CN108598070A - 一种双芯片的芯片级led封装结构及其制作方法 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种双芯片的芯片级LED封装结构及其制作方法，本发明利用双芯片发射不同的光去激发不同的荧光层，再将相邻的光进行混合出光，可以实现色温的灵活调整；具有焊料层的铜柱实现了焊接的便捷性，且同时提高了固化板的强度，增强了其散热效果；荧光层包覆狭缝内的树脂块的侧面，防止侧面未经激发的光直接出射。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装领域，尤其涉及一种双芯片的芯片级LED封装结构及其制造方法。
背景技术
对于芯片级的LED封装结构而言，多为单个芯片的封装，其封装结构简单，但是色温范围单一，出光角度多为单面的，不利于光的有效利用。
发明内容
基于解决上述问题，本发明提供了一种一种双芯片的芯片级LED封装结构的制造方法，包括：
（1）模塑形成一透明树脂固化板，所述固化板上设有多个凹槽；
（2）将多个倒装LED芯片分别卡入所述凹槽内；
（3）在所述第一表面上形成第一树脂层，所述第一树脂层完全密封所述LED芯片；
（4）在所述LED芯片之间的所述第一树脂层位置形成多个狭缝，所述狭缝将所述第一树脂层分割成多个树脂块，所述树脂块分别密封单个LED芯片；
（5）在所述树脂块上和狭缝内形成荧光层，所述荧光层包括能够吸收所述第一波长发射光的第一层和能够吸收所述第二发射光的第二层；
（6）在所述荧光层上形成第二树脂层，所述树脂层覆盖所述荧光层。
根据本发明的实施例，在步骤（1）中，所述固化板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有多个凹槽，所述固化板内具有多个铜柱，所述铜柱的上端和下端设有焊料层，所述上端的焊料层与所述凹槽的底壁齐平且从所述凹槽露出而所述下端的焊料层未从所述第二表面露出。
根据本发明的实施例，在步骤（2）中，通过所述上端的焊料层焊接至所述铜柱上，所述LED芯片包括具有第一波长发射光的第一LED芯片以及具有第二波长发射光的第二LED芯片，且两种不同颜色的LED芯片交替排布。
根据本发明的实施例，在步骤（6）之后还包括：减薄所述第二表面以使得所述铜柱的下端的焊料层从所述第二表面露出；以及对所述下端的焊料层进行回流，形成焊球。
根据本发明的实施例，所述荧光层通过压模工艺形成于所述树脂块上以及狭缝内。
本发明还提供了一种双芯片的芯片级LED封装结构，包括：
透明树脂固化板，在其上形成有多个凹槽；
多个倒装LED芯片，分别卡置于所述凹槽内；
第一树脂层，所述第一树脂层完全密封所述LED芯片，在所述LED芯片之间的所述第一树脂层位置形成有多个狭缝；
荧光层，形成在所述树脂块上和狭缝内，所述荧光层包括能够吸收所述第一波长发射光的第一层和能够吸收所述第二发射光的第二层；
第二树脂层，形成并覆盖在所述荧光层上。
根据本发明的实施例，所述固化板、第一树脂层和第二树脂层为相同的透明树脂材料。
根据本发明的实施例，所述第一芯片为蓝光LED芯片，所述第二芯片为红光LED芯片。
根据本发明的实施例，所述凹槽的深度小于所述LED芯片的高度。
根据本发明的实施例，还包括焊球，形成于所述铜柱的下端。
本发明的优点如下：
（1）其利用双芯片发射不同的光去激发不同的荧光层，再将相邻的光进行混合出光，可以实现色温的灵活调整；
（2）具有焊料层的铜柱实现了焊接的便捷性，且同时提高了固化板的强度，增强了其散热效果；
（3）荧光层包覆狭缝内的树脂块的侧面，防止侧面未经激发的光直接出射。
附图说明
图1-8为本发明制造双芯片的芯片级LED封装结构的示意图；
图9为本发明的铜柱回流前后的示意图。
具体实施方式
参见图1-9，本发明的双芯片的芯片级LED封装结构的制造方法，包括：
参见图1，模塑形成一透明树脂固化板1，所述固化板1具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有多个凹槽2，所述固化板1内具有多个铜柱3，所述铜柱3的上端和下端设有焊料层11（参见图9中未回流的铜柱3），所述上端的焊料层11与所述凹槽2的底壁齐平且从所述凹槽2露出而所述下端的焊料层11未从所述第二表面露出；
参见图2，将多个倒装LED芯片分别卡入所述凹槽2内，并通过所述上端的焊料层11焊接至所述铜柱3上，所述LED芯片包括具有第一波长发射光的第一LED芯片4以及具有第二波长发射光的第二LED芯片5，且两种不同颜色的LED芯片交替排布；
参见图3，在所述第一表面上形成第一树脂层6，所述第一树脂层6完全密封所述LED芯片；
参见图4，在所述LED芯片之间的所述第一树脂层6位置形成多个狭缝7，所述狭缝7将所述第一树脂层6分割成多个树脂块，所述树脂块分别密封单个LED芯片；
参见图5，在所述树脂块上和狭缝7内形成荧光层8，所述荧光层8包括能够吸收所述第一波长发射光的第一层和能够吸收所述第二发射光的第二层；
参见图6，在所述荧光层8上形成第二树脂层9，所述树脂层9覆盖所述荧光层8；
参见图7，减薄所述第二表面以使得所述铜柱3的下端的焊料层11从所述第二表面露出；
参见图8，对所述下端的焊料层11进行回流，形成焊球10。
其中，所述固化板1、第一树脂层6和第二树脂层9为相同的透明树脂材料。所述第一芯片4为蓝光LED芯片，所述第二芯片5为红光LED芯片。所述凹槽2的深度小于所述LED芯片的高度。所述荧光层8通过压模工艺形成于所述树脂块上以及狭缝内。
参见图8，本发明根据上述方法提供了一种双芯片的芯片级LED封装结构，包括：
透明树脂固化板，所述固化板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有多个凹槽，所述固化板内具有多个铜柱，所述铜柱的上端设有焊料层，所述上端的焊料层与所述凹槽的底壁齐平且从所述凹槽露出，所述铜柱的下端从所述第二表面露出；
多个倒装LED芯片，分别卡置于所述凹槽内，并通过所述上端的焊料层焊接至所述铜柱上，所述LED芯片包括具有第一波长发射光的第一LED芯片以及具有第二波长发射光的第二LED芯片，且两种不同颜色的LED芯片交替排布；
第一树脂层，形成在所述第一表面上，所述第一树脂层完全密封所述LED芯片，在所述LED芯片之间的所述第一树脂层位置形成有多个狭缝，所述狭缝将所述第一树脂层分割成多个树脂块，所述树脂块分别密封单个LED芯片；
荧光层，形成在所述树脂块上和狭缝内，所述荧光层包括能够吸收所述第一波长发射光的第一层和能够吸收所述第二发射光的第二层；
第二树脂层，形成并覆盖在所述荧光层上；
焊球，形成于所述铜柱的下端。
其中，所述固化板、第一树脂层和第二树脂层为相同的透明树脂材料。所述第一芯片为蓝光LED芯片，所述第二芯片为红光LED芯片。所述凹槽的深度小于所述LED芯片的高度。所述荧光层包裹所述树脂块的顶面和侧面。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种双芯片的芯片级LED封装结构的制造方法，包括：
（1）模塑形成一透明树脂固化板，所述固化板上设有多个凹槽；
（2）将多个倒装LED芯片分别卡入所述凹槽内；
（3）在所述第一表面上形成第一树脂层，所述第一树脂层完全密封所述LED芯片；
（4）在所述LED芯片之间的所述第一树脂层位置形成多个狭缝，所述狭缝将所述第一树脂层分割成多个树脂块，所述树脂块分别密封单个LED芯片；
（5）在所述树脂块上和狭缝内形成荧光层，所述荧光层包括能够吸收所述第一波长发射光的第一层和能够吸收所述第二发射光的第二层；
（6）在所述荧光层上形成第二树脂层，所述树脂层覆盖所述荧光层。
2.根据权利要求1所述的双芯片的芯片级LED封装结构的制造方法，其特征在于：在步骤（1）中，所述固化板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有多个凹槽，所述固化板内具有多个铜柱，所述铜柱的上端和下端设有焊料层，所述上端的焊料层与所述凹槽的底壁齐平且从所述凹槽露出而所述下端的焊料层未从所述第二表面露出。
3.根据权利要求2所述的双芯片的芯片级LED封装结构的制造方法，其特征在于：在步骤（2）中，通过所述上端的焊料层焊接至所述铜柱上，所述LED芯片包括具有第一波长发射光的第一LED芯片以及具有第二波长发射光的第二LED芯片，且两种不同颜色的LED芯片交替排布。
4.根据权利要求2所述的双芯片的芯片级LED封装结构的制造方法，其特征在于：在步骤（6）之后还包括：减薄所述第二表面以使得所述铜柱的下端的焊料层从所述第二表面露出；以及对所述下端的焊料层进行回流，形成焊球。
5.根据权利要求2所述的双芯片的芯片级LED封装结构的制造方法，其特征在于：所述荧光层通过压模工艺形成于所述树脂块上以及狭缝内。
6.一种双芯片的芯片级LED封装结构，包括：
透明树脂固化板，在其上形成有多个凹槽；
多个倒装LED芯片，分别卡置于所述凹槽内；
第一树脂层，所述第一树脂层完全密封所述LED芯片，在所述LED芯片之间的所述第一树脂层位置形成有多个狭缝；
荧光层，形成在所述树脂块上和狭缝内，所述荧光层包括能够吸收所述第一波长发射光的第一层和能够吸收所述第二发射光的第二层；
第二树脂层，形成并覆盖在所述荧光层上。
7.根据权利要求6所述的双芯片的芯片级LED封装结构，其特征在于：所述固化板、第一树脂层和第二树脂层为相同的透明树脂材料。
8.根据权利要求7所述的双芯片的芯片级LED封装结构，其特征在于：所述第一芯片为蓝光LED芯片，所述第二芯片为红光LED芯片。
9.根据权利要求7所述的双芯片的芯片级LED封装结构，其特征在于：所述凹槽的深度小于所述LED芯片的高度。
10.根据权利要求7所述的双芯片的芯片级LED封装结构，其特征在于：还包括焊球，形成于所述铜柱的下端。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810663241.2A CN108598070B (zh) | 2018-06-25 | 2018-06-25 | 一种双芯片的芯片级led封装结构及其制作方法 |
| PCT/CN2018/103598 WO2020000635A1 (zh) | 2018-06-25 | 2018-08-31 | 一种双芯片的芯片级led封装结构及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810663241.2A CN108598070B (zh) | 2018-06-25 | 2018-06-25 | 一种双芯片的芯片级led封装结构及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108598070A true CN108598070A (zh) | 2018-09-28 |
| CN108598070B CN108598070B (zh) | 2023-07-18 |
Family
ID=63633758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810663241.2A Active CN108598070B (zh) | 2018-06-25 | 2018-06-25 | 一种双芯片的芯片级led封装结构及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN108598070B (zh) |
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|---|---|
| CN108598070B (zh) | 2023-07-18 |
| WO2020000635A1 (zh) | 2020-01-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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