CN108878676A - 一种amoled薄膜封装结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种AMOLED薄膜封装结构，其上用于设置触控电极层，包括第一陶瓷层、有机物层和第二陶瓷层。其中所述第二陶瓷层包括第一膜层和第二膜层，所述第二膜层位于所述第一膜层上，且其侧端向内收缩进而在所述第二膜层和第一膜层的侧端处形成一个内凹的第一台阶部。本发明将现有的第二陶瓷层的厚单层结构设计改为多薄膜层叠加结构设计，并在上下膜层侧端处设置内凹的台阶部，从而可以有效的降低第二陶瓷层的侧端部对触控电极层引线的影响，使其有较大的空间位置放置，从而使其不易断裂，进而保证了良率以及产品性能。
Description
技术领域
本发明涉及AMOLED技术领域，尤其是，其中的一种AMOLED薄膜封装结构及其制造方法。
背景技术
已知，随着科学技术的不断进步，成像显示技术也相应的获得了极大的进步。从最初的CRT显示器开始，显示器技术开始了飞速的向前发展，不仅是在显示器本身的体积、重量上，而且在显示原理上也有了很大的不同。
以当前的情况来讲，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)已经取代CRT显示器成为业界的主流应用。但是，虽然LCD显示器具有重量轻、显示效果好等优点，但其还是有一些缺陷。例如，在显示视角、、刷新率、体积以及功耗方面依然存在更进一步的空间。
对此，业界则更进一步的开发出了OLED，以及在OLED的基础上开发出了AMOLED，这种下世代的显示技术。
其中AMOLED由于具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示器件。而目前AMOLED技术正向柔性、薄膜封装和集成触摸功能发展。
以薄膜封装为例，请参阅图2所示，业界常见的AMOLED薄膜封装结构通常是三层结构：一陶瓷层410、一有机物420层再加一陶瓷层430。其中第一陶瓷层410的厚度在10～100nm范围，第二陶瓷层430的厚度在500～2000nm范围，这样才能达到封装所需要的防水防氧效果。
由于集成触控功能屏还要在所述薄膜封装结构上制作触控层结构510、520和530，其中因触控电极层510要通过所述第二陶瓷层430的边界引线到IC绑定区，如图3所示，若是第二陶瓷层430太厚，则过线容易造成510断裂，从而降低良率，影响产品性能。
因此，确有必要开发一种新型的AMOLED薄膜封装结构，来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED薄膜封装结构，其能够有效解决现有薄膜封装结构中存在的触控电极层的过线问题，从而提高其上集成的触摸屏性能，进而提升产品性能。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种AMOLED薄膜封装结构，其上用于设置触控电极层，包括第一陶瓷层、有机物层和第二陶瓷层。其中所述第二陶瓷层包括第一膜层和第二膜层。其中所述第二膜层位于所述第一膜层上，且其侧端向内收缩进而使得所述第二膜层和第一膜层的侧端处形成有一个内凹的第一台阶部
本发明将现有的第二陶瓷层的厚单层结构设计改为双薄膜层结构设计，并在两膜层的侧端处设置内凹的台阶部，从而可以有效的降低第二陶瓷层的侧端部对触控电极层引线部的影响，使其有较大的空间位置放置，从而使其不易断裂，进而保证了良率以及产品性能。
进一步的，其中所述第二陶瓷层并不限于采用2膜层结构，在不同实施方式中，其可以采用多膜层结构设计。例如，其具体可以是3膜层结构、4膜层结构、5膜层结构、6膜层结构等等，具体可随需要而定，并无限定。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二陶瓷层采用的多膜层结构中，其包括的这些膜层优选采用相同厚度。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二陶瓷层采用的多膜层结构中，其中这些膜层的上下膜层侧端处设置的台阶部，其从上层台阶向下每层下级台阶比上级台阶依次扩大30～80um。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一膜层和第二膜层的厚度相等。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二膜层上还设置有第三膜层，所述第三膜层和第二膜层的侧端处设置有内凹的第二台阶部。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一台阶部比第二台阶部扩大30～80um。具体数值可以是30、40、50、60、70、80um，具体随需要而定，并无限定。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第三膜层上还设置有第四膜层，所述第四膜层和第三膜层的侧端处设置有内凹的第三台阶部。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二台阶部比第三台阶部扩大30～80um。具体数值可以是30、40、50、60、70、80um，具体随需要而定，并无限定。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第四膜层上还设置有第五膜层，所述第五膜层和第四膜层的侧端处设置有内凹的第四台阶部。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第三台阶部比第四台阶部扩大30～80um。具体数值可以是30、40、50、60、70、80um，具体随需要而定，并无限定。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层和第五膜层厚度一致。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一膜层的厚度小于所述触控电极层400～200nm。具体数值可以是400、350、300、250、200nm，具体随需要而定，并无限定。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二膜层的厚度小于所述触控电极层400～200nm。具体数值可以是400、350、300、250、200nm，具体随需要而定，并无限定。
进一步的，本发明的又一实施方式提供了一种制造本发明涉及的所述AMOLED封装结构的制造方法，其中在设计所述薄膜封装结构第二陶瓷层的CVD(化学气相沉积)萌罩(mask)时，其采用至少二层结构，并且在两层的上层侧端处设置内凹的台阶部。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述制造方法使用的成膜装置包括至少2个腔体的工艺腔体，其中每个工艺腔体沉积一层薄膜。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述萌罩优选采用5层结构，每层厚度在200～300nm，形成的这些膜层的侧端处形成的台阶部，从上到下每层台阶依次扩大30～80um，而所述成膜装置优选包括5个工艺腔体。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明涉及的一种AMOLED薄膜封装结构，其将现有的薄膜封装结构中的第二陶瓷层由单一层厚膜结构变成多膜层叠加结构，并且这些多层膜的侧端处自下而上采用逐步内凹的台阶部结构设计，使得整个第二陶瓷层侧端处的台阶部成一个内凹的斜度走势，从而有效解决了现有单一厚陶瓷层存在的过线问题，进而提高了其上集成的触摸屏性能，并相应的提升了产品性能。
进一步的，由于本发明涉及的所述薄膜封装结构是采用多层薄膜叠加结构设计，因而可以有效增加薄膜整体的致密性，从而可以减少制造过程中单一厚膜沉积过程中存在的针孔缺陷问题，提高了封装结构的可靠性。
附图说明
图1是本发明涉及的一个实施方式提供的一种AMOLED薄膜封装结构的局部结构示意图；
图2是现有技术中的AMOLED薄膜封装结构的结构示意图；
图3是图2中圆圈部分的放大图。
图1～3中的附图标记说明如下：
第一膜层 431 第二膜层 432
第三膜层 433 第四膜层 434
第五膜层 435
第一陶瓷层 410 有机物层 420
第二陶瓷层 430 触控电极层 510
触控层结构 520、530
具体实施方式
以下将结合附图和实施例，对本发明涉及的一种AMOLED封装结构及其制造方法的技术方案作进一步的详细描述。
本发明的一个实施方式提供了一种AMOLED封装结构，其上用于设置触控电极层，包括第一陶瓷层、有机物层和第二陶瓷层。
请参阅图1所示，其中所述第二陶瓷层包括从下到上依次叠加设置的第一膜层431、第二膜层432、第三膜层433、第四膜层434和第五膜层435。所述第五膜层435之上设置所述触控电极层510。
其中所述第一膜层431、第二膜层432、第三膜层433、第四膜层434和第五膜层435优选为厚度一致，并比所述触控电极层510的厚度小300nm。其中上述膜层厚度数值为举例性说明，具体数值也可以是400、350、300、250、200nm，具体随需要而定，并无限定。
进一步的，其中所述第一膜层431、第二膜层432、第三膜层433、第四膜层434和第五膜层435的侧端处，从下到上依次内凹设置有第一台阶部、第二台阶部、第三台阶部和第四台阶部。这些台阶部从上到下，每层台阶依次扩大50um。即最下的第一台阶部深度最大，最上的第四台阶部深度最小。其中上述台阶扩大数值为举例性说明，具体数值可以是30、40、50、60、70、80um，具体随需要而定，并无限定。
本发明涉及的一种AMOLED薄膜封装结构，其将现有的薄膜封装结构中的第二陶瓷层由单一层厚膜结构变成多膜层叠加结构，并且这些多层膜的侧端处自下而上采用逐步内凹的台阶部结构设计，使得整个第二陶瓷层侧端处的台阶部成一个内凹的斜度走势，从而有效解决了现有单一厚陶瓷层存在的过线问题，进而提高了其上集成的触摸屏性能，并相应的提升了产品性能。
进一步的，由于本发明涉及的所述薄膜封装结构是采用多层薄膜叠加结构设计，因而可以有效增加薄膜整体的致密性，从而可以减少制造过程中单一厚膜沉积过程中存在的针孔缺陷问题，提高了封装结构的可靠性。
进一步的，本发明的又一实施方式提供了一种制造本发明涉及的所述AMOLED封装结构的制造方法，其中涉及制造的所述第二陶瓷层的厚度为1000nm。
其在设计所述薄膜封装结构的第二陶瓷层的CVD(化学气相沉积)萌罩(mask)时，对该萌罩采用五层结构设计，每层厚度为200nm，并且在各层的侧端处设置内凹的台阶部，每层台阶向下依次扩大50um。其中涉及使用的成膜装置，其工艺腔体包括5个腔体，每个工艺腔体沉积一层薄膜。
本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。
Claims (10)
1.一种AMOLED薄膜封装结构，其上用于设置触控电极层，包括第一陶瓷层、有机物层和第二陶瓷层；其特征在于，其中所述第二陶瓷层包括第一膜层和第二膜层；
其中所述第二膜层位于所述第一膜层上，且其侧端向内收缩进而使得所述第二膜层和第一膜层的侧端处形成有一个内凹的第一台阶部。
2.根据权利要求1所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第一膜层和第二膜层的厚度相等。
3.根据权利要求1所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第二膜层上还设置有第三膜层，所述第三膜层和第二膜层的侧端处设置有内凹的第二台阶部。
4.根据权利要求3所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第一台阶部比第二台阶部扩大30～80um。
5.根据权利要求3所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第三膜层上还设置有第四膜层，所述第四膜层和第三膜层的侧端处设置有内凹的第三台阶部。
6.根据权利要求5所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第二台阶部比第三台阶部扩大30～80um。
7.根据权利要求5所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第四膜层上还设置有第五膜层，所述第五膜层和第四膜层的侧端处设置有内凹的第四台阶部。
8.根据权利要求7所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第三台阶部比第四台阶部扩大30～80um。
9.根据权利要求7所述的一种AMOLED薄膜封装结构，其特征在于，其中所述第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层和第五膜层厚度一致；且其中所述第一膜层的厚度小于所述触控电极层400～200nm。
10.一种用于制造权利要求1所述的一种AMOLED薄膜封装结构的制造方法，其特征在于，其中在设计所述薄膜封装结构第二陶瓷层的CVD萌罩时，所述萌罩采用至少二层结构，并且在两层的上层侧端处设置一内凹的台阶部。
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