CN101568950A - 有源矩阵基板及包括有源矩阵基板的显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有源矩阵基板及包括有源矩阵基板的显示面板。该有源矩阵基板(20a)界定有对显示作贡献的显示区域(D)、和设置在比显示区域(D)还靠近外侧的位置上并且对显示不作贡献的框架区域(F)，且包括在框架区域(F)内沿框架区域(F)的外周延伸而设置的接地用布线(23)。在框架区域(F)中的比接地用布线(23)还靠近外侧的位置上设置有栅极电极线(14b)，该栅极电极线(14b)用来在该栅极电极线(14b)与接地用布线(23)重叠的部分构成静电保护元件(25)。

Description

有源矩阵基板及包括有源矩阵基板的显示面板
技术领域
[0001]本发明涉及一种有源矩阵基板及包括有源矩阵基板的显示面板，特别是涉及有源矩阵驱动式液晶显示面板的制造技术。
背景技术
[0002]有源矩阵驱动式液晶显示面板包括有源矩阵基板、相向基板及液晶层。在该有源矩阵基板中，多个像素电极配置成矩阵状。该相向基板与该有源矩阵基板相向而配置，具有共用电极。该液晶层设置在所述有源矩阵基板与所述相向基板之间。
[0003]作为对为形成布线或电极而对导电膜进行蚀刻时的充电(带电)、和对取向膜进行摩擦处理时的静电等制造工艺中会产生的ESD(electro-static discharge：静电放电)采取的对策，下述技术已被广泛知道，即：在制造所述有源矩阵基板时，例如在为给相向基板的共用电极输入共通信号而设置于有源矩阵基板的外周部分的相向布线中，形成放电突起或静电保护元件(例如参照专利文献1到3)。根据该技术，即使静电产生在面板内部，也能够利用所述放电突起会发挥的避雷针作用使静电不影响到用来驱动液晶显示面板的驱动电路(驱动器)和为各个像素分别设置的各种导电元件。
专利文献1：日本公告专利公报特公平4-67168号公报
专利文献2：日本公开专利公报特开昭63-21623号公报
专利文献3：日本公开专利公报特开平11-95253号公报
[0004]图8是平面图，显示采取了ESD对策的现有有源矩阵基板120的一部分。
[0005]在该有源矩阵基板120中，在图8的右侧有一片矩形显示区域D，而在该显示区域D的外周部分设置有呈框状的框架区域F。如图8所示，在框架区域F中，从显示区域D一侧(右侧)依次形成有已单片(monolithic)化的驱动电路121、用来与外部输入端子连接的信号布线121a、构成静电保护元件125的栅极电极线114b以及具有用来与相向基板的共用电极连接的共通(common)转位部的相向布线123。而且，在比相向布线123还靠近左侧的位置上设有缓冲区域B，为了使腐蚀、破裂或缺口等不影响到显示区域D，在缓冲区域B中不配置实质电路。在此，如图8所示，在相向布线123中设置有多个分别向栅极电极线114b突出的放电突起123a，并且，在相向布线123中与栅极电极线114b重叠的部分设置有二极管型静电保护元件125。因此，制造有源矩阵基板120时，在规定量以上的电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线114b中的情况下，该电荷会经由静电保护元件125的半导体层112排出到已接地的相向布线123中，或者通过在放电突起123a的顶端进行的微小放电排出。
[0006]近年来，特别是用于手机等移动式设备的液晶显示面板，被强烈要求框架狭窄化，即实现使对显示不作贡献的、位于外周部分的框架区域更狭窄。然而，如上面参考图8所述，在现有液晶显示面板(有源矩阵基板120)中，因为只利用框架区域采取ESD对策，所以难以使ESD对策和框架狭窄化两立。
发明内容
[0007]本发明正是为解决所述问题而研究开发出来的。其目的在于：实现使ESD对策和框架狭窄化两立。
[0008]为达成所述目的，在本发明中，在框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的位置上设置栅极电极线，该栅极电极线用来在该栅极电极线与该接地用布线重叠的部分构成静电保护元件。
[0009]具体而言，本发明所涉及的有源矩阵基板，界定有对显示作贡献的显示区域、和设置在比该显示区域还靠近外侧的位置上并对显示不作贡献的框架区域，且包括在所述框架区域内沿该框架区域的外周延伸而设置的接地用布线。在所述框架区域中的比所述接地用布线还靠近外侧的位置上设置有栅极电极线，该栅极电极线用来在该栅极电极线与该接地用布线重叠的部分构成静电保护元件。
[0010]根据所述结构，因为构成静电保护元件的栅极电极线设置在框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的位置上，所以与栅极电极线设置在框架区域中的比接地用布线还靠近内侧的位置上的情况(参照图8的有源矩阵基板120)相比能够使框架区域的宽度更窄。在此，在有源矩阵基板的周缘端部即框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的区域，例如虽然不配置驱动电路等对显示作贡献的实质电路，但有效地配置对显示不作贡献而用于制造工艺中的ESD对策的静电保护元件和构成该静电保护元件的栅极电极线，以免腐蚀及/或破损影响到显示区域。在有源矩阵基板的制造工艺中，例如在规定量以上的电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线中的情况下，该电荷会经由静电保护元件排出到接地用布线中，这样来采取ESD对策。因此，能够使ESD对策和框架狭窄化两立。
[0011]所述静电保护元件也可以构成为：所述接地用布线和所述栅极电极线能够通过半导体层电连接。
根据所述结构，在有源矩阵基板的制造工艺中，例如在规定量以上的电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线中的情况下，该电荷会在静电保护元件中经由半导体层排出到接地用布线中。
[0012]所述接地用布线也可以构成为：与和所述有源矩阵基板相向而配置的相向基板的共用电极电连接。
[0013]根据所述结构，接地用布线成为用来与相向基板的共用电极电连接的布线。因此，能够具体地得到本发明的效果。
[0014]所述接地用布线也可以具有向所述栅极电极线一侧突出而设的放电突起。
[0015]根据所述结构，在有源矩阵基板的制造工艺中，例如在电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线中的情况下，该电荷会通过在接地用布线的放电突起的顶端部分产生的放电排出。
[0016]所述栅极电极线也可以具有向所述接地用布线一侧突出而设的放电突起。
[0017]根据所述结构，在有源矩阵基板的制造工艺中，例如在电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线中的情况下，该电荷会通过在栅极电极线的放电突起的顶端部分产生的放电排出。
[0018]在所述框架区域中的比所述接地用布线还靠近所述显示区域一侧的位置上也可以设置有驱动电路。
[0019]根据所述结构，栅极电极线设置在框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的位置上。因此，与栅极电极线设置在框架区域中的比接地用布线还靠近内侧的位置上的情况(参照图8的有源矩阵基板120)相比，构成静电保护元件的栅极电极线与驱动电路之间的距离更长，驱动电路更不易受到静电的影响。
[0020]所述框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的区域也可以是用来使腐蚀及/或破损不影响到所述显示区域的缓冲区域。
[0021]根据所述结构，框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的区域是缓冲区域，在该缓冲区域中，虽然未配置驱动电路等对显示作贡献的实质电路，但配置有对显示不作贡献而用于制造工艺中的ESD对策的静电保护元件和构成该静电保护元件的栅极电极线，有效地利用框架区域。因此，能够具体地得到本发明的作用和效果。
[0022]此外，本发明所涉及的显示面板包括有源矩阵基板、与所述有源矩阵基板相向而配置并且具有共用电极的相向基板以及设置在所述有源矩阵基板与所述相向基板之间的显示层，界定有对显示作贡献的显示区域、和设在比该显示区域还靠近外侧的位置上并对显示不作贡献的框架区域，在所述有源矩阵基板中设置有接地用布线，该接地用布线沿所述框架区域的外周延伸，用来与所述相向基板的所述共用电极电连接。在所述有源矩阵基板的所述框架区域中的比所述接地用布线还靠近外侧的位置上设置有栅极电极线，该栅极电极线用来在该栅极电极线与该接地用布线重叠的部分构成静电保护元件。
[0023]根据所述结构，构成静电保护元件的栅极电极线设置在框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的位置上。因此，与栅极电极线设置在框架区域中的比接地用布线还靠近内侧的位置上的情况(参照图8的有源矩阵基板120)相比，能够使框架区域的宽度更窄。在此，在有源矩阵基板的周缘端部即框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的区域，例如虽然不配置驱动电路等对显示作贡献的实质电路，但有效地配置对显示不作贡献而用于制造工艺中的ESD对策的静电保护元件和构成该静电保护元件的栅极电极线，以免腐蚀及/或破损影响到显示区域。在有源矩阵基板的制造工艺中，例如在规定量以上的电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线中的情况下，该电荷会经由静电保护元件排出到接地用布线中，这样来采取ESD对策。因此，能够使ESD对策和框架狭窄化两立。
-发明的效果-
[0024]根据本发明，在框架区域中的比接地用布线还靠近外侧的位置上设置有栅极电极线，该栅极电极线用来在该栅极电极线与该接地用布线重叠的部分构成静电保护元件。因此，能够使ESD对策和框架狭窄化两立。
附图说明
[0025][图1]图1是第一实施方式所涉及的液晶显示面板50的平面图。
[图2]图2是沿图1中的II-II线的、液晶显示面板50的剖面图。
[图3]图3是平面图，显示构成液晶显示面板50的有源矩阵基板20a的框架区域F。
[图4]图4是沿图3中的IV-IV线的、静电保护元件25的剖面图。
[图5]图5是平面图，显示有源矩阵基板20a的TFT(薄膜晶体管)5。
[图6]图6是平面图，显示构成第二实施方式所涉及的液晶显示面板的有源矩阵基板20b的框架区域F。
[图7]图7是平面图，显示构成第三实施方式所涉及的液晶显示面板的有源矩阵基板20c的框架区域F。
[图8]图8是平面图，显示现有有源矩阵基板120的框架区域F。
符号说明
[0026]B-缓冲区域；D-显示区域；F-框架区域；12a-半导体层；14b-栅极电极线；14ba-放电突起；20a到20c-有源矩阵基板；21-栅极驱动器(驱动电路)；23-接地用布线；23a-放电突起；25-静电保护元件；30-相向基板；31-共用电极；35-液晶层(显示层)；50-液晶显示面板。
具体实施方式
[0027]下面，参照附图对本发明的实施方式加以详细的说明。补充说明一下，本发明并不限于以下各个实施方式。
[0028]<发明的第一实施方式>
图1到图5显示本发明所涉及的有源矩阵基板及包括该有源矩阵基板的显示面板的第一实施方式。补充说明一下，作为显示面板的例子，在本实施方式中显示的是有源矩阵驱动式液晶显示面板。图1是本实施方式所涉及的液晶显示面板50的平面图；图2是沿图1中的II-II线的、液晶显示面板50的剖面图；图3是平面图，显示构成液晶显示面板50的有源矩阵基板20a的框架区域F。
[0029]如图1和图2所示，液晶显示面板50包括相向而配置的有源矩阵基板20a和相向基板30、以及设置在有源矩阵基板20a与相向基板30之间作为显示层的液晶层35，并界定有对显示作贡献的显示区域D、和包围显示区域D而设并且对显示不作贡献的框架区域F。
[0030]如图1和图2所示，有源矩阵基板20a在显示区域D中包括多条栅极线14a、多条源极线16a、多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor。以下称为“TFT”)5(参照图5)以及多个像素电极18，所述多条栅极线14a是相互平行地延伸而设置的，所述多条源极线16a是沿与各条栅极线14a垂直相交的方向相互平行地延伸而设置的，所述多个TFT(薄膜晶体管)5分别设置在各条栅极线14a和各条源极线16a的各个交叉部分，所述多个像素电极18是对应于各个TFT5而分别设置的。补充说明一下，各个像素电极18构成图像的最小单位即像素，多个像素配置成以矩阵状排列而构成显示区域D。此外，在有源矩阵基板20a的表面设置有已进行过摩擦处理的取向膜19(参照图5)，该取向膜19覆盖各个像素电极18。
[0031]如图5所示，TFT5包括半导体层12b、栅极绝缘膜13及栅极电极14aa，具有顶栅(top gate)型结构，该半导体层12b是隔着底层(base coat)膜11设置在绝缘基板10上的，该栅极绝缘膜13设置为覆盖半导体层12b，该栅极电极14aa设置在栅极绝缘膜13上。
[0032]在此，如图5所示，半导体层12b具有与栅极电极14aa重叠而设的沟道区域12ba、和设置在沟道区域12ba的两侧的源极区域12bb及漏极区域12bc。栅极电极14aa是栅极线14a对各个像素分别向侧边突出的部分。源极电极16aa通过形成在栅极绝缘膜13及层间绝缘膜15层叠的层叠膜中的接触孔与源极区域12bb电连接，该源极电极16aa是源极线16a对各个像素分别向侧边突出而成的。而且，漏极电极16ab通过形成在栅极绝缘膜13及层间绝缘膜15层叠的层叠膜中的接触孔与漏极区域12bc电连接。补充说明一下，作为位于源极电极16aa及漏极电极16ab的上面的层，设置有树脂层17。漏极电极16ab通过形成在树脂层17中的接触孔(未示)与像素电极18电连接。
[0033]此外，如图1到图3所示，有源矩阵基板20a在框架区域F中包括栅极驱动器21、源极驱动器22、接地用布线23以及多个输入端子T，该栅极驱动器21用来向各条栅极线14a提供栅极信号，该源极驱动器22用来向各条源极线16a提供源极信号，该接地用布线23设置在比栅极驱动器21及源极驱动器22还靠近外侧的位置上，并发挥用来向后述的相向基板30的共用电极31提供共通信号的相向布线的作用，所述多个输入端子T用来通过信号线21a及信号线22a向栅极驱动器21及源极驱动器22分别输入信号，此外还用来向接地用布线23输入信号。补充说明一下，栅极驱动器21和源极驱动器22也可以由单片集成电路(monolithic Integratedcircuit)构成，就是说，也可以由与像素的TFT5同时形成的集成电路构成。此外，栅极驱动器21和源极驱动器22也可以由已COG(chip on glass：固定于玻璃上的芯片)化的集成电路芯片构成，就是说，也可以由通过安装(mount)制成的集成电路芯片构成。
[0034]如图1所示，接地用布线23包括共通转位部23b、线状部分以及多个放电突起23a，该共通转位部23b设置在各个角部，用来与相向基板30的共用电极31连接，该线状部分设置在各个共通转位部23b之间，所述多个放电突起23a是在所述各条线状部分向外侧(后述的栅极电极线14b一侧)突出而设的，用来在各个顶端部分产生小规模放电。
[0035]而且，如图1到图3所示，有源矩阵基板20a在位于框架区域F的外周部分的缓冲区域B中包括栅极电极线14b，该栅极电极线14b构成为：该栅极电极线14b的两端部分向内侧(显示区域D一侧)折弯而与接地用布线23重叠。如图3所示，在接地用布线23、和栅极电极线14b的两端部分交叉重叠的部分，分别设置有两个静电保护元件25。
[0036]图4是沿图3中的IV-IV线的、静电保护元件25的剖面图。
[0037]如图3和图4所示，静电保护元件25包括半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极电极线14b、层间绝缘膜15以及接地用布线23，该半导体层12a隔着底层膜11设置在绝缘基板10上，该栅极绝缘膜13是覆盖半导体层12a而设置的，该栅极电极线14b是在栅极绝缘膜13上与半导体层12a交叉而设置的，该层间绝缘膜15是覆盖栅极电极线14b而设置的，该接地用布线23通过形成在栅极绝缘膜13及层间绝缘膜15层叠的层叠膜中的接触孔与半导体层12a电连接。在此，半导体层12a具有与栅极电极线14b重叠而设的高电阻区域12aa、和设置在高电阻区域12aa的两侧的低电阻区域12ab及12ac。
[0038]静电保护元件25构成为：在有源矩阵基板20a的制造工艺中，例如在规定量以上的电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线14b中的情况下，该电荷经由半导体层12a排出到接地用布线23中。该静电保护元件25发挥用于ESD对策的半导体二极管的作用。
[0039]如图2所示，相向基板30包括彩色滤光层(未示)和设置在该彩色滤光层上的共用电极31。在此，在所述彩色滤光层中，对应于有源矩阵基板20a上的各个像素电极18例如包括各自着色成红色、绿色或蓝色的多个着色层(未示)和设在各个着色层之间的黑矩阵(未示)。补充说明一下，在相向基板30的表面设置有已进行过摩擦处理的取向膜(未示)，该取向膜覆盖共用电极31。
[0040]液晶层35由具有电光学特性的向列型(nematic)液晶等形成。
[0041]具有所述结构的液晶显示面板50构成为：在各个像素中，当来自栅极驱动器21的栅极信号经由栅极线14a发送来，TFT5成为导通状态时，来自源极驱动器22的源极信号经由源极线16a发送来，规定的电荷由此经由TFT5写入到像素电极18中，另一方面，共通信号经由接地用布线23送给共用电极31，就会在像素电极18与共用电极31之间产生电位差，其结果是规定的电压施加在由液晶层35构成的液晶电容体上。液晶显示面板50利用液晶层35的取向状态随液晶层35的施加电压的大小而变化这一现象，对从外部射入的光的透光率加以调整，来显示图像。
[0042]接着，参照图1到图4对具有所述结构的液晶显示面板50的制造方法加以说明。补充说明一下，本实施方式的制造方法包括有源矩阵基板制作工序、相向基板制作工序及液晶层形成工序。
[0043]<有源矩阵基板制作工序>
利用等离子CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法在整个玻璃基板等绝缘基板10上例如形成氧化硅膜(膜厚为100nm左右)，来形成底层膜11。
[0044]接着，利用等离子CVD法在基板上的整个底层膜11上形成非晶硅膜(膜厚为50nm左右)，然后通过激光退火(laser anneal)进行晶化(变质成多晶硅膜)。之后，利用光刻法形成图案，来形成半导体层12a及12b。
[0045]之后，还利用等离子CVD法在基板的形成有半导体层12a及12b的整个底层膜11上例如形成氧化硅膜(膜厚为100nm左右)，来形成栅极绝缘膜13。
[0046]然后，利用溅射法在基板的整个栅极绝缘膜13上例如依次形成氮化钽膜(膜厚为50nm左右)和钨膜(膜厚为350nm左右)，而后利用光刻法形成图案，来形成栅极线14a、栅极电极14aa及栅极电极线14b。
[0047]接着，以栅极电极14aa及栅极电极线14b为掩模，经由栅极绝缘膜13将磷分别掺入到半导体层12a及12b中，从而将沟道区域12ba形成在与栅极电极14aa重叠的部分，并将源极区域12bb及漏极区域12bc形成在沟道区域12ba的外侧，并且，将高电阻区域12aa形成在与栅极电极线14b重叠的部分，并将低电阻区域12ab及12ac形成在高电阻区域12aa的外侧。之后，进行加热处理，进行已掺入的磷的活化处理。补充说明一下，若如上所述作为杂质掺入磷，就形成N沟道型TFT；若作为杂质掺入硼，就形成P沟道型TFT。
[0048]然后，还利用等离子CVD法在基板的形成有栅极线14a、栅极电极14aa及栅极电极线14b的整个栅极绝缘膜13上例如依次形成氮化硅膜(膜厚为500nm左右)及氧化硅膜(膜厚为500nm左右)，来形成层间绝缘膜15。
[0049]之后，在栅极绝缘膜13及层间绝缘膜15层叠的层叠膜中，通过蚀刻除去与半导体层12a的低电阻区域12ab及12ac和半导体层12b的源极区域12bb及漏极区域12bc对应的部分，从而分别形成接触孔。
[0050]接着，利用溅射法在基板的整个层间绝缘膜15上例如依次形成钛膜(膜厚为100nm左右)、铝膜(膜厚为500nm左右)及钛膜(膜厚为100nm左右)，然后利用光刻法形成图案，来形成源极线16a、源极电极16aa、漏极电极16ab、接地用布线23、放电突起23a及共通转位部23b。这样，就形成TFT5和静电保护元件25，也形成栅极驱动器21和源极驱动器22。
[0051]之后，还进行加热处理，对半导体层12a及12b的悬挂键(dangling bond)进行终结。
[0052]之后，例如将丙烯酸树脂(膜厚为2μm到3μm)涂在基板的形成有源极线16a、源极电极16aa、漏极电极16ab、接地用布线23、放电突起23a及共通转位部23b的整个层间绝缘膜15上，来形成树脂层17。
[0053]接着，通过蚀刻除去树脂层17的与漏极电极16ab对应的部分，来形成接触孔。
[0054]之后，利用溅射法在基板的整个树脂层17上例如形成ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)膜(膜厚为100nm左右)，之后利用光刻法形成图案，来形成像素电极18。
[0055]最后，利用印刷法例如形成聚酰亚胺(polyimide)树脂膜后，进行摩擦处理，来形成取向膜19。
[0056]利用上述办法，就能够制作出有源矩阵基板20a。在此，在规定量以上的电荷由于进行基于光刻法的蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线14b中的情况下，该电荷会经由静电保护元件25的半导体层12a排出到接地用布线23中。此外，在少量的电荷积存于接地用布线23中的情况下，也能够将该电荷通过在放电突起23a的顶端部分产生的小规模放电排出。补充说明一下，接地用布线23构成为：至少在进行该有源矩阵基板制作工序的那一段时间内接地。
[0057]<相向基板制作工序>
首先，在整个玻璃基板等绝缘基板上例如用黑色感光性树脂(膜厚为1μm左右)形成图案，来形成黑矩阵。
[0058]接着，在黑矩阵的各个格子间例如用红、绿或蓝的着色层(膜厚为2μm左右)形成图案，来形成彩色滤光层。
[0059]之后，在彩色滤光层上形成ITO膜(膜厚为100nm左右)，来形成共用电极31。
[0060]最后，利用印刷法例如形成聚酰亚胺树脂膜后，进行摩擦处理，来形成取向膜。
[0061]利用上述办法，就能够制作出相向基板30。
[0062]<液晶层形成工序>
首先，例如利用印刷法在通过所述有源矩阵基板制作工序制作出的有源矩阵基板20a上形成由热固性树脂形成的框形密封部36，之后将导电浆状物(paste)涂在有源矩阵基板20a的共通转位部23b上。
[0063]接着，将由塑料等形成的球形间隔物(spacer)散布在形成有密封部36的有源矩阵基板20a上。补充说明一下，在本实施方式中散布的是由塑料等形成的球形间隔物，也可以用感光性树脂形成图案，来形成感光性间隔物(photo spacer)。
[0064]之后，再将已散布有间隔物的有源矩阵基板20a和通过所述相向基板制作工序制作出的相向基板30贴在一起。此时，有源矩阵基板20a上的共通转位部23b和相向基板30上的共用电极31通过导电浆状物(未示)电连接。补充说明一下，在本实施方式中，将导电浆状物涂在共通转位部23b上，来使共通转位部23b及共用电极31通过导电浆状物电连接。也可以让密封部36含有金球等导电粒子，使共通转位部23b及共用电极31通过该导电粒子电连接。
[0065]之后，通过加热使密封部36固化后，利用减压法将液晶材料注入到有源矩阵基板20a与相向基板30之间。
[0066]最后，用紫外线固化树脂等对密封部36进行密封，来形成液晶层35。
[0067]利用上述办法，就能够制造出液晶显示面板50。
[0068]补充说明一下，在本实施方式中作为例子提到的是下述液晶显示面板的制造方法，即：首先隔着密封部使相向的玻璃基板贴在一起，再使该密封部固化，然后注入液晶材料。也可以首先在玻璃基板上画密封部分，并使液晶材料滴下，然后使玻璃基板贴在一起，使密封部固化，来制造出液晶显示面板。
[0069]如上所述，根据本实施方式的有源矩阵基板20a和液晶显示面板50，因为构成静电保护元件25的栅极电极线14b设置在框架区域F中的比接地用布线23还靠近外侧的位置上，所以与栅极电极线114b设置在框架区域F中的比相向布线123还靠近内侧的位置上的情况(参照图8的有源矩阵基板120)相比，能够使框架区域F的宽度更窄。在此，在有源矩阵基板20a的周边端部即框架区域F中的比接地用布线23还靠近外侧的区域，即缓冲区域B内，例如虽然不配置驱动电路等对显示作贡献的实质电路，但能够有效地配置对显示不作贡献而用于制造工艺中的ESD对策的静电保护元件25和构成该静电保护元件25的栅极电极线14b，以免腐蚀及/或破损(破裂或缺口)影响到显示区域D。在有源矩阵基板20a的制造工艺中，例如在规定量以上的电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线14b中的情况下，该电荷会经由静电保护元件25的半导体层12a排出到接地用布线23中，这样来采取ESD对策。因此，能够使ESD对策和框架狭窄化两立。
[0070]此外，根据本实施方式的有源矩阵基板20a，因为接地用布线23具有向栅极电极线14b一侧突出而设的放电突起23a，所以在该有源矩阵基板的制造工艺(有源矩阵基板制作工序)中，例如在电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线14b中的情况下，也能够利用经由层间绝缘膜在放电突起23a的顶端部分产生的放电将该电荷排出。
[0071]再说，根据本实施方式的有源矩阵基板20a，因为在框架区域F中的比接地用布线23还靠近显示区域D一侧的位置上设置有栅极驱动器21，所以与栅极电极线114b设置在框架区域F中的比相向布线123还靠近内侧的位置上的情况(参照图8的有源矩阵基板120)相比，构成静电保护元件25的栅极电极线14b与栅极驱动器21之间的距离更长。因此，能够使栅极驱动器21不易受到静电的影响。
[0072]<发明的第二实施方式>
图6是平面图，显示本实施方式所涉及的有源矩阵基板20b的框架区域F。补充说明一下，在以下各个实施方式中，以相同的符号表示与图1到图5相同的部分，省略该部分的详细说明。
[0073]在所述第一实施方式中，放电突起23a和接地用布线23形成为一体。而在本实施方式中，放电突起14ba和栅极电极线14b形成为一体，如图6所示。根据该结构，在有源矩阵基板20b的制造工艺中，例如在电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线14b中的情况下，能够利用经由层间绝缘膜15在放电突起14ba的顶端部分产生的放电将该电荷排出。补充说明一下，省略有源矩阵基板20b的制作方法的详细说明，其理由是：只要在第一实施方式所述的有源矩阵基板20a的制作工序中对形成栅极电极线14b和接地用布线23的图案时的图案形状进行变更就可以。
[0074]<发明的第三实施方式>
图7是平面图，显示本实施方式所涉及的有源矩阵基板20c的框架区域F。
[0075]在所述各个实施方式中，形成有放电突起14ba及23a中的任一种放电突起。而在本实施方式中，形成有放电突起14ba和23a，如图7所示。根据所述结构，在有源矩阵基板的制造工艺中，例如在电荷由于蚀刻时的充电或摩擦处理时的静电而积存于栅极电极线14b中的情况下，能够利用经由层间绝缘膜15在放电突起14ba及23a的顶端部分产生的放电将该电荷排出。
[0076]补充说明一下，在所述第一到第三实施方式中作为显示面板的例子提到的是有源矩阵驱动式液晶显示面板50。本发明也可以用于EL(electroluminescence：电致发光)显示面板和无源矩阵驱动式显示面板等等。
-工业实用性-
[0077]如上所述，因为本发明能够使ESD对策和框架狭窄化两立，所以对被要求框架狭窄化的手机等移动式设备用显示面板很有用。

Claims (8)

1.一种有源矩阵基板，界定有对显示作贡献的显示区域、和设置在比该显示区域还靠近外侧的位置上并对显示不作贡献的框架区域，且包括在所述框架区域内沿该框架区域的外周延伸而设置的接地用布线，其特征在于：
在所述框架区域中的比所述接地用布线还靠近外侧的位置上设置有栅极电极线，该栅极电极线用来在该栅极电极线与该接地用布线重叠的部分构成静电保护元件。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述静电保护元件构成为：所述接地用布线和所述栅极电极线能够通过半导体层电连接。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述接地用布线构成为：与和所述有源矩阵基板相向而配置的相向基板的共用电极电连接。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述接地用布线具有向所述栅极电极线一侧突出而设的放电突起。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述栅极电极线具有向所述接地用布线一侧突出而设的放电突起。
6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在所述框架区域中的比所述接地用布线还靠近所述显示区域一侧的位置上设置有驱动电路。
7.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
所述框架区域中的比所述接地用布线还靠近外侧的区域是用来使腐蚀及/或破损不影响到所述显示区域的缓冲区域。
8.一种显示面板，包括有源矩阵基板、与所述有源矩阵基板相向而配置并且具有共用电极的相向基板以及设置在所述有源矩阵基板与所述相向基板之间的显示层，界定有对显示作贡献的显示区域、和设在比该显示区域还靠近外侧的位置上并对显示不作贡献的框架区域，在所述有源矩阵基板中设置有接地用布线，该接地用布线沿所述框架区域的外周延伸，用来与所述相向基板的共用电极电连接，其特征在于：
在所述有源矩阵基板的框架区域中的比所述接地用布线还靠近外侧的位置上设置有栅极电极线，该栅极电极线用来在该栅极电极线与该接地用布线重叠的部分构成静电保护元件。
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