CN108812318A - 霸王花组培快繁培养基 - Google Patents

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梁霞丽
韩彰桂
潘喜芳
杨红英
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江月平
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    • A—HUMAN NECESSITIES
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Abstract

本发明公开了一种霸王花组培快繁培养基，包括初代培养基、继代培养基和生根培养基，其中初代培养基的配方为：硝酸钾5‑15mg/L、一水硝酸钙5‑15mg/L、七水硫酸亚铁5‑15mg/L、硝酸铵3‑8mg/L、无水硫酸镁3‑8mg/L、磷酸二氢钾3‑8mg/L、6‑BA 10‑20mg/L、NAA1‑3mg/L、葡萄糖25‑35mg/L、琼脂3‑6mg/L；继代培养基的配方为：MS+6‑BA 0.2‑1mg/L+NAA 0.2‑1mg/L；生根培养基的配方为：1/2MS+IBA0.1‑0.3mg/L。本发明所述培养基能够在较短时间内培育得到大量霸王花种苗。

Description

霸王花组培快繁培养基
技术领域
本发明涉及植物的组织培养技术，具体涉及霸王花组培快繁培养基。
背景技术
霸王花，也称剑花、七星剑花，为仙人掌科量天尺属多年生肉质多浆的攀缘草本植物，生长在高度400米至1300米的森林丘陵地上。原产于中南美洲地区的墨西哥和巴西，人工栽培历史已有几百年，我国主要分布在广东、广西。霸王花营养高、热量低,含有大量的药效成分，具有预防便秘、促进眼睛保健、抗氧化、抗自由基、抑制痴呆症等功效。
霸王花多用无性繁殖，如用茎扦插，具体是选择一年生以上肉茎，切成20-30厘米的段，斜***土，深度5-10厘米为宜。虽一年四季均可种植，但是扦插的这种方法繁殖种苗易带毒、苗不整齐、不健壮，且劳动强度较大，难以在短时间内解决种苗供应紧缺的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能够在较短时间内培育得到大量霸王花种苗的霸王花组培快繁培养基。
本发明所述的霸王花组培快繁培养基，包括初代培养基、继代培养基和生根培养基，其中：
所述初代培养基的配方为：
硝酸钾5-15mg/L、一水硝酸钙5-15mg/L、七水硫酸亚铁5-15mg/L、硝酸铵3-8mg/L、无水硫酸镁3-8mg/L、磷酸二氢钾3-8mg/L、6-BA 10-20mg/L、NAA1-3mg/L、葡萄糖25-35mg/L、琼脂3-6mg/L，pH6.2-6.4；
所述继代培养基的配方为：
MS+6-BA 0.2-1mg/L+NAA 0.2-1mg/L，pH6.2-6.4；
所述生根培养基的配方为：
1/2MS+IBA0.1-0.3mg/L，pH6.2-6.4。
上述技术方案中，所述所述初代培养基的配方优选为：
硝酸钾10mg/L、一水硝酸钙10mg/L、七水硫酸亚铁10mg/L、硝酸铵5mg/L、无水硫酸镁5mg/L、磷酸二氢钾5mg/L、6-BA 15mg/L、NAA 2mg/L、葡萄糖30mg/L、琼脂4.8mg/L；
所述继代培养基的配方优选为：
MS+6-BA 0.5mg/L+NAA 0.5mg/L；
所述生根培养基的配方优选为：
1/2MS+IBA0.1mg/L。
上述技术方案中，霸王花在初代培养基、继代培养基和生根培养基中进行培养时的培养条件具体为：温度为25±5℃，相对湿度为40-60％，光照时间为12-18h/d，光照强度为1500-2000lx。其中在初代培养基中培养的时间为20-40天，即可得到嫩芽；在继代培养基中培养的时间为10-15天，即可得到丛生苗；在生根培养基中培养的时间为10-20天，即可得到3-5条根的生根苗。
上述技术方案中，以霸王花的茎尖或茎段作为外植体，经消毒处理后接种于初代培养基中进行培养，直至在外植体上诱导形成嫩芽。所述的消毒处理与现有技术相同。
与现有技术相比，本发明的特点在于：采用大量元素、营养物质、6-BA和NAA生长激素等进行特定搭配组合作为初代培养基，可将外植体快速诱导得到嫩芽；进一步结合特定的继代培养基和生根培养基(生根时间短且生根率高)进行培养，可获得大量整齐一致的无菌种苗，解决了传统霸王花种苗繁殖效率低、劳动强度大等不足，而且培育得到的霸王花种苗无菌健壮，移栽后成活率高。
附图说明
图1为本发明实施例1中初代培养得到的嫩芽的照片；
图2为本发明实施例1中生根培养得到的生根苗的照片。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的详述，以更好地理解本发明的内容，但本发明并不限于以下实施例。
实施例1
1)选取无病虫害、生长健壮的霸王花茎段作为外植体，流水洗去表面灰尘，在超净工作台用75v/v％乙醇浸泡30s，再用无菌水冲洗4次，转入0.1％的HgCl2中浸泡10min，取出，再用无菌水冲洗5次，用滤纸吸干水分；
2)将消毒后的外植体接种于初代培养基中，光照培养30天，在外植体上诱导形成嫩芽，所得嫩芽呈淡绿色，粗壮，生长良好；其中，所述的初代培养基配方为：硝酸钾10mg/L、一水硝酸钙10mg/L、七水硫酸亚铁10mg/L、硝酸铵5mg/L、无水硫酸镁5mg/L、磷酸二氢钾5mg/L、6-BA 15mg/L、NAA 2mg/L、葡萄糖30mg/L、琼脂4.8mg/L，pH6.3；光照培养条件为温度为25±1℃，光照时间为16h/d，光照强度为1800lx；
3)将所得嫩芽分切成数段转入继代培养基中，光照培养10天，得到高度为5-7cm的丛生苗(如图1所示)，所得丛生苗呈淡绿色，生长良好；其中：所述的继代培养基配方为：MS+6-BA0.5mg/L+NAA0.5mg/L，pH6.3；继代培养时光照培养条件为：温度为25±1℃，光照时间为12h/d，光照强度为1500lx；
4)将所得丛生苗分株，转入生根培养基中，光照培养10天，各从生苗均有白根出现，继续培养5天，每株长根3-5条，根长2-3cm，生根率99.5％，得到生根苗(如图2所示)；其中：所述的生根培养基配方为：1/2MS+IBA0.1mg/L，pH6.3；光照培养条件为温度为25±1℃，光照时间为15h/d，光照强度为1500lx；
5)将所得生根苗按常规方法进行炼苗，即得到霸王花种苗。
实施例2
重复实施例1，不同的是：
将步骤2)中的初代培养基配方修改为：硝酸钾5mg/L、一水硝酸钙15mg/L、七水硫酸亚铁15mg/L、硝酸铵3mg/L、无水硫酸镁3mg/L、磷酸二氢钾8mg/L、6-BA 20mg/L、NAA 1mg/L、葡萄糖25mg/L、琼脂6mg/L，pH6.2；光照培养条件改为：温度为25±1℃，光照时间为18h/d，光照强度为1500lx，培养时间为25天，所得嫩芽呈淡绿色，较粗壮；
将步骤3)中的继代培养基配方修改为：MS+6-BA 0.2mg/L+NAA 1mg/L，pH6.2；光照培养10天，所得丛生苗多，生长良好，高3-5cm；
将步骤4)中的将生根培养基配方修改为：1/2MS+IBA0.2mg/L，pH6.2；所得生根苗的主根壮、须根多，植株较粗壮；经统计，生根率为98.3％。
实施例3
重复实施例1，不同的是：
将步骤2)中的初代培养基配方修改为：硝酸钾15mg/L、一水硝酸钙5mg/L、七水硫酸亚铁5mg/L、硝酸铵8mg/L、无水硫酸镁8mg/L、磷酸二氢钾3mg/L、6-BA 10mg/L、NAA 3mg/L、葡萄糖35mg/L、琼脂3mg/L，pH6.3；光照培养条件不变，培养时间为30天，所得嫩芽呈淡绿色，粗壮；
将步骤3)中的继代培养基配方修改为：MS+6-BA 1mg/L+NAA 0.2mg/L，pH6.4；光照培养10天，所得丛生苗多，生长良好，高3-5cm；
将步骤4)中的将生根培养基配方修改为：1/2MS+IBA 0.3mg/L，pH6.4；所得生根苗的主根壮、须根多，植株较粗壮；经统计，生根率为99.1％。
田间实验：
2017年3月，按本发明实施例1所述的培养基及方法培育霸王花种苗，将得到的霸王花种苗直接移栽于实验田(2亩，行距90cm，株距10cm)中，之后按常规管理方式进行管理，移栽成活率≥99％(移植霸王花种苗成活株数/霸王花种苗的总移植株数×100％)。于2018年6月收成，期间一直按现有常规管理方式进行管理，经统计，亩产量为3985kg(以新鲜霸王花计)。
2017年3月，以茎段以茎扦插极易生根。选择一年生以上霸王花肉茎，切成20-30cm的茎段，在实验田(2亩)中斜***土，***深度为5-10cm，扦插时行距90cm，株距10cm。扦插完成至收成期间(2018年6月收成)的管理按现有常规管理方式进行管理，整个栽培过程中没有发生病害。经统计，亩产量为3620kg(以新鲜霸王花计)。

Claims (3)

1.霸王花组培快繁培养基，包括初代培养基、继代培养基和生根培养基，其特征在于：
所述初代培养基的配方为：
硝酸钾5-15mg/L、一水硝酸钙5-15mg/L、七水硫酸亚铁5-15mg/L、硝酸铵3-8mg/L、无水硫酸镁3-8mg/L、磷酸二氢钾3-8mg/L、6-BA 10-20mg/L、NAA1-3mg/L、葡萄糖25-35mg/L、琼脂3-6mg/L；
所述继代培养基的配方为：
MS+6-BA 0.2-1mg/L+NAA 0.2-1mg/L；
所述生根培养基的配方为：
1/2MS+IBA0.1-0.3mg/L。
2.根据权利要求1所述的霸王花组培快繁培养基，其特征在于：
所述初代培养基的配方为：
硝酸钾10mg/L、一水硝酸钙10mg/L、七水硫酸亚铁10mg/L、硝酸铵5mg/L、无水硫酸镁5mg/L、磷酸二氢钾5mg/L、6-BA 15mg/L、NAA 2mg/L、葡萄糖30mg/L、琼脂4.8mg/L；
所述继代培养基的配方为：
MS+6-BA 0.5mg/L+NAA 0.5mg/L；
所述生根培养基的配方为：
1/2MS+IBA0.1mg/L。
3.根据权利要求1所述的霸王花组培快繁培养基，其特征在于：在初代培养基、继代培养基和生根培养基中进行培养时的培养条件为：
温度为25±5℃，相对湿度为40-60％，光照时间为12-18h/d，光照强度为1500-2000lx。
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