CN108748740A - 一种太阳能单晶硅片生产工艺 - Google Patents
一种太阳能单晶硅片生产工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108748740A CN108748740A CN201810532990.1A CN201810532990A CN108748740A CN 108748740 A CN108748740 A CN 108748740A CN 201810532990 A CN201810532990 A CN 201810532990A CN 108748740 A CN108748740 A CN 108748740A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- single crystal
- slice
- crystal rod
- silicon single
- monocrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 110
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 110
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 91
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 28
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 19
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 9
- 208000014674 injury Diseases 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 14
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 208000032544 Cicatrix Diseases 0.000 description 2
- 241000758789 Juglans Species 0.000 description 2
- 235000009496 Juglans regia Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N nitric acid phosphoric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O VXAPDXVBDZRZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 2
- 230000037387 scars Effects 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- -1 sulfur acid Chemical class 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 235000020234 walnut Nutrition 0.000 description 2
- 101100008046 Caenorhabditis elegans cut-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B19/00—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group
- B24B19/22—Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明属于多晶硅的切片加工技术领域,具体的说是一种太阳能单晶硅片生产工艺,该生产工艺采用切片装置,包括安装架、单晶硅棒、切片单元、推片单元和张紧单元,安装架水平放置在地面上,安装架为L型,安装架上放置单晶硅棒,单晶硅棒为长方体;切片单元用于对单晶硅棒进行切片;推片单元用于将单晶硅棒推向切片单元;张紧单元用于配合切片单元和推片单元对单晶硅棒进行切割,使用时,手动将需要切片的单晶硅棒放入推片单元中的放置座上,推片电机带动凸轮转动从而使切片单元中的切刀往下运动,推片单元带动硅片运动至合适位置时,切片单元对单晶硅棒进行切割,通过推片单元和张紧单元的相互配合实现对单晶硅棒的等分切片,提高切片效率。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅的切片加工技术领域,具体的说是一种太阳能单晶硅片生产工艺。
背景技术
太阳能属于新能源的一种,太阳能的实用上人类一大进步,起到环保节能,充分利用大自然资源,给人类生活带来无限便利。太阳能的实现是通过太阳能板将太阳能转化为电能,进而供人类实用,太阳能板的做作是通过在硅片上进行化学物理反应制作而得,而硅片的切割是太阳能板完成的重要步骤之一。现有的切片工艺在硅片切割过程中存在易碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象,严重时甚至导致整刀晶片报废,严重影响切片效率,同时在现有的切片工艺中切线一般只能使用一次,切割成本高,整体效益差。
鉴于此,本发明所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,以长方体的单晶硅棒作为原材料,生产流程简单,生产成本较低,生产出的硅片尺寸精确并且比较一致,使用的切片装置可重复循环使用,降低切割成本,提高单晶硅棒的切片效率。
发明内容
为了弥补现有技术的不足,本发明提出了一种太阳能单晶硅片生产工艺,本发明主要用于生产制作太阳能单晶硅片,提高太阳能单晶硅片的切片效率,实现太阳能电池的组装。本发明通过设置切片装置中的推片单元中的滑动座盛放长方体的单晶硅棒,使长方体的单晶硅棒在切片单元的作用下实现等分切片,避免单晶硅棒切片后的尺寸不均匀和边缘毛刺等不良情况,提高太阳能单晶硅片切片的效率和质量。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,该生产工艺包括如下步骤:
步骤一:切片:取长方体的单晶硅棒,将单晶硅棒放入切片装置中的滑动座上,待滑动座固定座将单晶硅棒夹紧后,切刀对单晶硅棒进行切片,切片后的单晶硅棒变为单晶硅片;
步骤二:激光标识:使用领新LINX8900喷码机在步骤一中的单晶硅片上刻上标识,在硅片遗漏时标识可帮助生产人员追溯到单晶硅片的原来位置;
步骤三:倒角:当步骤二中的激光打印机对单晶硅片标识完成之后,使用金刚石砂轮对单晶硅片的尖利的边缘进行打磨倒角,使其边缘钝圆光滑,不易破碎;
步骤四:磨片:将步骤三中倒角后的单晶硅片放置在载体上,再将载体围绕放置在一些磨盘上,将研磨砂均匀地分布在单晶硅片上,转动磨盘,研磨砂对磨盘转动,磨片可将切片后的单晶硅片的严重损伤清除,只留下一些均衡的浅显的伤痕,经磨片之后,单晶硅片变得平整;
步骤五:腐蚀:将步骤四中磨片后的单晶硅片放入氨水溶液中,氨水溶液将溶解单晶硅片表面的损伤部分;
步骤六:背损伤:用刷子在步骤五中腐蚀后的单晶硅片的表面摩擦,单晶硅片的表面形成金属吸杂中心;
步骤七:边缘抛光:用磷酸-硝酸法化学抛光液对步骤六中背损伤处理后的单晶硅片进行酸腐蚀,去除单晶硅片边缘的腐蚀坑,硅片边缘应力变得均匀,硅片更加坚固;
步骤八:预热清洗:将步骤七中边缘抛光后的单晶硅片放入含硫酸和过氧化氢的清洗液中,金属以氧化物的形式溶入到清洗液中,然后再用氢氟酸将单晶硅片表面的氧化层溶解以清除污物;
步骤九:退火:将步骤八中预热清洗后的单晶硅片加热到650摄氏度左右,使单晶硅片表面的氧形成大的基团而不会影响电阻率,然后再对单晶硅片进行急冷,防止小的氧基团的形成,稳定电阻率;
步骤十:抛光:用伍尔特58527170抛光衬垫和陶瓷砂轮用核桃砂对步骤九中退火后的单晶硅片进行化学/机械抛光,单晶硅片表面变得光滑平整;
通过步骤一至步骤十可完成对单晶硅棒的切片生产,对单晶硅棒进行层层处理,生产出的单晶硅片规格精细,且尺寸比较均匀;
所述步骤一中的切片装置包括安装架、单晶硅棒、切片单元、推片单元和张紧单元,所述安装架水平放置在地面上,安装架为L型,安装架上表面水平开设一号凹槽,安装架上放置单晶硅棒,单晶硅棒为长方体;所述切片单元安装在安装架上,切片单元用于对单晶硅棒进行切片;所述推片单元用于将单晶硅棒推向切片单元;所述张紧单元用于配合切片单元和推片单元对单晶硅棒进行切割。工作时,手动将需要切片的单晶硅棒放入推片单元中,推片单元带动单晶硅棒运动至合适位置时,切片单元对单晶硅棒进行切割。
所述切片单元包括切片电机、安装杆、凸轮、一号带轮、一号安装座、滚动体、切刀和一号弹簧,所述切片电机通过水平设置的安装杆安装在安装架上;所述凸轮和一号带轮同轴安装在切片电机的输出轴上;所述一号安装座水平安装在安装架上,一号安装座位于安装杆的下方,一号安装座的中心开设一号通孔;所述滚动体水平设置在一号安装座的上方,滚动体为圆柱体,滚动体底部开设二号凹槽;所述切刀竖直安装在二号凹槽的底部,切刀的底部竖直穿过一号通孔,切刀上套有一号弹簧,一号弹簧的一端与滚动体连接,一号弹簧的另一端与一号安装座连接。工作时,启动切片电机,切片电机带动凸轮和一号带轮转动,凸轮转动时使滚动体向下运动,滚动体带动切刀向下运动并对单晶硅棒进行切割,一号弹簧被压缩;凸轮继续转动,切刀和滚动体在一号弹簧的弹力作用下向上运动回复原位。
所述推片单元包括固定座、一号电磁铁、滑动座、二号电磁铁、二号弹簧、一号齿条、一号齿轮、二号带轮、安装轴和皮带,所述固定座水平设置在安装架上,固定座为长方体,固定座的右侧面水平开设长方形凹槽;所述一号电磁铁内置于固定座的右表面中,一号电磁铁位于长方形凹槽的下方;所述滑动座位于固定座的右侧,滑动座由水平设置的一号长方体和竖直设置的二号长方体组成,一号长方体的右端与二号长方体的中间部位连接,滑动座的二号长方体的左侧面开设三号凹槽,滑动座的左端内置二号电磁铁,二号电磁铁与一号电磁铁处于同一水平线上,滑动座上水平放置单晶硅棒;所述二号弹簧水平设置在一号凹槽中,二号弹簧的左端与一号凹槽的左侧连接,二号弹簧的另一端与滑动座的二号长方体连接;所述一号齿条水平设置在安装架上,一号齿条的左端与滑动座连接;所述一号齿轮与二号带轮同轴安装在安装轴上,一号齿轮设置在一号齿条的上方,一号齿轮与一号齿条相互啮合;所述皮带套在一号带轮和二号带轮上,皮带的长度大于两倍一号带轮和二号带轮之间的直线距离。工作时,切片电机带动凸轮和一号带轮转动,一号带轮通过皮带带动二号带轮转动,二号带轮带动一号齿条转动,一号齿条驱动滑动座向左移动,当滑动座移动至一定位置的时候一号电磁铁吸引二号电磁铁从而使滑动座与固定座贴合,固定座与滑动座将单晶硅棒夹紧,便于切片单元对单晶硅棒进行切割。
所述张紧单元包括张紧轮、滑套、二号齿轮、支撑轴、张紧气缸、弹簧和二号齿条,所述张紧轮、滑套和二号齿轮同轴安装在支撑轴上,张紧轮与皮带7接触,滑套位于张紧轮和二号齿轮的中间,滑套与支撑轴为间隙配合;所述张紧气缸竖直安装在地面上,张紧气缸的活塞杆与滑套连接;所述弹簧套在张紧气缸上,弹簧的一端与地面连接,弹簧的另一端与滑套连接,所述二号齿条与二号齿轮相互啮合。工作时,当固定座和滑动座将单晶硅棒夹紧后,将张紧气缸放气,张紧气缸的活塞杆处于自由活动状态,皮带变松,一号齿轮停止转动,一号齿条停止推动滑动座向左移动,向张紧气缸充气,张紧轮移动至最高点,张紧气缸的活塞杆支撑着滑套,从而支撑着二号齿轮和张紧轮不往下掉落,同时凸轮继续转动带动切刀向下运动对单晶硅棒进行切割;切割结束后,切刀在一号弹簧的作用下向上运动回复原位,如此循环往复,完成对单晶硅棒的切割工作。
所述三号凹槽里设置充气气囊。当单晶硅棒运动至固定座右侧面的长方形凹槽内时,向充气气囊充气,充气气囊推动单晶硅棒与固定座右侧面的长方形凹槽底部完全贴合,方便切刀对单晶硅棒进行切割。
本发明的有益效果是:
1.本发明所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,本发明包括步骤一至步骤十,步骤一用于对硅棒进行切片,步骤二用于对硅棒进行标识,步骤三至步骤八用于对切割后形成的硅片进行表面处理,步骤九和步骤十用于稳定硅片的性能,本发明通过十个步骤对单晶硅棒进行切割处理,使其形成性质良好稳定的单晶硅片,工艺流程简单,生产设备成本较低,生产出的单晶硅片尺寸统一,且尺寸精确,提高单晶硅片的生产效率和质量。
2.本发明所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,本发明中的切片装置通过设置三号凹槽里的充气气囊,单晶硅棒运动至固定座右侧面的长方形凹槽内时,向充气气囊充气,充气气囊推动硅片与固定座右侧面的长方形凹槽底部完全贴合,方便切刀对单晶硅棒进行切割,提高单晶硅棒切片的准确性和一致性。
3.本发明所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,本发明中的切片装置通过设置张紧模块中的张紧轮,在滑动座与固定座完全贴合后,一号电磁铁吸引二号电磁铁从而使滑动座与固定座不向右移动,切片电机带动一号齿轮和皮带转动,皮带带动张紧轮转动,张紧轮通过支撑轴带动二号齿轮转动,二号齿轮沿二号齿条向上运动,同时张紧轮也向上运动,皮带变松,一号齿轮停止转动,一号齿条停止推动滑动座向左移动,防止将需要切割的单晶硅棒挤伤,提高装置运行的安全性。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的工艺流程图;
图2是本发明的切片装置的结构示意图;
图3是切片装置中张紧单元的结构示意图;
图4是切片装置中二号齿条和二号齿轮的结构示意图;
图中:安装架1、单晶硅棒2、切片单元3、推片单元4、张紧单元5、一号凹槽11、凸轮31、一号带轮32、一号安装座33、滚动体34、切刀35、一号弹簧36、固定座41、长方形凹槽411、滑动座42、二号弹簧43、一号齿条44、一号齿轮45、二号带轮46、皮带47、张紧轮51、滑套52、二号齿轮53、张紧气缸54、弹簧55、二号齿条56、充气气囊6。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
如图1至图4所示,本发明所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,该生产工艺包括如下步骤:
步骤一:切片:取长方体的单晶硅棒2,将单晶硅棒2放入切片装置中的滑动座42上,待滑动座42和固定座41将单晶硅棒2夹紧后,切刀35对单晶硅棒2进行切片,切片后的单晶硅棒2变为单晶硅片;
步骤二:激光标识:使用领新LINX8900喷码机在步骤一中的单晶硅片上刻上标识,在硅片遗漏时标识可帮助生产人员追溯到单晶硅片的原来位置;
步骤三:倒角:当步骤二中的激光打印机对单晶硅片标识完成之后,使用金刚石砂轮对单晶硅片的尖利的边缘进行打磨倒角,使其边缘钝圆光滑,不易破碎;
步骤四:磨片:将步骤三中倒角后的单晶硅片放置在载体上,再将载体围绕放置在一些磨盘上,将研磨砂均匀地分布在单晶硅片上,转动磨盘,研磨砂对磨盘转动,磨片可将切片后的单晶硅片的严重损伤清除,只留下一些均衡的浅显的伤痕,经磨片之后,单晶硅片变得平整;
步骤五:腐蚀:将步骤四中磨片后的单晶硅片放入氨水溶液中,氨水溶液将溶解单晶硅片表面的损伤部分;
步骤六:背损伤:用刷子在步骤五中腐蚀后的单晶硅片的表面摩擦,单晶硅片的表面形成金属吸杂中心;
步骤七:边缘抛光:用磷酸-硝酸法化学抛光液对步骤六中背损伤处理后的单晶硅片进行酸腐蚀,去除单晶硅片边缘的腐蚀坑,硅片边缘应力变得均匀,硅片更加坚固;
步骤八:预热清洗:将步骤七中边缘抛光后的单晶硅片放入含硫酸和过氧化氢的清洗液中,金属以氧化物的形式溶入到清洗液中,然后再用氢氟酸将单晶硅片表面的氧化层溶解以清除污物;
步骤九:退火:将步骤八中预热清洗后的单晶硅片加热到650摄氏度左右,使单晶硅片表面的氧形成大的基团而不会影响电阻率,然后再对单晶硅片进行急冷,防止小的氧基团的形成,稳定电阻率;
步骤十:抛光:用伍尔特58527170抛光衬垫和陶瓷砂轮用核桃砂对步骤九中退火后的单晶硅片进行化学/机械抛光,单晶硅片表面变得光滑平整;
通过步骤一至步骤十可完成对单晶硅棒的切片生产,对单晶硅棒进行层层处理,生产出的单晶硅片规格精细,且尺寸比较均匀;
所述步骤一中的切片装置包括安装架1、单晶硅棒2、切片单元3、推片单元4和张紧单元5,所述安装架1水平放置在地面上,安装架1为L型,安装架1上表面水平开设一号凹槽11,安装架1上放置单晶硅棒2,单晶硅棒2为长方体;所述切片单元3安装在安装架1上,切片单元3用于对单晶硅棒2进行切片;所述推片单元4用于将单晶硅棒2推向切片单元3;所述张紧单元5用于配合切片单元3和推片单元4对单晶硅棒2进行切割。工作时,手动将需要切片的单晶硅棒2放入推片单元4中,推片单元4带动单晶硅棒2运动至合适位置时,切片单元3对单晶硅棒2进行切割。
所述切片单元3包括切片电机、安装杆、凸轮31、一号带轮32、一号安装座33、滚动体34、切刀35和一号弹簧36,所述切片电机通过水平设置的安装杆安装在安装架1上;所述凸轮31和一号带轮32同轴安装在切片电机的输出轴上;所述一号安装座33水平安装在安装架1上,一号安装座33位于安装杆的下方,一号安装座33的中心开设一号通孔;所述滚动体34水平设置在一号安装座33的上方,滚动体34为圆柱体,滚动体34底部开设二号凹槽;所述切刀35竖直安装在二号凹槽的底部,切刀35的底部竖直穿过一号通孔,切刀35上套有一号弹簧36,一号弹簧36的一端与滚动体34连接,一号弹簧36的另一端与一号安装座33连接。工作时,启动切片电机,切片电机带动凸轮31和一号带轮32转动,凸轮31转动时使滚动体34向下运动,滚动体34带动切刀35向下运动并对单晶硅棒2进行切割,一号弹簧36被压缩;凸轮31继续转动,切刀35和滚动体34在一号弹簧36的弹力作用下向上运动回复原位。
所述推片单元4包括固定座41、一号电磁铁、滑动座42、二号电磁铁、二号弹簧43、一号齿条44、一号齿轮45、二号带轮46、安装轴和皮带47,所述固定座41水平设置在安装架1上,固定座41为长方体,固定座41的右侧面水平开设长方形凹槽411;所述一号电磁铁内置于固定座41的右表面中,一号电磁铁位于长方形凹槽411的下方;所述滑动座42位于固定座41的右侧,滑动座42由水平设置的一号长方体和竖直设置的二号长方体组成,一号长方体的右端与二号长方体的中间部位连接,滑动座42的二号长方体的左侧面开设三号凹槽,滑动座42的左端内置二号电磁铁,二号电磁铁与一号电磁铁处于同一水平线上,滑动座42上水平放置单晶硅棒2;所述二号弹簧43水平设置在一号凹槽11中,二号弹簧43的左端与一号凹槽11的左侧连接,二号弹簧43的另一端与滑动座42的二号长方体连接;所述一号齿条44水平设置在安装架1上,一号齿条44的左端与滑动座42连接;所述一号齿轮45与二号带轮46同轴安装在安装轴上,一号齿轮45设置在一号齿条44的上方,一号齿轮45与一号齿条44相互啮合;所述皮带47套在一号带轮32和二号带轮46上,皮带47的长度大于两倍一号带轮32和二号带轮46之间的直线距离。工作时,切片电机带动凸轮31和一号带轮32转动,一号带轮32通过皮带47带动二号带轮46转动,二号带轮46带动一号齿条44转动,一号齿条44驱动滑动座42向左移动,当单晶硅棒2运动到固定座41右侧面的长方形凹槽411中,滑动座42与固定座41贴合,一号电磁铁吸引二号电磁铁,滑动座42上的单晶硅棒2运动到固定座41右侧面的长方形凹槽411中,向充气气囊6充气,充气气囊6推动单晶硅棒2与长方形凹槽411的底部完全贴合,方便切刀35对单晶硅棒2进行切割。
所述张紧单元5包括张紧轮51、滑套52、二号齿轮53、支撑轴、张紧气缸54、弹簧55和二号齿条56,所述张紧轮51、滑套52和二号齿轮53同轴安装在支撑轴上,张紧轮51与皮带47接触,滑套52位于张紧轮51和二号齿轮53的中间,滑套52与支撑轴为间隙配合;所述张紧气缸54竖直安装在地面上,张紧气缸54的活塞杆与滑套52连接;所述弹簧55套在张紧气缸54上,弹簧55的一端与地面连接,弹簧55的另一端与滑套52连接,所述二号齿条56与二号齿轮53相互啮合。工作时,当固定座41和滑动座42将单晶硅棒2夹紧后,将张紧气缸54放气,张紧气缸54的活塞杆处于自由活动状态,皮带47变松,一号齿轮45停止转动,一号齿条44停止推动滑动座42向左移动,向张紧气缸54充气,张紧轮51移动至最高点,张紧气缸54的活塞杆支撑着滑套52,从而支撑着二号齿轮53和张紧轮51不往下掉落,同时凸轮31继续转动带动切刀35向下运动对单晶硅棒2进行切割;切割结束后,切刀35在一号弹簧36的作用下向上运动回复原位,如此循环往复,完成对单晶硅棒2的切割工作。
所述三号凹槽里设置充气气囊6。当单晶硅棒2运动至固定座41右侧面的长方形凹槽411内时,向充气气囊6充气,充气气囊6推动单晶硅棒2与固定座41右侧面的长方形凹槽411底部完全贴合,方便切刀35对单晶硅棒2进行切割。
进一步的,作为本发明的另一种实施方式,所述一号弹簧36可以采用功能相同的弹性组件替代,所述弹性组件包括连杆、滑块和拉簧,连杆的一端铰接在滚动体34上,连杆的另一端铰接在滑块上,拉簧的一端与滑块连接,拉簧的另一端与相连接一号安装座33,一号通孔的外侧圆周均匀设置有多个滑槽,所述滑块位于滑槽内,切割时,连杆、滚动体34和拉簧形成三角形,连杆与滚动体34之间的夹角逐渐变大,此时拉簧受到拉力作用,当返回时,在拉簧的作用下,拉簧拉动滑块向内滑动,滑块通过连杆带动滚动体34向上运动,从而实现切刀35的复位。该技术方案相较于采用一号弹簧36进行复位,可有效减小本装置的纵向尺寸。
使用时,将需要切割的单晶硅棒2放入滑动座42的上表面,启动切片电机,将张紧气缸54放气,弹簧55将张紧轮51向下拉,张紧轮51压着皮带47,切片电机带动凸轮31和一号带轮32转动,凸轮31转动时使滚动体34向下运动,滚动体34带动切刀35向下运动,一号弹簧36被压缩,同时一号带轮32通过皮带47带动二号带轮46转动,二号带轮46带动一号齿条44向左移动,一号齿条44推动滑动座42向左移动与固定座41贴合,一号电磁铁吸引二号电磁铁,滑动座42上的单晶硅棒2运动到固定座41右侧面的长方形凹槽411中;接着,向充气气囊6充气,充气气囊6推动单晶硅棒2与长方形凹槽411的底部完全贴合,方便切刀35对单晶硅棒2进行切割。
在这过程中,切片电机始终带动一号齿轮32和皮带47转动,皮带47带动张紧轮51转动,张紧轮51通过支撑轴带动二号齿轮53转动,二号齿轮53沿二号齿条56向上运动,张紧轮51在二号齿轮53的带动下同步向上运动,直到单晶硅棒2与长方形凹槽411的底部完全贴合,张紧轮51与皮带47完全脱离接触,张紧轮51处于最高位置,皮带47变松,一号齿轮45停止转动,一号齿条44停止推动滑动座42向左移动,防止将需要切割的单晶硅棒2挤伤,同时凸轮31转动带动切刀35向下运动;
在张紧轮51运动到最高位置时,向张紧气缸54充气,张紧气缸54的活塞杆支撑着滑套52,从而支撑着二号齿轮53和张紧轮51不往下掉落,切片电机带动凸轮31继续转动,凸轮31继续推动滚动体34和切刀35向下运动,切刀35对单晶硅棒2进行切割,切割结束后,切刀35在一号弹簧36的作用下向上运动回复原位,完成对单晶硅棒2的切割工作。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种太阳能单晶硅片生产工艺,其特征在于:
该生产工艺包括如下步骤:
步骤一:切片:取长方体的单晶硅棒,将单晶硅棒放入切片装置中进行切片,切片后的单晶硅棒变为单晶硅片;
步骤二:激光标识:使用激光打印机在步骤一中的单晶硅片上刻上标识;
步骤三:倒角:当步骤二中的喷码机对单晶硅片标识完成之后,对单晶硅片的尖利的边缘进行倒角;
步骤四:磨片:将步骤三中倒角后的单晶硅片放置在载体上,对载体上的硅片进行磨片;
步骤五:腐蚀:将步骤四中磨片后的单晶硅片放入弱碱溶液中,弱碱溶液将单晶硅片表面的损伤去除;
步骤六:背损伤:用刷子在步骤五中腐蚀后的单晶硅片的表面摩擦;
步骤七:边缘抛光:用酸性溶液对步骤六中背损伤处理后的单晶硅片进行酸腐蚀;
步骤八:预热清洗:将步骤七中边缘抛光后的单晶硅片放入弱酸溶液中进行溶解以清除污物;
步骤九:退火:将步骤八中预热清洗后的单晶硅片加热到高温,然后再对单晶硅片进行急冷;
步骤十:抛光:用特制的抛光衬垫和特殊的抛光砂对步骤九中的单晶硅片进行化学/机械抛光;
通过步骤一至步骤十可完成对单晶硅棒的切片生产,对单晶硅棒进行层层处理,生产出的单晶硅片规格精细,且尺寸比较均匀;
所述步骤一中的切片装置包括安装架(1)、单晶硅棒(2)、切片单元(3)、推片单元(4)和张紧单元(5),所述安装架(1)水平放置在地面上,安装架(1)为L型,安装架(1)上表面水平开设一号凹槽(11),安装架(1)上放置单晶硅棒(2),单晶硅棒(2)为长方体;所述切片单元(3)安装在安装架(1)上,切片单元(3)用于对单晶硅棒(2)进行切片;所述推片单元(4)用于将单晶硅棒(2)推向切片单元(3);所述张紧单元(5)用于配合切片单元(3)和推片单元(4)对单晶硅棒(2)进行切割。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,其特征在于:所述切片单元(3)包括切片电机、安装杆、凸轮(31)、一号带轮(32)、一号安装座(33)、滚动体(34)、切刀(35)和一号弹簧(36),所述切片电机通过水平设置的安装杆安装在安装架(1)上;所述凸轮(31)和一号带轮(32)同轴安装在切片电机的输出轴上;所述一号安装座(33)水平安装在安装架(1)上,一号安装座(33)位于安装杆的下方,一号安装座(33)的中心开设一号通孔;所述滚动体(34)水平设置在一号安装座(33)的上方,滚动体(34)为圆柱体,滚动体(34)底部开设二号凹槽;所述切刀(35)竖直安装在二号凹槽的底部,切刀(35)的底部竖直穿过一号通孔,切刀(35)上套有一号弹簧(36),一号弹簧(36)的一端与滚动体(34)连接,一号弹簧(36)的另一端与一号安装座(33)连接。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,其特征在于:所述推片单元(4)包括固定座(41)、一号电磁铁、滑动座(42)、二号电磁铁、二号弹簧(43)、一号齿条(44)、一号齿轮(45)、二号带轮(46)、安装轴和皮带(47),所述固定座(41)水平设置在安装架(1)上,固定座(41)为长方体,固定座(41)的右侧面水平开设长方形凹槽(411);所述一号电磁铁内置于固定座(41)的右表面中,一号电磁铁位于长方形凹槽(411)的下方;所述滑动座(42)位于固定座(41)的右侧,滑动座(42)由水平设置的一号长方体和竖直设置的二号长方体组成,一号长方体的右端与二号长方体的中间部位连接,滑动座(42)的二号长方体的左侧面开设三号凹槽,滑动座(42)的左端内置二号电磁铁,二号电磁铁与一号电磁铁处于同一水平线上,滑动座(42)上水平放置单晶硅棒(2);所述二号弹簧(43)水平设置在一号凹槽(11)中,二号弹簧(43)的左端与一号凹槽(11)的左侧连接,二号弹簧(43)的另一端与滑动座(42)的二号长方体连接;所述一号齿条(44)水平设置在安装架(1)上,一号齿条(44)的左端与滑动座(42)连接;所述一号齿轮(45)与二号带轮(46)同轴安装在安装轴上,一号齿轮(45)设置在一号齿条(44)的上方,一号齿轮(45)与一号齿条(44)相互啮合;所述皮带(47)套在一号带轮(32)和二号带轮(46)上,皮带(47)的长度大于两倍一号带轮(32)和二号带轮(46)之间的直线距离。
4.根据权利要求3所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,其特征在于:所述张紧单元(5)包括张紧轮(51)、滑套(52)、二号齿轮(53)、支撑轴、张紧气缸(54)、弹簧(55)和二号齿条(56),所述张紧轮(51)、滑套(52)和二号齿轮(53)同轴安装在支撑轴上,张紧轮(51)与皮带(47)接触,滑套(52)位于张紧轮(51)和二号齿轮(53)的中间,滑套(52)与支撑轴为间隙配合;所述张紧气缸(54)竖直安装在地面上,张紧气缸(54)的活塞杆与滑套(52)连接;所述弹簧(55)套在张紧气缸(54)上,弹簧(55)的一端与地面连接,弹簧(55)的另一端与滑套(52)连接。
5.根据权利要求3所述的一种太阳能单晶硅片生产工艺,其特征在于:所述三号凹槽里设置充气气囊(6)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810532990.1A CN108748740A (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 一种太阳能单晶硅片生产工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810532990.1A CN108748740A (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 一种太阳能单晶硅片生产工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108748740A true CN108748740A (zh) | 2018-11-06 |
Family
ID=64003835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810532990.1A Pending CN108748740A (zh) | 2018-05-29 | 2018-05-29 | 一种太阳能单晶硅片生产工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108748740A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110965127A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺 |
CN115503129A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-12-23 | 江苏和阳新材料有限公司 | 一种单晶硅片切割制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1816901A (zh) * | 2003-12-10 | 2006-08-09 | 株式会社上睦可 | 加工硅晶片的方法 |
CN103681298A (zh) * | 2013-12-05 | 2014-03-26 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种igbt用高产能单晶硅晶圆片加工方法 |
CN206795469U (zh) * | 2017-05-10 | 2017-12-26 | 严晓凤 | 一种装修用地砖高效打磨装置 |
CN107622942A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-23 | 南昌安润科技有限公司 | 一种双极晶体管生产用硅片切片装置 |
CN107738370A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-27 | 四川永祥硅材料有限公司 | 一种多晶硅片制备工艺 |
CN107775521A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 镇江荣德新能源科技有限公司 | 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法 |
CN108032022A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-15 | 叶松 | 一种紧固装置和紧固方法 |
-
2018
- 2018-05-29 CN CN201810532990.1A patent/CN108748740A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1816901A (zh) * | 2003-12-10 | 2006-08-09 | 株式会社上睦可 | 加工硅晶片的方法 |
CN103681298A (zh) * | 2013-12-05 | 2014-03-26 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种igbt用高产能单晶硅晶圆片加工方法 |
CN107775521A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 镇江荣德新能源科技有限公司 | 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法 |
CN206795469U (zh) * | 2017-05-10 | 2017-12-26 | 严晓凤 | 一种装修用地砖高效打磨装置 |
CN107622942A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-01-23 | 南昌安润科技有限公司 | 一种双极晶体管生产用硅片切片装置 |
CN107738370A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-27 | 四川永祥硅材料有限公司 | 一种多晶硅片制备工艺 |
CN108032022A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-15 | 叶松 | 一种紧固装置和紧固方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110965127A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种超薄硅单晶切片热处理强化工艺 |
CN115503129A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-12-23 | 江苏和阳新材料有限公司 | 一种单晶硅片切割制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN210649927U (zh) | 一种平板铸件打磨装置 | |
CN108748740A (zh) | 一种太阳能单晶硅片生产工艺 | |
CN108638357A (zh) | 一种太阳能单晶硅片切片装置 | |
CN215240083U (zh) | 一种用于半导体晶圆生产的抛光设备 | |
CN204546207U (zh) | 一种木材去毛刺机 | |
CN112356496A (zh) | 一种绿色环保包装箱成型加工方法 | |
CN216179167U (zh) | 一种安全型高硬度冷轧钢带加工装置 | |
CN209256636U (zh) | 一种多工位滚动体模具抛光机 | |
CN201511288U (zh) | 一种简易玻璃倒角机 | |
CN209599447U (zh) | 一种双面两用竹凉席生产机 | |
CN210998076U (zh) | 一种销轴用表面抛光设备 | |
CN211104332U (zh) | 一种服装裁床刀头机构 | |
CN212444099U (zh) | 一种加工轧辊用机床 | |
CN221416028U (zh) | 一种冲压模具制造毛边去除装置 | |
CN206882894U (zh) | 一种热处理钢带边缘处理设备 | |
CN208307890U (zh) | 一种硬质合金棒材的移送装置 | |
CN213053264U (zh) | 一种可降低次品率的激光雕刻机 | |
CN216991396U (zh) | 一种用于制作单晶硅的研磨设备 | |
CN212218579U (zh) | 一种砂纸生产用切刀装置 | |
CN218518321U (zh) | 一种玻璃生产用磨边装置 | |
CN221435628U (zh) | 板材切边倒角一体处理装置 | |
CN217758067U (zh) | 一种进布自动对边的自动裁床 | |
CN220995585U (zh) | 一种生产用去毛边装置 | |
CN216228649U (zh) | 一种钢材抛光打磨装置 | |
CN212122617U (zh) | 一种便于固定的切削刀具生产用端面打磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181106 |