CN108648678A - 过压保护单元、方法、采样模组、像素电路和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种过压保护单元、方法、采样模组、像素电路和显示装置。过压保护单元包括比较子电路和输出控制子电路;所述比较子电路分别接入预定最大电压和实际采样电压,所述比较子电路用于比较所述预定最大电压和所述实际采样电压,并当比较得到所述预定最大电压大于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出导通控制信号,当比较得到所述预定最大电压小于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出截止控制信号;所述输出控制子电路与所述比较子电路连接,并接入所述实际采样电压,用于当接收到所述导通控制信号时输出所述实际采样电压,并当接收到所述截止控制信号时不输出所述实际采样电压。本发明可以防止过压击穿的现象发生。
Description
技术领域
本发明涉及过压保护技术领域,尤其涉及一种过压保护单元、方法、采样模组、像素电路和显示装置。
背景技术
现有的像素电路包括发光元件、数据写入模块、存储电容模块、驱动模块和补偿控制模块。所述数据写入模块用于在第一扫描线的控制下,控制导通或断开数据线与驱动模块的控制端之间的连接;驱动模块的第一端与电源电压端连接,驱动模块的第二端与所述发光元件连接;所述存储电容模块的第一端与所述驱动模块的控制端连接,所述存储电容模块的第二端与所述驱动模块的第二端连接;所述补偿控制模块的控制端与第二扫描线连接,所述补偿控制模块的第一端与所述驱动模块的第二端连接,所述补偿控制模块的第二端与所述感测线连接,所述补偿控制模块用于在所述第二扫描线的控制下控制导通或断开所述驱动模块的第二端与所述感测线之间的连接。在显示面板制造过程中或者显示面板点亮的过程中,由于线路之间可能出现的某种短接,以至于感测线上的电压超过模数转换器的最大工作电压,那么就可能对数模转换器造成不可恢复的致命损害,以致显示面板不能正常显示画面。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种过压保护单元、方法、采样模组、像素电路和显示装置,解决现有技术中感测线上的电压超过模数转换器的最大工作电压,那么就可能对数模转换器造成不可恢复的致命损害,以致显示面板不能正常显示画面的问题。
为了达到上述目的,本发明提供了一种过压保护单元,包括比较子电路和输出控制子电路;所述比较子电路分别接入预定最大电压和实际采样电压,所述比较子电路用于比较所述预定最大电压和所述实际采样电压,并当比较得到所述预定最大电压大于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出导通控制信号,当比较得到所述预定最大电压小于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出截止控制信号;
所述输出控制子电路与所述比较子电路连接,并接入所述实际采样电压,用于当接收到所述导通控制信号时输出所述实际采样电压,并当接收到所述截止控制信号时不输出所述实际采样电压。
实施时,所述比较子电路包括比较器;
所述比较器的第一输入端接入所述预定最大电压,所述比较器的第二输入端接入所述实际采样电压,所述比较器的输出端与所述输出控制子电路连接;
所述导通控制信号为第一电压信号,所述截止控制信号为第二电压信号。
实施时,所述输出控制子电路包括反相器和传输门;
所述反相器的输入端与所述比较器的输出端连接,所述反相器的输出端与所述传输门的第一控制端连接;所述反相器用于对其输入端接入的电压信号进行反相,并通过该反相器的输出端输出反相后的电压信号;
所述传输门的第二控制端与所述比较器的输出端连接,所述传输门的输入端接入所述实际采样电压;
所述传输门用于在所述比较器通过其输出端输出所述第一电压信号时,通过该传输门的输出端输出所述实际采样电压,并用于在所述比较器通过其输出端输出所述第二电压信号时,不输出所述实际采样电压。
实施时,所述第一输入端为正相输入端,所述第二输入端为反相输入端,所述第一电压信号为高电压信号,所述第二电压信号为低电压信号,所述第一控制端为反相控制端,所述第二控制端为正相控制端。
实施时,所述第一输入端为反相输入端,所述第二输入端为正相输入端,所述第一电压信号为低电压信号,所述第二电压信号为高电压信号,所述第一控制端为正相控制端,所述第二控制端为反相控制端。
实施时,所述输出控制子电路包括输出控制晶体管;
所述输出控制晶体管的栅极与所述比较器的输出端连接,所述输出控制晶体管的第一极接入所述实际采样电压;
所述输出控制晶体管用于在所述比较器通过其输出端输出所述第一电压信号时导通,以通过该输出控制晶体管的第二极输出所述实际采样电压,并用于在所述比较器通过其输出端输出所述第二电压信号时截止,以不输出所述实际采样电压。
实施时,所述第一输入端为正相输入端,所述第二输入端为反相输入端,所述第一电压信号为高电压信号,所述第二电压信号为低电压信号,所述输出控制晶体管为N型晶体管。
实施时,所述第一输入端为反相输入端,所述第二输入端为正相输入端,所述第一电压信号为低电压信号,所述第二电压信号为高电压信号,所述输出控制晶体管为P型晶体管。
本发明还提供了一种过压保护方法,应用于上述的过压保护单元,所述过压保护方法包括:
比较子电路比较预定最大电压和实际采样电压,并当比较得到所述预定最大电压大于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出导通控制信号,当比较得到所述预定最大电压小于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出截止控制信号;
当输出控制子电路接收到所述导通控制信号时输出所述实际采样电压,当所述输出控制子电路接收到所述截止控制信号时不输出所述实际采样电压。
本发明还提供了一种采样模组,包括感测线,其特征在于,还包括上述的过压保护单元;所述过压保护单元包括比较子电路和输出控制子电路;
所述感测线与所述比较子电路和所述输出控制子电路连接,用于向所述比较子电路和所述输出控制子电路发送所述实际采样电压。
实施时,本发明所述的采样模组还包括处理子电路;
所述处理子电路与所述输出控制子电路连接,用于当所述输出控制子电路接收到导通控制信号时接收所述实际采样电压,并对所述实际采样电压进行处理;
所述比较子电路接入的预定最大电压为所述处理子电路的最大工作电压。
实施时,所述处理子电路包括模数转换器,所述模数转换器用于当所述输出控制子电路接收到导通控制信号时接收所述实际采样电压,并对所述实际采样电压进行模数转换。
本发明还提供了一种像素电路,所述像素电路包括像素驱动子电路和上述的采样模组;
所述像素驱动子电路与和所述采样模组包括的感测线连接。
实施时,本发明所述的像素电路还包括发光元件,所述像素驱动子电路包括数据写入模块、存储电容模块、驱动模块和补偿控制模块;
所述数据写入模块的控制端与第一扫描线连接,所述数据写入模块的第一端与数据线连接,所述数据写入模块的第二端与所述驱动模块的控制端连接,所述数据写入模块用于在所述第一扫描线的控制下,控制导通或断开所述数据线与所述驱动模块的控制端之间的连接;
所述驱动模块的第一端与电源电压端连接,所述驱动模块的第二端与所述发光元件连接;所述驱动模块用于在其控制端的控制下控制导通或断开所述电源电压端与所述发光元件之间的连接;
所述存储电容模块的第一端与所述驱动模块的控制端连接,所述存储电容模块的第二端与所述驱动模块的第二端连接;
所述补偿控制模块的控制端与第二扫描线连接,所述补偿控制模块的第一端与所述驱动模块的第二端连接,所述补偿控制模块的第二端与所述感测线连接,所述补偿控制模块用于在所述第二扫描线的控制下控制导通或断开所述驱动模块的第二端与所述感测线之间的连接。
本发明还提供了一种显示装置,包括上述的像素电路。
与现有技术相比,本发明所述的过压保护单元、方法、采样模组、像素电路和显示装置通过比较子电路比较实际采样电压和预定最大电压,当该实际采样电压小于预定最大电压时才控制输出控制子电路输出该实际采样电压,从而可以防止过压击穿的现象发生。
附图说明
图1是本发明实施例所述的过压保护单元的结构图;
图2是本发明所述的过压保护单元的第一具体实施例的电路图;
图3是本发明所述的过压保护单元的第二具体实施例的电路图;
图4是本发明所述的过压保护单元的第三具体实施例的电路图;
图5是本发明实施例所述的过压保护方法的流程图;
图6是本发明实施例所述的采样模组的结构图;
图7是本发明实施例所述的像素电路的结构图;
图8是本发明所述的像素电路的一具体实施例的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中,为区分晶体管除栅极之外的两极,将其中一极称为第一极,另一极称为第二极。在实际操作时,所述第一极可以为漏极,所述第二极可以为源极;或者,所述第一极可以为源极,所述第二极可以为漏极。
如图1所示,本发明实施例所述的过压保护单元包括比较子电路11和输出控制子电路12;
所述比较子电路11分别接入预定最大电压Vmax和实际采样电压V1;
所述比较子电路11用于比较所述预定最大电压Vmax和所述实际采样电压V1,并当比较得到所述预定最大电压Vmax大于所述实际采样电压V1时向所述输出控制子电路12输出导通控制信号,当比较得到所述预定最大电压Vmax小于所述实际采样电压V1时向所述输出控制子电路12输出截止控制信号;
所述输出控制子电路12与所述比较子电路11连接,并接入所述实际采样电压V1,用于当接收到所述导通控制信号时输出所述实际采样电压V1,并当接收到所述截止控制信号时不输出所述实际采样电压V1。
本发明实施例所述的过压保护单元包括比较子电路11和输出控制子电路12,通过比较子电路11比较实际采样电压V1和预定最大电压Vmax,当该实际采样电压V1小于预定最大电压Vmax时才控制输出控制子电路12输出该实际采样电压V1,从而可以防止过压击穿的现象发生。
在实际操作时,所述实际采样电压V1可以为子像素电路模型中的感测线上的电压,所述输出控制子电路12的输出端可以与数模转换器连接,本发明实施例通过在感测线和数模转换器之间添加比较子电路11和输出控制子电路12,达到预防感测线上的异常高电压对数模转换器的电压冲击的目的,从而保证数模转换器可以安全稳定的将感测线上的模拟电压信号转换为数字电压信号。
具体的,所述比较子电路可以包括比较器;
所述比较器的第一输入端接入所述预定最大电压,所述比较器的第二输入端接入所述实际采样电压,所述比较器的输出端与所述输出控制子电路连接;
所述导通控制信号为第一电压信号,所述截止控制信号为第二电压信号。
根据一种具体实施方式,所述第一输入端可以为正相输入端,所述第二输入端可以为反相输入端,则当预定最大电压大于实际采样电压时,所述比较器输出导通控制信号,该第一电压信号为高电压信号;当预定最大电压小于实际采样电压时,所述比较器输出截止控制信号,该第二电压信号为低电压信号;
根据另一种实施方式,所述第一输入端可以为反相输入端,所述第二输入端可以为正相输入端,则当预定最大电压大于实际采样电压时,所述比较器输出导通控制信号,该第一电压信号为低电压信号;当预定最大电压小于实际采样电压时,所述比较器输出截止控制信号,该第二电压信号为高电压信号。
具体的,所述输出控制子电路可以包括反相器和传输门;
所述反相器的输入端与所述比较器的输出端连接,所述反相器的输出端与所述传输门的第一控制端连接;所述反相器用于对其输入端接入的电压信号进行反相,并通过该反相器的输出端输出反相后的电压信号;
所述传输门的第二控制端与所述比较器的输出端连接,所述传输门的输入端接入所述实际采样电压;
所述传输门用于在所述比较器通过其输出端输出所述第一电压信号时,通过该传输门的输出端输出所述实际采样电压,并用于在所述比较器通过其输出端输出所述第二电压信号时,不输出所述实际采样电压。
在具体实施时,当所述第一输入端为正相输入端,所述第二输入端为反相输入端,所述第一电压信号为高电压信号,所述第二电压信号为低电压信号时,所述第一控制端为反相控制端,所述第二控制端为正相控制端;当所述第一输入端为反相输入端,所述第二输入端为正相输入端,所述第一电压信号为低电压信号,所述第二电压信号为高电压信号时,所述第一控制端为正相控制端,所述第二控制端为反相控制端;当所述传输门的正相控制端接入高电压信号,所述传输门的反相控制端接入低电压信号时,所述传输门输出所述实际采样电压。
在实际操作时,当所述比较器的第一输入端接入的预定最大电压等于所述比较器的第二输入电压接入的实施例采样电压时,所述比较器输出高电平信号。
如图2所示,本发明所述的过压保护单元的第一具体实施例包括比较子电路11和输出控制子电路12;
具体的,所述比较子电路11包括比较器CMP;所述输出控制子电路12包括反相器INV和传输门TG;
所述比较器CMP的正相输入端接入所述预定最大电压Vmax,所述比较器CMP的反相输入端接入所述实际采样电压V1,所述比较器CMP的输出端与所述反相器INV的输入端连接;
所述反相器INV的输出端与所述传输门TG的反相控制端连接;所述反相器INV用于对其输入端接入的电压信号进行反相,并通过该反相器INV的输出端输出反相后的电压信号;
所述传输门TG的正相控制端与所述比较器CMP的输出端连接,所述传输门TG的输入端接入所述实际采样电压V1;
所述传输门TG用于在所述比较器CMP通过其输出端输出高电压信号时,通过该传输门TG的输出端输出所述实际采样电压V1,并用于在所述比较器CMP通过其输出端输出所述低电压信号时,TG截止,不输出所述实际采样电压V1,这样就隔断了对数模转换器的电压冲击的线路。
本发明如图2所示的过压保护单元的第一具体实施例可以在过压保护的同时,TG的输入端接入的V1与TG的输出端输出的电压之间不存在阈值电压的损失。
本发明如图2所示的过压保护单元的第一具体实施例在工作时,当Vmax大于或等于V1时,CMP输出高电压信号,INV输出低电压信号;TG的正相控制端接入高电压信号,TG的反相控制端接入低电压信号,TG输出V1;
当Vmax小于V1时,CMP输出低电压信号,INV输出高电压信号;TG的正相控制端接入低电压信号,TG的反相控制端接入高电压信号,TG不输出电压。
具体的,所述输出控制子电路可以包括输出控制晶体管;
所述输出控制晶体管的栅极与所述比较器的输出端连接,所述输出控制晶体管的第一极接入所述实际采样电压;
所述输出控制晶体管用于在所述比较器通过其输出端输出所述第一电压信号时导通,以通过该输出控制晶体管的第二极输出所述实际采样电压,并用于在所述比较器通过其输出端输出所述第二电压信号时截止,以不输出所述实际采样电压。
根据一种具体实施方式,所述第一输入端为正相输入端,所述第二输入端为反相输入端,所述第一电压信号为高电压信号,所述第二电压信号为低电压信号,所述输出控制晶体管为N型晶体管。
在实际操作时,当比较器的第一输入端接入的预定最大电压等于所述比较器的第二输入电压接入的实施例采样电压时,所述比较器输出高电平信号。
根据另一种具体实施方式,所述第一输入端为反相输入端,所述第二输入端为正相输入端,所述第一电压信号为低电压信号,所述第二电压信号为高电压信号,所述输出控制晶体管为P型晶体管。
如图3所示,本发明所述的过压保护单元的第二具体实施例包括比较子电路11和输出控制子电路12;
所述比较子电路11包括比较器CMP;所述输出控制子电路12包括输出控制晶体管M1;M1为NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属-氧化物-半导体)晶体管;
所述比较器CMP的正相输入端接入所述预定最大电压Vmax,所述比较器CMP的反相输入端接入所述实际采样电压V1,所述比较器CMP的输出端与所述输出控制晶体管M1的栅极连接;
当Vmax或等于大于V1时,CMP输出高电压信号;当Vmax小于V1时,CMP输出低电压信号;
所述输出控制晶体管M1的漏极接入所述实际采样电压V1;
在所述比较器CMP通过其输出端输出高电压信号时,所述输出控制晶体管M1导通,以通过该输出控制晶体管M1的源极输出所述实际采样电压V1,在所述比较器CMP通过其输出端输出低电压信号时,所述输出控制晶体管M1截止,以不输出所述实际采样电压V1。
如图4所示,本发明所述的过压保护单元的第三具体实施例包括比较子电路11和输出控制子电路12;
所述比较子电路11包括比较器CMP;所述输出控制子电路12包括输出控制晶体管M1;M1为PMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,P型金属-氧化物-半导体)晶体管;
所述比较器CMP的反相输入端接入所述预定最大电压Vmax,所述比较器CMP的正相输入端接入所述实际采样电压V1,所述比较器CMP的输出端与所述输出控制晶体管M1的栅极连接;
当V1大于或等于Vmax时,CMP输出高电压信号;当V1小于Vmax时,CMP输出低电压信号;
所述输出控制晶体管M1的源极接入所述实际采样电压V1;
在所述比较器CMP通过其输出端输出低电压信号时,所述输出控制晶体管M1导通,以通过该输出控制晶体管M1的漏极输出所述实际采样电压V1,在所述比较器CMP通过其输出端输出高电压信号时,所述输出控制晶体管M1截止,以不输出所述实际采样电压V1。
本发明实施例所述的过压保护单元可以在Vmax小于V1时,将感测线与数模转换器之间的线路隔开,实现对数模转换器的保护。
本发明实施例所述的过压保护方法,应用于上述的过压保护单元,如图5所示,所述过压保护方法包括:
S1:比较子电路比较预定最大电压和实际采样电压,并当比较得到所述预定最大电压大于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出导通控制信号,当比较得到所述预定最大电压小于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出截止控制信号;
S2:当输出控制子电路接收到所述导通控制信号时输出所述实际采样电压,当所述输出控制子电路接收到所述截止控制信号时不输出所述实际采样电压。
本发明实施例所述的过压保护方法通过比较子电路比较实际采样电压和预定最大电压,当该实际采样电压小于预定最大电压时才控制输出控制子电路输出该实际采样电压,从而可以防止过压击穿的现象发生。
如图6所示,本发明实施例所述的采样模组,包括感测线Sense,还包括上述的过压保护单元;所述过压保护单元包括比较子电路11和输出控制子电路12;
所述感测线Sense与所述比较子电路11和所述输出控制子电路12连接,用于向所述比较子电路11和所述输出控制子电路12发送所述实际采样电压V1。
在实际操作时,本发明实施例所述的采样模组还包括感测线Sense,所述实际采样电压V1来自感测线Sense。
具体的,本发明实施例所述的采样模组还可以包括处理子电路;
所述处理子电路与所述输出控制子电路连接,用于当所述输出控制子电路接收到导通控制信号时接收所述实际采样电压,并对所述实际采样电压进行处理;
所述比较子电路接入的预定最大电压为所述处理子电路的最大工作电压。
在实际操作时,所述处理子电路例如可以包括模数转换器,对所述实际采样电压进行模数转换,但不以此为限。
在具体实施时,所述处理子电路包括模数转换器,所述模数转换器用于当所述输出控制子电路接收到导通控制信号时接收所述实际采样电压,并对所述实际采样电压进行模数转换。
本发明实施例所述的像素电路包括像素驱动子电路和上述的采样模组;
所述像素驱动子电路与和所述采样模组包括的感测线连接。
如图7所示,本发明实施例所述的像素电路包括采样模组、发光元件EL,所述像素驱动子电路包括数据写入模块71、存储电容模块72、驱动模块73和补偿控制模块74;
所述数据写入模块71的控制端与第一扫描线G1连接,所述数据写入模块71的第一端与数据线Data连接,所述数据写入模块71的第二端与所述驱动模块73的控制端连接,所述数据写入模块71用于在所述第一扫描线G1的控制下,控制导通或断开所述数据线Data与所述驱动模块73的控制端之间的连接;
所述驱动模块73的第一端与电源电压端ELVDD连接,所述驱动模块73的第二端与所述发光元件EL连接;所述驱动模块73用于在其控制端的控制下控制导通或断开所述电源电压端ELVDD与所述发光元件EL之间的连接;
所述存储电容模块72的第一端与所述驱动模块73的控制端连接,所述存储电容模块72的第二端与所述驱动模块73的第二端连接;
所述补偿控制模块74的控制端与第二扫描线G2连接,所述补偿控制模块74的第一端与所述驱动模块73的第二端连接,所述补偿控制模块74的第二端与所述感测线Sense连接,所述补偿控制模块74用于在所述第二扫描线G2的控制下控制导通或断开所述驱动模块73的第二端与所述感测线Sense之间的连接;
所述采样模组包括过压保护单元和数模转换器ADC;
所述过压保护单元包括比较子电路11和输出控制子电路12;
所述感测线Sense与所述比较子电路11连接,用于提供实时采样电压V1至所述比较子电路11;
所述数模转换器ADC与所述输出控制子电路12连接;所述数模转换器ADC输出数字电压信号Data_sense。
在图7中,Vmax为预定最大电压,标号为Csense的为感测线Sense上的电容。
本发明如图7所示的像素电路的实施例在工作时,在补偿阶段,所述补偿控制模块74在G2的控制下,控制导通所述驱动模块73的第二端与所述感测线Sense之间的连接。
如图8所示,在图7所示的像素电路的实施例的基础上,在本发明所述的像素电路的一具体实施例中,
所述数据写入模块包括数据写入晶体管T2;所述存储电容模块包括存储电容C;所述驱动模块包括驱动晶体管T1,所述补偿控制模块包括补偿控制晶体管T3;所述发光元件为有机发光二极管OLED;
T2的栅极与G1连接,T2的漏极与数据线Data连接,T2的源极与T1的栅极连接;
T1的漏极与ELVDD连接,T1的源极与OLED的阳极连接,OLED的阴极接入低电平VSS;
C的第一端与T1的栅极连接,C的第二端与OLED的阳极连接;
T3的栅极与G2连接,T3的漏极与OLED的阳极连接,T3的源极与感测线Sense连接。
在图8所示的像素电路的具体实施例中,T1、T2和T3都为N型晶体管,但不以此为限。
本发明所述的像素电路的该具体实施例在工作时,通过G1和Data来控制T1的工作模式及工作电流,这样就可以调控流经OLED的电流的大小,从而控制了OLED的亮度,使得面板实现丰富多彩的颜色。并且,为了实现较好的补偿效果,需要从T1的源极读取电压,读取操作可以通过G2控制T3的选通来实现,选通后读取到的电压暂存在感测线Sense上的电容Csense中,在经过数模块转换器将读取到的模拟电压信号转换为数字电压信号后,由计算机处理。
本发明实施例所述的显示装置包括上述的像素电路。
所述显示装置例如可以为:电子纸、OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码向框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种过压保护单元,其特征在于,包括比较子电路和输出控制子电路;所述比较子电路分别接入预定最大电压和实际采样电压,所述比较子电路用于比较所述预定最大电压和所述实际采样电压,并当比较得到所述预定最大电压大于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出导通控制信号,当比较得到所述预定最大电压小于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出截止控制信号;
所述输出控制子电路与所述比较子电路连接,并接入所述实际采样电压,用于当接收到所述导通控制信号时输出所述实际采样电压,并当接收到所述截止控制信号时不输出所述实际采样电压。
2.如权利要求1所述的过压保护单元,其特征在于,所述比较子电路包括比较器;
所述比较器的第一输入端接入所述预定最大电压,所述比较器的第二输入端接入所述实际采样电压,所述比较器的输出端与所述输出控制子电路连接;
所述导通控制信号为第一电压信号,所述截止控制信号为第二电压信号。
3.如权利要求1所述的过压保护单元,其特征在于,所述输出控制子电路包括反相器和传输门;
所述反相器的输入端与所述比较器的输出端连接,所述反相器的输出端与所述传输门的第一控制端连接;所述反相器用于对其输入端接入的电压信号进行反相,并通过该反相器的输出端输出反相后的电压信号;
所述传输门的第二控制端与所述比较器的输出端连接,所述传输门的输入端接入所述实际采样电压;
所述传输门用于在所述比较器通过其输出端输出所述第一电压信号时,通过该传输门的输出端输出所述实际采样电压,并用于在所述比较器通过其输出端输出所述第二电压信号时,不输出所述实际采样电压。
4.如权利要求3所述的过压保护单元,其特征在于,所述第一输入端为正相输入端,所述第二输入端为反相输入端,所述第一电压信号为高电压信号,所述第二电压信号为低电压信号,所述第一控制端为反相控制端,所述第二控制端为正相控制端。
5.如权利要求3所述的过压保护单元,其特征在于,所述第一输入端为反相输入端,所述第二输入端为正相输入端,所述第一电压信号为低电压信号,所述第二电压信号为高电压信号,所述第一控制端为正相控制端,所述第二控制端为反相控制端。
6.如权利要求1所述的过压保护单元,其特征在于,所述输出控制子电路包括输出控制晶体管;
所述输出控制晶体管的栅极与所述比较器的输出端连接,所述输出控制晶体管的第一极接入所述实际采样电压;
所述输出控制晶体管用于在所述比较器通过其输出端输出所述第一电压信号时导通,以通过该输出控制晶体管的第二极输出所述实际采样电压,并用于在所述比较器通过其输出端输出所述第二电压信号时截止,以不输出所述实际采样电压。
7.如权利要求6所述的过压保护单元,其特征在于,所述第一输入端为正相输入端,所述第二输入端为反相输入端,所述第一电压信号为高电压信号,所述第二电压信号为低电压信号,所述输出控制晶体管为N型晶体管。
8.如权利要求6所述的过压保护单元,其特征在于,所述第一输入端为反相输入端,所述第二输入端为正相输入端,所述第一电压信号为低电压信号,所述第二电压信号为高电压信号,所述输出控制晶体管为P型晶体管。
9.一种过压保护方法,其特征在于,应用于如权利要求1至8中任一权利要求所述的过压保护单元,所述过压保护方法包括:
比较子电路比较预定最大电压和实际采样电压,并当比较得到所述预定最大电压大于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出导通控制信号,当比较得到所述预定最大电压小于所述实际采样电压时向所述输出控制子电路输出截止控制信号;
当输出控制子电路接收到所述导通控制信号时输出所述实际采样电压,当所述输出控制子电路接收到所述截止控制信号时不输出所述实际采样电压。
10.一种采样模组,包括感测线,其特征在于,还包括如权利要求1至8中任一权利要求所述的过压保护单元;所述过压保护单元包括比较子电路和输出控制子电路;
所述感测线与所述比较子电路和所述输出控制子电路连接,用于向所述比较子电路和所述输出控制子电路发送所述实际采样电压。
11.如权利要求10所述的采样模组,其特征在于,还包括处理子电路;
所述处理子电路与所述输出控制子电路连接,用于当所述输出控制子电路接收到导通控制信号时接收所述实际采样电压,并对所述实际采样电压进行处理;
所述比较子电路接入的预定最大电压为所述处理子电路的最大工作电压。
12.如权利要求11所述的采样模组,其特征在于,所述处理子电路包括模数转换器,所述模数转换器用于当所述输出控制子电路接收到导通控制信号时接收所述实际采样电压,并对所述实际采样电压进行模数转换。
13.一种像素电路,其特征在于,所述像素电路包括像素驱动子电路和如权利要求10至12中任一权利要求所述的采样模组;
所述像素驱动子电路与和所述采样模组包括的感测线连接。
14.如权利要求13所述的像素电路,其特征在于,还包括发光元件,所述像素驱动子电路包括数据写入模块、存储电容模块、驱动模块和补偿控制模块;
所述数据写入模块的控制端与第一扫描线连接,所述数据写入模块的第一端与数据线连接,所述数据写入模块的第二端与所述驱动模块的控制端连接,所述数据写入模块用于在所述第一扫描线的控制下,控制导通或断开所述数据线与所述驱动模块的控制端之间的连接;
所述驱动模块的第一端与电源电压端连接,所述驱动模块的第二端与所述发光元件连接;所述驱动模块用于在其控制端的控制下控制导通或断开所述电源电压端与所述发光元件之间的连接;
所述存储电容模块的第一端与所述驱动模块的控制端连接,所述存储电容模块的第二端与所述驱动模块的第二端连接;
所述补偿控制模块的控制端与第二扫描线连接,所述补偿控制模块的第一端与所述驱动模块的第二端连接,所述补偿控制模块的第二端与所述感测线连接,所述补偿控制模块用于在所述第二扫描线的控制下控制导通或断开所述驱动模块的第二端与所述感测线之间的连接。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求14所述的像素电路。
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