CN108777579A - 栅压自举开关 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了栅压自举开关，涉及模拟电路技术领域，包括第一电容和多个MOS管，MOS管包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、自举开关和衬底开关，衬底开关与自举开关连接。本发明通过在自举开关上接入衬底开关，即第七NMOS管和第八NMOS管，使得在采样时，自举开关的栅极电位与衬底电位保持一致，所以就能减小MOS管二级效应中体效应，降低了谐波失真，同时保证了采样开关SW的线性度，提高了采样开关电路的精度，大大减小了开关线性对ADC精度的影响。

Description

栅压自举开关
技术领域
本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及栅压自举开关。
背景技术
随着集成电路工艺技术的进步以及通信和多媒体市场的快速增长，数字信号处理技术也得到了迅猛发展并广泛地应用于各个领域。数字信号具有抗干扰能力强、易于集成、功耗小、成本低的综合优势，因此越来越多的模拟信号处理逐渐被数字信号技术所取代。然而，自然界的光、热、声、电、磁等信号都是模拟量，为了使这些模拟信号能够被数字***处理，需要将这些在时间上连续的模拟信号转换为离散的数字信号，而模数转换器(Analogto Digital Converter,ADC)就是实现该功能的模块。作为模拟与数字电路的关键接口，ADC对整个混合信号***的性能至关重要。SAR ADC中通过控制开关的闭合和关断从而实现ADC对输入信号的采样和保持，开关存在非理想因素，会引入増益误差，直流失调和非线性误差，影响采样电路的精度和速度,而采样电路采样精度的下降会直接影响的精度，所以SAR ADC设计过程中，要选择对采样电路精度影响比较小的采样开关，满足SAR ADC***设计要求。
传统的栅压自举开关电路结构如图1所示，由采样开关SW和栅压自举电路构成，其中栅压自举开关包括电容C1和MOS管M1～M9，其工作原理为：
(1)当电路处于采样阶段时，CLK为高电平，M2导通，M5栅极接地，从而M5导通，抬高M6、SW的栅压，M3和M4截止，M9导通，采样开关SW闭合，由于C1中存储的总电荷不变，C1接到SW的栅源极，SW的栅级抬高至VDD+Vin，SW的栅源极电压是VDD。
(2)当电路处于保持阶段时，CLK为低电平，M1、M3和M4导通，M5栅极接VDD，M5截止，M9截止，采样开关SW断开，通过M3和M4给电容C1充电至VDD，电容C1中存储了C1*VDD的电量。电容C1和采样开关SW分离，SW的漏极和源极分别通过M3、M7和M8接地，从而放电。
采样开关的导通电阻为
其中，μn为载流子迁移率，Cox为采样开关管单位面积栅电容，W/L为采样开关宽长比，VGS为采样开关栅源电压，VTH0为开关管导通阈值电压，VSB为开关管源衬电势差，γ为体效应系数。
利用栅压自举开关电路，改善了开关栅源电压VGS变化引起的非线性失真，但是其忽略了由体效应引起的VTH0的变化带来的线性问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供栅压自举开关，通过在采样开关的栅极连接衬底开关，来减小体效应。
本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：栅压自举开关，包括第一电容和多个MOS管，所述MOS管包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、自举开关和衬底开关，所述第一PMOS管、第二PMOS管的源极均连接工作电压VDD,所述第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极，所述第一PMOS管与第一NMOS管的栅极均连接第一时钟信号CLK,所述第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接第二时钟信号CLK-，所述第二时钟信号CLK-是第一时钟信号CLK的反相信号，所述第二NMOS管的源极接地；
所述第二PMOS管的漏极接第一电容的上极板，所述第一电容的下极板与第一NMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的栅极连接第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的栅极连接工作电压VDD，所述第四NMOS管的源极连接第五NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的栅极接第二时钟信号CLK-；
所述第二PMOS管的漏极还与第三PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接第一PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接第三NMOS管的漏极；
所述第三NMOS管的源极与第一NMOS管的源极连接，所述第三NMOS管的栅极与第六NMOS管的栅极连接；
所述第六NMOS管的栅极还连接第四NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的源极连接第三NMOS管的源极，所述第六NMOS管的漏极连接自举开关的源极；
所述自举开关的源极连接输入电压Vin，所述自举开关的漏极连接电源输出VOUT，所述自举开关的栅极连接第六NMOS管的栅极；
所述自举开关的栅极上连接有衬底开关，所述衬底开关包括第七NMOS管和第八NMOS管，所述自举开关的栅极连接第八NMOS管的栅极，所述自举开关的衬底连接第八NMOS管的源极，所述第八NMOS管的漏极连接自举开关的源极，所述第八NMOS管的源极连接第七NMOS管的漏极；
所述第七NMOS管的栅极连接第二时钟信号CLK-，所述第七NMOS管的源极接地。
本发明的工作过程如下所示：
1)当所述第一时钟信号CLK为高电平时，所述CMOS栅压自举开关电路处于采样阶段，所述第一NMOS管导通，所述第三PMOS管栅极接地，从而使得所述第三PMOS管导通，抬高所述第三NMOS管、第六NMOS管、第八NMOS管和自举开关的栅压，所述第二NMOS管和第二PMOS管截止，所述第六NMOS管导通，所述采样开关闭合，所述第八NMOS管导通，所述第一电容连接到自举开关的栅源极，由于所述第一电容中存储的总电荷不变，所述自举开关的栅级电压抬高至VDD+Vin，所述自举开关的栅源极电压是VDD。
2)当所述第一时钟信号CLK为低电平时，所述CMOS栅压自举开关电路处于保持阶段，所述第一PMOS管、第二NMOS管和第二PMOS管导通，所述第三PMOS管栅极接工作电压VDD，所述第三PMOS管截止，所述第六NMOS管截止，所述采样开关断开，通过所述第二NMOS管和第二PMOS管给第一电容充电至工作电压VDD，所述第一电容的电容值为F,则所述第一电容中存储了F*VDD的电量，由于所述第三PMOS管截止，所述第一电容和采样开关分离，所述采样开关的源极通过所述第二NMOS管接地、栅极通过第四NMOS管和第五NMOS管接地，从而放电。
本发明的有益效果：本发明通过在自举开关上接入衬底开关，即第七NMOS管和第八NMOS管，使得在采样时，自举开关的栅极电位与衬底电位保持一致，所以就能减小MOS管二级效应中体效应，降低了谐波失真，同时保证了采样开关SW的线性度，提高了采样开关电路的精度，大大减小了开关线性对ADC精度的影响。
附图说明
图1为传统栅压自举开关电路的原理图；
图2为本发明实施例栅压自举开关图；
图3为本发明实施例栅压自举开关中的时钟信号、输入输出信号仿真波形图。
具体实施方式
以下将结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明：
如图2-3所示，栅压自举开关，包括第一电容C1和多个MOS管，MOS管包括第一PMOS管M1、第一NMOS管M2、第二NMOS管M3、第二PMOS管M4、第三PMOS管M5、第三NMOS管M6、第四NMOS管M7、第五NMOS管M8、第六NMOS管M9、自举开关SW和衬底开关，第一PMOS管M1、第二PMOS管M4的源极均连接工作电压VDD,第一PMOS管M1的漏极连接第一NMOS管M2的漏极，第一PMOS管M1与第一NMOS管M2的栅极均连接第一时钟信号CLK,第一NMOS管M2的源极连接第二NMOS管M3的漏极，第二NMOS管M3的栅极连接第二时钟信号CLK-，第二时钟信号CLK-是第一时钟信号CLK的反相信号，第二NMOS管M3的源极接地；
第二PMOS管M4的漏极接第一电容C1的上极板，第一电容C1的下极板与第一NMOS管M2的源极连接，第二PMOS管M4的栅极连接第四NMOS管M7的漏极，第四NMOS管M7的栅极连接工作电压VDD，第四NMOS管M7的源极连接第五NMOS管M8的漏极，第五NMOS管M8的源极接地，第五NMOS管M8的栅极接第二时钟信号CLK-；
第二PMOS管M4的漏极还与第三PMOS管M5的源极连接，第三PMOS管M5的漏极连接第四NMOS管M7的漏极，第三PMOS管M5的栅极连接第一PMOS管M1的漏极，第三PMOS管M5的栅极连接第三NMOS管M6的漏极；
第三NMOS管M6的源极与第一NMOS管M2的源极连接，第三NMOS管M6的栅极与第六NMOS管M9的栅极连接；
第六NMOS管M9的栅极还连接第四NMOS管M7的漏极，第六NMOS管M9的源极连接第三NMOS管M6的源极，第六NMOS管M9的漏极连接自举开关SW的源极；
自举开关SW的源极连接输入电压Vin，自举开关SW的漏极连接电源输出VOUT，自举开关SW的栅极连接第六NMOS管M9的栅极；
自举开关SW的栅极上连接有衬底开关，衬底开关包括第七NMOS管M10和第八NMOS管M11，自举开关SW的栅极连接第八NMOS管M11的栅极，自举开关SW的衬底连接第八NMOS管M11的源极，第八NMOS管M11的漏极连接自举开关SW的源极，第八NMOS管M11的源极连接第七NMOS管M10的漏极；
第七NMOS管M10的栅极连接第二时钟信号CLK-，第七NMOS管M10的源极接地。
本发明的工作过程如下所示：
1)当第一时钟信号CLK为高电平时，CMOS栅压自举开关电路处于采样阶段，第一NMOS管M2导通，第三PMOS管M5栅极接地，从而使得第三PMOS管M5导通，抬高第三NMOS管M6、第六NMOS管M9、第八NMOS管M11和自举开关SW的栅压，第二NMOS管M3和第二PMOS管M4截止，第六NMOS管M9导通，采样开关SW闭合，第八NMOS管M11导通，第一电容C1连接到自举开关SW的栅源极，由于第一电容C1中存储的总电荷不变，自举开关SW的栅级电压抬高至VDD+Vin，自举开关SW的栅源极电压是VDD。
2)当第一时钟信号CLK为低电平时，CMOS栅压自举开关电路处于保持阶段，第一PMOS管M1、第二NMOS管M3和第二PMOS管M4导通，第三PMOS管M5栅极接工作电压VDD，第三PMOS管M5截止，第六NMOS管M9截止，采样开关SW断开，通过第二NMOS管M3和第二PMOS管M4给第一电容C1充电至工作电压VDD，第一电容C1的电容值为F,则第一电容C1中存储了F*VDD的电量，由于第三PMOS管M5截止，第一电容C1和采样开关SW分离，采样开关SW的源极通过第二NMOS管M3接地、栅极通过第四NMOS管M7和第五NMOS管M8接地，从而放电。
本发明通过在自举开关上接入衬底开关，即第七NMOS管和第八NMOS管，使得在采样时，自举开关的栅极电位与衬底电位保持一致，所以就能减小MOS管二级效应中体效应，降低了谐波失真，同时保证了采样开关SW的线性度，提高了采样开关电路的精度，大大减小了开关线性对ADC精度的影响。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。本发明未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。

Claims (3)

1.栅压自举开关，其特征在于，包括第一电容(C1)和多个MOS管，所述MOS管包括第一PMOS管(M1)、第一NMOS管(M2)、第二NMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)、第三PMOS管(M5)、第三NMOS管(M6)、第四NMOS管(M7)、第五NMOS管(M8)、第六NMOS管(M9)、自举开关(SW)和衬底开关，所述第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M4)的源极均连接工作电压VDD,所述第一PMOS管(M1)的漏极连接第一NMOS管(M2)的漏极，所述第一PMOS管(M1)与第一NMOS管(M2)的栅极均连接第一时钟信号CLK,所述第一NMOS管(M2)的源极连接第二NMOS管(M3)的漏极，所述第二NMOS管(M3)的栅极连接第二时钟信号CLK-，所述第二时钟信号CLK-是第一时钟信号CLK的反相信号，所述第二NMOS管(M3)的源极接地；
所述第二PMOS管(M4)的漏极接第一电容(C1)的上极板，所述第一电容(C1)的下极板与第一NMOS管(M2)的源极连接，所述第二PMOS管(M4)的栅极连接第四NMOS管(M7)的漏极，所述第四NMOS管(M7)的栅极连接工作电压VDD，所述第四NMOS管(M7)的源极连接第五NMOS管(M8)的漏极，所述第五NMOS管(M8)的源极接地，所述第五NMOS管(M8)的栅极接第二时钟信号CLK-；
所述第二PMOS管(M4)的漏极还与第三PMOS管(M5)的源极连接，所述第三PMOS管(M5)的漏极连接第四NMOS管(M7)的漏极，所述第三PMOS管(M5)的栅极连接第一PMOS管(M1)的漏极，所述第三PMOS管(M5)的栅极连接第三NMOS管(M6)的漏极；
所述第三NMOS管(M6)的源极与第一NMOS管(M2)的源极连接，所述第三NMOS管(M6)的栅极与第六NMOS管(M9)的栅极连接；
所述第六NMOS管(M9)的栅极还连接第四NMOS管(M7)的漏极，所述第六NMOS管(M9)的源极连接第三NMOS管(M6)的源极，所述第六NMOS管(M9)的漏极连接自举开关(SW)的源极；
所述自举开关(SW)的源极连接输入电压Vin，所述自举开关(SW)的漏极连接电源输出VOUT，所述自举开关(SW)的栅极连接第六NMOS管(M9)的栅极；
所述自举开关(SW)的栅极上连接有衬底开关，所述衬底开关包括第七NMOS管(M10)和第八NMOS管(M11)，所述自举开关(SW)的栅极连接第八NMOS管(M11)的栅极，所述自举开关(SW)的衬底连接第八NMOS管(M11)的源极，所述第八NMOS管(M11)的漏极连接自举开关(SW)的源极，所述第八NMOS管(M11)的源极连接第七NMOS管(M10)的漏极；
所述第七NMOS管(M10)的栅极连接第二时钟信号CLK-，所述第七NMOS管(M10)的源极接地。
2.根据权利要求1所述的栅压自举开关，其特征在于，当所述第一时钟信号CLK为高电平时，所述CMOS栅压自举开关电路处于采样阶段，所述第一NMOS管(M2)导通，所述第三PMOS管(M5)栅极接地，从而使得所述第三PMOS管(M5)导通，抬高所述第三NMOS管(M6)、第六NMOS管(M9)、第八NMOS管(M11)和自举开关(SW)的栅压，所述第二NMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)截止，所述第六NMOS管(M9)导通，所述采样开关(SW)闭合，所述第八NMOS管(M11)导通，所述第一电容(C1)连接到自举开关(SW)的栅源极，由于所述第一电容(C1)中存储的总电荷不变，所述自举开关(SW)的栅级电压抬高至VDD+Vin，所述自举开关(SW)的栅源极电压是VDD。
3.根据权利要求2所述的栅压自举开关，其特征在于，当所述第一时钟信号CLK为低电平时，所述CMOS栅压自举开关电路处于保持阶段，所述第一PMOS管(M1)、第二NMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)导通，所述第三PMOS管(M5)栅极接工作电压VDD，所述第三PMOS管(M5)截止，所述第六NMOS管(M9)截止，所述采样开关(SW)断开，通过所述第二NMOS管(M3)和第二PMOS管(M4)给第一电容(C1)充电至工作电压VDD，所述第一电容(C1)的电容值为F,则所述第一电容(C1)中存储了F*VDD的电量，由于所述第三PMOS管(M5)截止，所述第一电容(C1)和采样开关(SW)分离，所述采样开关(SW)的源极通过所述第二NMOS管(M3)接地、栅极通过第四NMOS管(M7)和第五NMOS管(M8)接地，从而放电。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110635791A (zh) * 2019-09-06 2019-12-31 重庆邮电大学 一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路
CN111245413A (zh) * 2020-01-20 2020-06-05 电子科技大学 一种高速高线性度的栅压自举开关电路
CN111970004A (zh) * 2020-08-12 2020-11-20 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种不影响器件寿命的自举开关结构
CN113206659A (zh) * 2021-05-10 2021-08-03 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 一种用于流水线adc的高速高线性度栅压自举开关
CN113726321A (zh) * 2021-09-06 2021-11-30 联合微电子中心有限责任公司 一种自举开关电路和模数转换器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101977046A (zh) * 2010-09-25 2011-02-16 西安电子科技大学 自举采样开关电路和自举电路
WO2012170634A1 (en) * 2011-06-07 2012-12-13 Microchip Technology Incorporated Distributed bootstrap switch
CN103023469A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 国民技术股份有限公司 一种栅压自举开关电路
CN103095302A (zh) * 2012-12-19 2013-05-08 天津大学 一种应用于高速高精度电路的采样保持电路
CN106160743A (zh) * 2016-07-06 2016-11-23 电子科技大学 一种用于采样保持电路的栅压自举开关电路
CN106533475A (zh) * 2016-12-09 2017-03-22 广西师范大学 一种接收机前端电路
CN206237388U (zh) * 2016-12-09 2017-06-09 广西师范大学 一种接收机前端电路
CN107370487A (zh) * 2017-07-18 2017-11-21 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种基于nmos管的栅压自举开关电路

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101977046A (zh) * 2010-09-25 2011-02-16 西安电子科技大学 自举采样开关电路和自举电路
WO2012170634A1 (en) * 2011-06-07 2012-12-13 Microchip Technology Incorporated Distributed bootstrap switch
CN103023469A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 国民技术股份有限公司 一种栅压自举开关电路
CN103095302A (zh) * 2012-12-19 2013-05-08 天津大学 一种应用于高速高精度电路的采样保持电路
CN106160743A (zh) * 2016-07-06 2016-11-23 电子科技大学 一种用于采样保持电路的栅压自举开关电路
CN106533475A (zh) * 2016-12-09 2017-03-22 广西师范大学 一种接收机前端电路
CN206237388U (zh) * 2016-12-09 2017-06-09 广西师范大学 一种接收机前端电路
CN107370487A (zh) * 2017-07-18 2017-11-21 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种基于nmos管的栅压自举开关电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
马效波;徐世六;王永禄;: "适于低电源电压应用的新型MOS自举采样开关", 微电子学, no. 06 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110635791A (zh) * 2019-09-06 2019-12-31 重庆邮电大学 一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路
CN110635791B (zh) * 2019-09-06 2023-03-31 重庆邮电大学 一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路
CN111245413A (zh) * 2020-01-20 2020-06-05 电子科技大学 一种高速高线性度的栅压自举开关电路
CN111245413B (zh) * 2020-01-20 2023-05-26 电子科技大学 一种高速高线性度的栅压自举开关电路
CN111970004A (zh) * 2020-08-12 2020-11-20 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种不影响器件寿命的自举开关结构
CN113206659A (zh) * 2021-05-10 2021-08-03 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 一种用于流水线adc的高速高线性度栅压自举开关
CN113206659B (zh) * 2021-05-10 2022-05-10 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 一种用于流水线adc的高速高线性度栅压自举开关
CN113726321A (zh) * 2021-09-06 2021-11-30 联合微电子中心有限责任公司 一种自举开关电路和模数转换器
CN113726321B (zh) * 2021-09-06 2023-09-22 联合微电子中心有限责任公司 一种自举开关电路和模数转换器

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