CN108604026A - 用于显示器件的背光单元 - Google Patents

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S·金斯勒
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Abstract

本文描述了一种器件及其形成方法的实施方案。该器件包括背光单元和图像生成单元。背光单元包括具有顶侧、底侧和侧壁的光学腔。背光单元还包括耦合到光学腔的光源阵列和位于光学腔内的量子点膜。量子点膜被配置为处理从光源阵列接收的光，背光单元被配置为将经处理的光传输到图像生成单元。该方法包括提供具有顶侧、底侧和侧壁的光学腔。该方法还包括将光源阵列耦合到光学腔和在光学腔内支承量子点膜。

Description

用于显示器件的背光单元
技术领域
本发明涉及包括基于发光二极管(LED)的背光单元(BLU)和包含发光纳米晶如量子点(QD)的磷光体膜的显示器件。
背景技术
显示器件(例如，液晶显示器(LCD))被用作广泛的电子器件的屏或显示器，并通常需要某种形式的背光以使图像在正常或减少的周围光环境中可见。在显示器件的BLU中，通常采用LED作为光源。LED可被布置在显示器件的视区后面的二维阵列中或显示器件的边缘或周边周围。BLU还可采用磷光体，如钇-铝-石榴石(YAG)磷光体。
发光纳米晶是一种新的磷光体替代类，常被用在其中磷光体可被布置在LED外部的构造中。从LED发出的光可通过显示器件的磷光体膜处理以产生白光，该白光可被分布在显示器件的显示屏上。
例如，可将发光纳米晶包埋在可被布置在显示器件中的柔性膜/片材(例如，使用由Nanosys,Inc,Milpitas,California供应的量子点的由3M Company,St.Paul,Minnesota商业供应的量子点增强膜)中(参见例如美国专利公开号2010/0110728和2012/0113672，它们的全文以引用方式并入本文)。QDEF是Nanosys,Inc.的注册商标。在其他实例中，可将发光纳米晶封装在容器例如毛细管中(参见例如美国专利公开号2010/0110728)。
在使用QDEF的当前显示器件中，分布在显示屏上的光的白点值取决于QDEF中的QD群尺寸。可通过改变QDEF中QD的浓度和/或改变QDEF的厚度来调节QD群尺寸。此外，减小QD群尺寸来实现给定的白点可降低使用QDEF的显示器件的成本。然而，QDEF的最大厚度可能受显示器件厚度的限制，并且最大QD浓度可能受当前技术的限制。这些限制可能在实现制造商规定的白点值和/或降低显示器件的成本方面带来挑战。
发明内容
本文公开了克服显示器件的上述限制的实施方案。
根据一个实施方案，显示器件包括BLU和图像生成单元(IGU)。BLU包括具有顶侧、底侧和侧壁的光学腔。BLU还包括耦合到光学腔的光源(例如，LED)阵列和位于光学腔内的QD膜。QD膜被配置为处理从光源阵列接收的光，BLU被配置为向图像生成单元传输经处理的光。
根据一个实施方案，QD膜耦合到顶侧的底表面。
根据一个实施方案，BLU还包括第一板，该第一板被配置为光学透射的并且支承光学腔内的QD膜。
根据一个实施方案，BLU还包括被配置为支承所述第一板的支承柱。
根据一个实施方案，BLU还包括第一板和第二板。QD膜插置在所述第一和第二板之间。第一板被配置为支承QD膜。
根据一个实施方案，第二板包含光学漫射材料。
根据一个实施方案，第二板包含光学透明材料和光学半透明材料。
根据一个实施方案，第二板包含光学半透明材料和具有不同直径尺寸的孔隙。
根据一个实施方案，QD膜包含QD膜阵列。
根据一个实施方案，QD膜阵列的每一个QD膜被配置为覆盖光源阵列的相应排。
根据一个实施方案，QD膜包含QD膜阵列。QD膜阵列的每一个QD膜耦合到底侧的顶表面并且被配置为封闭(enclose)光源阵列的相应排。
根据一个实施方案，每一个QD膜被配置为形成围绕光源阵列的相应排的空间(volume)。
根据一个实施方案，所述空间包括拱形、半圆形、矩形、梯形、三角形或它们的组合的横截面形状。
根据一个实施方案，光学腔的顶侧包含光学漫射材料。
根据一个实施方案，光学腔的顶侧包含光学透明材料和光学半透明材料。
根据一个实施方案，光学腔的顶侧包含光学半透明材料和具有不同直径尺寸的孔隙。
根据一个实施方案，QD膜包含多个被配置为发射红光的量子点。
根据一个实施方案，QD膜包含多个被配置为发射绿光的量子点。
根据一个实施方案，QD膜包含第一多个被配置为发射红光的QD和第二多个被配置为发射绿光的QD。
根据一个实施方案，光源阵列耦合到光学腔的底侧的顶表面。
根据一个实施方案，光源阵列包含发光二极管(LED)阵列。
根据一个实施方案，BLU还包括光学处理单元，该光学处理单元具有亮度增强膜和耦合到亮度增强膜的偏振膜。
根据一个实施方案，IGU包括液晶模块和耦合到液晶模块的触摸屏显示器。
根据一个实施方案，显示器件包括液晶显示器件、计算机、平板电脑、手持式设备、电话、可穿戴设备和TV中的至少之一。
根据一个实施方案，光源单元包括具有顶侧、底侧和侧壁的光学腔。光源单元还包括耦合到底侧的顶表面的光源阵列和位于顶侧和光源阵列之间的QD膜。QD膜被配置为处理从光源阵列接收的光。
根据一个实施方案，光源单元还包括第一板和第二板。QD膜插置在所述第一和第二板之间。第一板被配置为支承QD膜。
根据一个实施方案，QD膜包含QD膜阵列。
根据一个实施方案，QD膜阵列的每一个QD膜被配置为覆盖光源阵列的相应排。
根据一个实施方案，QD膜包含QD膜阵列。QD膜阵列的每一个QD膜耦合到底侧的顶表面并且被配置为封闭光源阵列的相应排。
根据一个实施方案，每一个QD膜被配置为形成围绕光源阵列的相应排的空间。
根据一个实施方案，所述空间包括拱形、半圆形、矩形、梯形、三角形或它们的组合的横截面形状。
根据一个实施方案，形成显示器件的方法包括提供具有顶侧、底侧和侧壁的光学腔。所述方法还包括将光源阵列耦合到光学腔以及支承光学腔内的QD膜。
根据一个实施方案，所述方法还包括提供光学漫射层作为光学腔的顶侧。
根据一个实施方案，QD膜的支承包括将QD膜耦合到光学腔的顶侧。
根据一个实施方案，QD膜的支承包括提供位于光学腔内的第一板以及将QD膜耦合到所述第一板。
根据一个实施方案，QD膜的支承包括提供位于光学腔内的第一板和第二板以及将QD膜插置在所述第一和第二板之间。
根据一个实施方案，所述方法还包括提供光学漫射层作为第二板。
根据一个实施方案，所述方法包括将光源阵列耦合到光学腔的底侧的顶表面。
根据一个实施方案，所述方法还包括提供QD膜阵列作为QD膜。
根据一个实施方案，所述方法还包括提供QD膜阵列作为QD膜并且使用QD膜阵列的每一个QD膜形成围绕光源阵列的相应排的封闭空间。
根据一个实施方案，封闭空间的形成包括将每一个QD膜弯曲在光源阵列的相应排上方并且将每一个QD膜耦合到光学腔的底侧的顶表面。
下文将结合附图详细描述本发明的其他特征和优点以及本发明的各种实施方案的结构和操作。应注意，本发明不限于本文所述的具体实施方案。这些实施方案仅出于示意的目的在此呈现。基于本文包含的教导，其他实施方案对于相关领域的技术人员将是显而易见的。
附图说明
并入本文并且形成说明书的一部分的附图示意了本发明的实施方案，而且还与说明书一起用于解释本发明实施方案的原理和使相关领域技术人员能够实现和使用本发明的实施方案。
图1示出了根据一个实施方案的显示器件的分解横截面视图的示意图。
图2示出了根据另一个实施方案的显示器件的光源单元的横截面视图的示意图。
图3示出了根据另一个实施方案的显示器件的光源单元的横截面视图的示意图。
图4示出了根据另一个实施方案的显示器件的光源单元的横截面视图的示意图。
通过下面结合附图给出的详细描述，本发明的特征和优点将变得更加明显，在附图中，相同的参考字符始终指示相应的要素。在附图中，相同的参考数字通常指示相同的、功能相似的和/或结构相似的要素。其中某要素首次出现的附图由相应参考数字中最左边的一个或多个数字指示。除非另有指出，否则在整个本公开中提供的附图均不应理解为按比例绘制。
具体实施方式
虽然可能讨论具体的配置和布置，但应理解，这仅出于示意的目的进行。相关领域技术人员应认识，可以使用其他配置和布置而不偏离本发明的精神和范围。对于相关领域技术人员显而易见的是，本发明还可用于除本文具体提及的那些之外的多种其他应用中。应理解，本文示出和描述的特定实施是实例，不意在以任何方式限制本申请的范围。
应指出，说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的提及指示所述实施方案可包括特定的特征、结构或特性，但不一定每一个实施方案都包括所述特定的特征、结构或特性。而且，这些表述不一定是指同一个实施方案。此外，当结合实施方案描述特定的特征、结构或特性时，无论是否明确描述，结合其他实施方案实现这样的特征、结构或特性将在本领域技术人员的知识范围内。
除非另有明确指出，否则本说明书中表示量、材料的比率、材料的物理性质、和/或用途的所有数字应理解为由词语“约”修饰。
在实施方案中，术语“显示器件”是指允许在显示屏上可视地呈现数据的元件布置。合适的显示屏可包括用于在视觉上向用户显示信息的各种平面、弯曲或其他形状的屏、膜、片材或其他结构。本文描述的显示器件可被包括在例如涵盖液晶显示器(LCD)、电视、计算机、移动电话、智能电话、个人数字助理(PDA)、游戏设备、电子阅读设备、数码相机、平板电脑、可穿戴设备、汽车导航***等的显示***中。
本文所用的术语“约”包括所引述数字±10％。因此，例如，“约十”指9至11。
在实施方案中，术语“光学耦合”指部件定位为使得光能够在没有实质性干涉的情况下从一个部件传送到另一个部件。
在实施方案中，术语“发光度”和“亮度”可互换使用并且是指每单位面积的光源或被照射表面的发光强度的光度计测量值。
在实施方案中，术语“镜面反射器”、“镜面反射表面”和“反射表面”在本文中用来指能够镜面反射的元件、材料和/或表面。
在实施方案中，术语“镜面反射”在本文中用来指当入射光照射到表面时，光(或其他种类的波)自表面的镜样反射。
在实施方案中，术语“白点值”是指用一组色度坐标表达的白颜色，例如，CIE 1976色空间中的u’和v’坐标，其中CIE代表Commission Internationale de l’Eclairage(国际照明委员会)。
在实施方案中，术语“未经处理的光”是指未通过磷光体膜处理的任何光。
在实施方案中，术语“经处理的光”是指已至少一次通过磷光体膜的任何光。
本文提及的公开的专利、专利申请、网站、公司名称和科学文献在此以引用其全文的方式并入本文，其程度就好像每一个被具体地并一个一个单独地指出以引用方式并入。本文引用的任何参考文献与本说明书的具体教导之间的任何冲突都应以支持后者的方式解决。同样，单词或表述的技术领域理解的定义与单词或表述的如本说明书中具体教导的定义之间的任何冲突都应以支持后者的方式解决。
除非另有定义，否则本文使用的技术和科学术语具有本申请所属领域技术人员通常理解的含义。本文参考了本领域技术人员已知的各种方法和材料。
显示器件的示例性实施方案
图1示出了根据一个实施方案的显示器件100的分解横截面视图的示意图。显示器件100可包含BLU 101，BLU 101包括光源单元(LSU)102。BLU 101可还任选地包括光学处理单元(OPU)104。显示器件100可还包括图像生成单元(IGU)106。
LSU 102可包括光学腔110、耦合到光学腔110的LED 112(例如，白色LED或蓝色LED)阵列、和磷光体膜114。光学腔110可包括顶侧103、底侧105和侧壁107及由顶侧103、底侧105和侧壁107限定的封闭空间。LED 112阵列可耦合到封闭空间内底侧105的顶表面105a。LED 112阵列可配置为提供基色光(例如，蓝光或白光)，其可通过OPU 104处理并随后传输到IGU 106以分布在IGU 106的显示屏130上。在一些实施方案中，LED 112阵列可为在约440nm至约470nm的范围内发射的蓝色LED。在一些实施方案中，LED 112阵列可为在约440nm至约700nm的范围内或其他可能的光波长范围内发射的白色LED。在一个实施方案中，LED 112阵列可为二维LED阵列，其遍布顶表面105a的区域并且该区域可等于显示屏130的表面区域。
应指出，尽管图1中示出了两个侧壁107，但本领域技术人员应理解，根据各种实施方案，光学腔110可包括任何数量的侧壁107。例如，光学腔110可具有长方体形状并可包括与侧壁107相似的四个侧壁。光学腔110不限于长方体形状，也不限于具有其他直边形状。根据各种实施方案，光学腔110可配置为任何类型的几何形状，例如但不限于圆柱形、梯形、球形或椭圆形，而不偏离本发明的精神和范围。还应指出，如图1中所示光学腔110的矩形横截面形状是出于示意的目的而不是限制性的。根据各种实施方案，光学腔110可具有其他横截面形状(例如，梯形、长方形、长菱形)，而不偏离本发明的精神和范围。
光学腔110的顶侧103可配置为光学漫射和透射层，使得来自LED 112阵列的光在穿过磷光体膜114之后可通过顶侧103离开光学腔110。离开光学腔110的光可在横跨顶侧103的顶表面103a上具有亮度的基本均匀分布并可穿过OPU 104和/或IGU 106。在一个实施方案中，顶侧103可包括光学透明区域和光学半透明区域，其策略性地布置以提供从顶侧103出射的光亮度的基本均匀分布。在另一个实施方案中，顶侧103可包括不同直径尺寸的孔隙和策略性地布置为提供从顶侧103出射的光亮度的基本均匀分布的光学半透明区域。顶侧103可包含材料，例如但不限于塑料、玻璃和/或涂层玻璃。
光学腔110的底侧105和/或侧壁107可由一种或多种材料(例如，金属、非金属和/或合金)构造，这些材料配置为使顶表面105a和/或镜面反射侧壁内表面107a分别具有散射、镜面反射或它们的组合。在一些实施方案中，顶表面105a和/或侧壁内表面107a可为具有散射性质的白色表面、具有镜样反射性质的镜样表面或它们的组合。在一些实施方案中，顶表面105a和/或侧壁内表面107a可以是完全镜面反射的或者部分镜面反射、部分散射的。根据一些实施方案，顶侧103、底侧105和/或侧壁107可以是相对于彼此可拆开的光学腔110部件。
磷光体膜114可以是包含发光纳米晶的QDEF。在一个示例性实施方案中，磷光体膜114可包含多个以相同波长发射的磷光体(例如，发光纳米晶)，例如，以对应于可见光谱中的绿光或红光的波长发射。在另一个示例性实施方案中，磷光体膜114可包含以第一波长(例如，对应于绿光的波长)发射的第一多个磷光体(例如，发光纳米晶)和以不同于第一波长的第二波长(例如，对应于红光的波长)发射的第二多个磷光体(例如，发光纳米晶)。
磷光体膜114可为下转换器，其中来自LED 112阵列的基色光中的至少一部分可例如被磷光体膜114中的QD吸收并以比基色光具有较低能量或较长波长的二次光重新发射。例如，第一多个磷光体和第二多个磷光体可从LED 112阵列吸收一部分蓝光并被激发以分别发射绿色和红色二次光。蓝色基色光的未吸收部分及发射的绿色和红色二次光可以以预定的比率混合以产生具有所需白点值的白光。根据一个示例性实施方案，所述白光可在从光学腔110发射、透射通过IGU106并分布在显示屏130上之后用作显示器件100的背光。
磷光体膜114可被布置在光学腔110的封闭空间内。在一个实施方案中，磷光体膜114可使用光学透明的粘合剂、机械紧固件或任何其他紧固机构耦合到顶侧103，使得磷光体膜114的顶表面114a可与顶侧103的底表面103b实质性接触。在另一个实施方案中，磷光体膜114可使用光学透明的粘合剂、机械紧固件或任何其他紧固机构耦合到侧壁107。光学透明的粘合剂可包括布置在磷光体膜114与侧壁107和/或底表面103b之间的胶带、各种胶水、聚合物组合物如有机硅等。根据各种实施例，另外的光学透明的粘合剂可包括各种聚合物，包括但不限于聚(乙烯醇缩丁醛)、聚(乙酸乙烯酯)、环氧树脂和聚氨酯；有机硅和有机硅衍生物，包括但不限于聚苯基甲基硅氧烷、聚苯基烷基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、聚二烷基硅氧烷、氟化有机硅及乙烯基和氢化物取代的有机硅；由包括但不限于甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯和甲基丙烯酸月桂酯的单体形成的丙烯酸类聚合物和共聚物；基于苯乙烯的聚合物；和与二官能单体如二乙烯基苯交联的聚合物。
磷光体膜114在光学腔110内的位置，例如，LED 112阵列与磷光体膜114之间的距离114t，可取决于光学腔110的厚度110t和/或顶侧103的光学漫射率。在一个示例性实施方案中，对于约30mm至约40mm的光学腔110厚度110t，距离114t可在约20mm至约30mm的范围内。
布置磷光体膜114于光学腔110内可通过在磷光体膜114中使用比当前显示器件中布置在光学腔外的磷光体膜中的QD群尺寸小的QD群尺寸而允许显示器件100产生分布在显示屏130上的光的、与当前显示器件的白点值基本相似的白点值。例如，在磷光体膜114中使用比当前显示器件中布置在光学腔外的磷光体膜中的QD群尺寸小约40％的QD群尺寸的显示器件100可产生与当前显示器件基本相同的白点值。
在一个示例性实施方案中，从磷光体膜(例如，磷光体膜114)布置在显示器件的光学腔(例如，光学腔110)外的显示器件(例如，显示器件100)测得约(0.2199，0.1908)的白点值。当磷光体膜从光学腔外转移至光学腔内时，显示器件的白点值变为约(0.2728，0.2609)。白点值坐标朝向较暖的白点值的这种增大对应于显示器件中布置在光学腔外的磷光体膜中QD群尺寸约50％的增大。换句话说，根据一些实施方案，如果将磷光体膜布置在光学腔内而不是如当前显示器件中那样布置在光学腔外，则可以以磷光体膜中小约50％的QD群尺寸实现基本相似的白点值。
通过将磷光体膜布置在光学腔内来减小磷光体膜中的QD群尺寸而获得可与当前显示器件相当的白点值的能力增加了可在显示器件(例如，显示器件100)中实现的白点值的范围。这样的减小还可有助于降低显示器件中磷光体膜的成本。
参看图1，OPU 104可配置为进一步将从LSU 102接收的光处理至期望的特性以向IGU 106传输。OPU 104可包括但不限于亮度增强膜(BEF)122、漫射器124和反射偏振膜(RPF)126。应指出，如本领域技术人员应理解的，OPU 104可包括不止一个漫射器、BEF和/或RPF，而不偏离本发明的精神和范围。OPU 104的这些元件的取向、它们的制造和向显示器件中的并入是本领域已知的。
BEF 122可包括反射和/或折射膜、反射偏振膜、棱镜膜、凹槽膜、带凹槽的棱镜膜、棱镜、节距、凹槽、或本领域已知的任何合适的BEF或亮度增强特征。例如，BEF 122可包括常规的BEF，如VikuitiTM或可得自3MTM的BEF。根据各种实施方案，OPU 104可包括至少一个BEF、至少两个BEF、或至少三个BEF。在示例性实施方案中，至少一个BEF包含反射偏振器BEF，例如用于再循环那些否则将被RPF 126吸收的光。亮度增强特征和BEF 122可包括反射器和/或折射器、偏振器、反射偏振器、光提取特征、光再循环特征或本领域已知的任何亮度增强特征。根据一个实施方案，BEF 122可包括具有节距的第一层或具有第一节距角的棱镜。另外或任选地，OPU 104中另一个BEF(未示出)可包括具有节距的第二层或具有不同于第一节距角的第二节距角的棱镜。
BEF 122的亮度增强特征可配置为将从LSU 102发射的经处理的光的一部分反射回到光学腔110内的磷光体膜114，从而提供光回到光学腔110中的再循环。透射通过BEF122的光可取决于光入射到BEF 122上的角度。例如，如果光正交于或垂直于BEF 122，则从光学腔110向上行进的光可透射通过BEF 122。然而，如果光具有较高的角度，则这样的光可被向下反射朝向光学腔110。可选择BEF 122以对不同角度的光具有多个反射角而实现来自LSU 102的经处理的光的所需再循环。
漫射器124与本文描述的散射特征不同并且是对其的补充。根据该实施方案的一个实例，漫射器124可包括本领域已知的任何漫射膜，包括增益漫射膜，并可设置在BEF 122或显示器件100的其他光学膜的上方或下方。
IGU 106可包括LCD模块128和显示屏130并可配置为在显示屏130上生成图像。根据一个示例性实施方案，显示屏130可为触摸屏显示器。
显示器件100还可包含一种或多种介质材料(未示出)，其设置在显示器件100中任何相邻元件之间，例如，光学腔110与BEF 122之间；OPU 104内任何不同的层或区域之间；磷光体膜114与LED 112阵列之间；和显示器件100的任何其他元件之间。所述一种或多种介质材料可包括任何合适的材料，包括但不限于真空、空气、气体、光学材料、粘合剂、光学粘合剂、玻璃、聚合物、固体、液体、凝胶、固化材料、光学耦合材料、折射率匹配或折射率失配材料、折射率梯度材料、覆层或抗覆层材料、间隔物、环氧树脂、硅胶、有机硅、本文所述的任何基质材料、亮度增强材料、散射或漫射材料、反射或抗反射材料、波长选择性材料、波长选择性抗反射材料、滤色器或本领域已知的其他合适的介质材料。介质材料还可包括光学透明、不黄化的压敏光学粘合剂。合适的材料包括有机硅、有机硅凝胶、硅胶、环氧树脂(例如，LoctiteTM Epoxy E-30CL)、丙烯酸酯(例如，3MTM Adhesive 2175)和本文提及的基质材料。所述一种或多种介质材料可以以可固化的凝胶或液体施加并在沉积过程中或沉积之后固化，或者在沉积之前预先形成并预固化。固化方法可包括UV固化、热固化、化学固化或本领域已知的其他合适的固化方法。可选择折射率匹配介质材料以使BLU 101的元件之间的光学损耗最小化。
应指出，显示器件100可包括除本文所讨论的那些之外的部件。根据各种实施方案，显示器件100可以是任何类型的几何形状，如但不限于圆柱形、梯形、球形或椭圆形，而不偏离本发明的精神和范围。显示器件100不限于长方体形状，也不限于具有其他直边形状。还应指出，如图1中所示显示器件100的矩形横截面形状是出于示意的目的而不是限制性的。根据各种实施方案，显示器件100可具有其他横截面形状(例如，梯形、长方形、长菱形)，而不偏离本发明的精神和范围。还应指出，尽管光学腔110、BEF 122、漫射器124、RPF126、LCD模块128和显示屏130在图1中示出为沿X方向具有相似的尺寸，但本领域技术人员应理解，根据各种实施方案，这些部件中的每一个可在一个或多个方向上具有彼此不同的尺寸。
光源单元的示例性实施方案
图2示出了根据一个实施方案的LSU 202的横截面视图的示意图。根据该实施方案的一个实例，LSU 202可实施为显示器件100的一部分。除下文描述的不同之外，LSU 202可与LSU 102在结构和功能上相似。
LSU 202可包括第一板216，第一板216配置为支承光学腔110内的磷光体膜214。磷光体膜214可在结构、组成和功能上与磷光体膜114相似。磷光体膜214的底表面214b可与第一板216实质性接触。在一些实施方案中，LSU 202可还包括支承柱220.1和220.2、机械紧固件和/或任何其他紧固机构以将第一板216保持在光学腔110内的适当位置。或者，LSU 202可包括第二板218，第二板218位于磷光体膜214的顶上并且使用光学透明的粘合剂、机械紧固件和/或任何其他紧固机构耦合到磷光体膜214以将磷光体膜214保持在光学腔内的适当位置。磷光体膜214的顶表面214a可与第二板218实质性接触。LSU 202中也可包括支承柱220.3和220.4、机械紧固件和/或任何其他紧固机构以将第二板218保持在光学腔110内的适当位置。在一些实施方案中，支承柱220.1至220.4可以是部分或完全光学透明的。在一些实施方案中，支承柱220.1至220.4可具有散射和/或镜面反射表面。应指出，如图1中所示支承柱220.1至220.4的矩形横截面形状是出于示意的目的而不是限制性的。根据各种实施方案，支承柱220.1至220.4可具有其他横截面形状(例如，三角形、梯形)，而不偏离本发明的精神和范围。
在一个替代的实施方案中，LSU 202可包括第一板和第二板216和218二者并且磷光体膜214可插置在第一板和第二板216和218之间以形成***式结构240。在一个实施方案中，顶表面和底表面214a和214b可分别与第二板218和第一板216实质性接触。在另一个实施方案中，底表面214b可与第一板216实质性接触而在顶表面214a与第二板218之间可能存在间隙(未示出)。***式结构240可使用支承柱220.1至220.4、光学透明的粘合剂、机械紧固件和/或任何其他紧固机构保持在光学腔110内的适当位置。
应指出，尽管图2中示出了四个支承柱220.1至220.4，但本领域技术人员应理解，根据各种实施方案，光学腔110可包括任何数量的支承柱。
第一板216可配置为光学透射的以便来自LED 112阵列的光被透射到磷光体膜214。另外或任选地，第一板216可配置为光学漫射的以便在横跨基本整个表面区域214b上接收到来自LED 112阵列的光的基本均匀的分布。光的这种均匀分布可有助于减少由磷光体膜214接收的峰值光通量并最大化磷光体膜214的性能、完整性和寿命。
第二板218可配置为光学透射和漫射的以便来自磷光体膜214的经处理的光可穿过第二板218，在横跨第二板顶表面218a上具有基本均匀的亮度分布。在一些实施方案中，第二板218可包括光学透明区域和光学半透明区域或者具有不同直径尺寸的孔隙和光学半透明区域，其策略性地布置以在第二板218中提供这样的光学漫射率。
应指出，尽管图2中示出了两个板216和218，但本领域技术人员应理解，根据各种实施方案，光学腔110可在磷光体膜214与LED 112阵列之间和磷光体膜214与顶侧103之间包括任何数量的光学透射和/或光学漫射板。
磷光体膜214在光学腔110内的位置，例如，LED 112阵列与磷光体膜214之间的距离214t，可取决于光学腔110的厚度110t和/或第一板216、第二板218和/或顶侧103的光学漫射率。将磷光体膜214布置在光学腔110内可具有与上面关于将磷光体膜114布置在光学腔110内所讨论的有益效果相似的有益效果。
图3示出了根据一个实施方案的LSU 302的横截面视图的示意图。根据一个实施方案，LSU 302可实施为显示器件100的一部分。除下文描述的不同之外，LSU 302可与LSU 102和202在结构和功能上相似。
LSU 302可包括布置在光学腔110的封闭空间内的磷光体膜314阵列。磷光体膜314中的每一个可沿X和/或Y方向彼此隔开间隙315。磷光体膜314中的每一个可在组成和功能上与磷光体膜114和214相似，但与磷光体膜114和214相比可在沿例如X和/或Y方向上尺寸较小。在一个实施方案中，磷光体膜314阵列的每一排可布置为与LED 112阵列的相应排基本对齐。在另一个实施方案中，磷光体膜314中的每一个可具有沿Y方向足够大以沿Y方向覆盖LED 112阵列的相应排的尺寸。
使用磷光体膜314阵列而不是单个磷光体膜(例如，磷光体膜114、214)来覆盖等于显示屏(例如，显示屏130)的表面积的面积，可有助于降低磷光体膜的制造成本，克服大显示屏的磷光体膜尺寸限制，和/或通过生产基本无缺陷的较小磷光体膜来提高生产率，并因此提高显示器件的收益。
磷光体膜314阵列可使用顶侧103、第一板216和/或第二板218及支承柱220.1至220.4、光学透明的粘合剂、机械紧固件和/或任何其他紧固机构以与上文分别参考图1和2讨论的磷光体膜114和/或214相似的方式支承和保持在光学腔110内的适当位置。
与磷光体膜114和214相似，磷光体膜314阵列在光学腔110内的位置，例如，LED112阵列与磷光体膜314阵列之间的距离314t，可取决于光学腔110的厚度110t和/或第一板216、第二板218和/或顶侧103的光学漫射率。
磷光体膜314阵列在光学腔110内的位置还可取决于间隙315的宽度315w。在一个实施方案中，对于充分地小的宽度315w(例如，小于1mm的宽度315w)，磷光体膜314阵列可使用光学透明的粘合剂、机械紧固件或任何其他紧固机构耦合到顶侧103以便每一个磷光体膜314的顶表面314a可与底表面103b实质性接触。宽度315w越大，越远离顶侧103，磷光体膜314阵列越可布置在光学腔110内，并可在磷光体膜314阵列与顶侧103之间提供越大的空间314v。间隙315的存在可使来自LED的光泄漏通过间隙315(而不是通过磷光体膜314阵列被处理)并离开光学腔110。未经处理的光可与离开光学腔110的经处理的光混合并因此不利地影响显示器件(例如，显示器件100)的白点均匀性。为防止这样的不利影响，根据一个实施方案，可提供空间314v以允许未经处理的光在空间314v内分散开而在离开光学腔110之前将未经处理的光的强度降低至可能不会不利地影响显示器件的白点均匀性的值。在一个实例中，对于约3mm的宽度315w，磷光体膜314阵列可布置在顶侧103下方10mm处。将磷光体膜314阵列布置在光学腔110内也可具有与上面关于磷光体膜114和214的布置所讨论的有益效果相似的有益效果。
图4示出了根据一个实施方案的LSU 402的横截面视图的示意图。根据一个实施方案，LSU 402可实施为显示器件100的一部分。除下文描述的不同之外，LSU 402可与LSU102、202和302在结构和功能上相似。
LSU 402可包括布置在光学腔110的封闭空间内的磷光体膜414阵列。磷光体膜414中的每一个可在组成和功能上与磷光体膜114、214和314相似，但与磷光体膜114和214相比可在沿例如X和/或Y方向上尺寸较小。使用磷光体膜414阵列可具有与上面提到的使用磷光体膜314阵列的有益效果相似的有益效果。将磷光体膜414阵列布置在光学腔110内也可具有与上面关于磷光体膜114、214和314的布置所讨论的有益效果相似的有益效果。
可将每一个磷光体膜414弯曲并使用光学透明的粘合剂、机械紧固件和/或任何其他紧固机构耦合到底侧105的顶表面105a以形成空间419阵列。空间419可具有拱形、半圆形、三角形、矩形、梯形或任何其他几何形状的横截面形状。应指出，尽管空间419示出为具有相似的横截面形状，但每一个空间419可具有彼此不同的横截面形状。每一个空间419可沿Y方向封闭LED 112阵列的相应LED或LED 112阵列的相应排。在这样的磷光体膜414排列中，由于磷光体膜414阵列之间的不连续间隙415在LED 112的发射表面421下方，故未经处理的光通过如上文关于磷光体膜314阵列所讨论的磷光体膜阵列之间的任何不连续间隙的泄漏可得以最小化或基本上消除。
在一些实施方案中，可优化空间419的形状和尺寸以确保来自LED 112的光在磷光体膜414上基本均匀的分布和/或确保来自LED112的光在磷光体膜414上的强度在温度和可靠性的容限内。在一些实施方案中，发射表面421可具有耦合到它们的透镜。所述透镜可沿X和/或Y方向具有圆柱形或椭圆形对称。在一些实施方案中，LSU 402可具有板，例如布置在顶侧103和磷光体膜414阵列之间的板216和/或218。
发光纳米晶磷光体的示例性实施方案
本文描述了包含纳米晶的各种组合物，这些纳米晶包括可包含在磷光体膜114、214、314和/或414(如本文中参考图1-4所述)中的发光纳米晶。发光纳米晶的各种性质，包括其吸收性质、发射性质和折射率性质，可针对各种应用加以“裁剪”和调节。如本文所用，术语“纳米晶”是指基本上单晶的纳米结构。纳米晶可具有至少一个区域或特征尺寸，其尺寸小于约500nm，并小到小于约1nm。本领域普通技术人员易于理解，术语“纳米晶”、“纳米点”、“点”和“QD”表示相同的结构并可在本文中互换使用。本发明还涵盖多晶或无定形纳米晶的使用。如本文所用，术语“纳米晶”还涵盖“发光纳米晶”。如本文所用，术语“发光纳米晶”可指当被外部能量源激发时发光的纳米晶。
纳米晶的材料性质可以是基本均匀的，或者在某些实施方案中可以是非均匀的。纳米晶的光学性质可通过它们的粒度、化学或表面组成来确定。“裁剪”发光纳米晶尺寸在约1nm和约15nm之间的范围内的能力可使得在整个可见光谱中的光电发射覆盖(photoemission coverage)能够在显色中提供多功能性。颗粒包封可提供对抗化学和UV劣化剂的稳健性。
可使用本领域技术人员已知的任何方法生产用于本文所述实施方案中的纳米晶，包括发光纳米晶。合适的方法和实例纳米晶在美国专利号7,374,807、2004年3月10日提交的美国专利申请序列号10/796,832、美国专利号6,949,206和2004年6月8日提交的美国临时专利申请号60/578,236中有公开，其各自的公开内容以引用其全文的方式并入本文。
用于本文所述实施方案中的发光纳米晶可由任何合适的材料生产，所述材料包括无机材料，更合适的是无机导电材料或半导体材料。合适的半导体材料可包括美国专利申请序列号10/796,832中公开的那些，并可包括任何类型的半导体，包括II-VI族、III-V族、IV-VI族和IV族半导体。合适的半导体材料可包括但不限于Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金刚石)、P、BN、BP、Bas、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SuS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al,Ga,In)2(S,Se,Te)3、Al2CO以及两种或更多种此类半导体的适宜组合。
在某些实施方案中，纳米晶可包含选自p-型掺杂剂或n-型掺杂剂的掺杂剂。可用于本文中的纳米晶还可包含II-VI或III-V半导体。II-VI或III-V半导体纳米晶的实例可包括来自周期表第II族的元素如Zn、Cd和Hg与来自周期表第VI族的任何元素如S、Se、Te和Po的任何组合；和来自周期表第III族的元素如B、Al、Ga、In和Tl与来自周期表第V族的任何元素如N、P、As、Sb和Bi的任何组合。
本文所述的纳米晶(包括发光纳米晶)还可进一步包含共轭、配合、缔合或附着到其表面的配体。合适的配体可包括本领域技术人员已知的任何基团，包括美国专利号8,283,412、美国专利公开号2008/0237540、美国专利公开号2010/0110728、美国专利号8,563,133、美国专利号7,645,397、美国专利号7,374,807、美国专利号6,949,206、美国专利号7,572,393和美国专利号7,267,875中公开的那些，这些中的每一者的公开内容以引用方式并入本文。使用此类配体可增强纳米晶并入到各种溶剂和基质(包括聚合物)中的能力。增加纳米晶在各种溶剂和基质中的混溶性(即，在不分离的情况下混合的能力)可允许它们在整个聚合物组合物中分布，使得纳米晶不会聚集在一起并因此不会散射光。此类配体在本文中描述为“混溶性增强”配体。
在某些实施方案中，提供了包含分布或包埋在基质材料中的纳米晶的组合物。合适的基质材料可以是普通技术人员已知的任何材料，包括聚合物材料、有机和无机氧化物。本文描述的组合物可以是层、包封剂、涂料、片材或膜。应理解，在其中提及层、聚合物层、基质、片材或膜的本文所述实施方案中，这些术语可互换使用，并且如此描述的实施方案不限于任何一种类型的组合物，而是涵盖本文中所述或本领域已知的任何基质材料或层。
下转换纳米晶(例如，如美国专利号7,374,807中所公开)利用发光纳米晶的发射性质，其被“裁剪”为吸收特定波长的光并然后以第二波长发射，从而提供增强的性能和活性源(例如，LED)效率。
虽然可使用普通技术人员已知的任何方法来产生纳米晶(发光纳米晶)，但也可使用溶液相胶体法来实现无机纳米材料磷光体的受控生长。参见Alivisatos,A.P.,“Semiconductor clusters,nanocrystals,and quantum dots,”Science 271:933(1996)；X.Peng,M.Schlamp,A.Kadavanich,A.P.Alivisatos,“Epitaxial growth of highlyluminescent CdSe/CdS Core/Shell nanocrystals with photostability andelectronic accessibility,”J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)；和C.B.Murray,D.J.Norris,M.G.Bawendi,“Synthesis and characterization of nearly monodisperseCdE(E＝sulfur,selenium,tellurium)semiconductor nanocrystallites,”JAm.Chem.Soc.115:8706(1993)，它们的公开内容以引用其全文的方式并入本文。该制造工艺技术利用低成本加工性而无需洁净室和昂贵的制造装置。在这些方法中，可在高温下经历热解的金属前体被快速注入到有机表面活性剂分子的热溶液中。这些前体可在升高的温度下***并反应以使纳米晶成核。在此初始成核阶段之后，可通过向生长的晶体中加入单体来开始生长阶段。结果可能是溶液中独立的结晶纳米颗粒，其可能具有包覆其表面的有机表面活性剂分子。
利用此方法，合成可以以进行数秒的初始成核事件、然后是在升高的温度下数分钟的晶体生长来进行。可改变参数如温度、存在的表面活性剂的类型、前体材料和表面活性剂对单体的比率以改变反应的性质和进程。温度控制成核事件的结构阶段、前体的分解速率和生长速率。有机表面活性剂分子可介导溶解度和纳米晶形状的控制。表面活性剂对单体、表面活性剂彼此之间、单体彼此之间的比率以及单体的个体浓度可强烈地影响生长的动力学。
根据一个实施方案，在一个实例中，对于可见光的下转换，可使用CdSe作为纳米晶材料，因为该材料的合成相对成熟。由于一般表面化学的使用，故也可以用不含镉的纳米晶替代。
在半导体纳米晶中，光诱导的发射产生于纳米晶的能带边缘状态。发光纳米晶的能带边缘发射与源自表面电子态的辐射和非辐射衰变通道竞争。X.Peng,et al.,JAm.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)。结果，表面缺陷如悬空键的存在提供了非辐射复合中心并造成发射效率的降低。钝化和去除表面陷阱态的有效且永久的方法可以是在纳米晶的表面上外延生长无机壳材料。X.Peng,et al.,J.Am.Chem.Soc.30:701 9-7029(1997)。可以选择壳材料使得电子能级相对于芯材料是1型的(例如，具有更大的带隙以提供使电子和空穴局域化于芯的电位阶跃)。结果，可以减少非辐射复合的概率。
芯-壳结构可通过向含有芯纳米晶的反应混合物中加入含有壳材料的有机金属前体来获得。在这种情况下，不是在成核事件后生长，而是芯充当核，并且壳可从它们的表面生长。使反应的温度保持低以有利于壳材料单体向芯表面的加成，同时防止壳材料的纳米晶的独立成核。反应混合物中存在表面活性剂以指导壳材料的受控生长并确保溶解度。当两种材料之间的晶格失配低时，可获得均匀且外延生长的壳。
用于制备芯-壳发光纳米晶的实例材料可包括但不限于Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(包括金刚石)、P、Co、Au、BN、BP、Bas、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTc、BeS、BcSe、BcTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuP、CuCl、CuBr、CuI、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al,Ga,In)2(S,Se,Te)3、AlCO，用于本发明的实施中的壳发光纳米晶包括但不限于(以芯/壳表示)CdSe/ZnS、InP/ZnS、InP/ZnSe、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS、CdTe/ZnS以及其它。
如全文所用，多个磷光体或多个发光纳米晶指多于一个磷光体或发光纳米晶(即，2个、3个、4个、5个、10个、100个、1,000个、1,000,000个等等纳米晶)。组合物将适宜地包含具有相同组成的磷光体或发光纳米晶，但在其他实施方案中，所述多个磷光体或发光纳米晶可以是各种不同的组合物。例如，发光纳米晶可全部以相同的波长发射，或者在其他实施方案中，组合物可包含以不同的波长发射的发光纳米晶。
用于本文所述实施方案中的发光纳米晶的尺寸可小于约100nm、小至小于约2nm并吸收可见光。如本文所用，可见光是人眼可见的波长在约380至约780纳米之间的电磁辐射。可见光可被分成光谱的各种颜色，如红、橙、黄、绿、蓝、靛和紫。蓝光可包含波长在约435nm至约500nm之间的光，绿光可包含波长在约520nm至565nm之间的光，红光可包含波长在约625nm至约740nm之间的光。
根据各种实施方案，发光纳米晶可具有使得它们吸收处于紫外、近红外和/或红外光谱中的光子的尺寸和组成。紫外光谱可包含波长在约100nm至约400nm之间的光，近红外光谱可包含波长在约750nm至约100μm之间的光，红外光谱可包含波长在约750nm至约300μm之间的光。
虽然在本文所述的各种实施方案中可使用任何合适材料的发光纳米晶，但在某些实施方案中，纳米晶可以是ZnS、InAs、CdSe或它们的任何组合以形成纳米晶群用于本文所述的实施方案中。如上文所讨论，在其他实施方案中，发光纳米晶可以是芯/壳纳米晶，如CdSe/ZnS、InP/ZnSe、CdSe/CdS或InP/ZnS。
根据各种实施方案，发光纳米晶可包含至少一群在由蓝/UV光源激发时能够发射红光的发光纳米晶和/或至少一群能够发射绿光的发光纳米晶。可调节发光纳米晶波长和浓度以满足所需的光学性能。在其他实施方案中，发光纳米晶磷光体材料可包含一群发光纳米晶，其吸收具有不期望的发射波长的光波长并重新发射具有期望的发射波长的二次光。以这种方式，本文所述的发光纳米晶膜可包含至少一群滤色发光纳米晶以进一步调节BLU发射并减少或消除对滤色的需要。
合适的发光纳米晶，制备发光纳米晶的方法，包括各种溶解度增强配体的添加，可见于公开的美国专利公开号2012/0113672中，其公开内容以引用其全文的方式并入本文。
磷光体组合物的示例性实施方案
如本文所用，术语“磷光体”是指合成的荧光或磷光物质。实例磷光体包括传统材料如铈(II)掺杂的YAG磷光体(YAG:Ce3+或Y3Al5O12:Ce3+)以及如本文所述的发光纳米晶。可用于显示器件(如本文所述显示器件100)中的另外的磷光体包括但不限于硅酸盐磷光体、石榴石磷光体、铝酸盐磷光体、氮化物磷光体、NYAG磷光体、SiAlON磷光体和基于CaAlSiN3(CASN)的磷光体、以及本领域已知的其他磷光体。
如全文所述，用于例如磷光体膜114、214、314和/或414(如本文参考图1-4所述)中的包含磷光体的组合物可具有多种形状，包括例如膜或片材。在其他的实施方案中，组合物可以是用于接收磷光体、合适地发光纳米晶的各种容器或接受器。
合适地，可将磷光体、特别是发光纳米晶分散或包埋在合适的聚合物材料中并夹在基质任一侧上的一个或多个屏障层之间以产生膜或片材，如磷光体膜114、214、314和/或414，也称量子点增强膜(QDEF)。这样的膜见述于例如美国专利公开号2010/0110728和2012/0113672中，其每一者的公开内容以引用其全文的方式并入本文。
磷光体膜114、214、314和/或414的发光纳米晶可被包覆以一个或多个配体包覆层、包埋在一个或多个膜或片材中和/或由一个或多个屏障层密封。此类配体、膜和屏障可为发光纳米晶提供光稳定性并保护发光纳米晶免受环境条件包括高温、高强度光、外部气体、湿气和其他有害环境条件的影响。使用这些材料可实现额外的效果，包括主体膜材料中期望的折射率、主体膜材料中期望的粘度或发光纳米晶分散/混溶性、以及其他期望的效果。在实施方案中，选择配体和膜材料以具有足够低的热膨胀系数，使得热固化基本上不会影响发光纳米晶磷光体材料。
磷光体膜114、214、314和/或414的发光纳米晶可包含共轭、配合、缔合或附着到其表面的配体。在一个实施方案中，发光纳米晶可包括包覆层，所述包覆层包含配体以保护发光纳米晶免受外部湿气和氧化、控制聚集并允许发光纳米晶在基质材料中的分散。本文描述了配体和基质材料以及提供此类材料的方法。另外的配体和膜材料以及提供此类材料的方法包括本领域技术人员已知的任何群组，包括美国专利公开号2012/0113672、美国专利号8,283,412、美国专利公开号2008/0237540、美国专利公开号2010/0110728、美国专利号8,563,133、美国专利号7,645,397、美国专利号7,374,807、美国专利号6,949,206、美国专利号7,572,393、美国专利号7,267,875中公开的那些，其每一者的公开内容以引用其全文的方式并入本文。另外，配体和基质材料可包括本领域任何合适的材料。
将发光纳米晶分散在聚合物材料中提供了密封纳米晶的方法并提供了用于混合各种组成和尺寸的发光纳米晶的机制。如全文所用，“分散的”包括发光纳米晶的均匀(即，基本上均相)以及不均匀(即，基本上非均相)的分布或布置。
用于包含发光纳米晶的组合物(例如，磷光体膜114、214、314和/或414)中的材料可包括聚合物及有机和无机氧化物。聚合物可包括普通技术人员已知的可用于此类目的的任何聚合物。在一个实施方案中，聚合物可以是基本上半透明的或基本上透明的。基质材料可包括但不限于：环氧树脂；丙烯酸酯；降冰片烯；聚乙烯；聚(乙烯醇缩丁醛)；聚(乙酸乙烯酯)；聚脲；聚氨酯；有机硅和有机硅衍生物，包括但不限于氨基有机硅(AMS)、聚苯基甲基硅氧烷、聚苯基烷基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、聚二烷基硅氧烷、倍半硅氧烷、氟化有机硅及乙烯基和氢化物取代的有机硅；由包括但不限于甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯和甲基丙烯酸月桂酯的单体形成的丙烯酸类聚合物和共聚物；基于苯乙烯的聚合物，如聚苯乙烯、氨基聚苯乙烯(APS)和聚(丙烯腈乙烯苯乙烯)(AES)；与二官能单体如二乙烯基苯交联的聚合物；适于交联配体材料的交联剂；与配体胺(例如，APS或PEI配体胺)结合形成环氧树脂的环氧化物；等等。
可使用任何合适的方法将如本文所述的发光纳米晶包埋在聚合物(或其他合适的材料，例如，蜡、油)基质中，例如，将发光纳米晶混合在聚合物中并铸造膜；将发光纳米晶与单体混合并将它们聚合在一起；将发光纳米晶混合在溶胶-凝胶中；或本领域技术人员已知的任何其他方法。如本文所用，术语“包埋”用来指发光纳米晶被封闭或包裹在聚合物内。应指出，发光纳米晶可均匀分布在整个组合物中，但在其他的实施方案中，它们可按应用特异性的均匀性分布函数来分布。
如本文所述包含发光纳米晶的组合物(例如，磷光体膜114、214、314和/或414)的厚度可通过本领域已知的任何方法控制，如旋涂和丝网印刷。如本文所述的发光纳米晶组合物(例如，磷光体膜114、214、314和/或414)可以是任何期望的尺寸、形状、配置和厚度。例如，组合物(例如，磷光体膜114、214、314和/或414)可呈层的形式以及其他形状，例如，盘、球、立方体或块、管状配置等。组合物(例如，磷光体膜114、214、314和/或414)大约厚约100μm，即在一个维度上。在其他实施方案中，聚合物膜的厚度可大约为几十微米至几百微米。发光纳米晶可以适合于期望的功能的任何荷载比率包埋在各种组合物中。例如，取决于应用、聚合物和所用纳米晶的类型，发光纳米晶可以以约0.001体积％至约75体积％之间的比率荷载。适宜的荷载比率可由普通技术人员容易地确定并在本文中结合特定应用而进一步描述。在一个实施方案中，荷载在发光纳米晶组合物中(例如，在磷光体膜114、214、314和/或414中)的纳米晶的量可在大约10体积％至百万分之几(ppm)的水平。
应理解，虽然本文示意并描述了某些实施方案，但权利要求不限于所述和所示部分的特定形式或布置。在说明书中，公开了示意性实施方案，尽管采用了特定的术语，但它们仅在一般性和描述性意义上使用而不是出于限制的目的。可以根据上文的教导对实施方案作修改和变型。因此应理解，实施方案可以不同于具体描述的方式实施。

Claims (41)

1.一种显示器件，所述显示器件包括：
背光单元(BLU)，所述背光单元包括：
具有顶侧、底侧和侧壁的光学腔，
耦合到所述光学腔的光源阵列，和
位于所述光学腔内、配置为处理从所述光源阵列接收的光的量子点(QD)膜；和
耦合到所述背光单元的图像生成单元(IGU)，其中所述背光单元被配置为向所述IGU传输所述经处理的光。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述QD膜耦合到所述顶侧的底表面。
3.根据权利要求1所述的显示器件，其中所述BLU还包括第一板，所述第一板是光学透射的并且被配置为支承所述光学腔内的所述QD膜。
4.根据权利要求3所述的显示器件，其中所述BLU还包括支承所述第一板的支承柱。
5.根据权利要求1所述的显示器件，其中：
所述BLU还包括第一板和第二板；
所述QD膜插置在所述第一和第二板之间；和
所述第一板被配置为支承所述QD膜。
6.根据权利要求5所述的显示器件，其中所述第二板包含光学漫射材料。
7.根据权利要求5所述的显示器件，其中所述第二板包含光学透明材料和光学半透明材料。
8.根据权利要求5所述的显示器件，其中所述第二板包含光学半透明材料和具有不同直径尺寸的孔隙。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的显示器件，其中所述QD膜包含QD膜阵列。
10.根据权利要求9所述的显示器件，其中所述QD膜阵列的每一个QD膜被配置为覆盖所述光源阵列的相应排。
11.根据权利要求1所述的显示器件，其中：
所述QD膜包含QD膜阵列；
所述QD膜阵列的每一个QD膜耦合到所述底侧的顶表面，配置为封闭所述光源阵列的相应排。
12.根据权利要求11所述的显示器件，其中所述每一个QD膜被配置为形成围绕所述光源阵列的相应排的空间。
13.根据权利要求12所述的显示器件，其中所述空间包括拱形、半圆形、矩形、梯形、三角形或它们的组合的横截面形状。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的显示器件，其中所述光学腔的所述顶侧包含光学漫射材料。
15.根据权利要求1-13中任一项所述的显示器件，其中所述光学腔的所述顶侧包含光学透明材料和光学半透明材料。
16.根据权利要求1-13中任一项所述的显示器件，其中所述光学腔的顶侧包含光学半透明材料和具有不同直径尺寸的孔隙。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的显示器件，其中所述QD膜包含多个被配置为发射红光的量子点。
18.根据权利要求1-16中任一项所述的显示器件，其中所述QD膜包含多个被配置为发射绿光的量子点。
19.根据权利要求1-16中任一项所述的显示器件，其中所述QD膜包含：
第一多个被配置为发射红光的QD；和
第二多个被配置为发射绿光的QD。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的显示器件，其中所述光源阵列耦合到所述光学腔的所述底侧的顶表面。
21.根据权利要求1-20中任一项所述的显示器件，其中所述光源阵列包含发光二极管(LED)阵列。
22.根据权利要求1-21中任一项所述的显示器件，其中所述BLU还包括光学处理单元，所述光学处理单元包括：
亮度增强膜；和
耦合到所述亮度增强膜的偏振膜。
23.根据权利要求1-22中任一项所述的显示器件，其中所述IGU包括：
液晶模块；和
耦合到所述液晶模块的触摸屏显示器。
24.根据权利要求1-23中任一项所述的器件，其中所述显示器件包括液晶显示器件、计算机、平板电脑、手持式设备、电话、可穿戴设备和TV中的至少之一。
25.一种光源单元，所述光源单元包括：
具有顶侧、底侧和侧壁的光学腔；
耦合到所述底侧的顶表面的光源阵列；和
位于所述顶侧和所述光源阵列之间、配置为处理从所述光源阵列接收的光的量子点(QD)膜。
26.根据权利要求25所述的光源单元，所述光源单元还包括第一板和第二板，其中：
所述QD膜插置在所述第一和第二板之间；和
所述第一板被配置为支承所述QD膜。
27.根据权利要求25-26中任一项所述的光源单元，其中所述QD膜包含QD膜阵列。
28.根据权利要求27所述的光源单元，其中所述QD膜阵列的每一个QD膜被配置为覆盖所述光源阵列的相应排。
29.根据权利要求25所述的光源单元，其中：
所述QD膜包含QD膜阵列；和
所述QD膜阵列的每一个QD膜耦合到所述底侧的顶表面，配置为封闭所述光源阵列的相应排。
30.根据权利要求29所述的光源单元，其中所述每一个QD膜被配置为形成围绕所述光源阵列的相应排的空间。
31.根据权利要求30所述的光源单元，其中所述空间包括拱形、半圆形、矩形、梯形、三角形或它们的组合的横截面形状。
32.一种形成显示器件的方法，所述方法包括：
提供具有顶侧、底侧和侧壁的光学腔；
将光源阵列耦合到所述光学腔；和
支承所述光学腔内的量子点(QD)膜。
33.根据权利要求32所述的方法，所述方法还包括提供光学漫射层作为所述光学腔的所述顶侧。
34.根据权利要求32所述的方法，其中所述QD膜的所述支承包括将所述QD膜耦合到所述光学腔的所述顶侧。
35.根据权利要求32所述的方法，其中所述QD膜的所述支承包括：
提供位于所述光学腔内的第一板；和
将所述QD膜耦合到所述第一板。
36.根据权利要求32所述的方法，其中所述QD膜的所述支承包括：
提供位于所述光学腔内的第一板和第二板；和
将所述QD膜插置在所述第一和第二板之间。
37.根据权利要求36所述的方法，所述方法还包括提供光学漫射层作为所述第二板。
38.根据权利要求32-37中任一项所述的方法，所述方法包括将所述光源阵列耦合到所述光学腔的所述底侧的顶表面。
39.根据权利要求32-38中任一项所述的方法，所述方法还包括提供QD膜阵列作为所述QD膜。
40.根据权利要求32所述的方法，所述方法还包括：
提供QD膜阵列作为所述QD膜；和
使用所述QD膜阵列的每一个QD膜形成围绕所述光源阵列的相应排的封闭空间。
41.根据权利要求40所述的方法，其中所述封闭空间的形成包括：
将所述每一个QD膜弯曲在所述光源阵列的相应排上方；和
将所述每一个QD膜耦合到所述光学腔的所述底侧的顶表面。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111435206A (zh) * 2019-01-14 2020-07-21 三星显示有限公司 显示设备

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9658489B1 (en) 2015-12-31 2017-05-23 Nanosys, Inc. Backlight units for display devices
DE102018106958A1 (de) 2017-03-24 2018-09-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Beleuchtungsvorrichtung und Beleuchtungssystem
CN108279528B (zh) * 2018-01-17 2021-05-28 惠州市华星光电技术有限公司 一种背光源
US20190221719A1 (en) * 2018-01-17 2019-07-18 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight source
CN109613736A (zh) * 2019-02-14 2019-04-12 惠科股份有限公司 显示面板及其制作方法，以及显示装置
KR102663898B1 (ko) 2019-07-22 2024-05-08 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
US11927342B2 (en) 2020-06-16 2024-03-12 Signify Holding B.V. High-intensity light source with high CRI
KR20220031840A (ko) 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7335520B2 (ja) * 2021-06-21 2023-08-30 日亜化学工業株式会社 波長変換部材、発光装置及び画像表示装置
CN115773483A (zh) * 2022-11-10 2023-03-10 深圳市云密芯显示技术有限公司 量子点导光模块及其制作方法、背光模块

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040047042A1 (en) * 2001-03-16 2004-03-11 Hiromitsu Takahashi Optical functional sheet
JP2010230816A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Nippon Zeon Co Ltd 光学部材及び液晶表示装置
CN101960918A (zh) * 2008-02-27 2011-01-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led以及一个或多个透射窗的照明设备
WO2011108603A1 (ja) * 2010-03-03 2011-09-09 株式会社 東芝 面状照明装置およびこれを備えた液晶表示装置
CN203273509U (zh) * 2013-03-29 2013-11-06 苏州东山精密制造股份有限公司 一种直下式背光模组
CN104154468A (zh) * 2014-09-01 2014-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组
CN104360539A (zh) * 2014-11-21 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种背光模组及液晶显示器件
US20150098212A1 (en) * 2013-10-08 2015-04-09 Samsung Electronic Co., Ltd. Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
CN104819404A (zh) * 2014-02-05 2015-08-05 三星显示有限公司 背光组件以及包括该背光组件的显示装置
CN104932142A (zh) * 2015-06-10 2015-09-23 青岛海信电器股份有限公司 量子点发光器件及背光模组
US20150300576A1 (en) * 2014-04-21 2015-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Light source apparatus and image display apparatus
US20150339996A1 (en) * 2013-01-04 2015-11-26 Reald Inc. Multi-primary backlight for multi-functional active-matrix liquid crystal displays

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200422374A (en) 2002-09-05 2004-11-01 Nanosys Inc Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
US7572393B2 (en) 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
US7645397B2 (en) 2004-01-15 2010-01-12 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
EP1733077B1 (en) 2004-01-15 2018-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanocrystal doped matrixes
US8563133B2 (en) 2004-06-08 2013-10-22 Sandisk Corporation Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels
TW201341440A (zh) 2004-06-08 2013-10-16 Sandisk Corp 奈米結構之沉積後包封：併入該包封體之組成物、裝置及系統
JP4655746B2 (ja) * 2005-04-27 2011-03-23 ソニー株式会社 バックライト装置及び表示装置
KR100851194B1 (ko) * 2006-08-24 2008-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법, 백 라이트 장치
US8203540B2 (en) * 2006-09-05 2012-06-19 Honeywell International Inc. LCD panel with integral touchscreen
WO2008115498A1 (en) 2007-03-19 2008-09-25 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals
US20100110728A1 (en) 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
KR20090014623A (ko) * 2007-08-06 2009-02-11 엘지전자 주식회사 확산 시트, 그 제조 방법, 그를 구비하는 백라이트 유닛 및그를 구비하는 액정 표시장치
US8459855B2 (en) * 2008-07-28 2013-06-11 Munisamy Anandan UV LED based color pixel backlight incorporating quantum dots for increasing color gamut of LCD
EP2424941B1 (en) 2009-05-01 2017-05-31 Nanosys, Inc. Functionalized matrixes for dispersion of nanostructures
KR101131314B1 (ko) * 2010-04-08 2012-04-04 삼성전기주식회사 터치스크린 일체형 액정 디스플레이 장치
KR101372084B1 (ko) * 2010-06-29 2014-03-07 쿨레지 라이팅 인크. 항복형 기판을 갖는 전자 장치
JP2012199218A (ja) * 2010-09-09 2012-10-18 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明システム及び照明方法
WO2012064562A1 (en) * 2010-11-10 2012-05-18 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
CN104205375B (zh) * 2012-03-30 2019-01-15 亮锐控股有限公司 包括发光器件和波长转换材料的光学腔
US9810942B2 (en) * 2012-06-15 2017-11-07 Apple Inc. Quantum dot-enhanced display having dichroic filter
JP2015045768A (ja) * 2013-08-28 2015-03-12 富士フイルム株式会社 光変換部材、ならびにこれを含むバックライトユニットおよび液晶表示装置
WO2015069640A1 (en) 2013-11-05 2015-05-14 Nanosys, Inc. Backlight unit for display devices adapted to reduce light leakage
JP6265055B2 (ja) * 2014-01-14 2018-01-24 ソニー株式会社 発光装置、表示装置および照明装置
CN104617197B (zh) * 2015-01-08 2017-08-01 青岛海信电器股份有限公司 一种显示模组用led发光器件及显示模组
US9658489B1 (en) 2015-12-31 2017-05-23 Nanosys, Inc. Backlight units for display devices

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040047042A1 (en) * 2001-03-16 2004-03-11 Hiromitsu Takahashi Optical functional sheet
CN101960918A (zh) * 2008-02-27 2011-01-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led以及一个或多个透射窗的照明设备
JP2010230816A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Nippon Zeon Co Ltd 光学部材及び液晶表示装置
WO2011108603A1 (ja) * 2010-03-03 2011-09-09 株式会社 東芝 面状照明装置およびこれを備えた液晶表示装置
US20150339996A1 (en) * 2013-01-04 2015-11-26 Reald Inc. Multi-primary backlight for multi-functional active-matrix liquid crystal displays
CN203273509U (zh) * 2013-03-29 2013-11-06 苏州东山精密制造股份有限公司 一种直下式背光模组
US20150098212A1 (en) * 2013-10-08 2015-04-09 Samsung Electronic Co., Ltd. Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
CN104819404A (zh) * 2014-02-05 2015-08-05 三星显示有限公司 背光组件以及包括该背光组件的显示装置
US20150300576A1 (en) * 2014-04-21 2015-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Light source apparatus and image display apparatus
CN104154468A (zh) * 2014-09-01 2014-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组
CN104360539A (zh) * 2014-11-21 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种背光模组及液晶显示器件
CN104932142A (zh) * 2015-06-10 2015-09-23 青岛海信电器股份有限公司 量子点发光器件及背光模组

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111435206A (zh) * 2019-01-14 2020-07-21 三星显示有限公司 显示设备

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