活的SEL传感器平台可包括基板、由基板支撑并彼此隔离的基于阳离子金属的材料团块以及在基于阳离子金属的材料团块上的介电覆盖层，以抑制基于阳离子金属的材料团块的氧化。
Description
背景技术
表面增强发光(SEL)技术，例如表面增强拉曼光谱(SERS)，利用增强感测灵敏度的表面、基板或平台(stage)。在感测光与分析物的相互作用期间，该平台支撑溶液或特定分析物。感测的光相互作用可用于识别分析物的特征。
附图说明
图1是示例性SEL平台的顶视图。
图2是图1的示例性SEL平台的剖视图。
图3是用于形成示例性SEL平台的示例性方法的流程图。
图4是用于激活和使用SEL平台的示例性方法的流程图。
图5是图1的示例性SEL平台在激活期间的俯视图。
图6是图1的示例性SEL平台在激活之后的剖视图。
图7是图5的示例性SEL平台在激活之后和SEL感应期间的顶视图。
图8是图7的示例性SEL平台在SEL感测期间的剖视图。
图9是示例性SEL平台的顶视图。
图10是图9的示例性SEL平台的剖视图。
图11是示例SEL平台的顶视图。
图12是图11的示例SEL平台的剖视图。
图13是示例性SEL平台的顶视图。
图14是图13的示例性SEL平台的剖视图。
具体实施方式
本公开描述了用于SEL感测的各种示例性表面增强发光(SEL)平台。该平台有利于使用基于阳离子金属的材料，该材料可降低这种平台的成本。例如，该平台可通过抑制基于银的材料的氧化直到通过施加刺激来激活该平台，来促进使用基于银的材料。在一些实施方式中，该平台利于选择性激活基于阳离子金属的材料的不同隔离团块(mass)以定制或微调平台的性能。
图1和2示出了示例性表面增强发光(SEL)平台20的一部分。平台20用作平台或下面的表面，用于支撑使用SEL测试和分析的溶液或特定分析物。为了本公开的目的，表面增强发光(SEL)平台包括与沉积的分析物相互作用的表面，以便增强由分析物散射、反射或再发射的辐射的强度。平台20增强了在被来自辐射源的辐射冲击时由分析物散射、反射或再发射的辐射量或光子数量。在一个实施方式中，SEL平台包括增强的荧光光谱表面或增强的发光光谱表面。在一个实施方式中，SEL平台包括表面增强拉曼光谱(SERS)表面。
平台20利于使用基于阳离子金属的材料，该材料可以使这种平台20的成本降低。例如，在一个实施方式中，平台20通过抑制基于银的材料的氧化直到通过施加刺激来激活平台20，来促进基于银的材料的使用。在一些实施方式中，平台20促进选择性激活基于阳离子金属的材料的不同隔离团块以定制或微调平台20的性能。
平台20包括基板24、基于阳离子金属的材料团块28、扩散屏障32和覆盖层36。基板24包括支撑团块28的材料的基底层。在所示的示例中，基板24可由抵抗基于阳离子金属的材料团块28扩散的材料形成。在一个实施方式中，基板24包括扩散屏障材料，其扩散系数小于银离子的扩散系数。可用作扩散屏障并且可由其形成基板24的材料的例子包括但不限于SiN、SiC、TiN和SI3N4。
基于阳离子金属的材料团块28包括被支撑在基板24上方且彼此间隔开的基于阳离子金属的一种或多种材料的团块。团块28包括不同的基于阳离子金属的一种或多种材料的岛。在一个实施方式中，每个团块28包括基于银的材料。为了公开的目的，基于银的材料为包括银离子的材料。例如，基于银的材料包括块状银或氧化银。各个团块28沿着基板24的表面与其他团块28隔离。
扩散屏障32在团块28之间延伸并且使团块28彼此隔离。扩散屏障32的扩散系数小于相邻基于阳离子金属的材料团块28的扩散系数。在一个实施方式中，扩散屏障32对于基于阳离子金属的材料团块28的扩散是不可渗透的。扩散屏障32抑制团块28扩散成彼此连接或接触。在每种情况下，面向覆盖层36的每个团块28的至少部分未被扩散屏障32覆盖或阻挡，使得团块28在接受刺激时可通过覆盖的覆盖层36扩散。
在一个实施方式中，扩散屏障32完全包围每个团块28的侧面并且从一个团块28连续延伸到另一团块28。在其他实施方式中，扩散屏障32在每个团块28侧面的周围连续延伸，以便对每个团块28进行排列。在一个实施方式中，扩散屏障32包括在各个团块28周围延伸，没有任何固体或液体的空隙或空间。在一个实施方式中，空隙或空间没有气体并且是真空空隙。在另一实施方式中，空隙或空间包含诸如空气的气体。
在其他实施方式中，扩散屏障32包括围绕团块28的侧面以及团块28之间延伸的固体或液体扩散不可渗透材料的壁、涂层、膜或层。形成扩散屏障32的一种或多种材料的扩散系数小于基于阳离子金属的材料团块28的扩散系数。在一个实施方式中，形成扩散屏障32的一种或多种材料对于团块28的扩散是不可渗透的。可以形成扩散屏障32的材料的例子包括但不限于SiN、SiC、TiN、SI3N4及其合金，以及WO的合金。
覆盖层36包括在团块28上延伸的至少一层介电材料，将团块28夹在覆盖层36和基板24之间。覆盖层36减缓或抑制形成基于阳离子金属的材料团块28的氧化。同时，覆盖层36由阻挡或抵抗基于阳离子金属的材料团块28的扩散的一种材料或一组材料形成，但是响应于被刺激的基于阳离子金属的物质，其提供团块28的加速扩散。基于阳离子金属的材料团块28扩散通过覆盖层36使得基于阳离子金属的材料沉积或形成在覆盖层36的表面上，或使得基于阳离子金属的材料团块28扩散通过覆盖层36，和可以存在于覆盖层36和团块28之间，或者其可以在覆盖层36之上和上方延伸的任何另外的非扩散阻挡材料层。
在一个实施方式中，覆盖层36包括多孔介电层，该多孔介电层相对于基于银的材料具有低扩散系数，但是响应于被刺激的基于银的材料，其为基于银的材料提供加速的扩散速率。例如，在一个实施方式中，覆盖层36可包含TEOS氧化物(SiO2)。在其他实施方式中，覆盖层36可由其他材料形成。
虽然平台20被图示为包括等距间隔的团块28的二维阵列，但是在其他实施方式中，平台20可包括隔离的团块28的其他排列或图案。例如，在一个实施方式中，团块28可具有其他预定义的和受控的图案。例如，在其他实施方式中，团块28可排列成多个组或簇，其中簇彼此间隔第一距离，而各个簇的各个团块28彼此间隔小于第一距离的第二距离。尽管团块28被图示为正方形，但在另一实施方式中，团块28可具有其他形状，例如圆形、椭圆形等。尽管团块28各自图示为具有相同的尺寸，但是在其他实施方式中，团块28可具有不同的尺寸。在一些实施方式中，团块28的尺寸、布局和形状可以是随机的，而在其他实施方式中，团块28的尺寸、布局和形状中的至少一个可以被精确地控制或图案化。应当理解，尽管为了说明1中的每个层，基板24被图示为延伸超过覆盖层36，但是基板24和覆盖层36可以是共同延伸的。
图3是用于形成SEL平台的示例方法100的流程图。为了讨论的目的，方法100被描述为执行以形成图1和2中所示的示例性SEL平台20。应当理解，方法100同样可用于形成下文公开的任何示例性平台以及SEL平台20的其他变型。
如框104所示，在基板24上形成基于阳离子金属的材料团块28。如框108所示，在团块28之间形成扩散屏障32，以便使团块28彼此隔离。在一个实施方式中，材料团块28可在基板24上形成，然后在其之间形成扩散屏障32。在另一实施方式中，可首先形成扩散屏障32，其中在已形成的扩散屏障32之间形成材料团块。在仍其他实施方式中，可同时形成团块28和扩散屏障32。
在一个实施方式中，可通过将开口或井蚀刻到基板24中来形成平台20，其中基板24包括如上所述的扩散屏障材料的层。然后将基于阳离子金属的材料，例如银或氧化银，沉积在蚀刻的基板上，填充基板24的表面中蚀刻的空腔或凹陷。然后可使用化学机械抛光(CMP)或化学机械平面化来除去在蚀刻的井、空腔或凹陷上方延伸的所施加的基于阳离子金属的材料的那些部分。这使得基板24中的不同袋被基于阳离子金属的材料填充，其中围绕这些袋的基板用作扩散屏障32。然后通过施加覆盖层，例如通过等离子体增强化学气相沉积(PEVCD)，覆盖基于阳离子金属的材料填充的井、空腔或凹陷。在其他实施方式中，框104、108和112中标识的那些过程可以以其他方式执行。
由方法100产生的SEL平台，例如SEL平台20，减缓或阻止了基于阳离子金属的团块28的氧化和其他反应，直到平台20被激活。在这种激活之前，覆盖层36的介电材料防止或减缓团块28与氧的接触。图4是示出用于激活和使用由方法100产生的这种SEL平台(例如SEL平台20)的示例性方法200的流程图。图5和图6示出了SEL平台20的激活的一个示例，准备SEL平台20以用于SEL。图7和8示出了在SEL感测期间激活的SEL平台20的一个示例性用途。
如框204所示的并且在图5和6中示出，扩散刺激器300将刺激301施加到覆盖层36下方隔离的基于金属的材料的团块28。刺激使得向其施加刺激的那些基于阳离子金属的材料团块28通过介电帽，覆盖层36，扩散到平台20的外表面302上，以在外表面上形成基于阳离子金属的材料的纳米颗粒的新鲜(未氧化的或非反应的)间隔开和隔离的密集区域308。在基于阳离子金属的材料包括块状银或氧化银的实施方式中，银离子通过覆盖层36扩散到平台20的外表面上。在所图示的实施例中，平台20的外表面(其上基于阳离子金属的材料形成区域308)为覆盖层36的外部服务。在其他实施方式中，覆盖层36本身可以覆盖有另一层或其他层，基于阳离子金属的材料通过该另一层或其他层扩散，直到到达包括覆盖层36的层堆叠的外表面。在一些实施方式中，附加层或多个附加层可位于团块28和覆盖层36之间，其中基于阳离子金属的材料扩散通过这样的附加层，然后通过覆盖层36扩散到其上形成岛38的外表面。
可以通过扩散刺激器300通过加速基于阳离子金属的材料通过覆盖层36的扩散来激活平台20的刺激301的例子包括但不限于施加热、施加电场以引起电迁移以及使用电子束。在一些实施方式中，磁致伸缩可用于改变覆盖层36的晶格从而也改变至少部分覆盖层36的扩散系数以加速扩散以激活平台20以供使用。在一个实施方式中，扩散刺激器300以热的形式施加刺激301。在一个实施方式中，扩散刺激器300施加刺激300，并且通过激光施加热量形式的刺激300。例如，在基于阳离子金属的材料包括块状银或氧化银的实施方式中，扩散刺激器300施加热以将至少选定的团块28的温度升高到至少280摄氏度的温度从而加速银离子通过覆盖层36的扩散。在其他实施方式中，根据基于阳离子金属的团块28的材料和覆盖层36的组成和厚度，可将这样的团块28加热到其他温度。
尽管扩散刺激器300被示意性地图示为从平台20的顶部或上方施加刺激301，但在其他实施方式中，扩散刺激器300可从平台20下方或从下面的基板24施加刺激301。例如，在一些在实施方式中，基板24可包括在团块28下方的发热电阻器。在其他实施方式中，可提供由基板24嵌入或支撑的结构或电极以选择性地提供电场从而引起电迁移以激活平台20。
在一些实施方式中，在覆盖层36下方的预定义的基于阳离子金属的每个团块28被同时激活。换句话说，刺激301同时施加到每个团块28，使得每个基于阳离子金属的材料团块28同时通过覆盖层36扩散到平台20的外表面。
在仍其他实施方式中，可通过施加刺激来激活覆盖层36下面的全部数量的团块28的子集或部分。例如，在一个实施方式中，扩散刺激器300可由控制器312控制，以选择性地激活所选定的团块28。控制器312可包括处理单元，该处理单元查询存储的识别覆盖层36下方的不同团块位置的地图。控制器312可通过诸如触摸屏、键盘等的输入设备接收对通过施加刺激而被激活的不同团块28的期望图案的选择。
为了本申请的目的，术语“处理单元”应表示当前开发的或未来开发的计算硬件，其执行包含在存储器中的指令序列。执行指令序列使处理单元进行诸如产生控制信号的步骤。指令可以加载到随机存取存储器(RAM)中，以便由处理单元从只读存储器(ROM)、大容量存储设备或一些其他永久存储器执行。在其他实施方式中，可以使用硬连线电路代替软件指令或与软件指令组合以实现所描述的功能。例如，控制器312可以具体化为一个或多个专用集成电路(ASIC)的一部分。除非另有明确说明，否则控制器不限于硬件电路和软件的任何特定组合，也不限于由处理单元执行的指令的任何特定源。
如图4中的框206所示并且在图7和8中示出，将包含待测分析物的溶液316沉积在外表面302上和至少一些区域308上。如图4中的框208所示并且由图7和8进一步示出，SEL在表面302上的溶液316上执行。具体地，如图7所示，SEL光源(LS)和传感器单元320将光324引导到表面302以及被溶液316覆盖的至少一些区域308上。在一个实施方式中，SEL光源LS包括激光器。SEL光源和传感器单元320还用作扩散刺激器300，其中单元320可包括两个激光器，一个激光器用于执行扩散刺激，另一个激光器用于执行SEL照射。在其他实施方式中，扩散刺激器300及其控制器312，以及SEL光源和传感器单元320及其控制器可以是分开的单元。在一个实施方式中，控制器312控制单元320以选择性地撞击包含所形成区域308的表面302的那些区域。
如图7进一步所示，光324与区域308上的溶液的分析物相互作用。从分析物328发射、散射或透射的光通过作为单元320的一部分提供的光学传感器收集。由传感器320的光学传感器输出的信号被控制器312接收。控制器312分析信号以确定溶液316中感兴趣的分析物的特征。
图9和10示出了一个示例性SEL平台420。平台420包括基板424、扩散屏障层426、基于阳离子金属的团块428和介电覆盖层36(如上所述)。基板424包括支撑团块428的材料基底层。在所图示的示例中，基板424可由抵抗基于阳离子金属的团块428的材料的扩散的材料形成。在所图示的示例中，因为扩散屏障层426减缓或阻止基于阳离子金属的材料团块428的扩散，所以基板424可以由其他材料形成，具有更高扩散系数的材料，例如扩散系数大于团块428的基于阳离子金属的扩散系数。
扩散屏障层426包括扩散系数大于团块428的基于阳离子金属的材料的扩散系数的材料层。在一个实施方式中，层426对于团块428的基于阳离子金属的材料的扩散是不可渗透的。扩散屏障层426抑制团块28扩散成彼此连接或接触。面对覆盖层36的每个团块428的至少部分未被层426覆盖或阻挡，使得团块428在接受刺激时可通过覆盖的覆盖层36扩散。可形成扩散屏障层426的材料的例子包括但不限于SiN、SiC、TiN和SI3N4及其合金或其组合。
在所图示的示例中，层426包括容纳团块428的井430。每个井430部分地延伸到层426中，使得每个井430的底面和侧壁由层426提供。在井430内沉积或形成团块428。团块428类似于上述团块28，不同之处在于团块428被图示为具有圆柱形状。与平台20中的覆盖层36一样，平台420中的覆盖层36在团块428上延伸，将团块428夹在覆盖层36和基板424之间。覆盖层36减缓或抑制形成团块428的基于阳离子金属的材料的氧化。同时，覆盖层36由阻挡或阻止团块428的基于阳离子金属的材料的扩散的材料或材料组形成，但是响应于被刺激的基于阳离子金属的材料，其提供团块428的加速扩散。通过覆盖层36扩散团块428的基于阳离子金属的材料，使得基于阳离子金属的材料沉积或形成在覆盖层36的表面上，或使得基于阳离子金属的材料团块428扩散通过覆盖层36以及可存在于覆盖层36和团块428之间，或者可在覆盖层36之上和上方延伸的任何另外的非扩散层。
在一个实施方式中，覆盖层36包括多孔介电层，该多孔介电层相对于基于银的材料具有低扩散系数，但是响应于被刺激的基于银的材料，其为基于银的材料提供加速的扩散速率。例如，在一个实施方式中，覆盖层36可包含TEOS氧化物(SiO2)。在其他实施方式中，覆盖层36可由其他材料形成。
如虚线所示，在一些实施方式中，平台420可包含作为扩散刺激器300的一部分的元件(示意性地显示在图5中)。在所图示的示例中，平台420可另外包括刺激施加器440。每个施加器440用于将刺激选择性地施加到井430内的团块428的基于阳离子金属的材料。在所图示的示例中，每个单独的团块428可以设置有单独的指定的刺激施加器440，便于将刺激施加到各个团块428。在其他实施方式中，平台420可包括用于所有团块428的单个刺激施加器，或者可包括多个刺激施加器，其中每个刺激施加器将刺激施加到全部数量的团块428的多个团块428的子集。
在所图示的示例中，刺激施加器440由基板424支撑，基板424通常与包含团块428的每个井430相对并且在每个井430下方。在所图示的示例中，移动施加器4和40至少部分地嵌入基板424内。在其他实施方式中，可在层426中提供刺激施加器440。在所图示的示例中，每个刺激施加器440都具有电接触垫、端口或其他便于连接到外部单独控制器444的机构。在其他实施方式中，控制器444可以合并为平台420的一部分。
在一个实施方式中，每个刺激施加器440都包括加热器，以将热形式的刺激施加到相关联的团块428。例如，在一个实施方式中，每个刺激施加器440都包括电阻器和相关联的晶体管，以选择性地横跨电阻器提供电流，从而选择性地产生热量。在其他实施方式中，每个刺激施加器440都可包括电极，所述电极布置成相对于相关联的团块428产生电场，以引起相关团块428的基于阳离子金属的材料通过覆盖层36的电迁移和扩散。在其他实施方式中，刺激施加器440可包括其他机构，当被激活时，加速基于阳离子金属的材料从井430通过覆盖层36扩散到外表面302上。
图11和12示出了示例性SEL平台520。平台520类似于平台420，不同之处在于平台520包括扩散屏障层526、井形成层529和井侧壁衬垫532。平台520的对应于平台420的其余组件以类似方式编号。
扩散屏障层526类似于扩散屏障层426，不同之处在于层526本身不包括井，但包括在层529中形成的井530下面的层。在一个实施方式中，层526具有至少0.3μm的厚度。层529包括在其中形成井530的层526上形成的层。井532完全延伸通过层529。层529可包括具有与基于阳离子金属的团块428相比更高的扩散系数的材料。在一个实施方式中，层529可由诸如铜、镍、金等材料形成。
井侧壁衬垫532包括排列形成层529的井532的内侧壁的层。侧壁衬垫532的扩散系数小于层529的材料的扩散系数。侧壁衬垫532的扩散系数小于井530中的团块428的基于阳离子金属的材料的扩散系数。在一个实施方式中，侧壁衬垫532由形成扩散屏障层526的相同材料形成。侧壁衬垫530有助于由扩散系数大于团块428的基于阳离子金属的材料的扩散系数的材料形成层529。在一个实施方式中，侧壁井衬垫532由诸如SiN、SiC、TiN和SI3N4的材料形成，并且具有至少0.3μm的厚度。
图13和14示出了示例性SEL平台620。平台620类似于平台420，不同之处在于平台620包括井形成层629代替扩散屏障层426并且进一步包括井衬垫632。平台620的对应于平台420的组件的那些剩余组件被类似地编号。
井形成层629形成井630。井形成层629类似于上述井形成层529，不同之处在于层629形成或限定每个井630的侧壁和底面。层629可包括具有与基于阳离子金属的团块428相比更高的扩散系数的材料。在一个实施方式中，层629可由诸如铜、镍、金等材料形成。井630部分地延伸到层629中并包含基于阳离子金属的材料428。
井衬垫632包括覆盖井630的底面和侧壁的涂层、膜或其他材料层。形成井衬垫632的材料的扩散系数小于层629的材料的扩散系数。侧壁衬垫632的扩散系数小于井630中的团块428的基于阳离子金属的材料的扩散系数。侧壁衬垫632有助于由扩散系数大于团块428的基于阳离子金属的材料的扩散系数的材料形成层629。在一个实施方式中，侧壁井衬垫632由诸如SiN、SiC、TiN和SI3N4的材料形成并且具有至少0.3μm的厚度。
尽管已经参考示例性实施方式描述了本公开，但是本领域技术人员将认识到，在不背离所要求保护的主题的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行改变。例如，尽管可能已经将不同的示例性实施方式描述为包括提供一个或多个益处的一个或多个特征，但是可以预期所描述的特征可以彼此互换或者可选地在所描述的示例性实施方式或在其他可替代实施方式中彼此组合。因为本公开的技术相对复杂，所以并非技术的所有变化都是可预见的。参考示例性实施方式描述并在以下权利要求中阐述的本公开明显旨在尽可能广泛。例如，除非另外明确指出，否则叙述单个特定元件的权利要求也包括多个这样的特定元件。权利要求中的术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅区分不同的元件，并且除非另有说明，否则不与本公开中的元件的特定顺序或特定编号具体相关联。
Claims (12)
1.一种表面增强发光(SEL)传感***，其包括：
可激活的SEL传感器平台，其包括：
基板；
由所述基板支撑的基于阳离子金属的材料团块；
使所述基于阳离子金属的团块间隔开和隔离的扩散屏障；和
所述基于阳离子金属的材料团块上的介电覆盖层，所述介电覆盖层用于抑制所述基于阳离子金属的材料团块的氧化，
其中所述可激活的SEL传感器平台进一步包括含有所述基于阳离子金属的材料团块的井，其中所述扩散屏障包括井侧壁衬垫，
其中每一个所述团块的所述基于阳离子金属的材料，响应于刺激而具有通过所述井侧壁层的第一扩散率，并且响应于所述刺激具有通过所述介电覆盖层的第二扩散率，所述第二扩散率大于所述第一扩散率，
其中所述介电覆盖层由阻挡或抵抗所述基于阳离子金属的材料团块的扩散的一种材料或一组材料形成，但是响应于被刺激的所述基于阳离子金属的材料，其提供团块的加速扩散，所述基于阳离子金属的材料团块扩散通过所述介电覆盖层使得所述基于阳离子金属的材料沉积或形成在所述介电覆盖层的表面上，或使得所述基于阳离子金属的材料团块扩散通过所述介电覆盖层以及可存在于所述介电覆盖层和团块之间或者可在所述介电覆盖层之上和上方延伸的任何另外的非扩散阻挡材料层，并且
其中所述刺激选自由下述组成的组中的刺激：热、电场、电子束和磁致伸缩。
2.根据权利要求1所述的SEL传感***，其中所述扩散屏障包括使所述基于阳离子金属的材料团块间隔开的空隙。
3.根据权利要求1所述的SEL传感***，其中所述第一扩散率为零。
4.根据权利要求1所述的SEL传感***，其中每个井进一步包括底面，并且其中所述扩散屏障进一步包括井底面衬垫，其中每一个所述团块的所述基于阳离子金属的材料响应于所述刺激具有通过所述井底面衬垫的第三扩散率，所述第三扩散率小于所述第二扩散率。
5.根据权利要求1所述的SEL传感***，其中所述扩散屏障各自包括扩散系数小于银离子的扩散系数的至少一种扩散屏障材料。
6.根据权利要求1所述的SEL传感***，其中每一个所述团块的所述基于阳离子金属的材料包括基于银的材料。
7.根据权利要求1所述的SEL传感***，进一步包括扩散刺激器，用于将所述刺激选择性地施加到所述介电覆盖层下面选定的所述基于阳离子金属的材料团块中。
8.根据权利要求7所述的SEL传感***，其中所述扩散刺激器由所述基于阳离子金属的材料团块下方的所述基板支撑。
9.一种用于致动和使用包括根据权利要求1-8中任一项所述的表面增强发光(SEL)传感***的可激活的表面增强拉曼光谱传感器平台的方法，所述方法包括：
向隔离的基于阳离子金属的材料团块施加刺激，以使得所述基于阳离子金属的材料通过介电帽扩散到表面上；
对所述表面上的分析物进行表面增强发光。
10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述刺激施加到所述隔离的所述基于阳离子金属的材料团块包括将所述刺激选择性地施加到全部数量的隔离的基于阳离子金属的材料团块的子集。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述基于阳离子金属的材料团块通过使所述基于阳离子金属的材料团块间隔开的扩散屏障来隔离。
12.一种用于形成包括根据权利要求1-8中任一项所述的表面增强发光(SEL)传感***的表面增强发光(SEL)平台的方法，其包括：
在基板上形成基于阳离子金属的材料团块；
在所述基于阳离子金属的材料团块彼此之间形成扩散屏障并将其隔离；和
在所述基于阳离子金属的材料团块上形成介电覆盖层。
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