CN108695304A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 149
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 77
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 42
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910017623 MgSi2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 filter Substances 0.000 description 3
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium dioxide Chemical compound O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016010 BaAl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018572 CuAlO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005533 GaO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 229910020440 K2SiF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002328 LaMnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007536 Li2Si2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010092 LiAlO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003080 TiO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007486 ZnGa2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052925 anhydrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052923 celestite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000424 chromium(II) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000164 yttrium(III) phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Abstract
本发明提供一种发光装置,其包括:一底座基板,包括多个导线;以及多个发光单元,设置于底座基板上,以发出至少一种颜色的光,各发光单元包括一发光作用区(Active area),发光作用区耦接于发光单元的一第一电极以及一第二电极之间,其中各导线分别耦接于第一电极以及第二电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置及其制造方法,尤其涉及一种包括设置于底座基板上多个发光单元的发光装置,其中发光单元所发出的光包括至少一种颜色(Hue)或多种颜色。
背景技术
发光***已为生活中的必需用品,发光二极管为目前发光***的发展中主要项目之一。发光二极管为一半导体元件,用于电流通过发光二极管时进行发光。目前发光二极管的相关技术领域中,微发光二极管(Micro LED)是重点发展项目。然而,微发光二极管及其制造方法的技术,其受限于生产良率不佳以及制造过程太复杂,仍处于开发阶段。因此,具有发光效能高,生产良率佳,以及制造过程简易的微发光二极管,为目前开发的目标之一。
发明内容
为解决上述现有技术的问题,本发明提供一种发光装置,其包括:一底座基板,包括多个导线;以及多个发光单元,设置于底座基板上,以发出至少一种颜色的光,各发光单元包括一发光作用区(Active area),发光作用区耦接于发光单元的一第一电极以及一第二电极之间,其中各导线分别耦接于第一电极以及第二电极。
根据一种实施例,发光单元所发出光的颜色,选自红色、绿色、蓝色、或其中任一组合。
根据一种实施例,第一电极为正极,第二电极为负极。又一种实施例中,第一电极为负极,第二电极为正极。
根据一种实施例,发光装置还包括一透光基板,透光基板设置于发光单元上。透光基板包括多个凹部,凹部设置于透光基板的一顶面、一底面、或顶面与底面,其中底面为面向于发光单元,凹部分别与各发光单元的出光面大致重叠,多个波长转换材料用于填入凹部。
根据一种实施例,波长转换材料包括:荧光材料、滤光材料、量子点、染料材料、或其中任一组合。
根据一种实施例,发光单元以一矩阵的形式,设置于底座基板上。
根据一种实施例,发光装置中发出一第一颜色的光的发光单元,与发出一第二颜色的光的发光单元,交替设置于矩阵中的至少一方向上。
根据一种实施例,发光装置还包括一遮光层,遮光层设置于底座基板上以围绕发光单元,用以降低发光单元发出的光之间所造成的相互干扰。
根据一种实施例,发光装置还包括一透光层、或一透光层与一固定层,其层叠于发光单元与遮光层的相同侧。
根据一种实施例,发光作用区的形状为矩形、四边形、圆形、三角形、或预定的几何形状。
根据一种实施例,发光装置还包括一电流扩散层,电流扩散层设置于第一电极上、或第一电极与发光作用区之间。
根据一种实施例,第一、二电极设置于各发光单元的相同侧;或第一、二电极分别设置于各发光单元的对面侧。
就另一种观点,本发明提供一种发光装置的制造方法,其包括:(a)提供一底座基板,底座基板包括多个导线;以及(b)设置多个发光单元,设置于底座基板上,以发出至少一种颜色的光,各发光单元包括一发光作用区(Active area),发光作用区耦接于发光单元的一第一电极以及一第二电极之间,其中导线分别耦接于第一电极以及第二电极。
根据一种实施例,步骤(a)包括:(a1)形成导线于底座基板内;以及(a2)形成一电极层于底座基板上,电极层耦接于导线。
根据一种实施例,步骤(b)包括:(b1)根据发光单元的第一、二电极的预定位置,设置发光单元于电极层上;以及(b2)形成一遮光层于底座基板上,以围绕发光单元,用以降低发光单元发出的光之间所造成的相互干扰。
根据一种实施例,步骤(b)包括:(b3)设置发光单元于一载体层上,其中发光单元的第一、二电极埋设于载体层中;(b4)形成一遮光层于载体层上以围绕发光单元,其中遮光层的一顶面以及发光单元的一顶面,具有大致相同的高度;(b5)设置一透光层、或一透光层与一固定层,于遮光层与发光单元上,其中透光层、或透光层与定层,设置于发光单元上相对第一、二电极的对面侧;以及(b6)移除载体层,以暴露第一、二电极。
根据一种实施例,发光单元发出至少多种颜色的光,各第一、二电极分别设置于各发光单元的相同侧。
根据一种实施例,步骤(a)包括:(a3)形成底座基板的一介电层,此介电层位于发光单元上,介电层位于发光单元的第一、二电极的相同侧,以覆盖第一、二电极;以及(a4)暴露介电层覆盖的第一、二电极,并形成多个导线,以分别耦接导线于第一电极以及第二电极。
根据一种实施例,发光单元发出至少多种颜色的光,各第一、二电极分别设置于各发光单元的相同侧。
根据一种观点,本发明提供一种发光装置的制造方法,其包括:提供一底座基板,底座基板包括多个接垫;形成多个发光单元于底座基板上,发光单元用以发出光,各发光单元包括一发光作用区(Active area),发光作用区耦接于各发光单元的一第一电极以及一第二电极之间;形成一遮光层于底座基板上,以围绕发光单元;暴露为遮光层所覆盖的第一与二电极中至少其一,并形成多个导线,导线分别耦接于第一电极以及第二电极,其中导线又分别耦接于接垫;以及设置一透光基板于发光单元上,其中透光基板包括多个凹部,凹部分别设置于透光基板的一顶面、一底面、或顶面与底面,其中底面为面向于发光单元,凹部分别与各发光单元的出光面大致重叠,多个波长转换材料用于填入凹部。
根据一种实施例,波长转换材料包括:荧光材料、滤光材料、量子点、染料材料、或其中任一组合。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
图1为根据本发明一实施例的发光装置的示意图;
图2为根据本发明一实施例的发光装置的示意图;
图3为根据本发明一实施例的透光基板的示意图;
图4、图5、图6为根据本发明多个实施例中,波长转换材料的三种配置的示意图;
图7为根据本发明一实施例的发光装置的示意图;
图8为根据本发明一实施例中,一种发光装置的制造方法的流程示意图;
图9至图16为根据本发明一实施例中,一种发光装置的制造方法中多个步骤的示意图;
图17至图30为根据本发明一实施例中,一种发光装置的制造方法中多个步骤的示意图;
图31至图37为根据本发明一实施例中,一种发光装置的制造方法中多个步骤的示意图;
图38为根据本发明一实施例中,一种发光单元与接垫的配置示意图;
图39为根据本发明一实施例中,一种发光单元与接垫的配置示意图;
图40为根据图39中发光单元与接垫的局部配置示意图。
应当指出的是,上述图示和各部件被认为在本质上是例示性的,而不是限制性的。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。另外,为了理解和便于描述,附图中示出的每个组件的尺寸和厚度除非特别提出说明,否则均是例示性的,且图中各部件的编号均按照顺序标示出来。
具体实施方式
有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效,以下配合参考附图和一较佳实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
图1示出根据本发明一实施例的一种发光装置10,其包括:一底座基板11,包括多个导线111;以及多个发光单元12,设置于底座基板上11,以发出至少一种颜色(Hue)的光。颜色可通过波长来表示(或通过相对较窄的波长带,其中最大的光谱强度所对应的波长,例如对于蓝色为450nm,对于红色为约700nm),每个发光单元12可通过一种颜色发光,多个发光单元可包括不同颜色发光的发光单元。换言之,多个发光单元可以共同发射多于一种颜色的光。各发光单元12包括一发光作用区(Active area)121,发光作用区121耦接于发光单元12的电极之间(例如,一第一电极122以及一第二电极123之间)。其中各导线111分别耦接于第一电极122以及第二电极123,以分别传递通过第一电极122以及第二电极123的信号(电流或电压信号)。在此实施例中,若需要,第一电极122以及第二电极123的配置可互换。发光单元12又可包括一光学层124,光学层124设置于电极123上。一实施例中,光学层124可由SiO2、HfO2、或其组合所制成,光学层124的折射率介于1.0与2.3之间。发光单元12包括一出光面,其中所产生的光从出光面125所发出。一实施例中,发光单元12的一顶面为出光面125。一实施例中,发光单元12为发光二极管(LED)单元。
一实施例中,根据半导体概念,发光作用区域可包括通过阻挡层(Barrier layer)和阱层(Well layer)交替层叠而形成的多个量子阱结构(Quantum well structure)。阻挡层和阱层对于本领域技术人员而言是公知的,在此不描述细节。
一实施例中,第一电极122为正极,第二电极123为负极。又一种实施例中,第一电极122为负极,第二电极123为正极。
一实施例中,如前所述,一个发光单元只能发出一种颜色的光,其中可包括蓝色光、绿色光、或红色光。又一实施例中,多个发光单元可共同发出多于一种颜色的光。在另一实施例中,多个发光单元可共同发射红色光、蓝色光、和绿色光。根据需求,不同颜色的发光单元可在各种配置中以获得不同的颜色光混合效果。例如,可以混合来自多个发光单元的不同颜色光以获得全彩效果或任何其他种类的色光。
蓝色光的波长大约在400nm-500nm之内。绿色光的波长大约在500nm-600nm之内。红色光的波长大约在600nm-700nm内。
图2所示的一实施例中,发光装置20包括多个发出同一颜色光的发光单元12。发光装置20还包括一透光基板13,透光基板13设置于发光单元12上。透光基板13包括多个凹部(填入波长转换材料M,图2),凹部设置于透光基板13的一底面(面向于发光单元12)、一顶面、或透光基板13的底面与顶面(透光基板13上,底面的对面侧,图3),以获得不同的颜色光混合效果。图3中,凹部位于与相邻凹部不同的表面上。例如,底面上的一凹部与顶面上的相邻凹部为彼此紧接。透光基板13的底面为面向于发光单元12。前述的凹部交替地位于不同表面上的设计具有缩短相邻洞穴之间的距离(“Dist”,图3)的优点,从而可以减小发光装置的尺寸。凹部分别与各发光单元12的出光面125(图1)大致重叠,于底座基板11的出平面方向N,多个波长转换材料用于填入凹部。如此,从发光单元12发射的光可以穿过凹部内的波长转换材料进行光颜色转换。
根据本发明的一实施例,在凹部填入波长转换材料M的方式,可为部分/全部凹部的内壁涂覆有波长转换材料膜,或者凹部的部分/全部为波长转换材料M所填充。本领域技术人员可根据本发明以选择使用波长转换材料填充洞穴的适当方法。
根据本发明,发光单元可为通过半导体制造工艺直接形成的发光二极管芯片(LEDChip)、发光二极管裸片(LED Die)、或发光二极管部件。
根据本发明的一实施例,于底座基板11的出平面方向N上,凹部的开口与对应的出光面125部分重叠,例如重叠超过80%。在一实施例中,凹部的开口的尺寸等于或大于出光面。
根据本发明的一实施例,波长转换材料包括:荧光材料、滤光材料、量子点、染料材料、或其中任一组合。各凹部可填入不同的波长转换材料。本领域技术人员可根据本发明以及使用需求,以选择合适的波长转换材料。
根据本发明一实施例,荧光材料包括:(Sr,Ba)Si2(O,Cl)2N2:Eu2+、Sr5(PO4)3Cl:Eu2 +、(Sr,Ba)MgAl10O17:Eu2+、(Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+、SrBaSiO4:Eu2+、CdS:In,CaS:Ce3+、(Y,Lu,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce3+、Ca3Sc2Si3O12:Ce3+、SrSiON:Eu2+、ZnS:Al3+,Cu+、CaS:Sn2+、CaS:Sn2+、F,CaSO4:Ce3+,Mn2+、LiAlO2:Mn2+、BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+、ZnS:Cu+,Cl-、Ca3WO6:U、Ca3SiO4Cl2:Eu2+、SrxBayClzAl2O4-z/2:Ce3+,Mn2+(X:0.2,Y:0.7,Z:1.1)、Ba2MgSi2O7:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+、Ba2Li2Si2O7:Eu2+、ZnO:S、ZnO:Zn、Ca2Ba3(PO4)3Cl:Eu2+、BaAl2O4:Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、ZnS:Eu2+、Ba5(PO4)3Cl:U、Sr3WO6:U、CaGa2S4:Eu2+、SrSO4:Eu2+,Mn2+、ZnS:P、ZnS:P3-,Cl-、ZnS:Mn2+、CaS:Yb2+,Cl、Gd3Ga4O12:Cr3+、CaGa2S4:Mn2+、Na(Mg,Mn)2LiSi4O10F2:Mn、ZnS:Sn2+、Y3Al5O12:Cr3+、SrB8O13:Sm2+、MgSr3Si2O8:Eu2+,Mn2+、α-SrO·3B2O3:Sm2+、ZnS-CdS,ZnSe:Cu+,Cl、ZnGa2S4:Mn2+、ZnO:Bi3+、BaS:Au,K,ZnS:Pb2+、ZnS:Sn2+,Li+、ZnS:Pb,Cu、CaTiO3:Pr3+、CaTiO3:Eu3+、Y2O3:Eu3+、(Y,Gd)2O3:Eu3+、CaS:Pb2+,Mn2+、YPO4:Eu3+、Ca2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+、Y(P,V)O4:Eu3+、Y2O2S:Eu3+、SrAl4O7:Eu3+、CaYAlO4:Eu3+、LaO2S:Eu3+、LiW2O8:Eu3+,Sm3+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+,Mn2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+、ZnS:Mn2+,Te2+、Mg2TiO4:Mn4+、K2SiF6:Mn4 +、SrS:Eu2+、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi4O11、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi5O13:Eu3+、CdS:In,Te,(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+、CaSiN3:Eu2+、(Ca,Sr)2Si5N8:Eu2+、Eu2W2O7,或其中任一组合。
图4、图5、图6为根据本发明的不同颜色转换设计中,波长转换材料的三种配置的示意图(如图2和图3,波长转换材料可设置在透光基板13的凹部中)。图4中,用于红色光、绿色光、和蓝色光转换的波长转换材料M被排列成矩阵,并在矩阵中至少一个方向上交替排列(相同于图5,水平与垂直方向皆交替排列,图6中,不同色光转换的波长转换材料M在一个方向上交替排列)。在一实施例中,当发光单元12发出蓝色光时,图5中透光基板13中示出的波长转换材料M,可以不包括转换蓝色光的波长转换材料(波长转换材料之间的空白位置),其中蓝色光可直接由发光单元12所发出。用于红色光与绿色光转换的波长转换材料M位于彼此平行的交替线中,由于蓝色光直接从发光单元12发出,因此有一条空白线(不包括蓝色光转换的波长转换材料)。在图6所示的一实施例中,用于红色光和绿色光转换的波长转换材料M安排在另一配置中,其中不包括蓝色光转换的波长转换材料,蓝色光直接从发光单元12发出(波长转换材料M之间的空白位置)。此外,在图5中,对于相同的颜色,两个相邻波长转换材料的中心之间测量的距离T1是相同的距离。此外,在图5中,两个相邻的相同色光转换(以红色为例)的波长转换材料M的中心之间的距离T1是相同的。在图6中,由空白位置隔开的波长转换材料M,其中心之间的距离T3大于相邻波长转换材料M的中心之间的距离T2。
除了上述矩形的矩阵之外,在一实施例中,发光单元12(或者与相应的波长转换材料)以另一种类型设置在底座基板上,例如径向、椭圆形、或菱形,其可根据应用目的或功能需要进行选择。
在另一实施例中,如图1和图2所示,发光装置还包括设置在底座基板11上的遮光层14,用于围绕发光单元12以降低由其他发光单元12发出的光所造成的相互干扰。遮光层14可以填充相邻的发光单元12之间的空间。在一实施例中,遮光层14可以包括多个离散部分示出。例如,每个离散部分包围发光单元12。遮光层14的顶面21处于与出光面125大致相同的高度。在又一实施例中,当包括波长转换材料M时,遮光层14也可包围至少一部分波长转换材料M(未示出),用于降低出光通过其他波长转换材料M所造成的相互干扰。
在如图1所示的另一实施例中,发光装置10还包括透光层16、或者透光层16和固定层15,其层叠于出光面125上。在此实施例中,固定层15是可选择的,其用以固定透光层16于发光单元12上,使得透光层16可以直接层叠在固定层15上。或者,透光层16可以在没有固定层15的情况下直接层叠于出光面125上。
在一实施例中,上述透光基板或透光层的材料包括:热固性树脂、热塑性树脂、蓝宝石(Sapphire)、硅、氧化铝、氮化铝、聚合物材料、或其他透光材料。在一实施例中,透光材料用于透射或漫射从中通过的光,例如没有光散射的透明材料、或半透明材料。
在一实施例中,发光作用区121(或者,发光单元12的对应形状)的形状可为矩形、正方形、圆形、三角形、或预定几何形状。形状可根据照明性能要求或其他目的进行设计。例如,发光作用区121的形状可以根据导线配置,而在发光作用区121的边缘上具有凹口以供导线通过。本领域技术人员可根据本发明以及使用需求,以选择适当形状的发光作用区121(或发光单元12)以满足其需求。
在如图7所示的一实施例中,发光装置30还包括设置在第一电极122上的电流扩散层126、或位于第一电极122与发光作用区121之间的电流扩散层126。当第一电极122设置在电流扩散层126上时,第一电极122的配置范围可以小于电流扩散层126的电流扩散层的配置范围。
在一实施例中,电流扩散层126的材料可以包括:Ti、Al、Pt、Ni、Au、Pd、Co、Cr、Sn、Nd、Hf、或其合金。
在图1所示的实施例中,如上所述,第一和第二电极122和123设置在发光单元12的相同侧(底侧)。然而,根据本发明,在图7所示的另一实施例中,第一电极122和第二电极123可以设置在发光单元12的另一侧(顶侧)上。进一步地,如果需要,第一电极122和第二电极123可分别设置在发光单元12的对面侧(具有不同的面对方向的两侧)。例如,在发光单元12中,第一电极122可以设置在发光单元12的底侧上,第二电极123可以设置在发光单元12的顶侧,反之亦然。本领域技术人员知道根据本发明可如何为发光装置选择适当的电极安排。
请参阅图8,根据一观点,本发明提供了一种发光装置的制造方法,包括:提供包括多个导线的底座基板(a)(一实施例中,导线可以是发光装置10或20中的类似导线设计);提供多个发光单元,以设置在底座基板上,用于发出至少一种颜色的光(b)。
在一实施例中,前述的步骤(a)可包括:提供牺牲基板Ssac,并在牺牲基板Ssac上形成第一电路层Lcir1(图9)。接下来,形成第一电路层Lcir1的图案(例如,通过蚀刻或其他材料去除方法形成第一电路层Lcir1的图案)(图10)。接下来,图10的步骤之后,有两种选择:用底座材料覆盖第一电路层Lcir1的图案和牺牲基板Ssac,在基板材料上形成多个孔以暴露第一电路层Lcir1(图11A),并在第一电路层Lcir1上的孔,通过填入方式层叠第二电路层Lcir2层(图12)。或者,在第一电路层Lcir1(图11B)上层叠第二电路层Lcir2的图案,并形成底座材料以围绕第一电路层Lcir1和第二电路层Lcir2(图12)。在图12的步骤之后,在第二电路层Lcir2和底座材料上形成第三电路层Lcir3,并去除牺牲基板Ssac(图13)。在去除牺牲基板Ssac之后,在第一电路层Lcir1(图14)上形成第四电路层Lcir4。
在一实施例中,前述的底座基板11包括底座材料和导线111,其中导线111包括第一、第二、第三、和第四电路层Lcir1,Lcir2,Lcir3和Lcir4。根据本实施例,上述提供包括导线111的底座基板11的步骤(a)包括:形成底座基板11中导线111(第一和第二电路层Lcir1和Lcir2)(a1);以及形成电极层(一实施例中,电极层可为第三电路层Lcir3或第四电路层Lcir4)于底座基板11上,电极层耦接到导线111(第一和第二电路层Lcir1和Lcir2)(a2)。
在一实施例中,步骤(b)包括:根据第一电极和第二电极的预定位置(未显示)将发光单元12设置在电极层上(b1)(图15);并且在底座基板上(在一实施例中,又在相邻的发光单元12之间)形成遮光层14以围绕发光单元12(图16),用于降低由其他发光单元12发出的光所造成的相互干扰(b2)。在一实施例中,上述第一电极和第二电极可包括于第三电路层Lcir3或第四电路层Lcir4中,其包括与上述第一电极和第二电极的对应位置,以设置发光单元12。发光单元可共同发出多于一种颜色的光。在一实施例中,从每个发光单元发出的光的颜色可以从由蓝色、红色、绿色、和其中任一组合中所选择。
在一实施例中,步骤(b)包括:设置发光单元12在载体层18上,其中第一和第二电极122和123埋设在载体层18中(b3)(图17-图18);在载体层18(一实施例中,又在相邻的发光单元12之间)形成遮光层14以围绕单元12,其中遮光层14的顶面对应于发光单元12的顶面(图19)(一实施例中,遮光层14的顶面与发光单元12的顶面为大致相同的高度)(b4);在发光单元12与遮光层14的顶面上设置透光层16、或透光层16和固定层15(图20),其中透光层16、或透光层16和固定层15,是在发光单元12上相对于第一和第二电极122和123的对面侧上(b5);以及倒置发光单元12与载体层18,去除载体层18以暴露第一和第二电极122和123(图21)(b6)。在一实施例中,在透光层16和发光单元12之间没有固定层15,其中透光层16直接位于发光单元12上。根据需要,发光单元12可共同用于发出多于一种颜色的光。此外,第一电极122和第二电极123设置在每个发光单元12的相同侧上。
在一实施例中,步骤(a)包括:在发光单元12与遮光层14上形成底座基板11的介电层19(图22),介电层19位于发光单元12与发光单元12的第一电极122和第二电极123的相同侧,以覆盖第一电极122和第二电极123(a3);形成多个孔于介电层19中,以暴露由介电层19覆盖的第一和第二电极122和123(图23和图26,分别对应于第一和第二电极122,123),在介电层19中形成分别与第一和第二电极122和123耦接的多个导线111(图24和图27,分别对应于第一和第二电极122,123)(a4);形成其他介电层19A和19B以覆盖导线111(图25和图28);形成多个孔以暴露导线111(图29);以及形成多个导电部,用于传输发光单元12的信号(图30)。
在一实施例中,上述遮光层的材料包括:反射材料或吸光材料。一实施例中,上述遮光层的材料也可以是电绝缘材料。一实施例中,上述底座材料可包括与介电层1相同的材料。
如图31-图37所示,根据一种观点,本发明提供一种发光装置30(图7)的制造方法,其包括:提供一底座基板110,其包括多个位于底座基板110上表面的接垫112(图31);在底座基板110上形成多个发光单元12,用于发光,发光单元12包括发光作用区121,发光作用区121耦接于第一和第二电极122和123之间(图32);在底座基板110上形成遮光层14(一实施例中,又在相邻的发光单元12之间),以围绕发光单元12;暴露由遮光层14覆盖的第一电极122和第二电极123中至少其一(当遮光层与第一或二电极具有不同高度时,可一次暴露遮光层所覆盖的电极之一;或当遮光层与第一或二电极具有相同高度时,两电极可同时暴露于遮光层14外),以形成多个孔(图34);通过填入孔的方式,形成分别与第一电极122和第二电极123耦接的多个导线111(图35A和图35B分别示出与第一电极122和第二电极123对应的不同位置截面图),其中导线111进一步分别耦接到接垫112;形成透光层以覆盖导线111(图36);提供透光基板13,其上表面与下表面中至少其一包括多个凹部(填入多个波长转换材料M,图37),其中底面为面向于发光单元12,凹部分别与各发光单元的出光面125大致重叠,多个波长转换材料M用于填入凹部。
请参阅图38,其中显示了发光装置30的出平面方向示意图。连接发光单元12的不同电极的导线,可以分别沿水平和垂直方向配置,以连接发光单元12中矩阵***的不同接垫112。接垫112可为用于将信号传输到外部电路/从外部电路(未示出)传输的端子。
一实施例中,发光装置30的导线111的材料可包括透明导电材料(例如,导线111通过第一电极122或发光作用区121上方,不影响其发光性能),例如ITO(铟锡氧化物)、CTO(镉锡氧化物)、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn、In2O3:Zn、NiO、MnO、FeO、Fe2O3、CoO、CrO、Cr2O3、CrO2、CuO、SnO、GaO、RuO2、Ag2O、CuAlO2、SrCu2O2、LaMnO3、PdO、以及其中任一组合。
请参照图39,其中示出了根据一实施例的导线111和接垫112的配置。用于耦接发光单元的第一和第二电极的接垫112可被设计为:耦接第一和第二电极的接垫皆设置在相同侧(例如,上部或下部的两组接垫,皆耦接第一和第二电极);或者,分别连接发光单元的第一和第二电极的接垫112分别设置在对面侧上(例如,上部的接垫与第一电极耦接,下部的接垫与第二电极耦接)。可以根据功能需要选择其接垫设计。此外,在图39的一实施例中,不仅上、下部的接垫可用于耦接第一和第二电极,左、右部的接垫也可用于耦接第一和第二电极。
在图40中,示出图39的局部视图(以左上局部视图为例进行说明),其中导线111包括次导线111A、111B、111C、111D、111E、以及111F。次导线111A、111B、111C、111D、111E、以及111F中至少一个可用以耦接第一电极,其余的至少两个次导线可用以耦接第二电极。例如,次导线111B与第一电极耦接,并且相邻的次导线111A和111B与第二电极耦接。
以上所述,仅是本发明较佳实施例而已,并非对本发明的技术范围作任何限制,故凡是在不偏离本发明的真实范围的情况下,本发明可以以其它具体形式实施,基于本发明的技术实质教导对以上实例所作的任何细微修改,等同变化与修饰,对于本领域技术人员来说,许多变化和修改将是显而易见的,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (20)
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
底座基板,包括多个导线;以及
多个发光单元,设置于所述底座基板上,以发出至少一种颜色的光,各所述发光单元包括发光作用区,所述发光作用区耦接于所述发光单元的第一电极以及第二电极之间,其中所述多个导线分别耦接于所述第一电极以及所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述多个发光单元所发出光的颜色,选自红色、绿色、蓝色、或其中任一组合。
3.根据权利要求1所述的发光装置,还包括透光基板,所述透光基板包括多个凹部,所述多个凹部设置于所述透光基板的顶面、底面、或所述顶面与所述底面,其中所述底面为面向于所述多个发光单元,所述多个凹部分别与各所述发光单元的出光面大致重叠,多个波长转换材料用于填入所述多个凹部。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其中所述多个波长转换材料包括:荧光材料、滤光材料、量子点、染料材料、或其中任一组合。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述多个发光单元以矩阵的形式,设置于所述底座基板上。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其中发出第一颜色的光的所述多个发光单元,与发出第二颜色的光的所述多个发光单元,交替设置于所述矩阵的至少一方向上。
7.根据权利要求1所述的发光装置,还包括遮光层,所述遮光层设置于所述底座基板上以围绕所述多个发光单元,用以降低所述多个发光单元发出的光所造成的相互干扰。
8.根据权利要求7所述的发光装置,还包括透光层、或透光层与固定层,其层叠于所述多个发光单元与所述遮光层的相同侧。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述发光作用区的形状为矩形、四边形、圆形、三角形、或预定的几何形状。
10.根据权利要求1所述的发光装置,还包括电流扩散层,所述电流扩散层设置于所述第一电极上、或所述第一电极与所述发光作用区之间。
11.根据权利要求1所述的发光装置,其中,该些第一、二电极设置于各所述发光单元的相同侧;或该些第一、二电极分别设置于各所述发光单元的对面侧。
12.一种发光装置的制造方法,其特征在于,包括:
(a)提供底座基板,所述底座基板包括多个导线;以及
(b)设置多个发光单元,设置于所述底座基板上,以发出至少一种颜色的光,各所述发光单元包括发光作用区,所述发光作用区耦接于所述发光单元的第一电极以及第二电极之间;
其中所述多个导线分别耦接于所述第一电极以及所述第二电极。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其中,所述(a)包括:
(a1)形成所述多个导线于所述底座基板内;以及
(a2)形成电极层于所述底座基板上,所述电极层耦接于所述多个导线。
14.根据权利要求13所述的制造方法,其中,所述(b)包括:
(b1)根据所述多个发光单元的该些第一、二电极的预定位置,设置所述多个发光单元于所述电极层上;以及
(b2)形成遮光层于所述底座基板上,以围绕所述多个发光单元,用以降低所述多个发光单元发出的光所造成的相互干扰。
15.根据权利要求13所述的制造方法,其中,所述多个发光单元发出至少一种颜色的光,所述第一、二电极设置于各所述发光单元的相同侧。
16.根据权利要求12所述的制造方法,其中,所述(b)包括:
(b3)设置所述多个发光单元于载体层上,其中所述多个发光单元的该些第一、二电极埋设于所述载体层中;
(b4)形成遮光层于所述载体层上以围绕所述多个发光单元,其中所述遮光层的顶面以及所述发光单元的顶面,具有大致相同的高度;
(b5)设置透光层、或透光层与固定层,于所述遮光层与所述多个发光单元上,其中所述透光层、或所述透光层与所述固定层,设置于所述多个发光单元上相对该些第一、二电极的对面侧;以及
(b6)移除所述载体层,以暴露该些第一、二电极。
17.根据权利要求16所述的制造方法,其中所述(a)包括:
(a3)形成所述底座基板的介电层,所述介电层位于所述多个发光单元上,所述介电层位于所述多个发光单元的该些第一、二电极的相同侧,以覆盖该些第一、二电极;以及
(a4)暴露所述介电层覆盖的该些第一、二电极,并形成多个导线,以分别耦接所述多个导线于所述第一电极以及所述第二电极。
18.根据权利要求16所述的制造方法,其中,所述多个发光单元发出至少一种颜色的光,各所述第一、二电极分别设置于各所述发光单元的相同侧。
19.一种发光装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供底座基板,所述底座基板包括多个接垫;
形成多个发光单元于所述底座基板上,所述多个发光单元用以发出光,各所述发光单元包括发光作用区,所述发光作用区耦接于各所述发光单元的第一电极以及第二电极之间;
形成一遮光层于所述底座基板上,以围绕所述多个发光单元;
暴露为所述遮光层所覆盖的该些第一与第二电极中至少其一,并形成多个导线,所述多个导线分别耦接于所述第一电极以及所述第二电极,其中所述多个导线又分别耦接于所述多个接垫;
设置透光基板于所述多个发光单元上,所述透光基板包括多个凹部,所述多个凹部分别设置于所述透光基板的顶面、底面、或所述顶面与所述底面,其中所述底面为面向于所述多个发光单元,所述多个凹部分别与各所述发光单元的出光面大致重叠,多个波长转换材料用于填入所述多个凹部。
20.根据权利要求19所述的制造方法,其中,所述多个波长转换材料包括:荧光材料、滤光材料、量子点、染料材料、或其中任一组合。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762479345P | 2017-03-31 | 2017-03-31 | |
US62/479,345 | 2017-03-31 | ||
US201762505991P | 2017-05-15 | 2017-05-15 | |
US62/505,991 | 2017-05-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108695304A true CN108695304A (zh) | 2018-10-23 |
Family
ID=63845394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810291262.6A Pending CN108695304A (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-30 | 发光装置及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108695304A (zh) |
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- 2018-03-30 CN CN201810291262.6A patent/CN108695304A/zh active Pending
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20200922 |
|
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