CN108877991A - 一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,涉及电子材料及薄膜领域,包括以下步骤:(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液;(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理载片,氮气吹干备用;(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,干燥20~120min,得到银纳米线导电薄膜;(4)配置一定浓度的稀硝酸溶液;(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,1~30min中后取出,氮气吹干后,加热处理30~240min后,得到成品,其工艺简单、成本低廉、易于规模化生产。
Description
技术领域
本发明涉及电子材料及薄膜领域,具体涉及一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法。
背景技术
在今天这个物联网时代,社会对于导电薄膜的需求量与日俱增。而在目前市场上,导电薄膜所使用材料基本都是氧化铟锡。但是,作为稀有金属的铟,其在地球上的储量非常有限,同时又难以开采。近年来显示基片价格连续上涨也与铟金属价格上升有极大关系,这不仅影响到了民用显示设备的销售,同时也给科研单位造成了较大的负担。另一方面,铟作为一种脆性金属,玻璃基片又缺乏韧性和延展性,对柔性屏幕和曲面屏幕的生产造成了较大的阻碍。所以,现在市场上急需一种能够改变氧化铟锡缺乏现状、同时还能改善性能的导电薄膜出现。
银纳米线具有出色的导电性和机械强度,同时银储量巨大。含银纳米线的导电薄膜具有诸多优点:制备工艺简单、成本低廉、可重复性好、可制备透明导电薄膜等等。这些优点使得含银纳米线的导电薄膜被广泛研究,成为代替现有导电薄膜的另一种有效途径。同时为了提高银纳米线导电薄膜的性能,对其薄膜表面进行处理也备受关注。目前的表面处理方法工艺复杂、制备成本高。所以需要一种工艺简单、成本低廉、易于规模化生产的处理方法。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,其工艺简单、成本低廉、易于规模化生产。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理载片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,干燥20~120min,得到银纳米线导电薄膜;
(4)配置一定浓度的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,1~30min中后取出,氮气吹干后,加热处理30~240min后,得到成品。
优选地,步骤(1)中混合液浓度为1~15mg/ml。
优选地,步骤(2)中载片为玻片或PVC薄片。
优选地,步骤(3)中干燥温度为25℃。
优选地,步骤(4)中稀硝酸溶液的浓度为0.02~0.5M。
优选地,步骤(5)中热处理温度40~90℃。
(三)有益效果
本发明提供了一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,具有以下有益效果:
本发明所述的高效银纳米线导电薄膜处理方法,具有工艺简单、成本低廉、易于规模化生产等特点,适用于银纳米线导电薄膜的表面处理。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液,混合液浓度为10mg/ml;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理玻片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,25℃干燥60min,得到银纳米线导电薄膜,测量其方阻值为15Ω/;
(4)配置浓度为0.1M的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,10min中后取出,氮气吹干后,加热处理60min后,热处理温度50℃,得到成品,测量其方阻为4Ω/□。
实施例2:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液,混合液浓度为12mg/ml;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理PVC薄片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,25℃干燥100min,得到银纳米线导电薄膜,测量其方阻值为15Ω/;
(4)配置浓度为0.08M的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,20min中后取出,氮气吹干后,加热处理200min后,热处理温度80℃,得到成品,测量其方阻值为3.8Ω/。
实施例3:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液,混合液浓度为5mg/ml;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理PVC薄片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,25℃干燥60min,得到银纳米线导电薄膜,测量其方阻值为15Ω/;
(4)配置浓度为0.3M的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,20min中后取出,氮气吹干后,加热处理100min后,热处理温度80℃,得到成品,测量其方阻值为3.8Ω/。
实施例4:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液,混合液浓度为1mg/ml;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理玻片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,25℃干燥20min,得到银纳米线导电薄膜,测量其方阻值为15Ω/;
(4)配置浓度为0.02M的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,1min中后取出,氮气吹干后,加热处理30min后,热处理温度40℃,得到成品,测量其方阻值为4Ω/。
实施例5:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液,混合液浓度为15mg/ml;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理PVC薄片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,25℃干燥120min,得到银纳米线导电薄膜,测量其方阻值为15Ω/;
(4)配置浓度为0.5M的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,30min中后取出,氮气吹干后,加热处理240min后,热处理温度90℃,得到成品,测量其方阻值为4.1Ω/。
实施例6:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液,混合液浓度为4mg/ml;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理玻片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,25℃干燥40min,得到银纳米线导电薄膜,测量其方阻值为15Ω/;
(4)配置浓度为0.1M的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,15min中后取出,氮气吹干后,加热处理50min后,热处理温度50℃,得到成品,测量其方阻值为4Ω/。
实施例7:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液,混合液浓度为15mg/ml;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理玻片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,25℃干燥120min,得到银纳米线导电薄膜,测量其方阻值为15Ω/;
(4)配置浓度为0.5M的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,1min中后取出,氮气吹干后,加热处理240min后,热处理温度40℃,得到成品,测量其方阻值为4Ω/。
实施例8:
一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液,混合液浓度为15mg/ml;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理玻片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,25℃干燥110min,得到银纳米线导电薄膜,测量其方阻值为15Ω/;
(4)配置浓度为0.25M的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,20min中后取出,氮气吹干后,加热处理150min后,热处理温度80℃,得到成品,测量其方阻值为4Ω/。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (6)
1.一种高效银纳米线导电薄膜的处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将银纳米线与乙醇溶液混合,制成混合液;
(2)分别用去离子水、乙醇、异丙醇超声处理载片,氮气吹干备用;
(3)用刮涂法上述混合液涂到步骤(2)中的载片上,干燥20~120min,得到银纳米线导电薄膜;
(4)配置一定浓度的稀硝酸溶液;
(5)将上述银纳米线导电薄膜浸入配置好的的稀酸溶液中,1~30min中后取出,氮气吹干后,加热处理30~240min后,得到成品。
2.如权利要求1所述的高效银纳米线导电薄膜的处理方法,其特征在于,步骤(1)中混合液浓度为1~15mg/ml。
3.如权利要求1所述的高效银纳米线导电薄膜的处理方法,其特征在于,步骤(2)中载片为玻片或PVC薄片。
4.如权利要求1所述的高效银纳米线导电薄膜的处理方法,其特征在于,步骤(3)中干燥温度为25℃。
5.如权利要求1所述的高效银纳米线导电薄膜的处理方法,其特征在于,步骤(4)中稀硝酸溶液的浓度为0.02~0.5M。
6.如权利要求1所述的高效银纳米线导电薄膜的处理方法,其特征在于,步骤(5)中热处理温度40~90℃。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
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Country Status (1)
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CN (1) | CN108877991A (zh) |
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