CN108879648A

CN108879648A - 一种电源保护电路

Info

Publication number: CN108879648A
Application number: CN201710339801.4A
Authority: CN
Inventors: 张�浩; 李先银; 李剑钊; 张勇进; 宋震煜; 马海波
Original assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Current assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Priority date: 2017-05-15
Filing date: 2017-05-15
Publication date: 2018-11-23

Abstract

本发明公开了一种电源保护电路，涉及电子技术领域，用于防止电源线正负极接反或者电源线负极脱落导致的负载设备外壳带电。电源保护电路包括：开关控制电路和负极防反向电路；开关控制电路包括第一电阻、第二电阻、第一MOSFET，第一MOSFET为P沟道MOSFET，第一MOSFET的源极以及第一电阻的第一端连接至电源保护电路的第一输入端，第一MOSFET的栅极连接至第一电阻的第二端以及第二电阻的第一端，第一MOSFET的漏极连接至负载设备的正极，第二电阻的第二端以及负极防反向电路的第一端连接至电源保护电路的第二输入端，负极防反向电路的第二端连接至负载设备的负极；第一MOSFET的栅源极开启电压V_th1、第一电阻的阻值R1和第二电阻的阻值R2满足：‑V_in*R1/(R1+R2)＜V_th1＜0。本发明实施例应用于车载设备。

Description

一种电源保护电路

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种电源保护电路。

背景技术

目前，越来越多的车载设备接入到车载供电***中，在车辆不点火的情况下，车载设备由车载电池供电，所有车载设备的接地端(例如单板地和车载设备外壳)都会与电池负极共地。而在各种车载环境(比如：公交车、小汽车、大巴、地铁、高铁列车等)中，由于无标准统一的接口连接器，所使用的电源接口连接器类型也不同。因此在很多情况下电源线都是无连接器的裸线，在现场连接时需要开放接线(即现场使用工具进行剥线和接线)，经常会出现电源线正负极接反或者电源线负极脱落的问题，从而导致车载设备外壳带电。由于车体金属一般与电池负极相连，如果此时车载设备外壳与车体金属搭接，会出现瞬态大电流，从而出现打火现象。

发明内容

本申请提供一种电源保护电路，用于防止电源线正负极接反或者电源线负极脱落导致的负载设备外壳带电的问题。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

第一方面，提供了一种电源保护电路，该电路包括：开关控制电路和负极防反向电路；其中，开关控制电路包括第一电阻、第二电阻、第一金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，第一MOSFET为P沟道MOSFET，第一MOSFET的源极以及第一电阻的第一端连接至电源保护电路的第一输入端，第一MOSFET的栅极连接至第一电阻的第二端以及第二电阻的第一端，第一MOSFET的漏极连接至负载设备的正极，第二电阻的第二端以及负极防反向电路的第一端连接至电源保护电路的第二输入端，负极防反向电路的第二端连接至负载设备的负极；第一MOSFET的栅源极开启电压V_th1、第一电阻的阻值R1和第二电阻的阻值R2满足：-V_in*R1/(R1+R2)＜V_th1＜0，其中，V_in为电源的输入电压；当电源的正极连接至第一输入端并且电源的负极连接至第二输入端时，负极防反向电路的第一端与第二端导通，第一MOSFET的源极与漏极导通，以使得电源通过电源保护电路向负载设备供电；当电源的正极连接至第一输入端并且电源的负极没有连接至第二输入端，或者，电源的负极连接至第一输入端并且电源的正极连接至第二输入端时，负极防反向电路的第一端与第二端截止，第一MOSFET的源极与漏极截止，以断开电源与负载设备的连接。由于单板地和负载设备外壳一般与负载设备的负极连接，所以可以使得电源负极脱落或电源反接时单板地和负载设备外壳不带电。

在一种可能的实现中，第一MOSFET的栅极通过第五电阻连接至第一电阻的第二端以及第二电阻的第一端。第五电阻也被称为栅极电阻，其阻值一般较小，该设计用于防止第一MOSFET产生栅极振荡以及在第一MOSFET进入深度饱和时进行限流。

在一种可能的实现中，第一电阻还并联有第一电容，第一电容的第一端连接至第一电阻的第一端，第一电容的第二端连接至第一电阻的第二端。第一电容主要用于延长第一MOSFET的充电时间。

在一种可能的实现中，第一电阻还并联有第一稳压二极管，第一稳压二极管的阴极连接至第一电阻的第一端，第一稳压二极管的阳极连接至第一电阻的第二端。第一稳压二极管的稳压值应该小于第一MOSFET的栅源极的最大耐压值，防止栅源极电压超过栅源极的最大耐压值后烧坏第一MOSFET。

在一种可能的实现中，第一输入端与第二输入端之间还连接有双向瞬态抑制二极管TVS。该设计可以有效抑制电源瞬态高压

在一种可能的实现中，在第一输入端与电源连接处还设置有第一保险丝，在第二输入端与电源连接处还设置有第二保险丝。当后级电路出现短路时，第一保险丝或第二保险丝可以快速熔断，有效保护电源及后级电路。

在一种可能的实现中，负极防反向电路包括：第三电阻、第四电阻、第二MOSFET，第二MOSFET为N沟道MOSFET，第二MOSFET的漏极为负极防反向电路的第一端，第二MOSFET的源极为负极防反向电路的第二端，第三电阻的第一端连接至负载设备的正极，第三电阻的第二端以及第四电阻的第一端连接至第二MOSFET的栅极，第四电阻的第二端连接至负载设备的负极；第二MOSFET的栅源极开启电压V_th2、第三电阻的阻值R3和第四电阻的阻值R4满足：V_in*R4/(R3+R4)＞V_th2＞0，其中，V_in为电源的输入电压。该设计提供了一种负极向电路的设计方式。

在一种可能的实现中，第四电阻还并联有第二稳压二极管，第二稳压二极管的阴极连接至第四电阻的第一端，第二稳压二极管的阳极连接至第四电阻的第二端。第二稳压二极管的稳压值应该小于第二MOSFET的栅源极的最大耐压值，其用于防止第二MOSFET的栅源极电压超过栅源极的最大耐压值后烧坏第二MOSFET。

在一种可能的实现中，负极防反向电路包括：二极管，二极管的阳极为负极防反向电路的第二端，二极管的阴极为负极防反向电路的第一端。该设计提供了另一种负极向电路的设计方式。

在一种可能的实现中，二极管为肖特基二极管。其可以减小电源路径上的压降。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为本发明实施例提供的一种电源保护电路的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的包括第一种负极防反向电路的电源保护电路在电源正接情况下的示意图；

图3为本发明实施例提供的包括第一种负极防反向电路的电源保护电路在电源负极脱落情况下的示意图；

图4为本发明实施例提供的包括第一种负极防反向电路的电源保护电路在电源反接情况下的示意图；

图5为本发明实施例提供的包括第二种负极防反向电路的电源保护电路在电源正接情况下的示意图；

图6为本发明实施例提供的包括第二种负极防反向电路的电源保护电路在电源负极脱落情况下的示意图；

图7为本发明实施例提供的包括第二种负极防反向电路的电源保护电路在电源反接情况下的示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种电源保护电路的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的又一种电源保护电路的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

需要首先说明的是，为了便于理解，本发明实施例所述的各器件的第一端对应于附图中标号1，第二端对应于附图中标号2，标号1、2并不意在强调器件方向。各附图中带箭头实线表示电源正极导通电流方向，带箭头虚线表示电源负极导通电流方向。本发明实施例所述的负载设备包括但不限于车载设备，还可以应用于其他需要直流电源供电的设备，例如家电、工业设备等。本发明实施例所述的电源包括但不限于车载电源，根据负载设备的不同可以为对应的直流电源。

本发明实施例提供了一种电源保护电路，参照图1中所示，该保护电路包括：开关控制电路11和负极防反向电路12，其中，开关控制电路11包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)Q1。选用MOSFET主要利用其优良的开关特性，例如导通内阻小，正向压降小，功耗低等。

其中，第一MOSFET Q1为P沟道MOSFET(p-channel MOSFET，pMOS)，第一MOSFET Q1的源极(Q1的S管脚)以及第一电阻R1的第一端连接至该电源保护电路的第一输入端13，第一MOSFET Q1的栅极(Q1的G管脚)连接至第一电阻R1的第二端以及第二电阻R2的第一端，第一MOSFET Q1的漏极(Q1的D管脚)连接至负载设备15的正极，第二电阻R2的第二端以及负极防反向电路12的第一端连接至该电源保护电路的第二输入端14，负极防反向电路12的第二端连接至负载设备15的负极。上述保护电路主要实现如下功能：

参照图2或图5中所示，当电源的正极连接至第一输入端13并且电源的负极连接至第二输入端14时(即电源向负载设备正常供电时)，负极防反向电路12的第一端与第二端导通，第一MOSFET Q1的源极与漏极导通，以使得电源通过该电源保护电路向负载设备15供电。

参照图3或图6中所示，当电源的正极连接至第一输入端13并且电源的负极没有连接至第二输入端14时(即电源负极脱落时)，或者，参照图4或图7中所示，当电源的负极连接至第一输入端13并且电源的正极连接至第二输入端14时(即电源反接时)，负极防反向电路12的第一端与第二端截止，第一MOSFET Q1的源极与漏极截止，以断开电源与负载设备15的连接。由于单板地和负载设备外壳一般与负载设备的负极连接，所以可以使得电源负极脱落或电源反接时单板地和负载设备外壳不带电。

为了实现上述功能，第一MOSFET Q1的栅源极开启电压V_th1、第一电阻R1的阻值R1和第二电阻R2的阻值R2需要满足：-V_in*R1/(R1+R2)＜V_th1＜0，其中，V_in为电源的输入电压。具体原因如下：

参照图2或图5中所示，当电源16的正极连接至第一输入端13并且电源16的负极连接至第二输入端14时(即电源向负载设备正常供电时)，第一电阻R1和第二电阻R2构成分压电路，第一MOSFET Q1栅源极电压V_GS1等于第一电阻R1的第二端与第一端的电压差，也就是说，第一MOSFET Q1的栅源极电压V_GS1等于第一电阻R1的分压取负值，即V_GS1＝-V_in*R1/(R1+R2)，例如当第一电阻R1的分压为10V时，第一MOSFET Q1的栅源极电压V_GS1为-10V。

由于第一MOSFET Q1为P沟道MOSFET，所以必须满足其栅源极电压V_GS1低于栅源极开启电压V_th1，即-V_in*R1/(R1+R2)＜V_th1，源极与漏极之间才能导通，此时电源16的正极与负载设备15的正极导通。需要说明的是，当将上述条件进一步限定为V_GS1小于2至3倍的V_th1，即-V_in*R1/(R1+R2)＜(2～3)*V_th1，可以使第一MOSFET Q1工作在深度饱和区。例如，车载电源属于宽压供电，车载电源电压在正常工作时一般为12V/24V，但是其在车辆打火启动过程中有波动，此时的电源电压范围一般在8-36V，选择R1＝330k，R2＝150k，第一MOSFET Q1的V_th1＝-2V，即可满足当V_in为最低压8V时第一MOSFET Q1仍可处于深度饱和状态。

参照图3或图6中所示，当电源16的正极连接至第一输入端13并且电源16的负极没有连接至第二输入端14时(即电源负极脱落时)，第一MOSFET Q1栅源极电压V_GS1等于0，所以必须满足其栅源极电压V_GS1大于栅源极开启电压V_th1，即V_th1＜0，源极与漏极之间才能关断，电源16的正极与负载设备15的正极断开连接。

参照图4或图7中所示，当电源16的正极连接至第二输入端14并且电源16的负极连接至第一输入端13时(即电源反接时)，第一MOSFET Q1栅源极电压满足V_GS1＞0＞V_th1，源极与漏极之间关断，电源16的正极与负载设备15的正极断开连接。

本发明实施例提供的负极防反向电路12可以采用多种电路设计来实现，具体的，图2-4中所示为一种负极防反向电路，图5-7中所示为另一种负极防反向电路。下面对这两种负极防反向电路的原理分别进行描述。

参照图2-4中所示，第一种负极防反向电路12包括：第三电阻R3、第四电阻R4、第二MOSFET Q2，第二MOSFET为N沟道MOSFET(n-channel MOSFET，nMOS)，第二MOSFET Q2的漏极(Q2的D管脚)为负极防反向电路12的第一端，第二MOSFET Q2的源极(Q2的S管脚)为负极防反向电路12的第二端，第三电阻R3的第一端连接至负载设备15的正极，第三电阻R3的第二端以及第四电阻R4的第一端连接至第二MOSFET Q2的栅极(Q2的G管脚)，第四电阻R4的第二端连接至负载设备15的负极。

为了实现上述功能，第二MOSFET Q2的栅源极开启电压V_th2、第三电阻R3的阻值R3和第四电阻R4的阻值R4需要满足：V_in*R4/(R3+R4)＞V_th2＞0，其中，V_in为电源的输入电压。具体原因如下：

参照图2中所示，当电源16的正极连接至第一输入端13并且电源16的负极连接至第二输入端14时(即电源向负载设备正常供电时)，第三电阻R3和第四电阻R4构成分压电路，第二MOSFET Q2的栅源极电压V_GS2等于第四电阻R4的第一端与第二端的电压差，也就是说，第二MOSFET Q2栅源极电压V_GS2等于第四电阻R4的分压值，即V_GS2＝V_in*R4/(R3+R4)。需要说明的是，以上计算过程基于一个前提条件，即由于第一MOSFET Q1导通时的等效电阻很小，通常为几十毫欧，而第三电阻R3和第四电阻R4的电阻很大，通常为上百K欧，所以在第一MOSFET Q1上的压降可以忽略不计。

由于第二MOSFET Q2为N沟道MOSFET，所以必须满足其栅源极电压V_GS2高于栅源极开启电压V_th2，即V_in*R4/(R3+R4)＞V_th2，源极与漏极之间才能导通，此时电源16的负极与负载设备15的负极导通。同样地，当将上述条件进一步限定为V_GS2大于2至3倍的V_th2，即V_in*R4/(R3+R4)＞(2～3)*V_th2，可以使第二MOSFET Q2工作在深度饱和区。例如，选择R3＝100k，R4＝330k，第二MOSFET Q2的V_th2＝2.9V，即可满足当V_in为最低压8V时第二MOSFET Q2仍可处于深度饱和状态。

参照图3中所示，当电源16的正极连接至第一输入端13并且电源16的负极没有连接至第二输入端14时(即电源负极脱落时)，第二MOSFET Q2栅源极电压V_GS2等于0，所以必须满足其栅源极电压V_GS2小于栅源极开启电压V_th2，即V_th2＞0，源极与漏极之间才能关断，电源16的负极与负载设备15的负极断开连接。

参照图4中所示，当电源16的正极连接至第二输入端14并且电源16的负极连接至第一输入端13时(即电源反接时)，第二MOSFET Q2栅源极电压V_GS2＜0＜V_th2，源极与漏极之间关断，电源16的负极与负载设备15的负极断开连接。

参照图5-7中所示，第二种负极防反向电路12包括至少一个二极管D1，二极管D1的阳极(D1的A管脚)为负极防反向电路12的第二端，二极管D1的阴极(D1的C管脚)为负极防反向电路12的第一端，相当于二极管D1的阴极连接至第二输入端14，二极管D1的阳极连接至负载设备15的负极，从二极管D1的阳极至阴极单向导通。二极管D1可以包括多个并联共阴极共阳极的二极管，当并联的二极管数目越多时，通流能力越强。并且二极管D1可以为肖特基二极管，其可以减小电源路径上的压降。

参照图5中所示，当电源16的正极连接至第一输入端13并且电源16的负极连接至第二输入端14时(即电源向负载设备正常供电时)，相当于二极管D1的阴极连接至电源16的负极，可以使得负载设备15的负极与电源16的负极之间导通。

参照图6中所示，当电源16的正极连接至第一输入端13并且电源16的负极没有连接至第二输入端14时(即电源负极脱落时)，相当于二极管D1的阴极通过第二电阻R2和第一电阻R1连接至电源16的正极，可以使得负载设备15的负极与电源16的负极之间断开连接。

参照图7中所示，当电源16的正极连接至第二输入端14并且电源16的负极连接至第一输入端13时(即电源反接时)，相当于二极管D1的阴极连接至电源16的正极，同样可以使得负载设备15的负极与电源16的负极之间断开连接。

参照图8或图9中所示，开关控制电路11还可以包括：第一稳压二极管D2、第五电阻R5、第一电容C1。

第一稳压二极管D2与第一电阻R1并联，第一稳压二极管D2的阴极(D2的C管脚)连接至第一电阻R1的第一端，第一稳压二极管D2的阳极(D2的A管脚)连接至第一电阻的第二端。第一稳压二极管D2的稳压值应该小于第一MOSFET Q1的栅源极的最大耐压值，防止栅源极电压超过栅源极的最大耐压值后烧坏第一MOSFET Q1。例如，第一稳压二极管D2的稳压值可以为12V。

第五电阻R5用于第一MOSFET Q1的栅极通过其连接至第一电阻R1的第二端以及第二电阻R2的第一端。第五电阻R5也被称为栅极电阻，其阻值一般较小，例如可以是33欧，用于防止第一MOSFET Q1产生栅极振荡以及在第一MOSFET Q1进入深度饱和时进行限流。

第一电容C1与第一电阻R1并联，第一电容C1的第一端连接至第一电阻R1的第一端，第一电容C1的第二端连接至第一电阻R1的第二端。第一电容C1主要用于延长第一MOSFET Q1的充电时间，其电容值可以是例如4.7uF。

参照图8或图9中所示，该电源保护电路还可以包括过压保护电路17。该过压保护电路17包括第一输入端13与第二输入端14之间连接的双向瞬态抑制二极管(TransientVoltage Suppressor，TVS)P1，其可以有效抑制电源瞬态高压。

参照图8或图9中所示，该电源保护电路还可以包括过流保护电路18。过流保护电路18包括：在第一输入端13与电源16连接处设置的第一保险丝F1，以及在第二输入端14与电源16连接处设置的第二保险丝F2。当后级电路出现短路时，第一保险丝F1或第二保险丝F2可以快速熔断，有效保护电源及后级电路。需要说明的是，对于电源正负极正接、反接或者负极脱落等情况，第一保险丝F1和第二保险丝F2均可起到上述作用，因此本发明实施例并不限定第一保险丝F1或第二保险丝F2连接至电源的正极还是负极。

对于图2-4中所示的第一种负极防反向电路，与第一MOSFET Q1的保护电路类似的，参照图8中所示，负极防反向电路12还可以包括：第二稳压二极管D3、第六电阻R6。

第二稳压二极管D3与第四电阻R4并联，第二稳压二极管D3的阴极(D2的C管脚)连接至第四电阻R4的第一端，第二稳压二极管D3的阳极(D2的A管脚)连接至第四电阻R4的第二端。第二稳压二极管D3的稳压值应该小于第二MOSFET Q2的栅源极的最大耐压值，其作用与第一稳压二极管D2的作用类似，用于防止第二MOSFET Q2的栅源极电压超过栅源极的最大耐压值后烧坏第二MOSFET Q2。

第六电阻R6用于第二MOSFET Q2的栅极通过其连接至第三电阻R3的第二端以及第四电阻R4的第一端。第六电阻R6的作用与第五电阻R5类似，用于防止第二MOSFET Q2产生栅极振荡以及在第二MOSFET Q2进入深度饱和时进行限流。

本发明实施例提供的电源保护电路，可以实现：(1)防止设备外壳带电。利用MOSFET的开关特性，在电源正负极反接或者电源负极脱落的情况下，将负载设备的负极与电源输入断开，使负载设备外壳不带电；(2)防反接保护。当电源正负极反接时，保护后级电路不被损坏；(3)过流保护，通过在电路两个输入端分别接入保险丝，使得当后级出现短路大电流时，可以快速切断电源输入，保护后级电路不被损坏；(4)过压防护，通过在电路两个输入端之间接入双向瞬态抑制二极管TVS，使得当电源输入端有高电压脉冲时，保护后级电路不被损坏；(5)通过调节分压电阻R1、R2、R3、R3，可实现50V直流甚至更高电压直流电源的搭接防护。

本发明实施例所提供的电路设计仅为示例性的电路设计，通过增加电容、电阻、电感、二极管、三极管、MOSFET等器件，或通过同一类型器件并联或串联实现类似电路结构的设计，同样在本发明实施例的保护范围内。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种电源保护电路，其特征在于，包括开关控制电路和负极防反向电路；其中，所述开关控制电路包括第一电阻、第二电阻、第一金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET，所述第一MOSFET为P沟道MOSFET，所述第一MOSFET的源极以及所述第一电阻的第一端连接至所述电源保护电路的第一输入端，所述第一MOSFET的栅极连接至所述第一电阻的第二端以及所述第二电阻的第一端，所述第一MOSFET的漏极连接至负载设备的正极，所述第二电阻的第二端以及所述负极防反向电路的第一端连接至所述电源保护电路的第二输入端，所述负极防反向电路的第二端连接至所述负载设备的负极；

所述第一MOSFET的栅源极开启电压V_th1、所述第一电阻的阻值R1和所述第二电阻的阻值R2满足：-V_in*R1/(R1+R2)＜V_th1＜0，其中，V_in为电源的输入电压；

当所述电源的正极连接至所述第一输入端并且所述电源的负极连接至所述第二输入端时，所述负极防反向电路的第一端与第二端导通，所述第一MOSFET的源极与漏极导通，以使得所述电源通过所述电源保护电路向所述负载设备供电；

当所述电源的正极连接至所述第一输入端并且所述电源的负极没有连接至所述第二输入端，或者，所述电源的负极连接至所述第一输入端并且所述电源的正极连接至所述第二输入端时，所述负极防反向电路的第一端与第二端截止，所述第一MOSFET的源极与漏极截止，以断开所述电源与所述负载设备的连接。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一MOSFET的栅极通过第五电阻连接至所述第一电阻的第二端以及所述第二电阻的第一端。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻还并联有第一电容，所述第一电容的第一端连接至所述第一电阻的第一端，所述第一电容的第二端连接至所述第一电阻的第二端。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻还并联有第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阴极连接至所述第一电阻的第一端，所述第一稳压二极管的阳极连接至所述第一电阻的第二端，所述第一稳压二极管的稳压值小于所述第一MOSFET的栅源极的最大耐压值。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一输入端与所述第二输入端之间还连接有双向瞬态抑制二极管TVS。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，在所述第一输入端与所述电源连接处还设置有第一保险丝，在所述第二输入端与所述电源连接处还设置有第二保险丝。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负极防反向电路包括：第三电阻、第四电阻、第二MOSFET，所述第二MOSFET为N沟道MOSFET，所述第二MOSFET的漏极为所述负极防反向电路的第一端，所述第二MOSFET的源极为所述负极防反向电路的第二端，所述第三电阻的第一端连接至所述负载设备的正极，所述第三电阻的第二端以及所述第四电阻的第一端连接至所述第二MOSFET的栅极，所述第四电阻的第二端连接至所述负载设备的负极；

所述第二MOSFET的栅源极开启电压V_th2、所述第三电阻的阻值R3和所述第四电阻的阻值R4满足：V_in*R4/(R3+R4)＞V_th2＞0，其中，V_in为所述电源的输入电压。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第四电阻还并联有第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的阴极连接至所述第四电阻的第一端，所述第二稳压二极管的阳极连接至所述第四电阻的第二端，所述第二稳压二极管的稳压值小于所述第二MOSFET的栅源极的最大耐压值。

9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负极防反向电路包括：二极管，所述二极管的阳极为所述负极防反向电路的第二端，所述二极管的阴极为所述负极防反向电路的第一端。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述二极管为肖特基二极管。