CN108704642A - 一种哑铃状金纳米双锥-二氧化钛纳米复合材料及其制备方法 - Google Patents

一种哑铃状金纳米双锥-二氧化钛纳米复合材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108704642A
CN108704642A CN201810667962.0A CN201810667962A CN108704642A CN 108704642 A CN108704642 A CN 108704642A CN 201810667962 A CN201810667962 A CN 201810667962A CN 108704642 A CN108704642 A CN 108704642A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bipyramid
gold nano
solution
dumbbell shaped
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810667962.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108704642B (zh
Inventor
何广莉
张守仁
杨保成
殷航
高凤丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huanghe Science and Technology College
Original Assignee
Huanghe Science and Technology College
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huanghe Science and Technology College filed Critical Huanghe Science and Technology College
Priority to CN201810667962.0A priority Critical patent/CN108704642B/zh
Publication of CN108704642A publication Critical patent/CN108704642A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108704642B publication Critical patent/CN108704642B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J23/00Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
    • B01J23/38Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
    • B01J23/48Silver or gold
    • B01J23/52Gold
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J35/00Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J35/00Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
    • B01J35/30Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料及其制备方法,属于材料化学领域。本发明采用湿化学的方法,通过TiCl3水解,在金纳米双锥的两头生成TiO2,得到哑铃状的结构。本发明将金纳米双锥与二氧化钛复合,拓宽氧化钛的吸收光谱到可见光和近红外光区,同时最大限度提高了金属热电子的电荷分离。相对于核壳状的结构,这种哑铃状的空间分离结构,使得金双锥中间部分暴露出来,在可见光和近红外光的照射下,产生的SPR热电子跨越与二氧化钛形成的肖特基势垒,转移到二氧化钛上,有效的从金纳米双锥中分离出,留下正电荷可直接在金双锥表面与电子供体发生氧化反应。哑铃状的纳米复合材料可有效增强热电子的产生和光催化的性能。

Description

一种哑铃状金纳米双锥-二氧化钛纳米复合材料及其制备 方法
技术领域
本发明属于材料化学领域。具体公开了一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛复合材料及其制备方法,该纳米复合材料在光催化,太阳能电池和光热治疗等领域有广阔的应用前景。
背景技术
金纳米晶体由于具有独特的物理化学和等离子体特性被广泛的应用于太阳能捕获,生物技术,疾病诊断和纳米医药等领域。在金纳米晶中,类似金棒这种细长的金纳米晶因其合成方法成熟,等离子体波长可调等优势,被广泛应用于各种研究领域。
除了金纳米棒之外,金纳米双锥是另外一种具有可调的纵向等离子共振波长(LSPR)的细长型金纳米晶(Adv. Funct. Mater. 2016, 26, 341)。金纳米双锥有两个在底部连在一起的五棱柱组成,有两个尖锐的顶点,金纳米双锥比金棒更稳定。与金纳米棒相似,金纳米双锥也有两个与电子振荡方向对应的沿纵向和横向的表面等离子体共振峰且LSPR波长可以***地调控。相对于金纳米棒,金纳米双锥具有更尖锐的顶端和更窄的形貌和尺寸分布,因此金纳米双锥的消光截面和局域电场增强要比金纳米棒强很多。因此金纳米双锥在传感,生物医学和等离子体增强光谱等领域的应用中具有更大的优势。
纳米二氧化钛是一种n型的半导体材料,以其优异的光催化活性,价格低廉和无毒无害等优点,得到了广泛的应用。但是二氧化钛光催化剂也存在着一些不足之处,如光吸收波长范围较窄,吸收波长大多在在紫外区,太阳能的利用率低;且载流子的复合率较高,量子转换效率较低。
发明内容
本发明目的在于提供一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料及其制备方法,从而克服现有技术中存在的一些不足。
本发明所述的哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的具体制备方法如下:
(1)种子法制备金纳米双锥,加入种子,合成具有不同纵向等离子体共振峰的金纳米双锥,具体过程如下:将0.1~0.4mL种子按照现有技术制备金纳米双锥原溶液,离心,分散在10mL超纯水中得到金纳米双锥溶液。将金双锥溶液与十六烷基三甲基溴化铵溶液混匀后,得到混合溶液;十六烷基三甲基溴化铵溶液的浓度为0.3-1.5mmol/L,优选0.3-1 mmol/L,金双锥溶液与十六烷基三甲基溴化铵溶液的体积比为1︰3;
(2)将三氯化钛溶液(购自阿拉丁,15-20 wt%,含盐酸30 wt%,下同)分散在超纯水中,加入0.9~1mol/L的碳酸氢钠溶液调节pH=2~3,得到钛的水解液,三氯化钛溶液与超纯水的体积比为1︰25;
(3)将步骤(1)得到的混合液加入到步骤(2)所得的溶液中反应,反应30~120min,将溶液离心,除去上清,所得固体即为哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料,将所得固体重新分散于5mL超纯水中保存。
本发明采用湿化学法,通过TiCl3水解,制备了哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米结构。该复合物由氧化钛和金纳米双锥组成,金纳米双锥的两个顶端被二氧化钛包覆,中间部分由于未被包覆而暴露出来,呈现出哑铃状的结构。氧化钛与金纳米双锥复合后,光吸收谱的范围由紫外区拓展到可见和近红外区,太阳光的利用率提高。金纳米双锥产生SPR热电子流向氧化钛,使得金双锥上留下正电荷,由于暴露出来金纳米双锥可直接与反应环境中的分子接触发生氧化反应,提高了电子与空穴的分离率,进而提高了反应速率。
本发明通过紫外-可见吸收光谱证明了复合材料等离子体共振吸收峰的变化,同时也通过透射电镜证明了得到的纳米复合结构具有哑铃状结构,同时具有良好的分散性和均一性。
本发明将金纳米双锥与二氧化钛复合得到的哑铃状的结构,拓宽二氧化钛的吸收光谱到可见光和近红外光区,同时最大限度提高了金属热电子的电荷分离。相对于核壳状的结构,这种哑铃状的空间分离结构,使得金双锥中间部分暴露出来,在可见光的照射下,产生的SPR热电子跨越与氧化钛形成的肖特基势垒,转移到氧化钛上,有效的从金纳米双锥中分离出,留下正电荷可直接在金双锥表面与电子受体发生氧化反应。哑铃状的纳米复合材料可有效增强热电子的产生和光催化的性能。因此需要合成这样一种既能将金双锥与氧化钛结合,又能将金纳米双锥部分暴露出来的新型光催化纳米结构。
附图说明
图1为实施例中加入0.4mL种子、0.2mL种子、0.1mL种子从而得到不同LSPR的金纳米双锥的紫外-可见光谱;
图2为实施例中金纳米双锥的透射电镜图;
图3为实施例1至5制得的哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合结构的透射电镜图;
图4为实施例1中金纳米双锥及金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的的紫外-可见光谱。
具体实施方式
下面对本发明的实施方案进行详细的描述。
实施例1
一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)金纳米双锥种子的制备:将0.25mL 0.01mol/L的柠檬酸三钠溶液,0.125mL0.01mol/L的氯金酸溶液依次加入到9.625mL的超纯水中后,混合均匀得到混合溶液。然后将新配的0.15mL 0.01mol/L的硼氢化钠溶液加入到混合液中,快速搅拌,溶液由黄色变为浅红色,室温静止2小时,即可得到种子溶液。
(2)金纳米双锥的生长:将2mL 0.01mol/L的氯金酸溶液,0.4mL 0.01mol/L的硝酸银溶液,0.8mL 1mol/L的盐酸溶液,0.32mL 0.1mol/L的抗坏血酸溶液依次加入到40mL0.1mol/L的十六烷基三甲基溴化铵溶液中,混合均匀得到生长溶液。再向其中加入种子溶液,搅拌10秒混匀,室温放置一夜。
(3)金纳米双锥的纯化:将溶液7000rpm 离心15分钟,除去上清,沉淀重新分散在20mL 0.08mol/L的十六烷基三甲基氯化铵溶液,然后向其中加入8mL 0.01mol/L AgNO3,0.32mL 0.1mol/L AA,混匀,溶液放置于摇床60℃震荡4小时反应。反应后溶液5000rpm离心15分钟,除去上清,沉淀重新分散在30mL 0.04mol/L的十六烷基三甲基溴化铵溶液中,室温静置4小时,金纳米双锥包银纳米棒沉于管底。将上清除净,沉淀分散10mL 0.002mol/L的十六烷基三甲基溴化铵溶液中,然后加入0.8mL氨水溶液(30 wt%)和0.4mL过氧化氢溶液(6wt%),混匀后室温静置4小时。溶液5000rpm离心15min,除去上清,将沉淀重新分散于10mL0.1mol/L 十六烷基三甲基溴化铵溶液中溶液中保存,作为金纳米双锥的原溶液。
(4)加入0.4mL的种子,从紫外-可见图谱1可知,合成的金纳米双锥的LSPR峰为746nm;将金纳米双锥原溶液7000rpm离心10分钟后,去掉上清液,沉淀分散在10mL超纯水中得到金纳米双锥溶液;将0.5mL金纳米双锥溶液与0.5mM 1.5mL十六烷基三甲基溴化铵溶液混匀后得到混合溶液;
(5)将0.2mL三氯化钛溶液分散在5mL超纯水中,缓慢搅拌,将1.2mL 0.93 mol/L的碳酸氢钠溶液逐滴加入调节pH为2.5,得到三氯化钛的水解液;
(6)将步骤(1)得到的混合液加入到步骤(2)所得的溶液中室温反应60min,将溶液5000rpm离心8min,除去上清,沉淀用无水乙醇离心清洗两次后,分散于5mL超纯水中,得到哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料;
(7)采用透射电镜采用Tecnai G2 20对金纳米双锥及金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料进行表征,如图2、3a所示,对比可知本实施例得到的复合材料为哑铃状结构,二氧化钛包覆在金纳米双锥的两端,中间部分完全暴露。日立U-4100的紫外光谱仪对金纳米双锥(即图4中的AuBPs)及金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料(即图中的AuBPs/TiO2)进行表征如图4所示,由于二氧化钛包覆在金双锥两端,使金双锥周围的介电常数发生变化,致使得到的复合材料的LSPR峰发生红移,说明二氧化钛与金双锥的接触较好。
实施例2
一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)种子法制备金纳米双锥(方法同实施例1),加入0.4mL的种子,合成纵向等离子体共振峰为746nm的金纳米双锥;将金纳米双锥原溶液7000rpm离心10分钟后,去掉上清液,沉淀分散在10mL超纯水中得到金纳米双锥溶液;将0.5mL金双锥溶液与的0.3 mM 1.5mL十六烷基三甲基溴化铵溶液混匀后得到混合溶液;
(2)将0.2mL三氯化钛溶液分散在5 mL超纯水中,缓慢搅拌,将1.2mL 0.93 mol/L的碳酸氢钠溶液逐滴加入调节pH为2.5,得到三氯化钛的水解液;
(3)将步骤(1)得到的混合液加入到步骤(2)所得的溶液中室温反应60min,将溶液5000rpm离心8min,除去上清,沉淀用无水乙醇离心清洗两次后,重新分散于5mL超纯水中即可得到哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料;
(4)采用透射电镜采用Tecnai G2 20对金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料进行表征,如图3b所示,得到的复合材料为哑铃状,其形貌与实施例1相似。
实施例3
一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)种子法制备金纳米双锥(方法同实施例1),加入0.4mL的种子,合成纵向等离子体共振峰为746nm的金纳米双锥;将金纳米双锥原溶液7000rpm离心10分钟后,去掉上清液,沉淀分散在10mL超纯水中得到金纳米双锥溶液;将0.5mL金双锥溶液与的0.8mM 1.5mL十六烷基三甲基溴化铵溶液混匀后得到混合溶液;
(2)将0.2mL三氯化钛溶液分散在4 mL超纯水中,缓慢搅拌,将1.2mL 0.93 mol/L的碳酸氢钠溶液逐滴加入调节pH为2.5,得到三氯化钛的水解液;
(3)将步骤(1)得到的混合液加入到步骤(2)所得的溶液中室温反应60min,将溶液5000rpm离心8min,除去上清,沉淀用乙醇离心清洗两次后,重新分散于5mL超纯水中即可得到哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料;
(4)采用透射电镜采用Tecnai G2 20对金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料进行表征,如图3c所示,得到的复合材料为哑铃状,其形貌与实施例1相似。
实施例4
一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)种子法制备金纳米双锥(方法同实施例1),加入0.2mL的种子,从紫外-可见图谱1可知,合成的金纳米双锥的LSPR峰为800nm;将金纳米双锥原溶液7000rpm离心10分钟后,去掉上清液,沉淀分散在10mL超纯水中得到金纳米双锥溶液;将0.5mL金双锥溶液与的0.5 mM1.5mL十六烷基三甲基溴化铵溶液混匀后得到混合溶液;
(2)将0.2mL三氯化钛溶液(17.1 wt%,含盐酸20-30 wt%)分散在4 mL超纯水中,缓慢搅拌,将0.9mL 0.93 mol/L的碳酸氢钠溶液逐滴加入调节pH为2.5,得到三氯化钛的水解液;
(3)将步骤(1)得到的混合液加入到步骤(2)所得的溶液中室温反应60min,将溶液5000rpm离心8min,除去上清,沉淀用乙醇离心清洗两次后,重新分散于5mL超纯水中即可得到哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料。
(4)采用透射电镜采用Tecnai G2 20对金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料进行表征,如图3d所示,得到的复合材料为哑铃状,其形貌与实施例1相似。
实施例5
一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)种子法制备金纳米双锥,加入0.1mL的种子,从紫外-可见图谱1可知,合成的金纳米双锥的LSPR峰为850nm;将金纳米双锥原溶液7000rpm离心10分钟后,去掉上清液,沉淀分散在10mL超纯水中得到金纳米双锥溶液;将0.5mL金双锥溶液与的0.5 mM 1.5mL十六烷基三甲基溴化铵溶液混匀后得到混合溶液;
(2)将0.2mL三氯化钛溶液分散在5 mL超纯水中,缓慢搅拌,将1.2mL 0.93 mol/L的碳酸氢钠溶液逐滴加入调节pH为2.5,得到三氯化钛的水解液;
(3)将步骤(1)得到的混合液加入到步骤(2)所得的溶液中室温反应60min,将溶液5000rpm离心8min,除去上清,沉淀用乙醇离心清洗两次后,重新分散于5mL超纯水中即可得到哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料。
(4)采用透射电镜采用Tecnai G2 20得到的金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料进行表征,如图3e所示,得到的复合材料为哑铃状,其形貌与实施例1相似。
日立U-4100的紫外光谱仪对实施例2~5的制得的金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料进行表征,得到的紫外的变化趋势也是一样的,都发生红移。
本发明制备的纳米复合材料在可见和近红外区有两个共振吸收峰(具体如图4所示),具有较宽的吸收光谱范围,弥补了二氧化钛在可见光吸收上的不足,使得太阳光的利用率提高,因此可作为太阳能电池的材料使用。复合材料中金纳米双锥中间暴露出来,使得金双锥可与反应物结合,促进氧化还原反应在材料表面同时发生。该材料在光催化,光热治疗,太阳能电池和光电传感等领域有广阔的应用前景。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)种子法制备金纳米双锥:加入种子,合成具有不同纵向等离子体共振峰的金纳米双锥;
(2)将钛源分散在超纯水中,调节pH为2~3,得到钛的水解液;
(3)将步骤(1)得到的混合液加入到步骤(2)所得的溶液中反应,反应30min-120min,离心,除去上清,所得固体即为纳哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料。
2.根据权利要求1所述哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的具体过程如下:加入0.1~0.4mL种子,制得金纳米双锥原溶液,离心,将沉淀分散在超纯水中得到金双锥溶液,将金双锥溶液与十六烷基三甲基溴化铵溶液混匀后,得到具有不同纵向等离子体共振峰的金纳米双锥溶液。
3.根据权利要求2所述哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述十六烷基三甲基溴化铵溶液的浓度为0.3~1.5mmol/L,超纯水的体积为10mL,金双锥溶液与十六烷基三甲基溴化铵溶液的体积比为1︰3。
4.根据权利要求1所述哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中钛源是浓度为15~20wt%的三氯化钛溶液,三氯化钛溶液与超纯水的体积比为1︰25,采用碳酸氢钠溶液调节pH,碳酸氢钠溶液的浓度为0.9~1mol/L。
5.权利要求1至4任一所述的制备方法制得的哑铃状金纳米双锥/二氧化钛纳米复合材料。
CN201810667962.0A 2018-06-26 2018-06-26 一种哑铃状金纳米双锥-二氧化钛纳米复合材料及其制备方法 Expired - Fee Related CN108704642B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810667962.0A CN108704642B (zh) 2018-06-26 2018-06-26 一种哑铃状金纳米双锥-二氧化钛纳米复合材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810667962.0A CN108704642B (zh) 2018-06-26 2018-06-26 一种哑铃状金纳米双锥-二氧化钛纳米复合材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108704642A true CN108704642A (zh) 2018-10-26
CN108704642B CN108704642B (zh) 2020-11-13

Family

ID=63872170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810667962.0A Expired - Fee Related CN108704642B (zh) 2018-06-26 2018-06-26 一种哑铃状金纳米双锥-二氧化钛纳米复合材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108704642B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110061223A (zh) * 2019-05-06 2019-07-26 合肥工业大学 一种基于近化学平衡体系制备钛酸锂包覆高镍三元正极材料的方法
CN110350108A (zh) * 2019-07-25 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法、显示面板、金-银核壳纳米锥的制备方法
CN110455770A (zh) * 2019-08-12 2019-11-15 深圳市人民医院 一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
CN112113925A (zh) * 2020-09-28 2020-12-22 重庆大学 一种Au NDC@Ag NRs探针及其制备方法和应用
CN112570727A (zh) * 2020-11-26 2021-03-30 四川大学 一种双锥型金纳米颗粒及其制备方法
CN115400753A (zh) * 2022-08-10 2022-11-29 武汉理工大学 一种金银核壳纳米双锥-二氧化铈复合材料的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103394704A (zh) * 2013-08-20 2013-11-20 纳米籽有限公司 高纯度金纳米双锥及其复合纳米材料的制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103394704A (zh) * 2013-08-20 2013-11-20 纳米籽有限公司 高纯度金纳米双锥及其复合纳米材料的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙玉泉: "哑铃状Au 棒/ T i O2的制备及其可见光催化分解水研究", 《辽宁化工》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110061223A (zh) * 2019-05-06 2019-07-26 合肥工业大学 一种基于近化学平衡体系制备钛酸锂包覆高镍三元正极材料的方法
CN110061223B (zh) * 2019-05-06 2020-10-23 合肥工业大学 一种基于近化学平衡体系制备钛酸锂包覆高镍三元正极材料的方法
CN110350108A (zh) * 2019-07-25 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法、显示面板、金-银核壳纳米锥的制备方法
CN110455770A (zh) * 2019-08-12 2019-11-15 深圳市人民医院 一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
CN112113925A (zh) * 2020-09-28 2020-12-22 重庆大学 一种Au NDC@Ag NRs探针及其制备方法和应用
CN112570727A (zh) * 2020-11-26 2021-03-30 四川大学 一种双锥型金纳米颗粒及其制备方法
CN115400753A (zh) * 2022-08-10 2022-11-29 武汉理工大学 一种金银核壳纳米双锥-二氧化铈复合材料的制备方法
CN115400753B (zh) * 2022-08-10 2024-03-26 武汉理工大学 一种金银核壳纳米双锥-二氧化铈复合材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108704642B (zh) 2020-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108704642A (zh) 一种哑铃状金纳米双锥-二氧化钛纳米复合材料及其制备方法
Kou et al. One‐step synthesis of large‐aspect‐ratio single‐crystalline gold nanorods by using CTPAB and CTBAB surfactants
CN102961753B (zh) 硫化铜/介孔二氧化硅核壳纳米材料及其制备方法和应用
CN104625086B (zh) 金纳米三角片的制备方法以及基于该方法制备金纳米圆盘及金纳米六角片的方法
CN100572500C (zh) 环糊精修饰的CdTe量子点的水相制备方法
CN108855060A (zh) 一种金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料及其制备方法
CN109762562A (zh) 一种CsPbX3@TiO2纳米材料及其制法和应用
CN111347059B (zh) 一种多孔型金@银@金纳米立方体的合成方法
CN104525233B (zh) g‑氮化碳‑二氧化钛‑银纳米片复合物及其仿生合成方法和应用
CN111205852B (zh) 一种谷胱甘肽保护的强荧光发射的金铂合金纳米簇及其可控制备方法
Yang et al. Crystal shape engineering of anatase TiO 2 and its biomedical applications
CN106556586A (zh) 一种核壳结构的复合粒子sers活性基底及其制备方法
CN106984830A (zh) 不同长径比金纳米棒的制备方法
CN105478747B (zh) 对近红外光具有显著可调吸收性能的梭形金纳米粒子及其制备方法
CN107282077A (zh) 一种光催化固氮催化剂的制备方法及其应用
CN105540663B (zh) CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法
CN108746595A (zh) 一种不同形貌金纳米双锥-金银纳米复合材料及其制备方法
CN104722773A (zh) 刺形金纳米粒子的制备方法及用该方法制备的刺形金纳米粒子
CN106345999B (zh) 一种金棒两端包覆二氧化钛纳米复合材料的制备方法
CN107265411A (zh) 一种制备不同粒径的硒化铜(Cu2‑xSe)纳米颗粒的方法
CN110215929A (zh) 一种表面带大量负电荷的氮化碳的制备方法
CN103641147B (zh) 一种微米级椭球形氧化铈的制备方法
CN102166657A (zh) 一种快速制备纳米金的方法
CN110724267A (zh) 一种高荧光纳米荧光素有机硅点及其制备方法和应用
CN106566535A (zh) 一种水溶性Cd掺杂ZnO/ZnS核壳量子点的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20201113

Termination date: 20210626